JP2021075403A - シリコン単結晶の欠陥領域判定方法およびシリコン単結晶の製造方法 - Google Patents
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V/Gとシリコン単結晶における欠陥領域の関係について、図4を用いて説明する。図4は直径300mmのシリコン単結晶を成長方向にGが一定になる条件で、成長速度Vを漸減して製造し、結晶を縦割りして欠陥分布を調べた結果である。すなわち、V/Gの変化に対応する欠陥領域の遷移を示している。
極端にV/Gが大きければ結晶成長時に空孔が過剰になり、空孔同士が凝集してボイド(Void)を形成する。逆に、極端にV/Gが小さければ結晶成長時に格子間シリコンが過剰となり、格子間シリコン同士が凝集して転位クラスターを形成する。
空孔が優勢となる条件と格子間シリコンが優勢となる条件の中間的な条件で結晶を製造すると空孔や格子間シリコンが無い、もしくはVoid欠陥や転位クラスター欠陥を形成しない程度の低濃度でしか点欠陥が存在しない無欠陥領域結晶が得られる。
無欠陥領域とボイド形成領域の間にはas−grownで比較的大サイズの酸素析出物に起因する積層欠陥が形成されたR−OSF領域が形成され、無欠陥領域と転位クラスター形成領域の間には、格子間シリコンの凝集体によって形成された積層欠陥は存在するが、転位ループの形成には至っていないB−band領域が存在する。
よって、上記のように、シリコンウェーハを製造するためのシリコン単結晶においては、各欠陥領域を検出あるいは保証する方法が重要となっている。
また、Nv領域とNi領域の区別に関しては、両領域の酸素析出特性の差を利用することで区別できる。具体的には、適当な温度条件で酸素析出熱処理を施した後で、赤外トモグラフ法などにより酸素析出物の密度を検出することでNv領域とNi領域を区別できる。
例えば、特許文献1に記載があるように、検査サンプルに対して故意に不純物金属を塗布し、熱処理で拡散させた後に表層をエッチングし表面に形成されるシャローピットを検出する方法がある。Ni領域は不純物金属をゲッタリングするサイトがないため不純物金属の多くが表面に残留するが、B−band領域では格子間シリコンの凝集体により形成された積層欠陥、転位クラスター形成領域では転位クラスターがゲッタリングサイトとして寄与するため不純物金属がバルクに拡散し表層に残留する金属は少なくなる。従って、不純物金属を起点に形成されるシャローピットはNi領域では多く形成され、B−band領域や転位クラスター形成領域ではシャローピット密度が少なくなる。サンプル表面にシャローピットの多い領域を集光灯下で観察すると光が散乱されるためサンプル表面は白濁したように見え、シャローピッが少ない領域では白濁は見られないため、シャローピット形成処理後のサンプルを集光灯下で観察して表面の白濁の有無を評価すればサンプルにB−band領域や転位クラスター形成領域の混在の有無を判断することが可能である。
前記シリコン単結晶から切り出して用意した検査サンプルの表面に対して、1×1011〜1×1015atoms/cm2の濃度の不純物金属を塗布し、該塗布した不純物金属を拡散させる拡散熱処理を施した後、800℃以上1200℃以下の酸化性雰囲気で酸化熱処理を行い、該酸化熱処理後に前記検査サンプルを劈開して赤外トモグラフ法により積層欠陥の有無を調べる検査を行い、
該検査の結果、前記積層欠陥が検出された場合に、前記検査サンプルにB−band領域および転位クラスター形成領域のうちのいずれか1つ以上の領域が含まれていると判定することを特徴とするシリコン単結晶の欠陥領域判定方法を提供する。
