KR20210065041A - 탑재대 및 기판 처리 장치 - Google Patents

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치시오 고시미즈
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도쿄엘렉트론가부시키가이샤
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Abstract

[과제] 에지 링에 안정되게 전압을 인가하는 기술을 제공한다.
[해결 수단] 기판을 탑재하는 기판 탑재면과, 상기 기판 탑재면의 주위에 에지 링을 탑재하는 에지 링 탑재면과, 상기 에지 링 탑재면에 형성되며, 전압을 상기 에지 링에 공급하도록 구성된 도전성의 전극을 구비하는 탑재대이다.

Description

탑재대 및 기판 처리 장치{SUBSTRATE SUPPORT AND SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 개시는 탑재대 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.
예를 들면, 특허문헌 1에는 포커스 링이, 정전 척 상에 탑재된 기판을 둘러싸도록 배치되는 플라즈마 처리 장치가 개시되어 있다. 포커스 링 상에서의 시스의 상단 위치를 조정하기 위해서, 포커스 링에 직류 전압이 인가된다.
일본 특허 공개 제 2007-258417 호 공보
본 개시는 에지 링에 안정되게 전압을 인가하는 기술을 제공하는 것이 요구되고 있다.
본 개시의 하나의 태양에 의하면, 기판을 탑재하는 기판 탑재면과, 상기 기판 탑재면의 주위에 에지 링을 탑재하는 에지 링 탑재면과, 상기 에지 링 탑재면에 형성되며, 전압을 상기 에지 링에 공급하도록 구성된 도전성의 전극을 구비하는 탑재대가 제공된다.
본 개시에 의하면, 에지 링에 안정되게 전압을 인가하는 기술을 제공한다.
도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 개략 구성을 도시하는 단면도이다.
도 2는 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 정전 척의 상면도이다.
도 3은 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 에지 링으로의 급전에 대해 설명하는 도면이다.
도 4는 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 에지 링으로의 급전의 변형예에 대하여 설명하는 도면이다.
도 5는 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 에지 링으로의 급전의 변형예에 대하여 설명하는 도면이다.
도 6은 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 에지 링으로의 급전의 변형예에 대해 설명하는 도면이다.
도 7은 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 에지 링으로의 급전의 변형예에 대해 설명하는 도면이다.
도 8은 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 에지 링으로의 급전의 변형예에 대해 설명하는 도면이다.
도 9는 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 에지 링으로의 급전의 변형예에 대해 설명하는 도면이다.
도 10은 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 에지 링으로의 급전의 변형예에 대해 설명하는 도면이다.
이하, 본 개시를 실시하기 위한 형태에 대해 도면을 참조하여 설명한다. 또한, 본 명세서 및 도면에 있어서, 실질적으로 동일한 구성에 대해서는, 동일한 부호를 부여하는 것에 의해 중복된 설명을 생략한다.
<기판 처리 장치의 전체 구성>
우선, 도 1을 참조하면서 기판 처리 장치(1)의 전체 구성의 일 예에 대해 설명한다. 도 1은 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 개략 구성을 도시하는 단면도이다. 또한, 본 실시형태에서는, 기판 처리 장치(1)가 RIE(Reactive Ion Etching)형의 기판 처리 장치인 예에 대해 설명한다. 단, 기판 처리 장치(1)는 플라즈마 에칭 장치나 플라즈마 CVD(Chemical Vapor Deposition) 장치 등이어도 좋다.
도 1에 있어서, 기판 처리 장치(1)는 금속제, 예를 들면, 알루미늄제 또는 스테인리스강제의 접지된 원통형의 처리 용기(2)를 가지며, 상기 처리 용기(2) 내에 기판(W)을 탑재하는 원판형상의 탑재대(10)가 배설되어 있다. 탑재대(10)는 기대(11)와, 정전 척(25)을 구비한다. 기대(11)는 하부 전극으로서 기능한다. 기대(11)는 예를 들면 알루미늄으로 이루어진다. 기대(11)는 절연성의 통형상 보지 부재(12)를 거쳐서 처리 용기(2)의 바닥으로부터 수직 상방으로 연장되는 통형상 지지부(13)에 지지되어 있다.
