JP2021072401A - 光電変換パネル - Google Patents

Abstract

【課題】光電変換の効率の低下を抑制しつつ、受光面側から見た光電変換パネルの外観の色が黒色等の暗色とは異なる光電変換パネルを提供する。【解決手段】光電変換パネル１００は、光電変換素子１０と、可視光の帯域に関して透明又は半透明な第１光学層３００と、を有する。第１光学層３００は、光電変換素子１０の受光面側に隣接して設けられている。第１光学層３００と光電変換素子１０との間に部分的に空隙が設けられている。【選択図】図２

Description

本発明は、光電変換パネルに関する。

光エネルギーを電気エネルギーに変換に変換する光電変換パネルが知られている（特許文献１）。特許文献１に記載された光電変換パネル（光発電装置）は、保護層、光学機能層及び発電層を備えている。保護層は、透光性を有しており、光発電装置の受光面側に設けられている。発電層は、基板、平坦化層、バリア層、透明電極、バッファ層、光電変換層及び反射電極を含んでいる。

光学機能層は、保護層と発電層との間に設けられている。光学機能層は、可視光の帯域のうちの少なくとも一部の波長帯域の光を反射し、他の波長帯域の光を透過し、又は吸収する。これにより、特許文献１では、光電変換パネルの受光面側の外観の色を変えることができると記載されている。

特開２０１８−１３７３２３号公報

太陽光は可視光の帯域で高い光量を有するため、光電変換パネルは、一般的に、可視光の帯域の光エネルギーを電気エネルギーに変換するよう構成される。すなわち、光電変換パネルの光電変換層は主として可視光を吸収する。そのため、光電変換パネルは受光面側から見て略黒色等の暗色の外観を有する。

このような暗色の光電変換層の受光面側に可視光の帯域のうちの少なくとも一部の波長帯域の光を反射する光学機能層が配置される場合、有色の光学機能層の背景が暗色となるため、光学機能層の色が視認しにくい。

光学機能層の色を視認し易くするために特定の波長に関する光学機能層の反射率を高くすることも考えらえる。この場合、光学機能層を透過して光電変換層に到達する光の量が低下してしまうため、光電変換の効率が低下してしまう。

したがって、光電変換の効率の低下を抑制しつつ、受光面側から見た光電変換パネルの外観の色が黒色等の暗色とは異なる光電変換パネルが望まれる。

一態様に係る光電変換パネルは、光電変換素子と、可視光の帯域に関して透明又は半透明な第１光学層と、を有する。前記第１光学層は、前記光電変換素子の受光面側に隣接して設けられている。前記第１光学層と前記光電変換素子との間に部分的に空隙が設けられている。

上記態様によれば、光電変換の効率の低下を抑制しつつ、受光面側から見た光電変換パネルの外観の色が黒色等の暗色とは異なる光電変換パネルを提供することができる。

第１実施形態に係る光電変換パネルの受光面側から見た平面図である。 図１の２Ａ−２Ａ線に沿った光電変換パネルの模式的断面図である。 図２の領域３Ａ付近の拡大断面図である。 図２の領域４Ａ付近の拡大断面図である。 第２実施形態に係る光電変換パネルの模式的断面図である。 第３実施形態に係る光電変換パネルの模式的断面図である。

以下、図面を参照して、実施形態について説明する。以下の図面において、同一又は類似の部分には、同一又は類似の符号を付している。ただし、図面は模式的なものであり、各寸法の比率等は現実のものとは異なることがあることに留意すべきである。

（第１実施形態）
図１は、第１実施形態に係る光電変換パネルの受光面側から見た平面図である。図２は、図１の２Ａ−２Ａ線に沿った光電変換パネルの模式的断面図である。図３は、図２の領域３Ａ付近の拡大断面図である。

光電変換パネル１００は、光エネルギーを電気エネルギーに変換する光発電パネルであってよい。光電変換パネル１００は、例えば集積型の光電変換モジュールであってよい。

光電変換パネル１００は、光電変換素子１０と、基板２０と、第１光学層３００と、保護層６００と、を有していてよい。光電変換素子１０は、光を電気エネルギーに変える素子であってよい。光電変換素子１０は、基板２０上に層状に設けられていてよい。具体的には、光電変換素子１０は、基板２０より受光面側に設けられる。

