JP2021076478A - 物理量計測装置およびその製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】物理量計測装置に計測精度を高める。【解決手段】絶縁性を有し、流体が流れるバイパス通路３０を形成する樹脂製のバイパスハウジング２４と、バイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂおよびバイパス通路３０を形成するバイパスハウジングの内面である壁面２４ａの少なくとも一方の表面に面状に拡がるように形成された導電性を有する導電部９０と、を備える。この導電部９０からグランド４５へ電荷が放出される。【選択図】図１０

Description

本発明は、物理量計測装置およびその製造方法に関するものである。

従来、主通路から分岐するバイパス通路を有するハウジングと、バイパス通路に設けられた流量検出部とを備え、主通路を流れる気体の流量を計測する流量計が知られている。この種の流量計を使用する際、バイパス通路を流れるダスト等の異物が帯電していると、流量検出部が帯電してしまい流量計の特性ずれが発生するおそれがある。

これに対して、特許文献１では、炭素繊維が混ぜられた樹脂材料がハウジングの樹脂成形に用いられていることで、このハウジングに導電性が付与されている。この構成では、バイパス通路を流れる異物からハウジングに電荷が付与されたとしても、この電荷が炭素繊維によってハウジングから外部に放出され、ハウジングに電荷が溜まりにくくなっている。つまり、ハウジングの帯電が抑制される。

独国特許出願公開第１０２０１４２１８５７９号明細書

しかしながら、上記特許文献１では、樹脂成形用の材料での炭素繊維の含有量が不足している場合、ハウジングの帯電抑制機能が適正に発揮されず、ハウジングに電荷が溜まることが懸念される。また、樹脂成型用の材料に炭素繊維が含まれていない場合には、ハウジングに帯電抑制機能を付与することができず、ハウジングが帯電することが懸念される。これらのようにハウジングが帯電した場合には、流量等の物理量を計測する物理量計測装置について、特性ずれの発生など計測精度が低下することが懸念される。

本発明は、上述の点に鑑みてなされたものであり、その目的は、物理量計測装置の計測精度を高めることである。

上記目的を達成するため、請求項１に記載の発明は、流体の物理量を計測する物理量計測装置（２０）であって、絶縁性を有し、流体が流れるバイパス通路（３０）を形成する樹脂製のバイパスハウジング（２４）と、バイパス通路を流れる流体の物理量に応じた検出信号を出力する物理量検出部（２２）と、バイパスハウジングの外面（２４ｂ）およびバイパス通路を形成するバイパスハウジングの内面（２４ａ）の少なくとも一方に形成された導電性を有する導電部（９０）と、を備え、導電部からグランド（４５）へ電荷が放出される。

このような構成によれば、ハウジングを樹脂成形した後に、加熱等によりハウジングに導電部を後付けすることで、ハウジングの帯電抑制機能を向上させることができる。この場合、ハウジングや物理量検出部が帯電するということが生じにくくなるため、物理量計測装置に計測精度を高めることができる。

上記目的を達成するため、請求項２０に記載の発明は、流体の物理量を計測する物理量計測装置の製造方法であって、絶縁性を有し、流体が流れるバイパス通路（３０）を形成する樹脂製のバイパスハウジング（２１）を用意することと、熱による炭化によってバイパスハウジングの外面（２４ｂ）およびバイパス通路を形成する内面（２４ａ）の少なくとも一方に導電性を有する導電部を形成することと、を含んでいる。

このような方法によれば、樹脂製のハウジングに、加熱等によりハウジングに導電部を後付けすることで、ハウジングの帯電抑制機能を向上させることができる。この場合、ハウジングや物理量検出部が帯電するということが生じにくくなるため、物理量計測装置に計測精度を高めることができる。

なお、各構成要素等に付された括弧付きの参照符号は、その構成要素等と後述する実施形態に記載の具体的な構成要素等との対応関係の一例を示すものである。

第１実施形態のエアフロメータおよびそれが取り付けられた吸気管を示す図である。 図１のエアフロメータの正面図である。 図２中のIII矢視図である。 図２中のIV矢視図である。 図２中のV矢視図である。 図２中のVI−VI断面図である。 図２中のVII−VII断面図である。 図３中のVIII矢視図である。 図２に対応する図であって、導電部を示した図である。 図３に対応する図であって、導電部を示した図である。 図４に対応する図であって、導電部を示した図である。 図５に対応する図であって、導電部を示した図である。 ハウジングへの導電部の形成工程の流れを表した図である。 ハウジングへの導電部の形成工程について説明するための図である。 パターン間の距離とパターンの深さについて説明するための図である。 バイパスハウジングの断面図である。 図１５Ｂ中の炭化部を構成するグラファイトのａ−ｂ面を示す図である。 第２実施形態のエアフロメータを表した図であって、図３中のVIII矢視図である。 第２実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のIII矢視図である。 第２実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のIV矢視図である。 第３実施形態のエアフロメータを表した図であって、図３中のVIII矢視図である。 第３実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のIII矢視図である。 第３実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のIV矢視図である。 第４実施形態のエアフロメータの正面図である。 第４実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のIII矢視図である。 第４実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のIV矢視図である。 第５実施形態のエアフロメータを表した図であって、図３中のVIII矢視図である。 第５実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のIII矢視図である。 第５実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のIV矢視図である。 第６実施形態のエアフロメータの正面図である。 第６実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のIII矢視図である。 第６実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のIV矢視図である。 第７実施形態のエアフロメータの正面図である。 第７実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のIII矢視図である。 第７実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のIV矢視図である。 第７実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のV矢視図である。 第８実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のVI断面図である。 第８実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のVII矢視図である。 第９実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のVI断面図である。 第９実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のVII断面図である。 第１０実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のVI断面図である。 第１０実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のVII断面図である。 第１１実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のVI断面図である。 第１１実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のVII断面図である。 第１２実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中の正面図である。 第１２実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のIII矢視図である。 第１２実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のIV矢視図である。 第１２実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のV矢視図である。 第１３実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のVI断面図である。 第１３実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のVII断面図である。 第１４実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のIII矢視図である。 第１４実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のIV矢視図である。 第１５実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のVI断面図である。 第１５実施形態のエアフロメータを表した図であって、図２中のVII断面図である。 第１６実施形態に係るエアフロメータの製造方法について説明するための図である。 第１７実施形態に係るエアフロメータの表面に形成されたパターンを表した図である。 第１８実施形態に係るエアフロメータの表面に形成されたパターンを表した図である。 第１９実施形態に係るエアフロメータの表面に形成されたパターンを表した図である。 第２０実施形態に係るエアフロメータの表面に形成されたパターンを表した図である。 第２１実施形態に係るエアフロメータのバイパスハウジングの表面に形成された導電部を表した図である。 第１実施形態に係るエアフロメータのハウジングを構成している樹脂部材の斜視図である。 図５９中のLX−LX断面図である。 図２０に対応する図であって、フィラーが炭化物に引っかかっている様子を模式的に示す断面図である。 第２３実施形態の樹脂部材の正面の拡大図である。 図６２中のLXIII−LXIII断面図である。

以下、本発明の実施形態について図面を参照しつつ説明する。なお、以下の各実施形態相互において、互いに同一もしくは均等である部分には、同一符号を付し、その説明を省略する。

（第１実施形態）
本実施形態に係る物理量計測装置について説明する。まず、本物理量計測装置の基本構成について、図１〜図１５Ｃ、図５９〜図６３を用いて説明する。図１に示すように、本物理量計測装置は、車両に搭載されたエアフロメータ２０として構成されている。エアフロメータ２０は、主通路としての吸気通路８０に設けられており、内燃機関に供給される吸入空気の流量、温度等の物理量を計測する機能を有している。なお、さらに、吸入空気の湿度、圧力等の物理量を計測する機能を備えることも可能である。

エアフロメータ２０は、吸気通路８０において図示しないエアクリーナの下流側であって図示しないスロットルバルブの上流側に配置されている。この場合、吸気通路８０においてエアフロメータ２０にとっては、エアクリーナ側が上流側であり、燃焼室側が下流側になる。

図１に示すように、エアフロメータ２０は、吸気通路８０を形成する吸気管８２ａに着脱可能に取り付けられている。エアフロメータ２０は、吸気管８２ａの筒壁を貫通するよう形成されたエアフロ挿入孔８２ｂに挿し込まれており、少なくとも一部が吸気通路８０内に位置されている。吸気管８２ａは、エアフロ挿入孔８２ｂから外周側に向けて延びた円環状の管フランジ８２ｃを有している。吸気管８２ａは、合成樹脂材料等により形成された配管を含んで構成されている。以降、吸気通路８０の長手方向、すなわち吸気通路８０において吸入空気が流れる方向のことを、流れ方向と記載する。

図１〜図６に示すように、エアフロメータ２０は、ハウジング２１、流量検出部２２及び吸気温センサ２３を有している。なお、流量検出部２２は、流体の物理量に応じた検出信号を出力する物理量検出部に相当し、吸気温センサ２３は、流体の温度を検出する温度センサに相当する。ハウジング２１は、少なくとも樹脂を含んで形成されている。エアフロメータ２０においては、ハウジング２１が吸気管８２ａに取り付けられていることで、流量検出部２２が、吸気通路８０を流れる吸入空気と接触可能な状態になる。

ハウジング２１は、バイパスハウジング２４、リング保持部２５、フランジ部２７、コネクタ部２８、かしめ部２９ａ及び保護突起２９ｂを有している。リング保持部２５にはＯリング２６が取り付けられている。リング保持部２５は、Ｏリング２６を介してエアフロ挿入孔８２ｂに内嵌される部位である。

バイパスハウジング２４は、リング保持部２５から吸気通路８０に向けて突き出している。以降、バイパスハウジング２４のリング保持部２５側をハウジング基端と記載し、また、バイパスハウジング２４のリング保持部２５とは反対側をハウジング先端と呼ぶ。

フランジ部２７は、リング保持部２５に対して吸気管８２ａの外側、すなわち吸気通路８０外に配置されており、エアフロ挿入孔８２ｂを吸気管８２ａの外側から覆った状態になっている。

コネクタ部２８は、複数のコネクタターミナル２８ａを囲う部位であり、コネクタターミナル２８ａを保護するターミナル保護部に相当する。複数のコネクタターミナル２８ａのうちの１つはグランド端子であり、外部のグランド４５に接続される。