上記の不純物金属の塗布、拡散をすると、ゲッタリングサイトとして寄与する、B−band領域に存在する小サイズの積層欠陥や転位クラスター形成領域に存在する転位や転位の凝集体の周囲に不純物金属が捕捉され、該不純物金属とシリコンが複合化してシリサイドとして析出する。このとき、上記不純物金属の濃度として、シリサイドを形成させるためには1×1011atoms/cm2以上が必要であり、一方、濃度が高すぎると、上記欠陥(B−band領域の小サイズの積層欠陥や、転位クラスター形成領域の転位、転位の凝集体)が無い領域(隣接するNi領域など)においてもシリサイドが形成される恐れがあるため、1×1015atoms/cm2以下とする。
上記のシリコン単結晶の欠陥領域判定方法を用いて、シリコン単結晶の製造条件と、該製造条件で製造したシリコン単結晶における前記B−band領域および前記転位クラスター形成領域との相関関係を取得し、
該相関関係から、前記B−band領域および前記転位クラスター形成領域を含まないシリコン単結晶の製造条件を決定し、
該決定した製造条件でシリコン単結晶を製造することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法を提供する。
図5は、シリコン単結晶を製造することができる単結晶製造装置の一例を示す概略図である。図5に示す単結晶製造装置20は、CZ法によりシリコン原料融液(シリコンメルト)4からシリコン単結晶を引上げる単結晶製造装置である。この単結晶製造装置20のメインチャンバー1内には、溶融されたシリコン原料融液4を収容する石英ルツボ5と該石英ルツボ5を収容する黒鉛ルツボ6が設けられ、これらルツボ5、6は駆動機構(図示せず)によって回転昇降動自在に支持されている。
また、メインチャンバー1の内部には、引上げチャンバー2の上部に設けられたガス導入口10からアルゴンガス(Ar)等の不活性ガスが導入され、トップチャンバー11に設けられたガス整流筒12と引上げ中のシリコン単結晶14との間を通過し、シリコン原料融液4の融液面と対向するように配置された熱遮蔽部材13と融液面の間を伝って、黒鉛ルツボ6の側壁からメインチャンバー1の下方へと流れ、メインチャンバー1の下端にあるガス流出口9より外部へ排出される。熱遮蔽部材13は、シリコン原料融液4からの輻射熱がメインチャンバー1の上部へと輻射されるのを防ぎ、所望の結晶冷却雰囲気を形成しやすくするとともに、融液面に沿って流れる不活性ガスを整流する役目をもっている。
本発明の判定方法においては、まず、上記のようなシリコン単結晶製造装置を用いて、チョクラルスキー法により製造したシリコン単結晶を用意し、検査サンプルを用意する(工程1)。このため、加熱ヒータ7でシリコン原料融液4を加熱し、また、ガス導入口10からアルゴンガスを導入しつつ、種結晶ホルダーにより保持された種結晶3を着液させ、ルツボ5、6を回転させながらシリコン単結晶14を引き上げる。
ここでは、検査サンプルとして用意したものが、シリコン単結晶から切り出したウェーハである場合を例に説明する。
一方で、シリコン単結晶中に欠陥が存在しない場合、ゲッタリングサイトがないことになるため、不純物金属は特定のサイトに集中的に捕捉されることはない。
つまり、故意に不純物金属を塗布して拡散させると、サンプルにB−band領域や転位クラスター形成領域が含まれる場合、それらの欠陥領域に選択的に不純物金属を集めることができる。
また、汚染濃度が高すぎると、B−band領域や転位クラスター形成領域中の欠陥に捕捉しきれず、欠陥がない領域においてもシリサイドが形成される恐れがあるため、汚染濃度の上限は1×1015atoms/cm2以下とする。
この酸化熱処理により、シリコンの表層から酸化が進むと同時に結晶中に格子間シリコンが注入される。その格子間シリコンは結晶中を拡散してシリサイドの周囲に集まるが、集まった格子間シリコンはやがて過飽和となって積層欠陥を発生させる。つまり、あらかじめB−band領域や転位クラスター形成領域に対してシリサイドが形成されていれば、そのシリサイドを起点としてB−band領域および転位クラスター形成領域に対して選択的に積層欠陥を形成することができる。
また、熱処理温度が低すぎると熱処理に長時間を要するため、熱処理温度の下限は800℃程度とする。