처리 용기(2)의 측벽과 통형상 지지부(13) 사이에는 배기로(14)가 형성되며, 배기로(14)의 입구 또는 도중에 환상의 배플판(15)이 배설되는 동시에, 바닥부에 배기구(16)가 마련되며, 상기 배기구(16)에 배기관(17)을 거쳐서 배기 장치(18)가 접속되어 있다. 여기에서, 배기 장치(18)는 드라이 펌프 및 진공 펌프를 가지며, 처리 용기(2) 내의 처리 공간을 소정의 진공도까지 감압한다. 또한, 배기관(17)은 가변식 버터플라이 밸브인 자동 압력 제어 밸브(automatic pressure control valve)(이하, "APC"라 함)를 가지며, 상기 APC는 자동적으로 처리 용기(2) 내의 압력 제어를 실행한다. 또한, 처리 용기(2)의 측벽에는, 기판(W)의 반입·반출구(19)를 개폐하는 게이트 밸브(20)가 장착되어 있다.
기대(11)에는 제 1 정합부(22a)를 거쳐서 제 1 고주파 전원(21a)이 접속되어 있다. 또한, 기대(11)에는 제 2 정합부(22b)를 거쳐서 제 2 고주파 전원(21b)이 접속되어 있다. 제 1 고주파 전원(21a)은 소정 주파수(예를 들면 100㎒)의 플라즈마 발생용의 고주파 전력을 기대(11)에 공급한다. 제 2 고주파 전원(21b)은 제 1 고주파 전원(21a)보다 낮은 소정 주파수(예를 들면, 13㎒)의 이온 인입용의 고주파 전력을 기대(11)에 공급한다.
처리 용기(2)의 천장부에는, 상부 전극으로서도 기능하는 샤워 헤드(24)가 배설되어 있다. 이에 의해, 기대(11)와 샤워 헤드(24) 사이에, 제 1 고주파 전원(21a) 및 제 2 고주파 전원(21b)으로부터의 2개의 주파수의 고주파 전압이 인가된다.
기대(11)의 상면에는 정전 흡착력에 의해 기판(W)을 흡착하는 정전 척(25)이 마련되어 있다. 정전 척(25)은 기판(W)이 탑재되는 원판형상의 중심부(25a)와, 중심부(25a)를 둘러싸도록 형성된 환상의 외주부(25b)를 갖는다. 중심부(25a)는 외주부(25b)에 대하여 도면 중 상방으로 돌출되어 있다. 중심부(25a)의 상면은, 기판(W)을 탑재하는 기판 탑재면(25a1)이다. 외주부(25b)의 상면은 에지 링(30)을 탑재하는 에지 링 탑재면(25b1)이다. 에지 링 탑재면(25b1)은 기판 탑재면(25a1)의 주위에서 에지 링(30)을 탑재하도록 되어 있다. 에지 링(30)은 포커스 링이라고도 한다. 또한, 중심부(25a)는 도전막으로 이루어지는 전극판(26)을 한쌍의 유전막의 사이에 끼우는 것에 의해 구성된다. 전극판(26)에는 직류 전원(27)이 전기적으로 접속되어 있다. 외주부(25b)는, 도전막으로 이루어지는 전극판(29)을 한쌍의 유전막의 사이에 끼우는 것에 의해 구성된다. 전극판(29)에는 직류 전원(28)이 전기적으로 접속되어 있다.
직류 전원(27) 및 직류 전원(28)은 공급하는 직류 전압의 레벨 및 극성의 변경이 가능하게 되어 있다. 직류 전원(27)은 후술하는 제어부(43)로부터의 제어에 의해, 전극판(26)에 직류 전압을 인가한다. 직류 전원(28)은 제어부(43)로부터의 제어에 의해, 전극판(29)에 직류 전압을 인가한다. 정전 척(25)은, 직류 전원(27)으로부터 전극판(26)에 인가된 전압에 의해 쿨롱력 등의 정전력을 발생시켜, 정전력에 의해 정전 척(25)에 기판(W)을 흡착 보지한다. 또한, 정전 척(25)은 직류 전원(28)으로부터 전극판(29)에 인가된 전압에 의해 쿨롱력 등의 정전력을 발생시켜, 정전력에 의해 정전 척(25)에 에지 링(30)을 흡착 보지한다.