かしめ部２９ａは、後述する吸気温センサ２３の接地端子２３ｂおよび信号端子２３ｃを支持固定する部位である。ハウジング２１には、一対のかしめ部２９ａが設けられている。各かしめ部２９ａには、吸気温センサ２３の接地端子２３ｂおよび信号端子２３ｃを挿通するための貫通穴が形成されている。

吸気温センサ２３は、吸入空気の温度を感知する感温素子２３ａと、接地端子２３ｂおよび信号端子２３ｃとを有している。感温素子２３ａは、接地端子２３ｂおよび信号端子２３ｃがかしめ部２９ａに形成された各貫通穴に挿通された状態で熱かしめされることによってハウジング２１に固定されている。吸気温センサ２３の接地端子２３ｂおよび信号端子２３ｃは、リング保持部２５に形成された一対のスルーホール２５１に半田付けにより固定される。また、吸気温センサ２３の信号端子２３ｃは、コネクタターミナル２８ａに電気的に接続されている。吸気温センサ２３の接地端子２３ｂは、グランド４５に接続されるコネクタターミナル２８ａに接続される。吸気温センサ２３の接地端子２３ｂは、コネクタターミナル２８ａを介してグランド４５に接地される。吸気温センサ２３は、感温素子２３ａにて感知した吸気温に応じた検出信号を出力する。

吸気温センサ２３は、ハウジング２１の外側に配置されているため、ハウジング２１の外側から吸気温センサ２３に近接する物体から保護する必要がある。このため、ハウジング２１には、ハウジング２１の外側から吸気温センサ２３に近接する物体から保護する保護突起２９ｂが２つ設けられている。

各保護突起２９ｂは、バイパスハウジング２４から側方に向けて突出している。保護突起２９ｂの一方は、吸気温センサ２３より流れ方向上流側に配置され、保護突起２９ｂの他方は、吸気温センサ２３より流れ方向下流側に配置されている。バイパスハウジング２４からの保護突起２９ｂの突出寸法は、バイパスハウジング２４からの吸気温センサ２３の離間距離より大きくなっている。保護突起２９ｂは、エアフロメータ２０の吸気管８２ａへの取り付け時において、吸気温センサ２３と吸気管８２ａとの接触による吸気温センサ２３の破損を抑制する。

図６、図７に示すように、バイパスハウジング２４は、吸気通路８０を流れる吸入空気の一部が流れ込むバイパス通路３０を形成している。バイパス通路３０は、通過通路３１及び計測通路３２を有しており、これら通過通路３１及び計測通路３２は、バイパスハウジング２４の内部空間により形成されている。

通過通路３１は、バイパスハウジング２４の先端部を流れ方向に貫通しており、上流端部である流入口３３ａと、下流端部である流出口３３ｂとを有している。計測通路３２は、通過通路３１の中間部分から分岐した分岐通路であり、下流端部である計測出口３３ｃを有している。計測出口３３ｃは、バイパスハウジング２４の両側面に１つずつ設けられている。

図６、図７に示すように、計測通路３２は、中間位置にて折り返された折り返し形状になっている。計測通路３２は、流量検出部２２の検出素子２２ｂが配置された検出路３２ａと、検出路３２ａに吸入空気を導入する導入路３２ｂと、検出路３２ａから吸入空気を排出する排出路３２ｃとを有している。導入路３２ｂは、通過通路３１からハウジング基端側に向けて延びており、排出路３２ｃは、検出路３２ａからハウジング先端側に向けて延びている。

計測通路３２においては、通過通路３１から流入した吸入空気が一度はハウジング基端側に向かって流れた後、検出路３２ａを通過することでＵターンしてハウジング先端側に向かって流れる。Ｕターン形状の通路により、吸気に交じって砂塵およびダスト等の異物が飛来しても検出素子２２ｂまで到達しにくくなっている。

また、バイパスハウジング２４は、排出路３２ｃのハウジング先端側の端部を外側から覆うカバー２４ｃを有している。カバー２４ｃは、バイパスハウジング２４の両側面に１つずつ設けられている。バイパスハウジング２４とカバー２４ｃの間に吸入空気を排出する計測出口３３ｃが形成されている。通過通路３１から計測通路３２に吸入された吸入空気は、排出路３２ｃから計測出口３３ｃを通ってバイパスハウジング２４の外に排出される。

流量検出部２２は、計測通路３２を流れる流体の物理量に応じた検出信号を出力する物理量検出部である。第１実施形態では、流量検出部２２は、検出路３２ａを流れる吸入空気の流量に応じた検出信号を出力する。

図６〜図７に示すように、流量検出部２２は、計測通路３２を流れる空気の流量に応じた信号を出力する検出素子２２ｂと、検出素子２２ｂを搭載した検出基板２２ａと、検出素子２２ｂから出力された信号の信号処理を行う集積回路２２ｃと、を有している。

検出素子２２ｂは、通電によって発熱する発熱抵抗体等の発熱部と、発熱部の空気流れ上流側に配置された第１温度検出部および発熱部の空気流れ下流側に配置された第２温度検出部（いずれも図示せず）を有している。

検出素子２２ｂは、発熱部を通電させた際の第１温度検出部の検出温度と第２温度検出部の検出温度の温度差に基づく信号を、計測通路３２を流れる空気の流量に応じた信号として出力する。なお、帯電したダスト等の異物が検出素子２２ｂの第１温度検出部や第２温度検出部に付着すると検出温度のバランスが崩れて特性ずれが生じる。

検出基板２２ａは流量検出部２２の外郭を形成しており、検出基板２２ａの基板面の端部に検出素子２２ｂが配置されている。

次に、流量検出部２２への異物付着によるエアフロメータ２０の検出精度の悪化について説明する。第１実施形態では、前述のように計測通路３２の形状により異物が流量検出部２２に到達しにくくなっている。しかし、異物の流量検出部２２への到達を完全に無くすことはできない。また、異物が帯電している場合、その異物が流量検出部２２に付着してエアフロメータ２０の特性ずれが発生するおそれがある。

この特性ずれに関して、ハウジングの樹脂材料に帯電防止剤を混入させることにより異物の帯電抑制を図る従来技術がある。しかし、帯電防止剤を含むハウジングだと、帯電防止剤の分だけ樹脂材料が減少するため、ハウジングの成形性が低下しやすい。また、帯電防止剤の分だけガラス繊維が少なくなるため、ハウジングの強度が低下しやすい。強度低下は耐久性が低下する要因となる。つまり、樹脂材料に帯電防止剤を混入させることによるハウジングの成形性の低下および耐久性の低下が課題であった。

以下、ハウジング２１の成形性および耐久性の低下を回避しつつ、エアフロメータ２０の特性ずれを抑制するための構成について説明する。

図１〜図７では、エアフロメータ２０の各部の形状を見易くするため導電部９０を省略してある。しかし、実際のエアフロメータ２０は、図９〜図１２に示すように、バイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂの全体と、リング保持部２５に形成されたスルーホール２５１の周囲に導電性を有する導電部９０としての格子状のパターン９０１が形成されている。

ハウジング２１は、絶縁性を有している。ハウジング２１は、樹脂材料により構成され且つ絶縁性を有するベースポリマーと、ベースポリマーよりも強度が高く且つ絶縁性を有するフィラーとを有する。ベースポリマーは、成形性に優れている。フィラーは、ハウジング２１を強化する強化材でありガラス繊維を含んでいる。

導電部９０は、ハウジング本体９１の表面にレーザー光を照射することによってハウジング本体９１の表面を炭化させることによって形成されている。導電部９０は、グラファイトの集合体である炭化物を含んでいることで導電性を有している。つまり、絶縁性を有するハウジング２１の表面にレーザー光を照射することによって導電性を有する導電部９０が形成されている。そして、導電部９０から電荷がグランド４５に放出される。この導電部９０によってハウジング２１の帯電が防止され、エアフロメータ２０の特性ずれが抑制される。この結果、物理量計測装置の計測精度を高めることができる。

本実施形態のエアフロメータ２０には、格子状のパターン９０１によって導電部９０が構成されている。すなわち、導電部９０は格子状になったものがパターン９０１である。ただし、格子状のパターン９０１は、導電部９０の形状の一部である。格子状のパターン９０１は、一方向に延びる第１導電部９０１ａと、該第１導電部９０１ａと交差する方向に延びる第２導電部９０１ｂを有している。本実施形態では、第１導電部９０１ａと第２導電部９０１ｂは、＋（プラス）記号状に直交するよう形成されている。

格子状のパターン９０１の間隔は、２ミリメートル程度、格子状のパターン９０１の深さは３００ミクロン程度となっている。

パターン９０１は、ハウジング２１の外側に露出して配置された吸気温センサ２３の接地端子２３ｂに接続されている。具体的には、パターン９０１は、吸気温センサ２３の接地端子２３ｂおよび信号端子２３ｃを固定するかしめ部２９ａの周囲において、コネクタターミナル２８ａを介してグランド４５に接続される吸気温センサ２３の接地端子２３ｂに接続されている。

パターン９０１に電荷が蓄積されると、この電荷は吸気温センサ２３の接地端子２３ｂおよびコネクタターミナル２８ａを通ってグランド４５に放出されるようになっている。

また、例えば、第１導電部９０１ａが空気流れ方向と交差する方向に延びるよう配置されている場合、異物から第１導電部９０１ａへの電荷付与率を高くすることができる。また、第２導電部９０１ｂが空気流れ方向に延びるよう配置されている場合には、空気の流れを乱れにくくすることができる。

次に、エアフロメータ２０の製造方法について図１３〜図１４を用いて説明する。ここでは、エアフロメータ２０のバイパスハウジング２４の表面にレーザ加工によって導電部９０を形成する例について説明する。

まず、図１４に示すように、作業者は、Ｓ１００にて、樹脂製のバイパスハウジング２４を含むエアフロメータ２０を用意する。なお、バイパスハウジング２４には、予め吸気温センサ２３が取り付けられている。そして、エアフロメータ２０を加工治具に固定する。