ここで、「受光面側」は、光電変換素子１０へ光が入射する側に相当する。また、「裏面側」は、受光面側とは反対側の面に相当する。

基板２０は、光電変換素子１０を形成する基体となる部材であってよい。基板２０は、例えば、樹脂基板、ガラス基板、又は表面に絶縁層を有する金属基板により構成されていてよい。

保護層６００は、第１光学層３００よりも受光面側に設けられている。第１実施形態では、保護層６００は、受光面側に露出していてよい。保護層６００は、例えば透明又は半透明な合成樹脂又はガラスのような材料によって構成されていてよい。

保護層６００は、光電変換パネル１００の表面に直交する方向から見て、光電変換素子１０及び基板２０よりも大きくてよい。この場合、保護層６００は、光電変換素子１０及び基板２０よりも外側に延出する。

光電変換パネル１００は、保護層６００と光電変換素子１０との間に、第１封止層４００を有していてよい。第１実施形態では、第１封止層４００は、第１光学層３００と保護層６００との間に設けられている。

第１封止層４００は、例えば熱可塑性樹脂によって構成されていてよい。第１封止層４００は、透明又は半透明な材料によって構成されていることが好ましい。第１封止層４００の材料としては、例えばＥＶＡ樹脂（エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂）、オレフィン系樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラール）樹脂、アイオノマー樹脂もしくはシリコーン樹脂、又はこれらの組み合わせを用いることができる。

光電変換パネル１００は、基板２０の裏面側に裏側封止層８００を有していてよい。裏側封止層８００は、例えば熱可塑性樹脂によって構成されていてよい。そのような合成樹脂として、例えばＥＶＡ樹脂（エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂）、オレフィン系樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラール）樹脂、アイオノマー樹脂もしくはシリコーン樹脂、又はこれらの組み合わせを用いることができる。なお、裏側封止層８００の厚みは、第１封止層４００の厚みと同じであってもよく、異なっていてもよい。

裏側封止層８００は、基板２０の表面に直交する方向から見て、基板２０よりも広い領域にわたって形成されていてよい。図２に示す例では、裏側封止層８００は、基板２０よりも外側の領域で、保護層６００の裏面側に接する。この場合、裏側封止層８００は、保護層６００と光電変換素子１０とを互いに接着する役割をも担う。

光電変換パネル１００は、裏側封止層８００の裏面側に裏側保護層９００を有していてよい。裏側保護層９００は、光電変換パネル１００の最も裏面側に露出していてよい。

裏側保護層９００は、例えばＰＥＴ樹脂、ＰＶＦ（ポリフッ化ビニル）樹脂、ＰＶＤＦ（ポリフッ化ビニリデン）樹脂、ナイロン樹脂もしくはポリアミド樹脂、又はこれらの組み合わせによって構成されていてよい。この代わりに、裏側保護層９００は、金属製のシートによって構成されていてもよい。

光電変換パネル１００は、光電変換素子１０及び第１光学層３００の側部に接着材５００を有していてもよい。接着材５００は、光電変換素子１０及び基板２０の周縁部を囲んでおり、保護層６００の裏面側に付着していてよい。接着材５００の側部は、裏側封止層８００に覆われていてよい。

接着材５００の材料として、例えば、ポリイソブチレン（ＰＩＢ）、ブチルゴム、シリコーン接着樹脂、エポキシ樹脂もしくは合成ゴム、又はこれらの組み合わせが挙げられる。この代わりに、接着材５００の材料は、裏側封止層８００を構成する材料と同じであってもよい。

接着材５００は、光電変換素子１０及び第１光学層３００の側部を保護するとともに、光電変換素子１０と保護層６００とを互いに接着する役割を担う。具体的には、第１光学層３００の側部に設けられた接着材５００は、光電変換素子１０を製膜するための基体である基板２０と保護層６００とを互いに接着していてよい。

図２に示す態様の代わりに、接着材５００は、設けられていなくてもよい。この場合、裏側封止層８００が、光電変換素子１０及び第１光学層３００の側部を保護するとともに、光電変換素子１０と保護層６００とを互いに接着する接着材としての役割を担う。

第１光学層３００は、可視光の帯域に関して透明又は半透明なフィルム材によって構成されていてよい。第１光学層３００は、光電変換素子１０の受光面側に隣接して設けられている。つまり、第１光学層３００は、光電変換素子１０に当接していてよい。

