JP2018098466A - 光電変換モジュール - Google Patents

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Abstract

【課題】部材コストの増加を抑制しながら紫外線による裏面保護材の劣化を抑制可能な光電変換モジュールを提供する。【解決手段】本光電変換モジュールは、光電変換パネルを備えた光電変換モジュールであって、光電変換パネルは、第1の基板と、第1の基板上に設けられた光電変換層と、光電変換層を覆う第2の基板と、第1の基板及び第2の基板の周縁部において、第1の基板と第2の基板との間をシールし、かつ、光電変換層の一部を覆うシール材と、を有し、第1の基板の、光電変換層が設けられた面とは反対の面側に裏面保護材が設けられ、シール材は、遮光性を有しており、第2の基板側から入射した光を遮光して、裏面保護材への光照射を抑制できる幅を有する。【選択図】図2

Description

本発明は、光電変換モジュールに関する。
光電変換パネルは、例えば、ガラス等からなる第1の基板、下部電極層、半導体層、上部電極層を含んだ光電変換部、光電変換部を覆うように設けた封止材、封止材上に設けた透光性の第2の基板等からなる。光電変換パネルの第1の基板の裏面側に裏面保護材(所謂バックシート)が設けられる場合もある。
裏面保護材は、例えば、耐透湿性樹脂層、アルミニウム箔等の金属層、着色用顔料としてカーボンブラック等を用いた着色層、透明樹脂層を積層した構造とすることができる(例えば、特許文献1参照)。
特開2008−053470号公報 特開2016−119339号公報
金属層や着色層を用いた裏面保護材を用いると光電変換モジュールの部品コストが上がるため、部材コストを下げるために、金属層や着色層を含まない裏面保護材を用いることが好ましい。
しかしながら、例えば、特許文献2に記載の光電変換モジュールでは、光電変換モジュールを受光面側から見たときに、フレームの上鍔先端部と光電変換素子の端部がほぼ同じ位置か、あるいはフレームの上鍔が光電変換素子を覆わないような位置関係となっており、光電変換素子の端部近傍において、カバーガラス側から入射した光が裏面保護材まで透過するおそれがある。そのため、金属層や着色層を含まない裏面保護材を用いた場合、裏面保護材自体が紫外線により劣化してしまうという問題がある。
フレームの上鍔を長くし、フレームの上鍔が光電変換素子を覆うようにすることにより、カバーガラス側から入射した光が裏面保護材まで透過することを抑制できるが、光電変換素子の受光面積が小さくなるため光電変換モジュールの発電量が減り、また部材コストが上がるという問題も生じる。
本発明は、部材コストの増加を抑制しながら紫外線による裏面保護材の劣化を抑制可能な光電変換モジュールを提供することを課題とする。
本光電変換モジュールは、光電変換パネルを備えた光電変換モジュールであって、光電変換パネルは、第1の基板と、第1の基板上に設けられた光電変換層と、光電変換層を覆う第2の基板と、第1の基板及び第2の基板の周縁部において、第1の基板と第2の基板との間をシールし、かつ、光電変換層の一部を覆うシール材と、を有し、第1の基板の、光電変換層が設けられた面とは反対の面側に裏面保護材が設けられ、シール材は、遮光性を有しており、第2の基板側から入射した光を遮光して、裏面保護材への光照射を抑制できる幅を有する。
開示の技術によれば、部材コストの増加を抑制しながら紫外線による裏面保護材の劣化を抑制可能な光電変換モジュールを提供できる。
第1の実施の形態に係る光電変換モジュールを例示する平面図である。 第1の実施の形態に係る光電変換モジュールを例示する部分拡大断面図(その1)である。 第1の実施の形態に係る光電変換モジュールを例示する部分拡大断面図(その2)である。 図3のD部の部分拡大断面図である。 第1の実施の形態に係る光電変換モジュールを例示する部分拡大断面図(その3)である。 図5のE部の部分拡大断面図である。 第1の実施の形態の変形例に係る光電変換モジュールを例示する部分拡大断面図である。 短辺フレームと長辺フレームとが隣接する箇所の部分斜視図である。 短辺フレームと長辺フレームとが隣接する箇所の部分平面図である。
以下、図面を参照して発明を実施するための形態について説明する。なお、各図面において、同一構成部分には同一符号を付し、重複した説明を省略する場合がある。
〈第1の実施の形態〉