次に、作業者は、Ｓ２００にて、第１加熱工程を実施する。具体的には、作業者は、レーザ機を用いてバイパスハウジング２４の表面に格子状にレーザ照射してバイパスハウジング２４の表面を加熱する。ここでは、強出力でレーザ照射を行う。このときバイパスハウジング２４の表面には２０００℃以上の熱が付加され、材料となる高分子の結合の開裂が生じ、炭素以外の構成元素が二酸化炭素、一酸化炭素、窒素、水素等の分解ガスとして離脱させられて炭化させられる。このような炭化によってバイパスハウジング２４の表面に炭化物であるグラファイトを含む導電部９０が形成される。この導電部９０には導電性が付与される。

次に、作業者は、Ｓ３００にて、ヒューム加工と呼ばれる第２加熱工程を実施する。具体的には、作業者は、レーザ機を用いてより高速でバイパスハウジング２４の表面の全体にレーザ照射してバイパスハウジング２４の表面を加熱する。ここでは、先の第１加熱工程よりも弱出力でレーザ照射を行う。これにより、先の格子状にレーザ照射した際に生じたヒュームと呼ばれる粉塵等が除去される。また、導電部９０の体積抵抗率が所望の値に調整される。なお、このヒューム加工によりレーザ照射した領域は白色化する。このようにしてエアフロメータ２０が完成する。

次に、バイパスハウジング２４に形成された導電部９０における電荷の動きについて図１５Ａを用いて説明する。図１５Ａは、バイパスハウジング２４の壁面２４ｂに格子状のパターン９０１が形成された部位の断面図を模式的に表している。

まず、バイパスハウジング２４の壁面２４ｂの面方向の電荷の動きについて説明する。

電荷から格子状のパターン９０１までの距離が長すぎると放電による電荷の移動は行われない。本発明者らの検討によれば、電荷から導電部９０までの距離が１ミリメートル以内であれば放電による電荷の移動が比較的安定的に行われることが分かった。

本実施形態のエアフロメータ２０は、格子状のパターン９０１の間隔は２ミリメートル未満となっている。このため、格子状のパターン９０１が形成された領域において、どの位置からでも１ミリメートル以内で格子状のパターン９０１に到達する。したがって、放電による電荷の移動を比較的安定的に行うことが可能である。

また、本実施形態のエアフロメータ２０は、格子状のパターン９０１の深さは３００ミクロン程度となっている。すなわち、格子状のパターン９０１の間隔は、格子状のパターン９０１の深さよりも大きくなっている。このように、格子状のパターン９０１の間隔は、格子状のパターン９０１の深さよりも大きくするのが好ましい。また、本実施形態のハウジング２１の板厚は、例えば、１ミリメートル程度となっている。

また、格子状のパターン９０１の間隔は、格子状のパターン９０１の深さよりも大きくなっているので、導電部９０を構成しているパターン９０１の数を少なくできる。このため、導電部９０を形成するための作業負担を軽減でき、作業コストを低減することができる。また、格子状のパターン９０１の深さが格子状のパターン９０１の間隔よりも浅いため、導電部９０を深くしすぎることによる強度低下を防止することもできる。

次に、バイパスハウジング２４の壁面２４ａ側から壁面２４ｂ側への電荷の動きについて説明する。

バイパスハウジング２４の壁面２４ａと壁面２４ｂの間の肉厚は、バイパスハウジング２４の導電部９０が形成された一方の面と他方の面との間で絶縁破壊による放電が可能な長さとなっている。バイパスハウジング２４の壁面２４ａの電位が上昇すると、壁面２４ａと壁面２４ｂの格子状のパターン９０１との間で絶縁破壊による放電が生じる。この現象はプラス電荷を持った埃やダストが吸引され易いマイナス電荷の静電気が−１ｋＶ以下で、且つ樹脂製品の板厚が０．５〜２．０ｍｍに施したグラファイト層で発現し易い。

バイパスハウジング２４の壁面２４ａと壁面２４ｂの格子状のパターン９０１との間で絶縁破壊による放電が生じると、図１５Ａに示すように、壁面２４ａの電荷７７が壁面２４ｂの格子状のパターン９０１へ移動する。

このような放電及び絶縁破壊が複数の位置で発生することで、壁面２４ａに溜まっていた電荷７７が格子状のパターン９０１およびコネクタターミナル２８ａを通ってグランド４５に放出される。このようにして、壁面２４ａからプラス電荷あるいはマイナス電荷がなくなると、流量検出部２２の検出素子２２ｂへの異物の付着が抑制され、流量検出部２２の特性ずれが抑制される。

次に、ハウジング２１の構造について説明する。

ハウジング２１は、樹脂部材１０により構成されている。樹脂部材１０は、フィラー及び絶縁性を有するベースポリマーを主成分とする樹脂材料で構成されている。図１５Ｂに示すように、樹脂部材１０の表面１１の近傍には、配向層１２が形成されている。配向層１２は、表面１１に対して平行な方向（以下、表面方向）に配向した多数のフィラー１３、および、各フィラー１３間に充填されたベースポリマー１４を含む。

樹脂部材１０は、ベースポリマー１４の炭化物６６であってグラファイトを含み、導電性及び熱伝導性を付与する炭化部１５を有する。炭化部１５は、図１５Ｃに示すように互いに結合状態にある炭素原子からなるグラファイトにおいて、炭素原子に属する４つの外殻電子のうち１つの電子が余った状態でいることで電子が移動できる状態になっているため、導通する。

炭化部１５は、格子状に形成されており、導電性パターンを構成している。この導電性パターンは例えばエアフロメータまたは回転角センサなどの電子装置において配線回路として利用することも可能である。このように電気信号を伝送する配線回路として炭化部１５を用いる場合、生成する炭化物の体積抵抗率は少なくとも１．０×１０^-3Ωｍ以下、好ましくは１．０×１０^-4Ωｍ以下、より好ましくは１．０×１０^-5Ωｍ以下である。なお、炭化部１５は、例えばストライプ状などの他のパターン状であってもよい。また、炭化部１５は、パターン状に限らず、膜状に形成されてもよい。また、炭化部１５は、配線回路に限らず、例えば電磁シールド、静電気除去回路、帯電防止、放熱部材などに利用されてもよい。

次に、本実施形態に係るエアフロメータ２０のハウジング２１を構成している樹脂部材１０について図５９〜図６１を用いて説明する。図５９、図６０および図６１に示すように、ベース部６１は、樹脂材料により形成され且つ絶縁性を有するベースポリマー１４と、ベースポリマー１４よりも強度が高いフィラー１３とを有する。ベースポリマー１４は、ベース部６１の樹脂部を構成している。フィラー１３は、ベース部６１を強化する強化部材である。ベース部６１は、ベースポリマー１４に混じった状態のフィラー１３により強化されている。

炭化部１５は、ベース部６１の外面６２に設けられ、炭化物６６（図１５Ｂ参照）を含んでいることで導電性を有する導電部である。炭化部１５は、直線状に延びるように複数形成されている。複数の炭化部１５は、パターン状に配置されたパターン部であり、配線パターンを構成している。炭化部１５は、図９に示した第１導電部９０１ａと、第２導電部９０１ｂを構成している。第１導電部９０１ａおよび第２導電部９０１ｂは、それぞれ炭化部１５が細長状に延びたものにより構成されている。第１導電部９０１ａおよび第２導電部９０１ｂは、炭化部１５の形状の一例である。

より詳細には、炭化部１５は、複数の第１導電部９０１ａと、複数の第２導電部９０１ｂを有している。ベース部６１の外面６２に、直線状の第１導電部９０１ａが複数平行に延びるとともに、第１導電部９０１ａと直交するように直線状の第２導電部９０１ｂが複数平行に延びている。

炭化物は、導電性を有するカーボン（すなわち導電性カーボン）である。炭化物を形成する炭化材料は、導電材料であって、例えばグラファイト、カーボン粉、カーボン繊維、ナノカーボン、グラフェンまたは炭素マイクロ材料などのカーボン材料である。ナノカーボンは、例えばカーボンナノチューブ、カーボンナノファイバーおよびフラーレンなどである。

図６０および図６１に示すように、樹脂部材１０は、ベース部６１の外面６２に沿って延びたスキン層６３と、スキン層６３の内側に設けられたコア層６４とを備える。スキン層６３は、ベース部６１の外面６２を形成する表層部であって、ベース部６１の樹脂成形時に溶融樹脂のうち金型の内面に接して固化した部位である固化層である。コア層６４、ベース部６１の樹脂成形時に溶融樹脂のうち固化層の内側を流動した流動層である。ベース部６１の外面６２は、スキン層６３の外面であり、また樹脂部材１０の外面でもある。

外面６２は、コア層６４側に凹んだ溝状凹面６５を有する。炭化部１５は、溝状凹面６５上においてスキン層６３からコア層６４に向けて延びるように設けられている。炭化部１５は、スキン層６３の少なくとも一部が炭化したものである。スキン層６３およびコア層６４を構成する樹脂であるベースポリマー１４の材料としては、少なくとも炭素の六員環（すなわち、ベンゼン環）を含む材料が用いられる。

スキン層６３およびコア層６４の少なくともコア層６４がベース部６１を形成している。本実施形態では、炭化部１５はスキン層６３においてコア層６４から離間した位置に設けられている。つまり、溝状凹面６５はコア層６４に到達しておらず、炭化部１５はスキン層６３のみに隣接するように設けられている。スキン層６３およびコア層６４の両方がベース部６１を形成している。

図５９および図６０に示すように、スキン層６３では、コア層６４と比べて多くのフィラー１３がベース部６１の外面６２に沿って所定方向へ延びるように配向している。以下、所定方向へ延びるように配向しているフィラー１３のことを「配向フィラー１３」と記載する。炭化部１５は、配向フィラー１３に交差する方向に延びている。特に第７実施形態では、炭化部１５は、配向フィラー１３に直交する方向に延びている。

図６１に示すように、炭化部１５は、たくさんの炭化物６６が集まって形成されている。フィラー１３は、フィラー１３の少なくとも一部が炭化部１５に入り込んでベース部６１からの炭化部１５の離脱を規制している。すなわち、フィラー１３は、炭化部１５からの炭化物６６の離脱を規制する規制部材である。フィラー１３の材料としては、第１実施形態において説明したとおり、繊維状、粉粒状または板状のものが用いられ得る。第７実施形態では、フィラー１３の材料として例えば難燃性繊維、ガラス繊維、カーボン繊維などの繊維材を用いており、これにより繊維部を構成している。図６１では、煩雑になるのを避けるためにハッチングの図示を省略している。