第１光学層３００の材料は、例えばセロファン樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ＥＶＡ樹脂、オレフィン樹脂、フッ素系樹脂、ポリエステル樹脂などの光透過性を有する樹脂もしくはガラス、又はこれらの組み合わせであってよい。

第１光学層３００と光電変換素子１０との間には部分的に空隙Ｖが設けられている（図３参照）。複数の微小な空隙Ｖが、第１光学層３００と光電変換素子１０との界面に設けられていてよい。空隙Ｖは、例えば、光電変換素子１０の表面の微小な凹凸、第１光学層３００の表面の微小な凹凸、又はそれらの両方によって形成されていてよい。

第１光学層３００の全光線透過率は、例えば８０％以上、より好ましくは９０％以上であってよい。全光線透過率は、Ｄ６５光源相当の光を測定対象である第１光学層３００に入射させた光の光量に対する、透過した光の光量の割合によって規定される。全光線透過率は、ＩＳＯ １３４６８−１で規格化された方法により測定できる。

第１光学層３００は、実質的に無色の透明又は半透明なフィルム材によって構成されていてよい。この代わりに、第１光学層３００は、可視光の帯域のうちの特定の波長を有する光を反射する材料によって構成されていてもよい。この場合、第１光学層３００は、有色の半透明な層を構成する。

第１光学層３００は、光電変換素子１０と接着されていない領域を有する。第１光学層３００は、少なくとも接着材５００の内側の領域で光電変換素子１０と全く接着されていなくてもよい。この場合、接着材の存在しない領域が、第１光学層３００と光電変換素子１０との間に、少なくとも部分的に存在する。これにより、空隙Ｖの内部には、接着材が充填されず、気体が存在する又は真空になることになる。なお、接着されていない領域とは、空隙Ｖが設けられた領域だけでなく、平坦（算術平均粗さが０．０５μｍ未満）な光電変換素子１０と第１光学層３００が隣接する領域も含む場合がある。

第１実施形態における光電変換パネル１００では、受光面側から入射した光は、保護層６００及び第１封止層４００を透過し、第１光学層３００へ入射する。第１光学層３００を透過した光は、空隙Ｖのところで乱反射する。特に、前述したように空隙Ｖの内部に接着材が充填されていない場合、第１光学層３００と空隙Ｖの内部の気体又は真空の屈折率の差が大きくなり、光がより乱反射し易くなる。したがって、第１光学層３００を透過した光のうちの一部は、光電変換層１０に吸収され、第１光学層３００を透過した光のうちの別の一部は、再び第１光学層３００を透過して受光面側の方に進む。

光が空隙Ｖのところで乱反射するため、空隙Ｖが無い場合と比較すると、受光面側の方に進む光の量が多くなる。したがって、光電変換素子１０と第１光学層３００の積層体は、受光面側から見て黒色等の暗色よりも明るい色を帯びる。例えば、第１光学層３００が透明又は概ね透明である場合、光電変換素子１０と第１光学層３００の積層体は、受光面側から見てグレーの外観を有する。また、第１光学層３００が有色の半透明のフィルムである場合、乱反射により第１光学層３００の裏面側から照らす光が存在するため、第１光学層３００の色が受光面側から視認し易くなる。

このように、空隙Ｖによる乱反射を利用することによって、第１光学層３００の反射率を高くすることなく、受光面側から見た光電変換パネル１００の外観を黒色等の暗色とは異なる色に変えることができる。したがって、第１光学層３００の反射率を高める必要がないため、光電変換の効率の低下を抑制することができる。

好ましくは、光電変換素子１０の方に向いた第１光学層３００の表面の算術平均粗さ（Ｒａ）と、第１光学層３００の方に向いた光電変換素子１０の表面の算術平均粗さの少なくとも一方が、０．０５μｍ以上である。この場合、可視光線の帯域に関して乱反射を引き起こす空隙Ｖは、光電変換素子１０と第１光学層３００とが互いに当接することによって形成される（図３参照）。

なお、図３は、光電変換素子１０の表面の算術平均粗さが０．０５μｍ以上であり、かつ第１光学層３００の表面の算術平均粗さが０．０５μｍよりも十分に小さい状態を模式的に示している。この代わりに、第１光学層３００の表面の算術平均粗さが０．０５μｍ以上であり、かつ光電変換素子１０の表面の算術平均粗さが０．０５μｍよりも小さくてもよい。さらに、光電変換素子１０の表面の算術平均粗さと第１光学層３００の表面の算術平均粗さの両方が０．０５μｍ以上であってもよい。