図1は、第1の実施の形態に係る光電変換モジュールを例示する平面図である。図2は、第1の実施の形態に係る光電変換モジュールを例示する部分拡大断面図であり、図1のA−A線に沿う断面を示している。図3は、第1の実施の形態に係る光電変換モジュールを例示する部分拡大断面図であり、図1のB−B線に沿う断面を示している。図4は、図3のD部の部分拡大断面図である。図5は、第1の実施の形態に係る光電変換モジュールを例示する部分拡大断面図であり、図1のC−C線に沿う断面を示している。図6は、図5のE部の部分拡大断面図である。
図1〜図6に示すように、光電変換モジュール10は、光電変換パネル20と、フレーム40とを有している。
光電変換パネル20は、第1の基板21と、光電変換層22と、配線23と、表面封止材24と、第2の基板25と、シール材26と、裏面封止材27と、バックシート28とを有している。
フレーム40は、光電変換パネル20の外縁に枠状に取り付けられた金属製のフレームである。またフレーム40は、樹脂製のフレームや、金属と樹脂の二層品のフレームを用いることもできる。フレーム40は、光電変換モジュール10の強度を向上すると共に、光電変換パネル20の端部の受光面、側面、及び裏面を覆って光電変換パネル20の端部を保護する部材である。
フレーム40は、光電変換パネル20を囲む、対向配置された2つの短辺フレーム50と、対向配置された2つの長辺フレーム60とを備えている。短辺フレーム50と長辺フレーム60とは互いに隣接して接続され、フレーム40を構成する。短辺フレーム50と長辺フレーム60とは、例えば直角に接続される。短辺フレーム50及び長辺フレーム60は、例えばアルミニウム鋼材等より形成することができる。また短辺フレーム50は、上鍔51と下鍔52を含んでおり、長辺フレーム60は、上鍔61と下鍔62を含んでいる。
光電変換パネル20は、短辺フレーム50に設けられた嵌合溝50x内、及び長辺フレーム60に設けられた嵌合溝60x内に接着剤35により固定されている。又、光電変換パネル20のバックシート28と短辺フレーム50及び長辺フレーム60とは、更に接着剤36により固定されている。接着剤36は、短辺フレーム50の下鍔52の先端まで設けられる。このような構造とすることにより、光電変換パネル20と短辺フレーム50の間の絶縁性を向上させることができる。接着剤35としては、例えば、ブチル系接着剤、シリコーン系接着剤等を用いることができる。接着剤36としては、例えば、シリコーン系接着剤等を用いることができる。
光電変換パネル20において、第1の基板21は、光電変換層22等を形成する基体となる部分である。第1の基板21としては、例えば、白板強化ガラス、高歪点ガラス、青板ガラス(ソーダライムガラス)、金属、樹脂等を用いることができる。第1の基板21の厚さは、例えば、1〜3mm程度とすることができる。
光電変換層22は、第1の基板21上に形成されている。光電変換層22は、例えば、CIS系、CZTS系、アモルファスシリコン系等とすることができるが、本実施の形態ではCIS系を例にして説明する。光電変換層22は、例えば、第1の基板21側から裏面電極221、光吸収層222、及び透明電極223が順に積層された構造とすることができる(図4及び図6参照)。
裏面電極221としては、例えば、モリブデン(Mo)やモリブデンを少なくとも含む金属を用いることができる。光吸収層222は、例えば、p型半導体からなる層である。光吸収層222が光電変換することにより発生した電力は、配線23と端子箱29を経由して、外部に電流として取り出すことができる。
光吸収層222としては、例えば、銅(Cu),インジウム(In),セレン(Se)からなる化合物や、銅(Cu),インジウム(In),ガリウム(Ga),セレン(Se),硫黄(S)からなる化合物を用いることができる。前記化合物の一例を挙げれば、CuInSe、Cu(InGa)Se、Cu(InGa)(SSe)等である。
透明電極223は、例えば、n型半導体からなる透明な層である。透明電極223としては、例えば、酸化亜鉛系薄膜(ZnO)やITO薄膜等を用いることができる。
第1の基板21の光電変換層22が形成されている面には、光電変換層22の受光面側を封止する表面封止材24が設けられ、表面封止材24上には光電変換層22を覆う第2の基板25が積層されている。
表面封止材24としては、例えば、エチレンビニルアセテート(EVA:Ethylene-vinyl acetate)樹脂やポリビニルブチラール(PVB:Polyvinyl butyral)樹脂等の透光性の材料を用いることができる。表面封止材24の厚さは、例えば、0.2〜1.0mm程度とすることができる。第2の基板25としては、例えば、厚さが0.5〜4.0mm程度の白板強化ガラス板等を用いることができる。