ベース部６１に含まれるフィラー１３のうち溝状凹面６５から突き出したものは、その一端がベース部６１に保持されつつ、他端が炭化部１５に引っかかっていることで、炭化部１５とベース部６１との結びつきを強固にしている。フィラー１３の材料として繊維材を用いることで、引っかかりの長さを長くすることができる。特に、配向フィラー１３は、炭化部１５の延出方向に交差しているので溝状凹面６５から突き出しやすく、炭化部１５に引っかかりやすい。また、配向フィラー１３の一部は、炭化部１５において炭化物６６を貫通しており、炭化物６６の脱落を効果的に抑制している。

以上説明したように、ハウジング２１は、樹脂材料を含んで形成された樹脂部材１０により構成されている。また、樹脂部材１０は、樹脂材料により形成され且つ絶縁性を有するベースポリマー１４と、ベースポリマー１４よりも強度が高いフィラー１３とを有し、ベースポリマー１４に混じった状態のフィラー１３により強化されたベース部６１と、ベース部６１の外面６２に設けられ、炭化物６６を含んでいることで導電性を有する炭化部１５と、を備えている。また、フィラー１３は、フィラー１３の少なくとも一部が炭化部１５に入り込んでベース部からの炭化部１５の離脱を規制している。

また、樹脂部材１０は、ベース部６１の外面６２に沿って延びたスキン層６３と、スキン層６３の内側に設けられたコア層６４と、を備えている。また、スキン層６３およびコア層６４の少なくともコア層６４がベース部６１を形成しており、ベース部６１の外面６２は、コア層６４側に凹んだ凹面６５を有している。そして、炭化部１５は、凹面６５上においてスキン層６３からコア層６４に向けて延びるように設けられている。

これによれば、フィラー１３の向きが揃っており炭化部１５の離脱を規制しやすいスキン層６３からコア層６４に向けて延びるように炭化部１５が設けられているので、炭化部１５のコア層６４からの離脱をより抑制できる。

また、炭化部１５は、スキン層６３においてコア層６４から離間した位置に設けられている。これによれば、炭化部１５がコア層６４に設けられていないため、炭化部１５のコア層６４からの離脱をより一層効果的に抑制できる。

炭化部１５は、スキン層６３においてベース部６１の外面６２に沿って延びているフィラー１３に交差する方向に延びている。

このように炭化部１５とフィラー１３とが交差していると、フィラー１３の一端がベース部６１に入り込み、且つ他端に炭化部１５が引っかかった状態になりやすいため、フィラー１３が炭化部１５と共にベース部６１から離脱するということを抑制できる。

また、フィラー１３は、炭化部１５において炭化物を貫通している。これにより、炭化部１５の脱落を効果的に抑制することができる。

次に、樹脂部材１０について図６２〜図６３を用いて説明する。図６２および図６３に示すように、本実施形態の炭化部１５は格子状に形成されている。

ベース部６１の外面６２には、炭化部１５の周縁部に沿って延びるように変形跡８５が設けられている。変形跡８５は、ベース部６１の一部が変形した跡である。具体的には、変形跡８５は、溶融して固化した溶融固化跡である。なお、他の実施形態では、変形跡８５は、例えばレーザ加工、研磨などの機械加工、または溶液を用いた溶解加工による除去跡であってもよい。炭化部１５の形成に伴って発生した飛散物等の異物がベース部６１に付着していても、変形跡８５を形成する際にこの異物をベース部６１から除去することが可能である。そのため、変形跡８５を設けることで、上記異物によりベース部６１の意匠性が低下することを回避できる。

変形跡８５は、ベース部６１の少なくとも一部が発泡した状態になっている発泡部８６、及びベース部６１の外面６２に設けられた複数の点状凹部８７を有している。これらの発泡部８６や点状凹部８７はベース部６１が加熱されることで形成可能な変形跡である。樹脂部材１０の製造方法は、図１３に示すように用意工程Ｓ１００、第１加熱工程Ｓ２００および第２加熱工程Ｓ３００を含む。第２加熱工程Ｓ３００では、第１加熱工程Ｓ２００の後、変形跡８５がベース部６１の外面６２において炭化部１５の周縁部に沿って延びるように、ベース部６１の少なくとも一部を変形させる。第２加熱工程Ｓ３００では、ベース部６１の外面６２に変形跡８５が形成されるように、且つ第１加熱工程Ｓ２００でのベース部６１の加熱よりも低い温度になるように、ベース部６１及び炭化部１５のそれぞれの少なくとも一部を加熱する。

ここで、第１加熱工程Ｓ２００での加熱に伴って発生した異物がベース部６１の外面６２に付着したままの状態である場合、炭化部１５による電荷放出が異物によって阻害されやすいことが懸念される。

これに対して、本実施形態では、第２加熱工程Ｓ３００での加熱によって、ベース部６１に付着している異物を燃焼などにより除去することができる。

ここで、炭化部１５に、不安定な姿勢でかろうじてベース部６１に付着している部位が含まれている場合、この部位の姿勢が変化することで、炭化部１５での電荷の通りやすさも変化することになる。この場合、この部位の姿勢によって炭化部１５の導電性が変化し、導電性が不安定になることが懸念される。

これに対して、本実施形態では、変形跡８５の形成に際して、ベース部６１だけでなく炭化部１５の一部も除去される。このとき、炭化部１５のうち安定した姿勢の部位よりも不安定な姿勢の部位が除去されやすい。つまり、第２加熱工程Ｓ３００では、ベース部６１だけでなく炭化部１５も加熱されるため、炭化部１５のうち不安定な姿勢の部位を加熱や燃焼などにより除去することができる。そのため、炭化部１５の導電性が変化することを抑制し、炭化部１５の導電性を安定させることができる。

また、炭化部１５の一部を除去するトリミングを行うことにより、炭化部１５の抵抗値を所定の値に制御することができる。

第１加熱工程Ｓ２００では、ベース部６１に例えばレーザビームなどの電磁波を照射することでベース部６１を加熱して炭化部１５を形成する。第２加熱工程Ｓ３００では、第１加熱工程Ｓ２００にてベース部６１に照射される電磁波よりも強度（すなわち出力）が低くなるように、走査速度が速くなるように、および、周波数が低くなるようにベース部６１に電磁波を照射することでベース部６１を加熱して変形跡８５を形成する。

このようにして炭化部１５および変形跡８５の両方を電磁波照射によって形成することができるため、炭化部１５および変形跡８５を形成する際の作業負担を低減できる。例えば、第１加熱工程Ｓ２００と第２加熱工程Ｓ３００とを連続して行う構成であれば、電磁波を照射する装置に対してベース部６１の位置合わせを行うという作業を１回にまとめることができる。

変形跡８５の形成にレーザを用いる場合、レーザのエネルギによっては樹脂が発泡して変色することがあるが、意匠性の付与を目的としてこれを意図的に生じさせることが可能である。また、変形跡８５の形成にレーザを用いる場合、除去加工に適することからパルスレーザを用いることが望ましい。パルスレーザを用いることで点状凹部８７を周期的に形成することができる。

以上、説明したように、本実施形態のエアフロメータ２０は、絶縁性を有し、流体が流れるバイパス通路３０を形成する樹脂製のバイパスハウジング２４を備えている。また、バイパス通路３０を流れる流体の物理量に応じた検出信号を出力する流量検出部２２を備えている。また、バイパスハウジング２４の外面である壁面２５ｂの全体の表面に形成された導電性を有する導電部９０と、を備えている。そして、導電部９０からグランド４５へ電荷が放出される。

このような構成によれば、ハウジングを樹脂成形した後に、加熱等によりハウジングに導電部を後付けすることで、ハウジングの帯電抑制機能を向上させることができる。この場合、ハウジングや物理量検出部が帯電するということが生じにくくなるため、物理量計測装置に計測精度を高めることができる。

また、導電部９０は、バイパスハウジング２４の表面に熱による炭化によって形成された炭化物を含む。このように、炭化によって形成された炭化物を含むように導電部を構成することができる。

また、導電部９０は、バイパスハウジング２４の外面の全体に形成されている。これによれば、バイパスハウジングの外面の全体に導電性を持たせることができる。

また、導電部は、格子状のパターン９０１によって構成されている。これによれば、速やかにパターンを形成することができる。

また、隣接するパターン９０１の間隔は、パターン９０１の深さよりも長くなっている。このように、隣接するパターン９０１の間隔は、パターン９０１の深さよりも長くなるようにするのが好ましい。

また、格子状のパターン９０１の間隔は、格子状のパターン９０１の深さよりも大きくなっているので、導電部９０を構成しているパターン９０１の数を少なくできる。このため、導電部９０を形成するための作業負担を軽減でき、作業コストを低減することができる。また、格子状のパターン９０１の深さが格子状のパターン９０１の間隔よりも浅いため、導電部９０を深くしすぎることによる強度低下を防止することもできる。

また、隣接するパターン９０１の間隔は、隣接するパターン９０１の一方から他方へ放電によって電荷が移動可能な距離となっている。

また、導電部９０は、グランド４５に接続されている。このように、導電部９０をグランド４５に接続するように構成することができる。また、導電部９０からグランド４５へ電荷を安定的に放出することができる。

また、エアフロメータ２０は、流体の温度を検出する吸気温センサ２３を備え、吸気温センサ２３の接地端子がバイパスハウジング２４の外面に露出するよう配置されている。そして、吸気温センサ２３の接地端子を介して導電部９０からグランド４５へ電荷が放出される。

このように、バイパスハウジング２４の外面に露出するよう配置された吸気温センサ２３の接地端子を介して導電部からグランド４５へ電荷を放出させることができる。

また、本実施形態のエアフロメータ２０の製造方法は、絶縁性を有し、流体が流れるバイパス通路３０を形成する樹脂製のバイパスハウジング２４を用意することを含む。また、熱による炭化によってバイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂの表面に面状に拡がるように導電性を有する導電部を形成することを含む。