또한, 본 실시형태의 정전 척(25)은 기판(W)용의 정전 척과 에지 링(30)용의 정전 척이 일체로 되어 있지만, 기판(W)용의 정전 척과 에지 링(30)용의 정전 척을 각각 별도의 정전 척으로 하여도 좋다. 즉, 전극판(26)과 전극판(29)이 각각 독립된 유전막에 끼워지도록 되어 있어도 좋다. 또한, 본 실시형태의 전극판(29)은 단극의 전극으로 되어 있지만, 쌍극의 전극으로 하여도 좋다. 또한, 쌍극의 경우, 플라즈마가 생성되어 있지 않을 때에도, 에지 링(30)을 흡착할 수 있다.
정전 척(25)의 에지 링 탑재면(25b1)에는, 에지 링(30)에 전압을 공급하는 도전성의 전극인 급전부(91)가 형성되어 있다. 도 2는 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 정전 척(25)의 상면도이다. 급전부(91)는, 에지 링 탑재면(25b1)에 급전부(91a, 91b, 91c …)와 같이 복수의 급전부(91)가 원주 둘레 방향으로 등간격으로 형성되어 있다. 또한, 급전부(91)는 방사형상으로 마련되어 있다. 급전부(91)는 기판 탑재면(25a1)의 외측에 마련되어 있다. 또한, 개별의 급전부(91a, 91b, 91c …)를 총칭하여 급전부(91)라 하는 경우가 있다. 또한, 급전부(91)는 에지 링 탑재면(25b1)에 링형상으로 마련하여도 좋다. 또한, 급전부(91)에 급전하기 위해서 배선(92)과 배선(93)을 구비한다. 또한, 배선(92)을 보호하기 위해서 보호층(97)을 탑재대(10)의 측면에 구비한다. 급전부(91)는 배선(92), 배선(93)을 거쳐서, 전원(95)에 접속되어 있다. 또한, 급전부(91), 배선(92), 배선(93)의 상세에 대해서는 후술한다.
기대(11)의 내부에는 예를 들면, 원주 둘레 방향으로 연장되는 환상의 냉매실(31)이 마련되어 있다. 냉매실(31)에는 칠러 유닛(32)으로부터 배관(33, 34)을 거쳐서 소정 온도의 냉매, 예를 들면, 냉각수가 순환 공급되고, 상기 냉매의 온도에 의해 정전 척(25) 상의 기판(W)의 처리 온도를 제어한다. 또한, 냉매는 배관(33, 34)에 순환 공급되는 온도 조정용의 매체이다. 온도 조정용의 매체는, 기대(11) 및 기판(W)을 냉각할 뿐만 아니라, 가열하는 경우도 있을 수 있다.
또한, 정전 척(25)에는 가스 공급 라인(36)을 거쳐서 전열 가스 공급부(35)가 접속되어 있다. 전열 가스 공급부(35)는 가스 공급 라인(36)을 이용하여, 정전 척(25)의 중심부(25a)와 기판(W) 사이에 두어지는 공간에 전열 가스를 공급한다. 전열 가스로서는, 열전도성을 갖는 가스, 예를 들면, He 가스 등이 매우 바람직하게 이용된다.
천장부의 샤워 헤드(24)는 다수의 가스 통기 구멍(37a)을 갖는 하면의 전극판(37)과, 상기 전극판(37)을 착탈 가능하게 지지하는 전극 지지체(38)를 갖는다. 전극 지지체(38)의 내부에는 버퍼실(39)이 마련되며, 버퍼실(39)과 연통하는 가스 도입구(38a)에는, 가스 공급 배관(41)을 거쳐서 처리 가스 공급부(40)가 접속되어 있다.