シール材26は、第1の基板21及び第2の基板25の周縁部において、第1の基板21と第2の基板25との間をシールすると共に、第1の基板21と第2の基板25の互いに対向する面を接着している。シール材26は、A−A断面に示す一方の短辺フレーム50側(配線領域)では、光電変換層22の一部を覆っている。
シール材26は、遮光性を有している。シール材26の材料としては、例えば、カーボンブラックを含有した黒色のブチルゴム等を用いることができる。シール材26は、第2の基板25側から入射した光を遮光して、バックシート28への光照射を抑制できる幅を有する。シール材26の幅Wは、例えば、5〜20mm程度とすることができる。又、シール材26において、第1の基板21からはみ出ている部分の幅Wは、例えば、0〜15mm程度とすることができる。シール材26の幅Wを調整することにより、光電変換モジュール10の受光面側から見たときに、フレーム50の上鍔51の先端部がシール材26と重なる構成とし、バックシート28への光照射を抑制できる(図3、図5、及び図7についても同様である)。
第1の基板21の裏面側には、絶縁性部材である裏面封止材27が設けられている。裏面封止材27は、第1の基板21の裏面及び側面を被覆すると共に、第1の基板21の裏面からシール材26側に延在し、シール材26の裏面及び側面も被覆している。すなわち、裏面封止材27は、シール材26とフレーム40(短辺フレーム50及び長辺フレーム60)との間にも設けられている。
このように、シール材26の側面に絶縁性部材である裏面封止材27を付加することにより、光電変換モジュール10の絶縁性及び耐湿信頼性を向上することができる。又、裏面封止材27でシール材26の側面から第1の基板21の裏面までを覆うことにより、光電変換モジュール10の耐湿信頼性を更に向上することができる。
裏面封止材27は、シール材26とは異なる材料から形成されている。裏面封止材27の材料としては、例えば、エチレンビニルアセテート樹脂等を用いることができる。シール材26の側面を被覆する部分の裏面封止材27の厚さは、例えば、0.2〜1.0mm程度とすることができる。
このように、本実施の形態では、第1の基板21の裏面側を被覆する封止部材である裏面封止材27が延伸してシール材26とフレーム40との間にも設けられている。しかし、シール材26とフレーム40との間に設ける絶縁性部材は、裏面封止材27と同一部材で一体に形成されていなくてもよい。この場合には、シール材26とフレーム40との間に、裏面封止材27とは異なる絶縁性部材を設ければよい。
裏面封止材27の裏面側(第1の基板21とは反対側)は、裏面保護材であるバックシート28に被覆されている。本実施の形態では、バックシート28はアルミニウム箔等の金属層や、カーボンブラック等を用いた着色層を含まない構造とされている。バックシート28は、例えば、耐加水ポリエチレンテレフタレート(PET:Poly Ethylene Terephthalate)樹脂と透明PET樹脂との積層構造とすることができる。
図3及び図4に示すように、短辺フレーム50のB−B断面側は非配線領域(配線23が設けられていない領域)となっている。
非配線領域では、第1の基板21の端部から数mm(例えば、5mm程度)幅で、デリーションにより光電変換層22が除去されて第1の基板21の表面が露出している。更に、第1の基板21の表面が露出している領域から数mm(例えば、1mm程度)幅で、光電変換層22の裏面電極221以外の層が除去され、裏面電極221の表面が露出している。
シール材26は、前述のように、第2の基板25側から入射した光を遮光して、バックシート28への光照射を抑制できる幅を有する。従って、シール材26は、B−B断面に示す他方の短辺フレーム50側(非配線領域)では、少なくとも第1の基板21の表面が露出した領域を覆うように設けられている。但し、シール材26は、裏面電極221の表面が露出した領域を覆ってもよい。又、シール材26は、光電変換層22の周縁部を覆ってもよい。
図5及び図6に示すように、長辺フレーム60のC−C断面側は配線領域(配線23が設けられている領域)となっている。他方の長辺フレーム60側(C−C断面側と対向する側)についても同様の構造である。
長辺フレーム60側の配線領域では、第1の基板21の端部には光電変換層22から独立した光電変換層22X(例えば、幅1mm程度)が残存している。又、光電変換層22Xの内縁から数mm(例えば、5mm程度)幅で、光電変換層22の裏面電極221以外の層が除去され、裏面電極221の表面が露出している。配線23は、露出した裏面電極221の表面に形成されている。