光電変換素子１０及び／又は第１光学層３００の表面の算術平均粗さが上記の数値範囲であることにより、受光面側から見た光電変換パネルの外観の色が、目視で十分に黒色等の暗色とは異なると判別できる色になることが確認できた。

算術平均粗さは、ＪＩＳ Ｂ ０６０１で規格化されており、表面粗さ計（株式会社小坂研究所製、商品名：ＥＴ−２００）を用いて、プローブ走査長さ：１ｍｍ、走査速度：５０μｍ／秒の条件で測定することができる。算術平均粗さの他の測定方法として、第１光学層３００及び／又は光電変換素子１０の表面をレーザー顕微鏡などの電子顕微鏡を用いて撮影し、撮影した画像から算術平均粗さを計測することも可能である。

光電変換素子１０及び第１光学層３００の表面の算術平均粗さの上限は、特に制限されないが、例えば、７．０μｍ以下、好ましくは３．０μｍ以下、より好ましくは１．０μｍ以下であってよい。

前述したように、第１光学層３００は、少なくとも接着材５００の内側の領域で光電変換素子１０と接着されていなくてよい。この場合、第１光学層３００は、保護層６００に直接的に接着されていることが好ましい。第１実施形態では、第１光学層３００は、第１封止材４００によって保護層６００に接着されている。

図２に示す態様の代わりに、第１光学層３００は、保護層６００に間接的に接着されていてもよい。すなわち、第１光学層３００が、不図示の別の層に接着され、当該不図示の別の層が保護層６００に接着されていてよい。

ここで、光電変換素子１０の熱膨張係数は、保護層６００や第１封止層４００の熱膨張係数と異なる。そのため、第１光学層３００が光電変換素子１０と保護層６００の両方に接着されていると、熱膨張差により第１光学層３００にせん断応力がかかり、第１光学層３００に皺が生じることがある。このような皺は、第１光学層３００が、塗膜ではなく、フィルムによって形成されている場合に特に生じやすい。

第１実施形態では、第１光学層３００は、少なくとも接着材５００の内側の領域で光電変換素子１０と接着されていないため、第１光学層３００に生じるせん断応力が緩和され、前述した皺の発生を抑制することができる。

第１光学層３００が少なくとも接着材５００の内側の領域で光電変換素子１０と接着されていなくても、裏側封止層８００及び／又は接着材５００が、光電変換素子１０と保護層６００とを互いに接着していれば、光電変換パネル１００を全体として安定的に一体に維持することができる。

第１光学層３００の融点又は軟化点は、第１封止層４００の融点又は軟化点よりも高いことが好ましい。光電変換パネル１００の製造過程において、第１光学層３００を第１封止層４００によって保護層６００に直接的又は間接的に接着させる場合、第１封止層４００を加熱して溶融又は軟化させた後に、第１封止層４００を冷却して硬化させる。ここで、一般的に、加熱時に、光電変換パネル１００を押圧しつつ真空・脱泡処理が行われる。この加熱時に第１光学層３００が溶融又は軟化すると、第１光学層３００を構成する材料が空隙Ｖの内部に充填されることがある。この場合、光が空隙Ｖのところで乱反射しにくくなる。したがって、第１光学層３００の融点又は軟化点を第１封止層４００の融点又は軟化点よりも高くし、第１光学層３００が加熱時に溶融又は軟化することを防ぐことによって、空隙Ｖのところにおける光の乱反射の低下を抑制することができる。

なお、可視光の帯域に対する透光性の観点、及び熱可塑性樹脂を利用した接着剤としての特性の観点から、第１封止層４００を構成する熱可塑性樹脂は、例えばエチレン酢酸ビニル共重合体（ＥＶＡ）を含む樹脂であることが好ましい。ここで、ＥＶＡは、概ね８０℃〜１１０℃の温度で軟化する。したがって、第１封止層４００がＥＶＡ樹脂を含む場合、第１光学層３００は、１２０℃よりも高い融点又は軟化点を有する材料によって構成されることが好ましい。

ここで、前述した軟化点は、ビカット軟化温度により規定される。ビカット軟化温度は、ＩＳＯ３０６（ＪＩＳ Ｋ７２０６）に規定するＢ５０法により測定することができる。

以下、光電変換素子１０の構成の一例を、図４を参照して説明する。図４は、図２の領域４Ａ付近の拡大断面図である。具体的には、図４は、光電変換素子１０と基板２０の一部の拡大断面を示している。