기판 처리 장치(1)의 각 구성 요소는 제어부(43)에 접속되어 있다. 예를 들면, 배기 장치(18), 제 1 고주파 전원(21a), 제 2 고주파 전원(21b), 직류 전원(27), 직류 전원(28), 전원(95), 칠러 유닛(32), 전열 가스 공급부(35) 및 처리 가스 공급부(40)는 제어부(43)에 접속되어 있다. 제어부(43)는 기판 처리 장치(1)의 각 구성 요소를 제어한다.
제어부(43)는, 도시하지 않는 중앙 처리 장치(CPU) 및 메모리와 같은 기억 장치를 구비하고, 기억 장치에 기억된 프로그램 및 처리 레시피를 판독하고 실행하는 것에 의해, 기판 처리 장치(1)에서 소망의 처리를 실행한다. 예를 들면, 제어부(43)는 에지 링(30)을 정전 흡착하기 위한 정전 흡착 처리를 실행한다.
기판 처리 장치(1)에서는, 드라이 에칭 처리 시, 먼저 게이트 밸브(20)를 개방 상태로 하고 가공 대상의 기판(W)을 처리 용기(2) 내에 반입하고, 정전 척(25) 상에 탑재한다. 그리고, 기판 처리 장치(1)에서는, 처리 가스 공급부(40)에 의해 처리 가스(예를 들면, C4F8 가스, O2 가스 및 Ar 가스로 이루어지는 혼합 가스)를 소정의 유량 및 유량비로 처리 용기(2) 내에 도입하고, 배기 장치(18) 등에 의해 처리 용기(2) 내의 압력을 소정값으로 한다.
또한, 기판 처리 장치(1)에서는 제 1 고주파 전원(21a) 및 제 2 고주파 전원(21b)으로부터 각각 주파수가 상이한 고주파 전력을 기대(11)에 공급한다. 또한, 기판 처리 장치(1)에서는, 직류 전원(27)보다 직류 전압을 정전 척(25)의 전극판(26)에 인가하고, 기판(W)을 정전 척(25)에 흡착한다. 또한, 기판 처리 장치(1)에서는, 직류 전원(28)보다 직류 전압을 정전 척(25)의 전극판(29)에 인가하고, 에지 링(30)을 정전 척(25)에 흡착한다. 샤워 헤드(24)에 의해 토출된 처리 가스는 플라즈마화되고, 플라즈마 중의 라디칼이나 이온에 의해 기판(W)에 에칭 처리가 실시된다.
<급전부(91)로의 급전 구조>
본 실시형태의 기판 처리 장치(1)에 대해, 에지 링 탑재면(25b1)에 형성된 급전부(91)에 급전하는 구조에 대해 설명한다.
도 3은 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치의 에지 링의 급전에 대해 설명하는 도면이다. 구체적으로는, 에지 링(30) 부근의 확대 단면도이다.
정전 척(25)의 외주부(25b)의 에지 링 탑재면(25b1)에는, 도전성의 전극인 급전부(91)가 형성되어 있다. 급전부(91)는 금속 또는 합금 등의 도전체이면 좋으며, 예를 들면, 금, 알루미늄, 텅스텐, 니켈, 게르마늄, 안티몬, 텔루륨, 탄탈, 티탄, 루테늄, 백금, 몰리브덴, 주석, 인듐 또는 그들 중 어느 하나를 포함하는 합금에 의해 형성되어 있다. 급전부(91)는 예를 들면, 물리 증착법(PVD: Physical Vapor Deposition), 화학 증착법(CVD: Chemical Vapor Deposition) 등의 기상 성장법, 또한, 도금, 도포, 졸겔이나 스핀 코팅 등의 액상 성장법, 또한 용사나 인쇄 등에 의해 형성된다. 급전부(91)의 두께에 대해서는, 정전 척(25)에서 흡인되면, 어느 두께라도 좋다. 단, 에지 링(30)을 냉각하기 위해서, 에지 링 탑재면(25b1)으로부터, 전열 가스(예를 들면, He 가스)를 공급하는 경우에는, 전극의 돌출 높이(전극의 두께)는 5㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다. 또한, 에지 링 탑재면(25b1)의 일부를 파내려 가, 바닥에 전극을 생성하여, 급전부(91)의 전극면과 에지 링 탑재면(25b1)의 면의 높이를 맞추어도 좋다. 그 경우는, 전극을 가하고 나서 높이를 나란하게 하는 가공을 하는 것이 바람직하다. 급전부(91)는 에지 링 탑재면(25b1)에 형성되며, 전압을 에지 링(30)에 공급하도록 구성된 도전성의 전극의 일 예이다.