これによれば、ハウジングを樹脂成形した後に、加熱等によりハウジングに導電部を後付けすることで、ハウジングの帯電抑制機能を向上させることができる。この場合、ハウジングや物理量検出部が帯電するということが生じにくくなるため、物理量計測装置に計測精度を高めることができる。

また、熱による炭化によってバイパスハウジング２４の表面に導電部９０を形成することでは、バイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂの表面に導電部を形成する。

これにより、バイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂの表面に導電部９０を形成することができる。

また、熱による炭化によってバイパスハウジング２４の表面に導電部９０を形成することの後に、熱よりも弱い熱によってバイパスハウジング２４の表面に付着した浮遊粒子の除去および体積低効率の調整の少なくとも一方を実施すること、を含む。

これにより、浮遊粒子の除去および体積低効率の調整の少なくとも一方を実施することができる。

また、熱による炭化によってバイパスハウジング２４の表面に導電部９０を形成することでは、第１の走査速度で導電部を形成する。また、熱よりも弱い熱によってバイパスハウジングの表面に付着した浮遊粒子の除去および体積低効率の調整の少なくとも一方を実施することでは、第１の走査速度よりも速い第２の走査速度で浮遊粒子の除去および体積低効率の調整の少なくとも一方を実施する。

このように、熱よりも弱い熱によってバイパスハウジングの表面に付着した浮遊粒子の除去および体積低効率の調整の少なくとも一方を実施することでは、第１の走査速度よりも速い第２の走査速度で浮遊粒子の除去および体積低効率の調整の少なくとも一方を実施するのが好ましい。

なお、本実施形態では、リング保持部２５のうち吸気温センサ２３の接地端子２３ｂの周囲に格子状のパターン９０１を形成したが、リング保持部２５の一面および他面の一ずれか一方の全体に格子状のパターン９０１を形成してもよい。

（第２実施形態）
第２実施形態に係るエアフロメータ２０について図１６〜図１８を用いて説明する。上記第１実施形態のエアフロメータ２０は、バイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂの全体と、リング保持部２５に形成されたスルーホール２５１の周囲に導電性を有する格子状のパターン９０１が形成されている。

これに対し、本実施形態のエアフロメータ２０は、リング保持部２５に形成されたスルーホール２５１の周囲と、バイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂの一部に導電性を有する格子状のパターン９０１が形成されている。

具体的には、流量検出部２２の検出素子２２ｂが位置する部分のバイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂの一部に導電部９０が形成されている。より詳細には、流量検出部２２の検出素子２２ｂが位置する部分のバイパスハウジング２４の径方向外側の外周面に導電部９０が形成されている。

また、バイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂにおいて導電部９０が形成されていない領域の面積は、バイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂにおいて導電部９０が形成されている領域の面積よりも大きくなっている。

上記第１実施形態のエアフロメータ２０のようにバイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂの全体に導電部９０を形成する場合、導電部９０の形成に要する時間が長くコストが高くなってしまう。

しかし、上記したように、本実施形態のエアフロメータ２０の導電部９０は、バイパスハウジング２４の外面の一部に形成されている。したがって、導電部９０の形成に要する時間を短くできコストを低減することができる。

また、本実施形態のエアフロメータ２０は、流量検出部２２の検出素子２２ｂが位置する部分のバイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂの一部に導電部９０が形成されている。これによれば、帯電したダスト等の異物による検出素子２２ｂへの影響を効果的に抑制することができる。

また、バイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂにおいて導電部９０が形成されていない領域の面積は、バイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂにおいて導電部９０が形成されている領域の面積よりも大きくなっている。

これにより、導電部９０が形成されている領域の面積を小さくすることができ、導電部９０を形成することによるバイパスハウジングの強度低下を抑制することが可能である。

なお、上記した本実施形態の構成の他に、例えば、検出素子２２ｂの表側に位置するバイパスハウジング２４の外面と、検出素子２２ｂの裏側に位置するバイパスハウジング２４の外面に導電部９０を形成し、これらの部位以外に導電部９０を形成しないようにすることもできる。すなわち、バイパスハウジング２４の一面に形成された導電部９０と、バイパスハウジング２４の他面に形成された導電部９０の間に検出素子２２ｂが配置された構成とすることもできる。

（第３実施形態）
第３実施形態に係るエアフロメータ２０について図１９〜図２１を用いて説明する。本実施形態のエアフロメータ２０も、バイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂの一部に導電部９０が形成されている。本実施形態のエアフロメータ２０は、流量検出部２２の検出素子２２ｂと計測通路３２の導入路３２ｂが位置する部分のバイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂの一部に導電部９０が形成されている。

エアフロメータ２０は、バイパス通路３０を流れる空気の物理量を検出する検出素子２２ｂを有している。また、バイパス通路３０は、検出素子２２ｂが配置される検出路３２ａに吸入空気を導入する導入路３２ｂを有している。そして、導電部９０は、検出素子２２ｂおよび導入路３２ｂの周囲を囲むようにバイパスハウジングの外面の一部に形成されている。

このように、エアフロメータ２０は、バイパスハウジング２４の外面の一部に形成されている。したがって、導電部９０の形成に要する時間を短くできコストを低減することができる。

また、本実施形態のエアフロメータ２０の導電部９０は、検出素子２２ｂおよび導入路３２ｂの周囲を囲むようにバイパスハウジング２４の外面の一部に形成されている。これによれば、帯電したダスト等の異物による検出素子２２ｂへの影響を効果的に抑制することができる。

なお、上記した本実施形態の構成の他に、例えば、検出素子２２ｂの表側に位置するバイパスハウジング２４の外面と、検出素子２２ｂの裏側に位置するバイパスハウジング２４の外面に導電部９０を形成し、これらの部位以外に導電部９０を形成しないようにすることもできる。すなわち、バイパスハウジング２４の一面に形成された導電部９０と、バイパスハウジング２４の他面に形成された導電部９０の間に検出素子２２ｂが配置された構成とすることもできる。

（第４実施形態）
第４実施形態に係るエアフロメータ２０について図２２〜図２４を用いて説明する。本実施形態のエアフロメータ２０も、バイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂの一部に導電部９０が形成されている。本実施形態のエアフロメータ２０は、バイパス通路３０の排出路３２ｃが位置する部分のバイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂの一部に導電部９０が形成されている。

本実施形態のエアフロメータ２０では、バイパス通路３０は、検出素子２２ｂが配置される検出路３２ａから空気を排出する排出路３２ｃを有している。そして、導電部９０は、バイパス通路３０の排出路３２ｃが位置する部分のバイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂの一部に形成されている。

このように、導電部９０は、バイパスハウジング２４の外面の一部に形成されている。したがって、導電部９０の形成に要する時間を短くできコストを低減することができる。

（第５実施形態）
第５実施形態に係るエアフロメータ２０について図２５〜図２７を用いて説明する。本実施形態のエアフロメータ２０も、バイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂの一部に導電部９０が形成されている。本実施形態のエアフロメータ２０は、検出素子２２ｂが配置される検出路３２ａと、検出路３２ａに空気を導入する導入路３２ｂと、を備えている。また、導入路３２ｂに空気を導入する通過通路３１が位置する部分のバイパスハウジング２４の外面である壁面２５ｂの一部に導電部９０が形成されている。すなわち、検出素子２２ｂより空気流れ上流側のバイパス通路３０が位置する部分のバイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂの一部に導電部９０が形成されている。

このように、導電部９０は、バイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂの一部に形成されている。したがって、導電部９０の形成に要する時間を短くできコストを低減することができる。

（第６実施形態）
第６実施形態に係るエアフロメータ２０について図２８〜図３０を用いて説明する。本実施形態のエアフロメータ２０は、バイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂの全体に導電部９０が形成されている。また、本実施形態のエアフロメータ２０の導電部９０の一部は格子状のパターン９０１によって構成され、導電部９０の残りの一部はストライプ状のパターン９０２によって構成されている。

図５９〜図６１に示した炭化部１５は、図２８に示した複数の導電部９０２ａを構成している。炭化部１５は、直線状に延びるように複数形成されている。複数の導電部９０２ａは、炭化部１５が細長状に延びたものにより構成されている。ベース部６１の外面６２に、直線状の導電部９０１ａが複数平行に延びている。

ストライプ状のパターン９０２は、複数の導電部９０２ａを有している。また、複数の導電部９０２ａは平行に延びている。

このように、格子状のパターン９０１とストライプ状のパターン９０２を組み合わせて導電部９０を構成してもよい。

（第７実施形態）
第７実施形態に係るエアフロメータ２０について図３１〜図３４を用いて説明する。本実施形態のエアフロメータ２０は、バイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂの全体と、リング保持部２５に形成されたスルーホール２５１の周囲に導電性を有する格子状のパターン９０１が形成されている。

また、本実施形態のエアフロメータ２０の導電部９０は、ストライプ状のパターン９０２によって構成されている。このように、ストライプ状のパターン９０２のみによって導電部９０を構成してもよい。

（第８実施形態）
第８実施形態に係るエアフロメータ２０について図３５〜図３６を用いて説明する。本実施形態のエアフロメータ２０は、バイパスハウジング２４のバイパス通路３０の内面である壁面２４ａの全体に導電部９０が形成されている。なお、本実施形態のエアフロメータ２０は、バイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂと、リング保持部２５に形成されたスルーホール２５１の周囲に導電部９０は形成されていない。また、導電部９０は、格子状を成している。

本実施形態のエアフロメータ２０は、導電部９０とコネクタターミナル２８ａの間に接続ターミナル２８ｂが設けられている。そして、導電部９０の電荷は、接続ターミナル２８ｂからコネクタターミナル２８ａを通ってグランド４５に放出されるようになっている。

このように、本実施形態のエアフロメータ２０は、バイパスハウジング２４のバイパス通路３０の内面である壁面２４ａの全体に導電部９０が形成されているので、バイパスハウジング２４のバイパス通路３０の内面の全体に導電性を持たせることができる。

（第９実施形態）
第９実施形態に係るエアフロメータ２０について図３７〜図３８を用いて説明する。上記第８実施形態のエアフロメータ２０は、バイパスハウジング２４のバイパス通路３０の内面である壁面２４ａの全体に導電部９０が形成されている。これに対し、本実施形態のエアフロメータ２０は、バイパスハウジング２４のバイパス通路３０の内面である壁面２４ａの一部に導電部９０が形成されている。なお、本実施形態のエアフロメータ２０は、バイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂに導電部９０は形成されていない。また、導電部９０は、格子状を成している。