光電変換層22の外縁部には非発電領域Fが設けられている。非発電領域Fは、層構成は光電変換層22と同様であるが、発電には寄与しない非発電セルである。非発電領域Fは、光電変換層22の端部(表面封止材24とシール材26の界面付近)の応力を緩衝する機能を備えている。
シール材26は、前述のように、第2の基板25側から入射した光を遮光して、バックシート28への光照射を抑制できる幅を有する。従って、シール材26は、C−C断面に示す一方の長辺フレーム60側(配線領域)では、シール材26の内縁(表面封止材24とシール材26の界面)が非発電領域F上に位置している。なお、他方の長辺フレーム60側(配線領域)も同様の構造である。
例えば、表面封止材24とシール材26の界面が配線23上に位置したりすると、表面封止材24とシール材26の界面の近傍において表面封止材24の厚さが変化する(段差が生じる)ことになる。
この場合、表面封止材24に温度勾配が加わった際の収縮具合が場所により異なることにより応力が生じ、光吸収層222と透明電極223との界面に応力が加わる。結果として、透明電極223が光吸収層222から剥離するおそれがある。
これに対して、表面封止材24とシール材26の界面を非発電領域F上に位置させることにより、表面封止材24とシール材26の界面の近傍における表面封止材24の厚さがほぼ一定となる。これにより、表面封止材24に温度勾配が加わった際の収縮具合も、表面封止材24とシール材26の界面の近傍においてほぼ一定となるため応力が生じ難い。その結果、透明電極223の光吸収層222からの剥離を防ぐことができる。
又、表面封止材24とシール材26の界面が非発電領域F上に位置していると(シール材26が光電変換層22の上に重なることがないと)、発電性能の低下や、電流集中による局所的な温度上昇を防ぐことができる。なお、電流集中による局所的な温度上昇とは、シール材26が光電変換層22の発電セルの上に重なった場合に、その部分の発電セルの抵抗値が上がるため、その部分以外の発電セルの抵抗値の低い部分に電流が集中的に流れて局所的に温度が上昇することである。
以上のように、光電変換モジュール10では、第1の基板21及び第2の基板25の周縁部において、第1の基板21と第2の基板25との間をシールし、かつ、光電変換層22の一部を覆う遮光性を有するシール材26が設けられている。そして、シール材26は、第2の基板25側から入射した光を遮光して、バックシート28への光照射を抑制できる幅を有する。
これにより、紫外線によるバックシート28の劣化のおそれがなくなるため、バックシート28をアルミニウム層や黒色PET層等の遮光性を有する層を含まない構造とすることが可能となり、バックシート28の部材コストを低減することができる。
又、バックシート28への光照射の抑制は、シール材26の幅を調整することにより実現しており、遮光用の特別な部材を追加したり、フレーム40の上顎を長くしたりする必要がない。この点でも、光電変換モジュール10の部材コストを低減することができる。
〈第1の実施の形態の変形例〉
第1の実施の形態の変形例では、第1の実施の形態とは形状の異なるシール材を用いる例を示す。なお、第1の実施の形態の変形例において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。
図7は、第1の実施の形態の変形例に係る光電変換モジュールを例示する部分拡大断面図であり、図1のA−A線に沿う断面を示している。
図7において、シール材26は、第1の基板21の光電変換層22が設けられた面側から、第1の基板21の光電変換層22が設けられた面の反対側の面に回り込むように形成されている。なお、シール材26は、第1の実施の形態と同様に、第2の基板25側から入射した光を遮光して、バックシート28への光照射を抑制できる幅を有する。
このように、シール材26を、光電変換層22の一部を被覆し、更に第1の基板21の側面を経由して裏面まで回り込む構造とすることにより、バックシート28への紫外線照射の抑制に加え、光電変換モジュール10の耐湿信頼性を更に向上することができる。
〈第2の実施の形態〉
第2の実施の形態では、排水用の間隙が設けられたフレームを有する光電変換モジュールの例を示す。なお、第2の実施の形態において、既に説明した実施の形態と同一構成部についての説明は省略する場合がある。
図8は、短辺フレームと長辺フレームとが隣接する箇所の部分斜視図である。図8に示すように、第2の実施の形態に係る光電変換モジュールでは、長辺フレーム60の上鍔61と短辺フレーム50の上鍔51とが隣接する箇所に切り欠きが設けられており、これにより、所定の長さM(Y方向)の間隙70が形成されている。間隙70は、短辺フレーム50及び長辺フレーム60に阻害されない排水経路となり、間隙70を介して雨水が排水される。間隙70以外の部分の構造については、第1の実施の形態に係る光電変換モジュールと同様である。