본 실시형태의 급전부(91)는 도 2에 도시하는 바와 같이, 에지 링 탑재면(25b1)의 원주 둘레 방향으로 등간격으로 마련되어 있다. 이것은, 정전 척(25)에서 에지 링(30)에 에지 링 제어용의 DC 전압이나 RF 파워를 인가하기 위함이다. 단, 에지 링(30)을 정전 척(25)에서 흡착하지 않는 경우는, 에지 링 탑재면(25b1)의 전면에 급전부(91)를 형성하여도 좋다.
정전 척(25) 및 기대(11)의 측면에는, 정전 척(25)에 이용되는 유전막(예를 들면, 세라믹)을 거쳐서, 배선(92)이 마련되어 있다. 상기 유전막은, 세라믹을 용사하는 것에 의해 형성되어 있다. 배선(92)은 금속 또는 합금 등의 도전체이면 좋으며, 예를 들면, 금, 알루미늄, 텅스텐, 니켈, 게르마늄, 안티몬, 텔루륨, 탄탈, 티탄, 루테늄, 백금, 몰리브덴, 주석, 인듐 또는 그들 중 어느 하나를 포함하는 합금 등에 의해 형성되어 있다. 배선(92)은 예를 들면, 물리 증착법(PVD), 화학 증착법(CVD) 등의 기상 성장법, 또한, 도금, 도포, 졸겔이나 스핀 코팅 등의 액상 성장법, 또한, 용사나 인쇄 등에 의해 형성된다. 배선(92)은 급전부(91)와, 기대(11)의 하면의 배선(93) 사이를 접속한다. 배선(92)은 급전부(91)와 접속하는 제 1 배선의 일 예이다. 또한, 배선(92)은 기대(11)나 전극판(29)과 절연하면서 관통 구조를 이용하여도 좋다.
기대(11)의 하면(배면)에는 유전막(예를 들면, 세라믹)을 거쳐서, 배선(93)이 마련되어 있다. 배선(93)은 금속 또는 합금 등의 도전체이면 좋으며, 예를 들면, 금, 알루미늄, 텅스텐, 니켈, 게르마늄, 안티몬, 텔루륨, 탄탈, 티탄, 루테늄, 백금, 몰리브덴, 주석, 인듐 또는 그들 중 어느 하나를 포함하는 합금 등에 의해 형성되어 있다. 또한, 기대(11)의 하면(배면)이 대기 중인 경우는, 배선(93)은 구리 또는 구리 합금이어도 좋다. 배선(93)은 예를 들면, 물리 증착법(PVD), 화학 증착법(CVD) 등의 기상 성장법, 또한, 도금, 도포, 졸겔이나 스핀 코팅 등의 액상성장법, 또한, 용사나 인쇄 등에 의해 형성된다. 배선(93)은 전원(95)에 접속된다. 전원(95)은 급전부(91)에 직류 전압이나 RF 펄스를 공급한다. 직류 전압은 펄스형상으로 인가되어도 좋다. RF는 연속적으로 공급되어도 좋다. 또한, 임의 파형의 전력이 공급되어도 좋다. RF는 제 1 고주파 전원(21a)으로부터 출력되는 고주파 전력이어도 좋으며, 제 2 고주파 전원(21b)으로부터 출력되는 고주파 전력이어도 좋으며, 그 양쪽의 고주파 전력이어도 좋다.