後述するように、酸化熱処理によって形成した積層欠陥は赤外トモグラフ法で検出することになるが、赤外トモグラフ法の検出範囲から考えて積層欠陥を形成する深さは表層から400μm程度の深さまでで十分と考えられる。よって、熱処理時間は特に限定されないものの、熱処理温度が800℃の場合は3時間以上、1200℃の場合は20min以上100min以下とすれば十分である。
積層欠陥の有無は、赤外トモグラフ装置で劈開面を測定することにより行うことができ、積層欠陥が存在する場合は、図2、図3に示したような積層欠陥を検出することができる。いずれの例も面方位(110)のシリコン単結晶のサンプルに観察された積層欠陥である。これらの積層欠陥はB−band領域や転位クラスター形成領域に集まった不純物金属によるシリサイドを起点として形成されるため、Nv領域やNi領域には形成されない。つまり、赤外トモグラフ法によって積層欠陥の有無を測定することで、B−band領域や転位クラスター形成領域の混在の有無を判断することが可能である。
さらに、エピタキシャルウェーハの基板として用いるシリコンウェーハに対して抜き取りで上記の検査方法によってB−band領域および転位クラスター形成領域が含まれていないことを検査し、合格と判定された基板と同じロットの基板を用いればエピタキシャル層にB−band領域および転位クラスター形成領域を起点とする欠陥がないエピタキシャルウェーハを製造することができる。
すなわち、まず、本発明の判定方法による検査結果(検査サンプルにおけるB−band領域および転位クラスター形成領域の有無)と、検査サンプルの基となったシリコン単結晶を製造したときの製造条件との相関関係を取得する。そして、この相関関係を基にして、それらの欠陥領域を含まないシリコン単結晶の製造条件を決定し、該製造条件でシリコン単結晶を製造する。製造条件の調整としては、例えばV/Gの調整などが挙げられる。
なお、後述するように、実施例1−5、比較例1−2では同様のサンプルを使用した。また、実施例6、比較例3では同様のサンプルを使用した。実施例1等でのサンプルと実施例6等でのサンプルは別の物とした。
(実施例1)
図5に概略図を示した単結晶製造装置を用いて、口径32inch(800mm)の石英ルツボ、初期の原料チャージ量を380kgとして、直径305mm、直胴長さ140cmのシリコン単結晶を引上げた。引き上がった結晶から直径300mm、厚さ1mmのウェーハ形状サンプルを切り出して、表面を平面研削してシリコンウェーハを製造した。製造したシリコンウェーハのうち、1枚を抜き取り、検査サンプルとした。
検査サンプルに対して、Cuを1×1012atoms/cm2の濃度で塗布して、700℃×20minで拡散熱処理を施して拡散させた。その後に、酸化性雰囲気で1000℃×10hrの酸化熱処理を実施した。酸化熱処理後のサンプルを劈開して、赤外トモグラフ法で測定したところ、半径60〜80mmの範囲において図2と同様の積層欠陥が検出された。
よって、このサンプルにはB−band領域および転位クラスター形成領域が含まれていると判断して、無欠陥PWを製造するための単結晶としては不合格とした。
このように、本発明の判定方法による判定結果と、実際にエピタキシャル成長を行って確認した結果とが一致していた。
実施例1と同様の検査サンプルを用意した。
検査サンプルに対して、Niを1×1012atoms/cm2の濃度で塗布して、700℃×20minで拡散熱処理を施して拡散させた。その後に、酸化性雰囲気で1000℃×10hrの酸化熱処理を実施した。酸化熱処理後のサンプルを劈開して、赤外トモグラフ法で測定したところ、半径60〜80mmの範囲において図2と同様の積層欠陥が検出された。
よって、このサンプルにはB−band領域および転位クラスター形成領域が含まれていると判断して、無欠陥PWを製造するための単結晶としては不合格とした。
このように、実施例2での本発明の判定方法による判定結果は、前述した実際の結果と一致していた。
実施例1と同様の検査サンプルを用意した。