間隙70の所定の長さM(排水経路の幅)は、2〜60mm程度とすることができ、2〜10mm程度とすることが好ましい。2mm未満の場合は、雨水の表面張力により排水しきれないことがあり、一方、10mmより大きい場合は、短辺フレーム50と長辺フレーム60との接続の強度が弱くなることがあるためである。従って、フレーム40の強度と排水機能とのバランスによって、長さM(排水経路の幅)を決定することが好ましい。
前述のように、バックシート28はアルミニウム箔等の金属層や、カーボンブラック等を用いた着色層を含まない構造とされており、例えば、耐加水ポリエチレンテレフタレート樹脂と透明PET樹脂との積層構造とされている。
そのため、フレーム40に図8に示すような間隙70が設けられていると、図9に示すように、間隙70から透明な第2の基板25を介して白色のバックシート28が視認できる。この場合、紫外線によるバックシート28の劣化に加え、意匠性が悪いという問題が生じる。
この場合、シール材26を設ける幅を第2の基板25の端部まで広げることによりバックシート28への光照射を抑制することも可能である。しかしながら、シール材26を設ける幅を広げることにより用いるシール材の量が増え、部材コストが上がってしまう。そこで、第2の基板25の表面の、間隙70から視認できる領域(すなわち、間隙70から第2の基板25を介して白色のバックシート28が視認できる領域)に、部分的にバックシート28への光照射を抑制する材料の塗布を行ってもよい。バックシート28への光照射を抑制する材料としては、例えば、黒色等のインクを挙げることができる。これにより、間隙70から第2の基板25を介して白色のバックシート28が視認できなくなり、紫外線によるバックシート28の劣化を抑制できると共に、意匠性が悪いという問題を回避できる。
なお、黒色インク等のバックシート28への光照射を抑制する材料の塗布は、ごく限られた領域のみに行えばよいため、光電変換モジュールの部材コストに与える影響はほとんどない。
このように、シール材26の幅を調整する方法と併用して、第2の基板25の表面に部分的に黒色インク等のバックシート28への光照射を抑制する材料の塗布を行ってもよい。これにより、フレームに間隙を設けて排水性を向上させながら、紫外線によるバックシート28の劣化を抑制可能な光電変換モジュールを実現できる。
以上、好ましい実施の形態について詳説したが、上述した実施の形態に制限されることはなく、特許請求の範囲に記載された範囲を逸脱することなく、上述した実施の形態に種々の変形及び置換を加えることができる。
例えば、上記の実施の形態等では、本発明をサブストレート構造の光電変換モジュールに適用する例を示したが、本発明をスーパーストレート構造の光電変換モジュールに適用してもよい。
10 光電変換モジュール
20 光電変換パネル
21 第1の基板
22、22X 光電変換層
24 表面封止材
25 第2の基板
26 シール材
27 裏面封止材
28 バックシート
40 フレーム
50 短辺フレーム
50x、60x 嵌合溝
60 長辺フレーム
70 間隙

Claims (2)

  1. 光電変換パネルを備えた光電変換モジュールであって、
    前記光電変換パネルは、
    第1の基板と、
    前記第1の基板上に設けられた光電変換層と、
    前記光電変換層を覆う第2の基板と、
    前記第1の基板及び前記第2の基板の周縁部において、前記第1の基板と前記第2の基板との間をシールし、かつ、前記光電変換層の一部を覆うシール材と、を有し、
    前記第1の基板の、前記光電変換層が設けられた面とは反対の面側に裏面保護材が設けられ、
    前記シール材は、遮光性を有しており、前記第2の基板側から入射した光を遮光して、前記裏面保護材への光照射を抑制できる幅を有することを特徴とする、光電変換モジュール。
  2. 前記光電変換パネルの外縁に取り付けられたフレームを有し、
    前記フレームは、互いに隣接して接続される第1フレーム及び第2フレームを備え、
    前記第1フレームと前記第2フレームとが隣接する箇所に間隙が形成され、
    前記第2の基板の表面の前記間隙から視認できる領域に、前記裏面保護材への光照射を抑制する材料が塗布されている、請求項1に記載の光電変換モジュール。
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