에지 링(30)이 소모되면, 시스의 위치가 변화한다. 전원(95)은 상기 변화한 시스의 위치를 조정하도록, 에지 링(30)에 급전한다. 배선(93)은 제 1 배선의 일 예인 배선(92)과 접속하는 제 2 배선의 일 예이다. 배선(92)과 배선(93)은 플라즈마 균일성 확보를 위해서, 원기둥과 도넛형상의 원반, 또한, 그렇지 않은 경우는 등배분 배치된 리드선 등으로 구성하는 것이 바람직하다. 또한, 배선(93)으로의 급전은 전원(95)으로부터의 급전에 한정되지 않는다. 예를 들면, 기대(11)나 전극판(26, 29)에 급전되는 전류를 가변 임피던스 소자에 의해 조정하여, 배선(93)에 급전하여도 좋다.
배선(92)을 보호하기 위해서 보호층(97)을 탑재대(10)의 측면에 구비한다. 보호층(97)은 예를 들면, 세라믹으로 형성된다. 세라믹의 경우는 세라믹을 용사하는 것에 의해 형성한다.
<작용·효과>
본 실시형태의 탑재대(10)는, 에지 링(30)을 탑재하는 에지 링 탑재면(25b1)에 급전부(91)를 구비한다. 그에 의해, 에지 링(30)에 안정되게 전압을 인가할 수 있다. 또한, 탑재대(10)의 정전 척(25)에 의해 에지 링(30)을 흡착함으로써, 에지 링(30)을 에지 링 탑재면(25b1)에 보지할 수 있다. 그와 같이, 에지 링(30)을 에지 링 탑재면(25b1)에 보지하고, 에지 링(30)으로 급전부(91)를 에지 링 탑재면(25b1)에 가압하는 것에 의해, 보다 안정되게 에지 링(30)과의 접촉 상태를 확보할 수 있는 동시에, 재현이 양호하게 전압을 인가할 수 있다.
참고예로서, 예를 들면, 에지 링(30)의 측면에 가압 부재 등으로 가압하면서 급전하는 경우를 고려한다. 에지 링(30)에 안정되게 급전하기 위해서는, 에지 링(30)을 가압 부재로 소정의 하중 이상으로 가압할 필요가 있다. 에지 링(30)에 의해 가압 부재 등으로 강한 하중으로 가압하면, 에지 링(30)의 위치가 어긋나거나, 에지 링(30)이 변형되는 경우가 있었다. 그에 대하여, 본 실시형태의 탑재대(10)에서는 에지 링(30)을 에지 링 탑재면(25b1)에 탑재시키는 것에 의해, 급전할 수 있도록 하고 있다. 에지 링(30)을 탑재할 때의 흡인력에 의해, 급전부(91)와 에지 링(30)의 접촉을 충분히 취할 수 있다. 이에 의해, 에지 링(30)에 안정되게 급전할 수 있다. 또한, 에지 링(30)을 에지 링 탑재면(25b1)에 탑재시켜 급전하는 것에 의해, 상술한 바와 같은 에지 링(30)의 변형이나 어긋남을 방지할 수 있다. 또한, 에지 링(30)은 소모되기 때문에 교환할 필요가 있지만, 에지 링(30)의 정전 흡착을 오프로하는 것만으로 에지 링(30)은 간단하게 분리할 수 있다. 이와 같이, 에지 링(30)은 간단하게 분리할 수 있기 때문에, 교환 작업, 자동 교환을 심플하고 빠르게 종료시킬 수 있다.
또한, 본 실시형태의 탑재대(10)는 탑재대(10)의 하면에 배선(93)을 구비한다. 예를 들면, 통형상 보지 부재(12)의 상면에 전원(95)과 접속된 탄성 부재를 구비하고, 상기 탄성 부재와 탑재대(10)의 하면에 구비하는 배선(93)을 접촉시켜 급전하도록 하여도 좋다. 이와 같이 하면, 탑재대(10)를 통형상 보지 부재(12)에 탑재하는 것에 의해 급전부(91)에 급전할 수 있다. 이와 같이, 기판 처리 장치(1)를 제조, 설치할 때의 작업을 간략화할 수 있다.
<변형예 1>
이하, 급전부(91)로의 급전 방법의 변형예에 대해 설명한다. 또한, 이하의 변형예에서는, 통형상 보지 부재(12)에 마련된 단자(100)와의 접속에 대해 설명한다. 또한, 단자(100)에는 전원(95)이 접속되며, 전원이 공급된다.