検査サンプルに対して、Niを1×1011atoms/cm2の濃度で塗布して、700℃×20minで拡散熱処理を施して拡散させた。その後に、酸化性雰囲気で1000℃×10hrの酸化熱処理を実施した。酸化熱処理後のサンプルを劈開して、赤外トモグラフ法で測定したところ、半径60〜80mmの範囲において図2と同様の積層欠陥が検出された。
よって、このサンプルにはB−band領域および転位クラスター形成領域が含まれていると判断して、無欠陥PWを製造するための単結晶としては不合格とした。
このように、実施例3での本発明の判定方法による判定結果は、前述した実際の結果と一致していた。
実施例1と同様の検査サンプルを用意した。
検査サンプルに対して、Niを1×1012atoms/cm2の濃度で塗布して、700℃×20minで拡散熱処理を施して拡散させた。その後に、酸化性雰囲気で800℃×10hrの酸化熱処理を実施した。酸化熱処理後のサンプルを劈開して、赤外トモグラフ法で測定したところ、半径60〜80mmの範囲において図2と同様の積層欠陥が検出された。
よって、このサンプルにはB−band領域および転位クラスター形成領域が含まれていると判断して、無欠陥PWを製造するための単結晶としては不合格とした。
このように、実施例4での本発明の判定方法による判定結果は、前述した実際の結果と一致していた。
実施例1と同様の検査サンプルを用意した。
検査サンプルに対して、Niを1×1012atoms/cm2の濃度で塗布して、700℃×20minで拡散熱処理を施して拡散させた。その後に、酸化性雰囲気で1200℃×2hrの酸化熱処理を実施した。酸化熱処理後のサンプルを劈開して、赤外トモグラフ法で測定したところ、半径60〜80mmの範囲において図2と同様の積層欠陥が検出された。
よって、このサンプルにはB−band領域および転位クラスター形成領域が含まれていると判断して、無欠陥PWを製造するための単結晶としては不合格とした。
このように、実施例5での本発明の判定方法による判定結果は、前述した実際の結果と一致していた。
実施例1と同様の検査サンプルを用意した。
検査サンプルに対して、Niを1×1010atoms/cm2の濃度で塗布して、700℃×20minで拡散熱処理を施して拡散させた。その後に、酸化性雰囲気で1000℃×10hrの酸化熱処理を実施した。酸化熱処理後のサンプルを劈開して、赤外トモグラフ法で測定したところ、サンプル全面で積層欠陥は検出されなかった。
よって、このサンプルにはB−band領域および転位クラスター形成領域が含まれていないと判断して、無欠陥PWを製造するための単結晶としては合格とした。
このように、比較例1での判定方法による判定結果は、前述した実際の結果と一致していなかった。
したがって、比較例1の判定結果が間違っていたことになる。これは不純物(Ni)の塗布の際にNiの濃度が低く、B−band領域や転位クラスター形成領域でシリサイドを形成するには不十分な濃度であったためと考えられる。
実施例1と同様の検査サンプルを用意した。
検査サンプルに対して、Niを1×1012atoms/cm2の濃度で塗布して、700℃×20minで拡散熱処理を施して拡散させた。その後に、酸化性雰囲気で1300℃×2hrの酸化熱処理を実施した。酸化熱処理後のサンプルを劈開して、赤外トモグラフ法で測定したところ、サンプル全面で積層欠陥は検出されなかった。
よって、このサンプルにはB−band領域および転位クラスター形成領域が含まれていないと判断して、無欠陥PWを製造するための単結晶としては合格とした。
このように、比較例2での判定方法による判定結果は、前述した実際の結果と一致していなかった。
したがって、比較例2の判定結果が間違っていたことになる。これは酸化熱処理温度が高すぎたため、B−band領域や転位クラスター形成領域に一旦形成されたシリサイドが溶解してしまったためと考えられる。