本実施形態のエアフロメータ２０は、バイパスハウジング２４のバイパス通路３０の内面である壁面２４ａのうち計測通路３２の壁面２４ａに導電部９０が形成されている。また、バイパスハウジング２４のバイパス通路３０の内面である壁面２４ａのうち通過通路３１の壁面２４ａに導電部９０は形成されていない。

このように、本実施形態のエアフロメータ２０は、バイパスハウジング２４のバイパス通路３０の内面である壁面２４ａの一部に導電部９０が形成されている。したがって、導電部９０の形成に要する時間を短くできコストを低減することができる。

（第１０実施形態）
第１０実施形態に係るエアフロメータ２０について図３９〜図４０を用いて説明する。本実施形態のエアフロメータ２０は、バイパスハウジング２４のバイパス通路３０の全体の壁面に導電部９０が形成されている。また、導電部９０の一部は格子状のパターン９０１によって構成され、導電部９０の残りの一部はストライプ状のパターン９０２によって構成されている。

このように、格子状のパターン９０１とストライプ状のパターン９０２を組み合わせて導電部９０を構成してもよい。

（第１１実施形態）
第１１実施形態に係るエアフロメータ２０について図４１〜図４２を用いて説明する。本実施形態のエアフロメータ２０は、バイパスハウジング２４のバイパス通路３０の内面である壁面２４ａの全体に導電部９０が形成されている。また、導電部９０は、ストライプ状のパターン９０２によって構成されている。

このように、ストライプ状のパターン９０２をバイパスハウジング２４のバイパス通路３０の内面である壁面２４ａの全体に配置して導電部９０を構成することもできる。

（第１２実施形態）
第１２実施形態に係るエアフロメータ２０について図４３〜図４６を用いて説明する。本実施形態のエアフロメータ２０は、バイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂの全体と、リング保持部２５に形成されたスルーホール２５１の周囲に導電部９０が形成されている。本実施形態の導電部９０は、円形形状を成す複数のパターン９０３によって構成されている。複数のパターン９０３は、物理的に離れた位置に形成されており、互いに接続されていない。
いる。なお、導電部９０は、バイパスハウジング２４の内面にパターン９０３は形成されていない。

複数のパターン９０３の一部に電荷が蓄積すると、この電荷は放電によって複数のパターン９０３の間を次々に移動する。そして、吸気温センサ２３の接地端子からコネクタターミナル２８ａを通ってグランド４５に放出される。

（第１３実施形態）
第１３実施形態に係るエアフロメータ２０について図４７〜図４８を用いて説明する。本実施形態のエアフロメータ２０は、バイパスハウジング２４のバイパス通路３０の内面である壁面２４ａの全体にパターン９０３が形成されている。導電部９０は、円形形状を成す複数のパターン９０３を有している。複数のパターン９０３は、物理的に離れた位置に形成されている。なお、導電部９０は、バイパスハウジング２４の外面である壁面２４ｂにパターン９０３は形成されていない。

複数のパターン９０３の一部に電荷が蓄積すると、この電荷は放電によって複数のパターン９０３の間を次々に移動する。そして、パターン９０３から接続ターミナル２８ｂおよびコネクタターミナル２８ａを通ってグランド４５に放出される。

（第１４実施形態）
第１４実施形態に係るエアフロメータ２０について図４９〜図５０を用いて説明する。本実施形態のエアフロメータ２０の導電部９０の一部は格子状のパターン９０１によって構成され、導電部９０の残りの一部は並走する並走パターン９０６によって構成されている。

格子状のパターン９０１は、バイパスハウジング２４のうちハウジング基端側に形成され、並走パターン９０６は、ハウジング基端側に形成された格子状のパターン９０１からバイパスハウジング２４の流出口３３ｂに向かって延びるように形成されている。

このように、格子状のパターン９０１と並走パターン９０６を組み合わせて導電部９０を構成してもよい。

（第１５実施形態）
第１５実施形態に係るエアフロメータ２０について図５１〜図５２を用いて説明する。本実施形態のエアフロメータ２０は、バイパスハウジング２４の内面である壁面２４ａの一部に導電部９０が形成されている。導電部９０は、格子状のパターン９０１と、並走する並走パターン９０６と、円弧状を成す円弧パターン９０７によって構成されている。

格子状のパターン９０１は、計測通路３２を形成する壁面２４ａに形成され、並走パターン９０６は、計測通路３２に形成された格子状のパターン９０１からバイパスハウジング２４の流出口３３ｂに向かって延びるように形成されている。

このように、格子状のパターン９０１と並走パターン９０６と円弧パターン９０７を組み合わせて導電部９０を構成してもよい。

（第１６実施形態）
第１６実施形態に係るエアフロメータ２０の製造方法について図５３を用いて説明する。本実施形態では、図３５〜図３６に示したようにエアフロメータ２０のバイパスハウジング２４のバイパス通路３０を形成する内面の全体に導電部９０を形成する例について説明する。本実施形態のエアフロメータ２０の製造方法は、図３に示したように、用意工程、第１加熱工程および第２加熱工程を含んでいる。

まず、図５３（ａ）に示すように、作業者は、Ｓ１００にて、流体が流れるバイパス通路３０を形成する樹脂製のバイパスハウジング２４を含むエアフロメータ２０を用意する。なお、バイパスハウジング２４は、図２のVI−VI線で示す分割面でに分割した状態で用意する。また、バイパスハウジング２４には、予め吸気温センサ２３が取り付けられている。そして、分割した一方のバイパスハウジング２４を加工治具に固定する。

次に、図５３（ｂ）に示すように、作業者は、Ｓ２００にて、第１加熱工程を実施する。具体的には、作業者は、レーザ機を用いてバイパスハウジング２４の表面に格子状にレーザ照射してバイパスハウジング２４の表面を加熱する。ここでは、強出力でレーザ照射を行う。

次に、図５３（ｃ）に示すように、作業者は、Ｓ３００にて、ヒューム加工と呼ばれる第２加熱工程を実施する。具体的には、作業者は、レーザ機を用いてより高速でバイパスハウジング２４の表面の全体にレーザ照射してバイパスハウジング２４の表面を加熱する。ここでは、先の第１加熱工程よりも弱出力でレーザ照射を行う。これにより、先の格子状にレーザ照射した際に生じたヒュームと呼ばれる粉塵等が除去される。また、導電部９０の体積抵抗率が所望の値に調整される。

次に、分割した他方のバイパスハウジング２４を加工治具に固定し、このバイパスハウジング２４に対してＳ２００、Ｓ３００第１、第２加熱工程を実施する。

次に、図５３（ｄ）に示すように、作業者は、分割された一方のバイパスハウジング２４と他方のバイパスハウジング２４を一体化する。このようにしてエアフロメータ２０が完成する。

上記したように、エアフロメータ２０のバイパスハウジング２４のバイパス通路３０を形成する内面の全体に導電部９０を形成する際には、バイパスハウジング２４を複数に分割して導電部９０を形成する。その後、分割した複数のバイパスハウジング２４を一体化することでバイパスハウジング２４の内面に導電部９０を形成することができる。

（第１７実施形態）
第１７実施形態に係るエアフロメータ２０について図５４を用いて説明する。上記第１２〜１４実施形態のエアフロメータ２０の導電部９０は、円形形状を成す複数のパターン９０３により構成されている。

複数のパターン９０３は、図５３（ａ）に示すようにパターン９０３の中心がバイパスハウジング２４の長手方向に対して斜め方向に並ぶように配置することもできる。また、図５３（ｂ）に示すようにパターン９０３の中心がバイパスハウジング２４の長手方向に対して上下方向または左右方向に並ぶように配置することもできる。

（第１８実施形態）
第１８実施形態に係るエアフロメータ２０について図５５を用いて説明する。本実施形態のエアフロメータ２０の導電部９０は、正方形を成す複数のパターン９０４により構成されている。

複数のパターン９０３は、図５５（ａ）に示すようにパターン９０４の中心がバイパスハウジング２４の長手方向に対して斜め方向に並ぶように配置することもできる。また、図５５（ｂ）に示すようにパターン９０４の中心がバイパスハウジング２４の長手方向に対して上下方向または左右方向に並ぶように配置することもできる。

（第１９実施形態）
第１９実施形態に係るエアフロメータ２０について図５６を用いて説明する。本実施形態のエアフロメータ２０の導電部９０は、三角形を成す複数のパターン９０５により構成されている。

複数のパターン９０５は、図５６（ａ）に示すようにパターン９０５の中心がバイパスハウジング２４の長手方向に対して斜め方向に並ぶように配置することもできる。また、図５６（ｂ）に示すようにパターン９０５の中心がバイパスハウジング２４の長手方向に対して上下方向または左右方向に並ぶように配置することもできる。

（第２０実施形態）
第２０実施形態に係るエアフロメータ２０について図５７を用いて説明する。本実施形態のエアフロメータ２０の導電部９０は、三角形と逆三角形を成す複数のパターン９０５によって構成されている。

複数のパターン９０５は、図５７（ａ）に示すようにパターン９０５の中心がバイパスハウジング２４の長手方向に対して斜め方向に並ぶように配置することもできる。また、図５７（ｂ）に示すようにパターン９０５の中心がバイパスハウジング２４の長手方向に対して上下方向または左右方向に並ぶように配置することもできる。

（第２１実施形態）
第２１実施形態に係るエアフロメータ２０について図５８を用いて説明する。本実施形態のバイパスハウジング２４は、第１面２４１と、第１面２４１と交差する方向に拡がる第２面２４２と、第２面２４２と交差する方向に拡がる第２面２４２と、を有している。

バイパスハウジング２４は、さらに、第１面２４１と第２面２４２とを接続する部分を緩やかに接続する接続面２４４と、第２面２４２と第３面２４３とを接続する部分を緩やかに接続する接続面２４５と、を有している。