도 4는 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 에지 링(30)으로의 급전의 제 1 변형예에 대해 설명하는 도면이다. 제 1 변형예에서는, 단자(100)와 배선(92a) 사이를 스프링성 접촉자(101)로 접속하고 있다. 배선(92a)은 정전 척(25)의 측면에 마련되어 있다. 스프링성 접촉자(101)는 배선(92a)의 측면을 가압하면서, 배선(92a)에 급전한다. 이와 같이, 에지 링(30)에 안정되게 급전할 수 있다. 또한, 스프링성 접촉자(101)는 제 1 배선의 측면을 가압하면서 급전하는 탄성 부재의 일 예이다.
<변형예 2>
도 5는 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 에지 링(30)으로의 급전의 제 2 변형예에 대해 설명하는 도면이다. 제 2 변형예에서는, 단자(100)와 배선(92b) 사이를 멀티 콘택트(102)로 접속하고 있다. 배선(92b)은 정전 척(25)과 기대(11)의 측면에 마련되어 있다. 멀티 콘택트(102)는 배선(92b)의 측면을 가압하면서, 배선(92b)에 급전한다. 이와 같이, 에지 링(30)에 안정되게 급전할 수 있다. 또한, 멀티 콘택트(102)는 제 1 배선의 측면을 가압하면서 급전하는 탄성 부재의 일 예이다.
<변형예 3>
도 6은 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 에지 링(30)으로의 급전의 제 3 변형예에 대하여 설명하는 도면이다. 제 3 변형예에서는, 배선(92c)에 단자(103)를 마련하고, 단자(103)와 단자(100) 사이를 급전 핀(110)으로 접속하고 있다. 배선(92c)은 정전 척(25)의 측면에 마련되어 있다. 이와 같이, 에지 링(30)에 안정되게 급전할 수 있다.
<변형예 4>
도 7은 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 에지 링(30)으로의 급전의 제 4 변형예에 대해 설명하는 도면이다. 제 4 변형예에서는, 배선(92d)과 단자(100) 사이를 급전 핀(110)으로 접속하고 있다. 배선(92d)은 정전 척(25)의 측면에 마련되어 있다. 이와 같이, 에지 링(30)에 안정되게 급전할 수 있다.
<변형예 5>
도 8은 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 에지 링(30)으로의 급전의 제 5 변형예에 대해 설명하는 도면이다. 제 5 변형예에서는, 배선(92e)에 오목부(104)가 형성되며, 오목부(104)와 단자(100) 사이를 급전 핀(110)으로 접속하고 있다. 배선(92e)은 정전 척(25) 및 기대(11)의 측면에 마련되어 있다. 이와 같이, 에지 링(30)에 안정되게 급전할 수 있다.
<변형예 6>
도 9는 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 에지 링(30)으로의 급전의 제 6 변형예에 대해 설명하는 도면이다. 제 6 변형예에서는, 배선(92f)과 단자(100) 사이를 리드선(105)으로 접속하고 있다. 배선(92f)은 정전 척(25)의 측면에 마련되어 있다. 배선(92f)과 리드선(105)은 스폿 용접으로 접속되어 있다. 이와 같이, 에지 링(30)에 안정되게 급전할 수 있다.
<변형예 7>
도 10은 본 실시형태에 따른 기판 처리 장치(1)의 에지 링(30)으로의 급전의 제 7 변형예에 대해 설명하는 도면이다. 제 7 변형예에서는, 배선(92g)과 단자(100) 사이를 리드선(106)으로 접속하고 있다. 배선(92g)은 정전 척(25)의 측면에 마련되어 있다. 리드선(106)은 배선(92g) 상으로부터 기대(11)에 절연 나사(107)로 장착되는 것에 의해 접속된다. 이와 같이, 에지 링(30)에 안정적으로 급전할 수 있다.