光電変換素子１０は、少なくとも、第１電極層２２と、第２電極層２４と、光電変換層２６と、を含んでいてよい。第１電極層２２、第２電極層２４及び光電変換層２６は、第１分割部Ｐ１、第２分割部Ｐ２及び第３分割部Ｐ３によって、複数のセル１２に分割されていてよい。

光電変換層２６は、光電変換素子１０の厚み方向において、第１電極層２２と第２電極層２４との間に設けられている。第１電極層２２は、光電変換層２６と基板２０との間に設けられている。第２電極層２４は、光電変換層２６に関して基板２０とは反対側に位置する。

第２電極層２４は透明電極層によって構成されていてよい。第２電極層２４が透明電極層によって構成されている場合、光電変換層２６へ入射する光、又は光電変換層２６から出射する光は、第２電極層２４を通過する。

第２電極層２４が透明電極層によって構成される場合、第１電極層２２は、不透明電極層によって構成されていてもよく、透明電極層によって構成されていてもよい。第１電極層２２は、例えば、モリブデン、チタン又はクロムのような金属によって形成されていてよい。

本実施形態では、好ましい一例として、第２電極層２４は、ｎ型半導体、より具体的には、ｎ型の導電性を有し、禁制帯幅が広く、比較的低抵抗の材料によって形成される。第２電極層２４は、例えば、ＩＩＩ族元素を添加した酸化亜鉛（ＺｎＯ）や、酸化インジウムスズ（Indium Tin Oxide：ＩＴＯ）によって構成されていてよい。この場合、第２電極層２４は、ｎ型半導体と透明電極層の機能を兼ねることができる。

光電変換層２６は、例えば、ｐ型の半導体を含んでいてよい。ＣＩＳ系の光電変換パネルの一例では、光電変換層２６は、Ｉ族元素（Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等）、ＩＩＩ族元素（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ等）及びＶＩ族元素（Ｏ、Ｓ、Ｓｅ、Ｔｅ等）を含む化合物半導体で形成される。光電変換層２６は、前述したものに限定されず、光電変換を起こす任意の材料によって構成されていてよい。

光電変換素子１０の構成は、上記態様に限定されず、様々な態様をとり得ることに留意されたい。例えば、光電変換素子１０は、ｎ型半導体とｐ型半導体の両方が第１電極層と第２電極層との間に挟まれた構成を有していてもよい。この場合、第２電極層はｎ型半導体によって構成されていなくてよい。また、光電変換素子１０は、ｐ−ｎ結合型の構造に限らず、ｎ型半導体とｐ型半導体との間に真性半導体層（ｉ型半導体）を含むｐ−ｉ−ｎ結合型の構造を有していてもよい。

光電変換素子１０は、光電変換層２６と第２電極層２４との間に不図示のバッファ層を有していてもよい。この場合、バッファ層は、第２電極層２４と同じ導電型を有する半導体材料であってもよく、異なる導電型を有する半導体材料であってもよい。バッファ層は、第２電極層２４よりも電気抵抗の高い材料によって構成されていればよい。バッファ層は、例えばＺｎ系バッファ層、Ｃｄ系バッファ層又はＩｎ系バッファ層であってよい。

互いに隣接するセル１２の第１電極層２２は、第１分割部Ｐ１によって互いに電気的に分断されている。同様に、互いに隣接するセル１２の第２電極層２４は、第３分割部Ｐ３によって互いに電気的に分断されている。互いに隣接するセル１２の光電変換層２６は、第２分割部Ｐ２及び第３分割部Ｐ３によって互いに分断されている。

光電変換素子１０は、互いに隣接するセル１２どうしの間に電気接続部３４を有していてよい。電気接続部３４は、互いに隣接するセル１２どうしを電気的に直列に接続する。本実施形態では、電気接続部３４は、第２電極層２４から連続する部分によって形成されている。この場合、電気接続部３４は、第２電極層２４と同じ材料から構成されていてよい。この代わりに、電気接続部３４は、第２電極層２４と異なる導電材料から構成されていてもよい。電気接続部３４は、第２分割部Ｐ２のところで光電変換素子１０の厚み方向に延びることで、一方のセル１２の第１電極層２２と他方のセル１２の第２電極層２４とを互いに電気的に接続する。