そして、導電部９０は、第１面２４１から接続面２４４、第２面２４２、接続面２４５を経て第３面２４３に至るよう緩やかに曲がるように形成されている。

導電部９０を形成する前の成形体の形状としては、炭化すべき箇所において、なるべく成形時に溶融樹脂が流動する形状が望ましい。そのため、第１面２４１と第２面２４２との間の接続面２４４および第２面２４２と第３面２４３との間の接続面２４５は、比較的大きなＲ形状（すなわちラウンド形状）になっている。角部３４および隅部３５の曲率半径は、できる限り大きいことが望ましく、具体的な大きさとしては少なくとも５ｍｍ以上が望ましい。

また、接続面２４４および接続面２４５を比較的大きなＲ形状とすることにより導電部９０の加工精度を向上することもできる。

（他の実施形態）
（１）上記各実施形態では、吸気温センサ２３の接地端子２３ｂ、あるいは接続ターミナル２８ｂ介して導電部９０を構成している各パターン９０１〜９０６の電荷をグランド４５に放出するようにした。しかし、吸気温センサ２３の接地端子２３ｂ、接続ターミナル２８ｂ以外に部位から導電部９０を構成している各パターン９０１〜９０６の電荷をグランド４５に放出するようにしてもよい。

（２）上記各実施形態では、導電部９０を構成している各パターン９０１〜９０６と、吸気温センサ２３の接地端子２３ｂあるいは接続ターミナル２８ｂと、の間を電気的に接続するようにした。

これに対し、導電部９０と吸気温センサ２３の接地端子２３ｂとの間を未接続としてもよい。具体的には、導電部９０と、吸気温センサ２３の接地端子２３ｂあるいは接続ターミナル２８ｂとの間に隙間を設け、導電部９０とグランド４５の間を未接続としてもよい。ただしこの場合、導電部９０と、吸気温センサ２３の接地端子２３ｂあるいは接続ターミナル２８ｂとの間の離間距離が、電荷が導電部９０からグランド４５に移動可能な距離とする。

このような場合でも、放電によって電荷が導電部９０から吸気温センサ２３の接地端子２３ｂあるいは接続ターミナル２８ｂに移動した後、コネクタターミナル２８ａを通ってグランド４５に放出されることが可能である。なお、導電部９０と、吸気温センサ２３の接地端子２３ｂあるいは接続ターミナル２８ｂとの間の隙間の間隔は０．５ミリメートル未満とするのが好ましい。

このように、導電部９０と吸気温センサ２３の接地端子２３ｂとの間を未接続とした場合、レーザを吸気温センサ２３の接地端子２３ｂに当てる必要がないため、レーザー照射や熱による接地端子２３ｂの変形や変質を抑制することができる。

（３）上記各実施形態では、レーザ照射によって導電部９０を形成したが、これに限らず、プラズマ処理、高圧水蒸気照射、電子線照射、ジュール熱を利用した加熱等の他の方法を用いてもよく、樹脂部材の加工性に応じて最適な方法を選択することができる。

（４）導電部９０とグランドの間を接続するグランド接続部は、吸気温ターミナルに限らず、例えば吸気管などの他の部位であってもよい。要するにグランド接続部は、グランドに接続されており、電荷をグランド４５に放出可能であればよい。

（５）導電部９０は、パターン状に限らず、膜状に形成されてもよい。この場合、より優れた電磁波シールド性を樹脂部材に付与することができる。

（６）導電部９０は、熱による炭化によって形成された炭化物を含むものに限定されない。例えば、導電性を有する導電部９０として、ハウジング２１の表面に金属パターンを形成してもよい。

（７）上記第１実施形態では、第１導電部９０１ａと第２導電部９０１ｂを、＋字状に形成したが、例えば、Ｔ字状に接続するように形成することもできる。また、第１導電部９０１ａと第２導電部９０１ｂは直交していなくてもよい。また、第１導電部９０１ａと第２導電部９０１ｂは、少なくとも１つ形成されていればよい。また、第１導電部９０１ａと第２導電部９０１ｂのいずれかがグランドに接続されていてもよく、第１導電部９０１ａと第２導電部９０１ｂの両方がグランドに接続されていてもよい。また、第１導電部９０１ａと第２導電部９０１ｂのいずれかがグランドに接続されることなくグランドに近接するよう配置されていてもよい。また、第１導電部９０１ａと第２導電部９０１ｂは、直線状に延びていなくてもよく、例えば、曲線形状となっていてもよい。また、第１導電部９０１ａと第２導電部９０１ｂは互いに離間して配置されていてもよい。ただし、この場合、電荷が移動可能な離間距離とするのが好ましい。

（８）上記第１２〜第１３実施形態において、複数のパターン９０３は、離間して配置され互いに接続されていないが、離間した複数のパターン９０３を第１導電部とし、これらの第１導電部の一部またはすべてを図示しない第２導電部で接続することもできる。

（９）上記第６〜第７、第１０〜第１１実施形態では、導電部９０の全てまたは一部がストライプ状のパターン９０２によって構成されている。これらのストライプ状のパターン９０２は、ハウジング２１に対して、縦方向、横方向、斜め方向のいずれの方向に延びるように形成されていてもよい。

なお、本発明は上記した実施形態に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載した範囲内において適宜変更が可能である。また、上記各実施形態は、互いに無関係なものではなく、組み合わせが明らかに不可な場合を除き、適宜組み合わせが可能である。また、上記各実施形態において、実施形態を構成する要素は、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに必須であると考えられる場合等を除き、必ずしも必須のものではないことは言うまでもない。また、上記各実施形態において、実施形態の構成要素の個数、数値、量、範囲等の数値が言及されている場合、特に必須であると明示した場合および原理的に明らかに特定の数に限定される場合等を除き、その特定の数に限定されるものではない。また、上記各実施形態において、構成要素等の材質、形状、位置関係等に言及するときは、特に明示した場合および原理的に特定の材質、形状、位置関係等に限定される場合等を除き、その材質、形状、位置関係等に限定されるものではない。

（まとめ）
上記各実施形態の一部または全部で示された第１の観点によれば、流体の物理量を計測する物理量計測装置であって、絶縁性を有し、流体が流れるバイパス通路を形成する樹脂製のバイパスハウジングを備えている。また、バイパス通路を流れる流体の物理量に応じた検出信号を出力する物理量検出部を備えている。また、バイパスハウジングの外面およびバイパス通路を形成するバイパスハウジングの内面の少なくとも一方の表面に形成された導電性を有する導電部を備えている。そして、導電部からグランドへ電荷が放出される。

また、第２の観点によれば、導電部は、バイパスハウジングの表面に熱による炭化によって形成された炭化物を含む。このように、炭化によって形成された炭化物を含むように導電部を構成することができる。

また、第３の観点によれば、導電部は、バイパスハウジングの外面の全体に形成されている。これによれば、バイパスハウジングの外面の全体に導電性を持たせることができる。

また、第４の観点によれば、導電部は、バイパスハウジングの外面の一部に形成されている。これによれば、バイパスハウジングの外面の全体に導電部を形成する場合と比較して導電部の面積を小さくすることができるので、短時間で導電部を形成することができ製造コストを低減することもできる。

また、第５の観点によれば、物理量検出部は、バイパス通路を流れる流体の物理量を検出する検出素子を有している。そして、導電部は、検出素子の周囲を囲むようにバイパスハウジングの外面の一部に形成されている。

このように、バイパスハウジングの外面の全体に導電部を形成しなくても、帯電したダスト等の異物による検出素子への影響を低減することが可能である。

また、第６の観点によれば、物理量検出部は、バイパス通路を流れる流体の物理量を検出する検出素子を有し、バイパス通路は、検出素子が配置される検出路に吸入空気を導入する導入路を有している。そして、検出素子および導入路の周囲を囲むようにバイパスハウジングの外面の一部に導電部が配置される。

このように、バイパスハウジングの外面の全体に導電部を形成しなくても、帯電したダスト等の異物による検出素子への影響を低減することが可能である。

また、第７の観点によれば、導電部は、バイパス通路を形成する内面の全体に形成されている。このように、バイパス通路を形成する内面の全体に導電部を形成しても、帯電したダスト等の異物による物理量検出部への影響を低減することが可能である。

また、第８の観点によれば、導電部は、バイパス通路を形成するバイパスハウジングの内面の一部に形成されている。

したがって、バイパス通路を形成するバイパスハウジングの内面の全部に導電部を形成する場合と比較して導電部の面積を小さくすることができるので、短時間で導電部を形成することができ製造コストを低減することもできる。

また、第９の観点によれば、導電部は、格子状のパターンによって構成されている。これによれば、速やかにパターンを形成することができる。

また、第１０の観点によれば、導電部は、ストライプ状のパターンによって構成されている。これによれば、さらに速やかにパターンを形成することができる。

また、第１１の観点によれば、隣接するパターンの間隔は、パターンの深さよりも長くなっている。このように、隣接するパターンの間隔は、パターンの深さよりも長くなるようにするのが好ましい。

また、第１２の観点によれば、バイパスハウジングは、第１面と、第１面と交差する方向に拡がる第２面と、第１面と第２面とを接続する部分を緩やかに接続する接続面と、を有している。そして、導電部は、第１面から接続面を経て第２面に至る経路に形成されている。

このような構成によれば、第１面と第２面とを接続する部分を緩やかに接続する接続面を有しているので、接続面への導電部の加工を容易にすることができる。

また、第１３の観点によれば、導電部は、円形形状または多角形形状を成す複数のパターンによって構成されている。また、複数のパターンが、バイパスハウジングの表面に面状に拡がるように形成され、複数のパターンの間で生じる放電によりグランドへ電荷が放出される。

このように、円形形状または多角形形状を成す複数のパターンによって導電部を構成し、複数のパターンの間で生じる放電によりグランドへ電荷が放出されるよう構成することもできる。

また、第１４の観点によれば、隣接するパターンの間隔は、隣接するパターンの一方から他方へ放電によって電荷が移動可能な距離となっている。

このように、隣接するパターンの間隔は、隣接するパターンの一方から他方へ放電によって電荷が移動可能な距離とすることができる。

また、第１５の観点によれば、導電部は、グランドに接続されている。このように、導電部をグランドに接続するように構成することができる。

また、第１６の観点によれば、導電部は、グランドと未接続となっており、放電により導電部からグランドへ電荷が放出される。このように、導電部をグランドと未接続とし、放電により導電部からグランドへ電荷が放出されるよう構成することもできる。