<그 외의 변형예>
금회 개시의 본 실시형태에 따른 탑재대, 기판 처리 장치 및 에지 링은 모든 점에서 예시이며 제한적인 것은 아니라고 고려되어야 한다. 상기의 실시형태는, 첨부의 청구범위 및 그 주지를 일탈하는 일이 없이, 여러가지 형태로 변형 및 개량이 가능하다. 상기 복수의 실시형태에 기재된 사항은, 모순되지 않는 범위에서 다른 구성도 취할 수 있을 수 있으며, 또한, 모순되지 않는 범위에서 조합할 수 있다.
본 개시의 기판 처리 장치는, Capacitively Coupled Plasma(CCP), Inductively Coupled Plasma(ICP), 마이크로파에 의한 플라즈마를 생성하는 장치, 예를 들면, Radial Line Slot Antenna(RLSA)에 의해 생성된 플라즈마, Electron Cyclotron Resonance Plasma(ECR), 그리고 Helicon Wave Plasma(HWP) 등의 어느 타입에도 적용 가능하다.
1: 기판 처리 장치 10: 탑재대
11: 기대 25: 정전 척
25a: 중심부 25a1: 기판 탑재면
25b: 외주부 25b1: 에지 링 탑재면
91: 급전부 92: 배선
93: 배선

Claims (15)

  1. 기판을 탑재하는 기판 탑재면과,
    상기 기판 탑재면의 주위에 에지 링을 탑재하는 에지 링 탑재면과,
    상기 에지 링 탑재면에 형성되며, 전압을 상기 에지 링에 공급하도록 구성된 도전성의 전극을 구비하는
    탑재대.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 에지 링 탑재면에 상기 에지 링을 흡착하도록 구성된 정전 척을 더 구비하는
    탑재대.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 전극은 도전성의 막인
    탑재대.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 도전성의 막은 물리 증착, 화학 증착, 도금, 도포, 졸겔, 스핀 코팅, 용사, 인쇄 중 어느 하나에 의해 형성되는
    탑재대.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 전극은 금, 알루미늄, 텅스텐, 니켈, 게르마늄, 안티몬, 텔루륨, 탄탈, 티탄, 루테늄, 백금, 몰리브덴, 주석, 인듐 또는 그들 중 어느 하나를 포함하는 합금으로 형성되는
    탑재대.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항에 있어서,
    상기 전극은 상기 에지 링 탑재면에 복수의 급전부를 가지며, 상기 복수의 급전부의 각각에 직류 전압, 또는 고주파 전력을 공급하도록 구성되는
    탑재대.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 직류 전압, 또는 고주파 전력은 펄스형상으로 공급되는
    탑재대.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 복수의 급전부는 상기 에지 링 탑재면에 등간격으로 마련되는
    탑재대.
  9. 제 6 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 복수의 급전부는 상기 에지 링 탑재면에 방사형상으로 마련되는
    탑재대.
  10. 제 6 항 또는 제 8 항에 있어서,
    상기 복수의 급전부는 상기 에지 링 탑재면에 링형상으로 마련되는
    탑재대.
  11. 제 6 항 및 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탑재대의 측면에 상기 복수의 급전부와 접속하는 제 1 배선을 구비하고, 상기 제 1 배선을 거쳐서, 상기 복수의 급전부에 급전하는
    탑재대.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제 1 배선에 상기 제 1 배선의 측면을 가압하면서 급전하는 탄성 부재를 구비하는
    탑재대.
  13. 제 6 항 및 제 8 항 내지 제 10 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 탑재대의 측면에 상기 복수의 급전부와 접속하는 제 1 배선을 구비하고, 상기 탑재대의 배면에 상기 제 1 배선과 접속하는 제 2 배선을 구비하는
    탑재대.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 제 2 배선에 상기 제 2 배선의 측면을 가압하면서 급전하는 탄성 부재를 구비하는
    탑재대.
  15. 탑재대를 구비하는 기판 처리 장치에 있어서,
    상기 탑재대는,
    기판을 탑재하는 기판 탑재면과,
    상기 기판 탑재면의 주위에 에지 링을 탑재하는 에지 링 탑재면과,
    상기 에지 링 탑재면에 형성되며, 전압을 상기 에지 링에 공급하도록 구성된 도전성의 전극을 구비하는
    기판 처리 장치.
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