図5に概略図を示した単結晶製造装置を用いて、口径32inch(800mm)の石英ルツボ、初期の原料チャージ量を380kgとして、直径305mm、直胴長さ140cmのシリコン単結晶を実施例1とは異なる条件で引上げた。引き上がった結晶から直径300mm、厚さ1mmのウェーハ形状サンプルを切り出して、表面を平面研削してシリコンウェーハを製造した。製造したシリコンウェーハのうち、1枚を抜き取り、実施例1とは異なる検査サンプルとした。
検査サンプルに対して、Niを1×1015atoms/cm2の濃度で塗布して、700℃×20minで拡散熱処理を施して拡散させた。その後に、酸化性雰囲気で1000℃×10hrの酸化熱処理を実施した。酸化熱処理後のサンプルを劈開して、赤外トモグラフ法で測定したところ、サンプル全面で積層欠陥は検出されなかった。
よって、このサンプルにはB−band領域および転位クラスター形成領域が含まれていないと判断して、無欠陥PWを製造するための単結晶としては合格とした。
このように、本発明の判定方法による判定結果と、実際にエピタキシャル成長を行って確認した結果とが一致していた。
実施例6と同様の検査サンプルを用意した。
検査サンプルに対して、Niを5×1016atoms/cm2の濃度で塗布して、700℃×20minで拡散させた。その後に、酸化性雰囲気で1000℃×10hrの熱処理を実施した。熱処理後のサンプルを劈開して、赤外トモグラフ法で測定したところ、一部の範囲で積層欠陥が検出された。
よって、このサンプルは全面がB−band領域および転位クラスター形成領域が含まれていると判断して、無欠陥PWを製造するための単結晶としては不合格とした。
このように、比較例3での判定方法による判定結果は、前述した実際の結果と一致していなかった。
したがって、比較例3の判定結果が間違っていたことになる。これは不純物(Ni)の塗布の際にNiの濃度が高すぎて、無欠陥であるNi領域においてもシリサイドが形成されてしまったためと考えられる。
4…シリコン原料融液、 5…石英ルツボ、 6…黒鉛ルツボ、
7…加熱ヒータ、 8…断熱材、 9…ガス流出口、 10…ガス導入口、
11…トップチャンバー、 12…ガス整流筒、 13…熱遮蔽部材、
14…シリコン単結晶、 20…シリコン単結晶製造装置。
Claims (4)
- チョクラルスキー法により製造したシリコン単結晶の欠陥領域判定方法であって、
前記シリコン単結晶から切り出して用意した検査サンプルの表面に対して、1×1011〜1×1015atoms/cm2の濃度の不純物金属を塗布し、該塗布した不純物金属を拡散させる拡散熱処理を施した後、800℃以上1200℃以下の酸化性雰囲気で酸化熱処理を行い、該酸化熱処理後に前記検査サンプルを劈開して赤外トモグラフ法により積層欠陥の有無を調べる検査を行い、
該検査の結果、前記積層欠陥が検出された場合に、前記検査サンプルにB−band領域および転位クラスター形成領域のうちのいずれか1つ以上の領域が含まれていると判定することを特徴とするシリコン単結晶の欠陥領域判定方法。 - 前記塗布する不純物金属を、CuまたはNiとすることを特徴とする請求項1に記載のシリコン単結晶の欠陥領域判定方法。
- 前記検査サンプルを、エピタキシャル成長用のシリコン単結晶または該シリコン単結晶から切り出して製造したエピタキシャル成長用シリコンウェーハから用意することを特徴とする請求項1または請求項2に記載のシリコン単結晶の欠陥領域判定方法。
- チョクラルスキー法によりシリコン単結晶を製造する方法であって、
請求項1から請求項3のいずれか一項に記載のシリコン単結晶の欠陥領域判定方法を用いて、シリコン単結晶の製造条件と、該製造条件で製造したシリコン単結晶における前記B−band領域および前記転位クラスター形成領域との相関関係を取得し、
該相関関係から、前記B−band領域および前記転位クラスター形成領域を含まないシリコン単結晶の製造条件を決定し、
該決定した製造条件でシリコン単結晶を製造することを特徴とするシリコン単結晶の製造方法。
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