また、第１７の観点によれば、物理量計測装置は、流体の温度を検出する温度センサを備えている。また、温度センサの接地端子がバイパスハウジングの外面に露出するよう配置され、温度センサの接地端子を介して導電部からグランドへ電荷が放出される。

このように、バイパスハウジングの外面に露出するよう配置された温度センサの接地端子を介して導電部からグランドへ電荷を放出させることができる。

また、第１８の観点によれば、バイパスハウジングの外面において導電部が形成されていない領域の面積は、バイパスハウジングの外面において導電部が形成されている領域の面積よりも大きくなっている。

これにより、導電部が形成されている領域の面積を小さくすることができ、導電部を形成することによるバイパスハウジングの強度低下を抑制することが可能である。

また、第１９の観点によれば、導電部は、バイパスハウジングの外面とバイパスハウジングの内面のいずれか一方のみの表面に形成されている。また、導電部が形成されたバイパスハウジングの一方の面とバイパスハウジングの他方の面との間の肉厚は、バイパスハウジングの導電部が形成された一方の面と他方の面との間で絶縁破壊による放電が可能な長さとなっている。

これによれば、バイパスハウジングの導電部が形成された一方の面と他方の面との間で絶縁破壊による放電を生じさせることが可能である。

また、第２０の観点によれば、本実施形態の物理量検出装置の製造方法は、絶縁性を有し、流体が流れるバイパス通路を形成する樹脂製のバイパスハウジングを用意することを含む。また、熱による炭化によってバイパスハウジングの外面およびバイパス通路を形成する内面の少なくとも一方の表面に導電性を有する導電部を形成することを含む。

また、第２１の観点によれば、熱による炭化によってバイパスハウジングの表面に導電部を形成することでは、バイパスハウジングの外面の表面に導電部を形成する。これにより、バイパスハウジングの外面の表面に導電部を形成することができる。

また、第２２の観点によれば、熱による炭化によってバイパスハウジングの表面に導電部を形成することでは、バイパスハウジングの内面の表面に導電部を形成する。これにより、バイパスハウジングの内面の表面に導電部を形成することができる。

また、第２３の観点によれば、熱による炭化によってバイパスハウジングの表面に導電部を形成することの後に、熱よりも弱い熱によってバイパスハウジングの表面に付着した浮遊粒子の除去および体積低効率の調整の少なくとも一方を実施すること、を含む。

これにより、浮遊粒子の除去および体積低効率の調整の少なくとも一方を実施することができる。

また、第２４の観点によれば、熱による炭化によってバイパスハウジングの表面に導電部を形成することでは、第１の走査速度で導電部を形成する。また、熱よりも弱い熱によってバイパスハウジングの表面に付着した浮遊粒子の除去および体積低効率の調整の少なくとも一方を実施することでは、第１の走査速度よりも速い第２の走査速度で浮遊粒子の除去および体積低効率の調整の少なくとも一方を実施する。

このように、熱よりも弱い熱によってバイパスハウジングの表面に付着した浮遊粒子の除去および体積低効率の調整の少なくとも一方を実施することでは、第１の走査速度よりも速い第２の走査速度で浮遊粒子の除去および体積低効率の調整の少なくとも一方を実施するのが好ましい。

２０ エアフロメータ
２１ ハウジング
２２ 流量検出部
２３ 吸気温センサ
２３ａ 感温素子
２３ｂ 接地端子
２３ｃ 信号端子
２４ バイパスハウジング
２４ａ 内壁
２４ｂ 外壁
２８ コネクタ部
２８ａ コネクタターミナル
３０ バイパス通路
３１ 通過通路
３２ 計測通路
９０ 導電部
９０１〜９０６ パターン

Claims (24)

1. 流体の物理量を計測する物理量計測装置（２０）であって、
   絶縁性を有し、前記流体が流れるバイパス通路（３０）を形成する樹脂製のバイパスハウジング（２４）と、
   前記バイパス通路を流れる前記流体の物理量に応じた検出信号を出力する物理量検出部（２２）と、
   前記バイパスハウジングの外面（２４ｂ）および前記バイパス通路を形成する前記バイパスハウジングの内面（２４ａ）の少なくとも一方に形成された導電性を有する導電部（９０）と、を備え、
   前記導電部からグランド（４５）へ電荷が放出される物理量計測装置。
2. 前記導電部は、前記バイパスハウジングの表面に熱による炭化によって形成された炭化物を含む請求項１に記載の物理量計測装置。
3. 前記導電部は、前記バイパスハウジングの前記外面の全体に形成されている請求項１または２に記載の物理量計測装置。
4. 前記導電部は、前記バイパスハウジングの前記外面の一部に形成されている請求項１または２に記載の物理量計測装置。
5. 前記物理量検出部は、前記流体の物理量を検出する検出素子（２２ｂ）を有し、
   前記導電部は、前記検出素子の周囲を囲むように前記バイパスハウジングの前記外面の一部に形成されている請求項４に記載の物理量計測装置。
6. 前記物理量検出部は、前記バイパス通路を流れる前記流体の物理量を検出する検出素子（２２ｂ）を有し、
   前記バイパス通路は、前記検出素子が配置される検出路（３２ａ）に吸入空気を導入する導入路（３２ｂ）を有し、
   前記導電部は、前記検出素子および前記導入路の周囲を囲むように前記バイパスハウジングの前記外面の一部に形成されている請求項４に記載の物理量計測装置。
7. 前記導電部は、前記バイパス通路を形成する前記内面の全体に形成されている請求項１ないし６のいずれか１つに記載の物理量計測装置。
8. 前記導電部は、前記バイパス通路を形成する前記バイパスハウジングの前記内面の一部に形成されている請求項１ないし６のいずれか１つに記載の物理量計測装置。
9. 前記導電部は、格子状のパターン（９０１）によって構成されている請求項１ないし８のいずれか１つに記載の物理量計測装置。
10. 前記導電部は、ストライプ状のパターン（９０２）によって構成されている請求項１ないし８のいずれか１つに記載の物理量計測装置。
11. 隣接する前記パターンの間隔は、前記パターンの深さよりも長くなっている請求項９または１０に記載の物理量計測装置。
12. 前記バイパスハウジングは、第１面（２４１）と、前記第１面と交差する方向に拡がる第２面（２４２）と、前記第１面と前記第２面とを接続する部分を緩やかに接続する接続面（２４４）と、を有し、
    前記導電部は、前記第１面から前記接続面を経て前記第２面に至る経路に形成されている請求項１ないし１１のいずれか１つに記載の物理量計測装置。
13. 前記導電部は、円形形状または多角形形状を成す複数のパターン（９０３〜９０５）によって構成され、
    前記複数のパターンが、前記バイパスハウジングの表面に面状に拡がるように形成され、
    前記複数のパターンの間で生じる放電により前記グランドへ前記電荷が放出される請求項１ないし１２のいずれか１つに記載の物理量計測装置。
14. 隣接する前記パターンの間隔は、隣接する前記パターンの一方から他方へ放電によって電荷が移動可能な距離となっている請求項１１に記載の物理量計測装置。
15. 前記導電部は、前記グランド（４５）に接続されている請求項１ないし１４のいずれか１つに記載の物理量計測装置。
16. 前記導電部は、前記グランドと未接続となっており、
    放電により前記導電部から前記グランドへ電荷が放出される請求項１ないし１４のいずれか１つに記載の物理量計測装置。
17. 前記流体の温度を検出する温度センサ（２３）を備え、
    前記温度センサの接地端子が前記バイパスハウジングの前記外面に露出するよう配置され、
    前記温度センサの前記接地端子を介して前記導電部からグランド（４５）へ電荷が放出される請求項１ないし１６にのいずれか１つに記載の物理量計測装置。
18. 前記バイパスハウジングの前記外面において前記導電部が形成されていない領域の面積は、前記バイパスハウジングの前記外面において前記導電部が形成されている領域の面積よりも大きくなっている請求項４に記載の物理量計測装置。
19. 前記導電部は、前記バイパスハウジングの前記外面と前記バイパスハウジングの前記内面のいずれか一方のみの表面に形成されており、
    前記導電部が形成された前記バイパスハウジングの前記一方の面と前記バイパスハウジングの他方の面との間の肉厚は、前記バイパスハウジングの前記導電部が形成された前記一方の面と前記他方の面との間で絶縁破壊による放電が可能な長さとなっている請求項１または２に記載の物理量計測装置。
20. 流体の物理量を計測する物理量計測装置の製造方法であって、
    絶縁性を有し、前記流体が流れるバイパス通路（３０）を形成する樹脂製のバイパスハウジング（２４）を用意することと、
    熱による炭化によって前記バイパスハウジングの外面（２４ｂ）および前記バイパス通路を形成する内面（２４ａ）の少なくとも一方に導電性を有する導電部を形成することと、を含む物理量計測装置の製造方法。
21. 前記熱による炭化によって前記バイパスハウジングの前記表面に導電部を形成することでは、前記バイパスハウジングの前記外面の前記表面に導電部を形成する請求項２０に記載の物理量計測装置の製造方法。
22. 前記熱による炭化によって前記バイパスハウジングの前記表面に前記導電部を形成することでは、前記バイパスハウジングの前記内面の前記表面に前記導電部を形成する請求項２０に記載の物理量計測装置の製造方法。
23. 前記熱による炭化によって前記バイパスハウジングの前記表面に前記導電部を形成することの後に、前記熱よりも弱い熱によって前記バイパスハウジングの前記表面に付着した浮遊粒子の除去および体積低効率の調整の少なくとも一方を実施すること、を含む請求項２０ないし２２のいずれか１つに記載の物理量計測装置の製造方法。
24. 前記熱による炭化によって前記バイパスハウジングの前記表面に前記導電部を形成することでは、第１の走査速度で前記導電部を形成し、
    前記熱よりも弱い熱によって前記バイパスハウジングの前記表面に付着した前記浮遊粒子の除去および前記体積低効率の調整の少なくとも一方を実施することでは、前記第１の走査速度よりも速い第２の走査速度で前記浮遊粒子の除去および前記体積低効率の調整の少なくとも一方を実施する請求項２３に記載の物理量計測装置の製造方法。

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