光電変換層２６に光が照射されると起電力が生じ、第１電極層２２及び第２電極層２４がそれぞれ正極及び負極となる。したがって、あるセル１２で生じた自由電子の一部は、第２電極層２４から直接電気接続部３４を通って、隣接するセル１２の第１電極層２２に移動する。最も端に位置するセル１２には、配線５０が接続されていてよい。配線５０は、光電変換パネル１００の外部に電力を取り出す電気線として利用される。

ＣＩＳ系の光電変換素子１０について詳細に説明したが、光電変換素子１０は、これに限定されない。また、光電変換素子１０は、いわゆる薄膜系の光電変換素子に限定されず、結晶系の光電変換素子（例えば、光電変換素子に結晶シリコンを用いたもの）であってもよい。

（第２実施形態）
次に、第２実施形態に係る光電変換パネルについて、図５を参照して説明する。図５は、第２実施形態に係る光電変換パネルの模式的断面図である。

第２実施形態において、第１実施形態と同様又は類似の構成要素については同じ符号が付されていることに留意されたい。また、第１実施形態と同様又は類似の構成要素については、その説明を省略することがあることに留意されたい。

第２実施形態に係る光電変換パネル１００は、第１実施形態で説明した第１光学層３００に加え、第２光学層３５０を有する。第２光学層３５０は、第１光学層３００よりも受光面側に設けられている。

第２光学層３５０は、可視光の帯域のうちの少なくとも一部の波長帯域の光を反射する特性を有する。より具体的には、第２光学層３５０は、可視光の帯域のうちの少なくとも一部の波長帯域の光を反射し、その他の波長帯域の光を透過又は吸収する特性を有する。これにより、第２光学層３５０は、有色の半透明の部材となる。

第２光学層３５０の材料は、例えばセロファン樹脂、アクリル樹脂、ウレタン樹脂、ポリカーボネート樹脂、ＥＶＡ樹脂、オレフィン樹脂、フッ素系樹脂、ポリエステル樹脂などの光透過性を有する樹脂もしくはガラス、又はこれらの組み合わせであってよい。

第１実施形態で説明したように、第１光学層３００を透過した光は乱反射されるため、第１光学層３００の裏側から照らす光が生じる。このように、第２光学層３５０は、裏面側からの光に照らされるため、光電変換パネル１００の受光面側から見ると、第２光学層３５０の色がより目立つことになる。つまり、第２光学層３５０の反射率を高くすることなく、光電変換パネル１００の受光面側から、第２光学層３５０の色が視認し易くなる。

第２実施形態では、第２光学層３５０は、第１光学層３００と保護層６００との間に位置する。この場合、第２光学層３５０は、保護層６００によって覆われるため、外気に触れることがない。これにより、外気による第２光学層３５０の劣化を抑制できる。

第２実施形態では、第２光学層３５０は、第１光学層３００と保護層６００の両方に接着されていてよい。図５に示す態様では、第２光学層３５０は、第１封止層４００によって第１光学層３００に接着され、第２封止層４１０によって保護層６００に接着されている。したがって、第１光学層３００は、第２光学層３５０を介して間接的に保護層６００に接着されている。

第１封止層４００の材料は第１実施形態で説明したとおりであってよい。第２封止層４１０は、例えば熱可塑性樹脂によって構成されていてよい。第２封止層４１０は、透明又は半透明な材料によって構成されていることが好ましい。第２封止層４１０の材料としては、例えばＥＶＡ樹脂（エチレン・酢酸ビニル共重合樹脂）、オレフィン系樹脂、ＰＶＢ（ポリビニルブチラール）樹脂、アイオノマー樹脂もしくはシリコーン樹脂、又はこれらの組み合わせを用いることができる。

第２封止層４１０の材料は、第１封止層４００の材料と同じであっても、異なっていてもよい。熱膨張係数の差に起因して発生する第２光学層３５０へのせん断応力を低減するという観点からは、第２封止層４１０の材料は、第１封止層４００の材料と同じであることが好ましい。

図５に示す態様の代わりに、第２光学層３５０は、保護層６００の裏面側にコーティングによって形成されていてもよい。この場合、第２封止層４１０は不要であることに留意されたい。

（第３実施形態）
次に、第３実施形態に係る光電変換パネルについて、図６を参照して説明する。図６は、第３実施形態に係る光電変換パネルの模式的断面図である。

第３実施形態において、第１実施形態及び第２実施形態と同様又は類似の構成要素については同じ符号が付されていることに留意されたい。また、第１実施形態及び第２実施形態と同様又は類似の構成要素については、その説明を省略することがあることに留意されたい。

第３実施形態に係る光電変換パネル１００は、第１光学層３００と第２光学層３５０を有する。第２光学層３５０は、第２実施形態と同様に、可視光の帯域のうちの少なくとも一部の波長帯域の光を反射する特性を有する。

第３実施形態では、第２光学層３５０は、保護層６００の受光面側に設けられている。図６に示す態様では、第２光学層３５０は、光電変換パネル１００の受光面側の最表面に設けられている。

第３実施形態では、第２光学層３５０が保護層６００の受光面側に設けられているため、光電変換パネル１００の受光面側から、第２光学層３５０の色がより視認され易くなる。

図６に示す態様では、第２光学層３５０は、保護層６００の受光面側の表面にコーティングによって形成されている。この代わりに、第２光学層３５０は、保護層６００に接着されていてもよい。この場合、第２光学層３５０は、透明又は半透明の熱可塑性樹脂によって保護層６００に接着されていればよい。

上述したように、実施形態を通じて本発明の内容を開示したが、この開示の一部をなす論述及び図面は、本発明を限定するものであると理解すべきではない。この開示から当業者には様々な代替の実施形態、実施例及び運用技術が明らかとなる。したがって、本発明の技術的範囲は、上述の説明から妥当な特許請求の範囲に係る発明特定事項によってのみ定められるものである。

第１、第２及び第３実施形態では、光電変換パネル１００は、裏側封止層８００及び裏側保護層９００を有するが、裏側封止層８００及び裏側保護層９００のうちの一方又は両方は必須の構成要素ではない。ここで、光電変換パネル１００が裏側封止層８００及び裏側保護層９００を含まない場合、保護層６００は、光電変換パネル１００の表面に直交する方向から見て、基板２０と略同一の大きさを有していてよい。

１０ 光電変換素子
１００ 光電変換パネル
３００ 第１光学層
３５０ 第２光学層
４００ 第１封止層
４１０ 第２封止層
６００ 保護層

Claims (9)

1. 光電変換素子と、
   可視光の帯域に関して透明又は半透明な第１光学層と、を有し、
   前記第１光学層は、前記光電変換素子の受光面側に隣接して設けられており、
   前記第１光学層と前記光電変換素子との間に部分的に空隙が設けられている、光電変換パネル。
2. 前記光電変換素子の方に向いた前記第１光学層の表面の算術平均粗さと、前記第１光学層の方に向いた前記光電変換素子の表面の算術平均粗さの少なくとも一方が、０．０５μｍ以上である、請求項１に記載の光電変換パネル。
3. 前記第１光学層よりも受光面側に設けられた保護層を有し、
   前記第１光学層は、前記光電変換素子と接着されていない領域を有し、
   前記第１光学層は、前記保護層に直接的又は間接的に接着されている、請求項１又は２に記載の光電変換パネル。
4. 前記第１光学層の側部に接着材が設けられており、
   前記接着材は前記光電変換素子と前記保護層とを互いに接着している、請求項３に記載の光電変換パネル。
5. 前記光電変換素子は基板上に製膜されており、
   前記第１光学層の側部に接着材が設けられており、
   前記接着材は前記基板と前記保護層とを互いに接着している、請求項３に記載の光電変換パネル。
6. 前記第１光学層と前記保護層とを直接的又は間接的に接着する封止層を有し、
   前記第１光学層の融点又は軟化点は、前記封止層の融点又は軟化点よりも高い、請求項３から５のいずれか１項に記載の光電変換パネル。
7. 可視光の帯域のうちの少なくとも一部の波長帯域の光を反射する第２光学層を有し、
   前記第２光学層は、前記第１光学層よりも受光面側に設けられている、請求項１から６のいずれか１項に記載の光電変換パネル。
8. 前記第１光学層よりも受光面側に設けられた保護層を有し、
   前記第２光学層は、前記第１光学層と前記保護層との間に位置する、請求項７に記載の光電変換パネル。
9. 前記第１光学層よりも受光面側に設けられた保護層を有し、
   前記第２光学層は、前記保護層の受光面側に設けられている、請求項７に記載の光電変換パネル。
   
   
   

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