JP2021068887A - 真空装置用部品及び真空装置 - Google Patents

Abstract

【課題】パーティクルが脱落し難くする。【解決手段】真空装置用部品１９は、基板Ｓを真空処理するための真空装置１０の内部に用いられる部品であって、算術平均粗さＲａが５μｍ以上で且つ８μｍ以下の範囲とされ、凹凸平均間隔ＲＳｍが３００μｍ以上で且つ５００μｍ以下の範囲とされる表面粗さを有する。【選択図】図１

Description

本明細書が開示する技術は、真空装置用部品及び真空装置に関する。

半導体等の成膜装置及びプラズマ処理装置に用いる真空装置用部品の一例として下記特許文献１に記載されたものが知られている。特許文献１に記載された真空装置用部品は、表面がセラミック及び又は金属溶射膜で被覆され、該溶射膜の表面にＪＩＳＢ０６０１：２００１及びＪＩＳＢ０６３３：２００１で規定する輪郭曲線要素の平均長さＲｓｍが２０〜７０μｍの範囲、算術平均粗さＲａが８〜１５μｍの範囲で、算術平均うねりＷａが８μｍ以下である表面粗さを有する溶射膜を具備する。

特開２００６−３０３１５８号公報

上記した特許文献１に記載された真空装置用部品は、表面における算術平均粗さＲａが８〜１５μｍの範囲と十分に大きいことから、真空装置にて行われる真空処理に伴って発生するパーティクルを吸着する能力が高くなっている。しかしながら、上記真空装置用部品の表面における輪郭曲線要素の平均長さＲｓｍが２０〜７０μｍの範囲と小さいことから、表面に形成された凹凸の間に存在する空間の容積が十分に確保されていない。このため、上記凹凸は、上記空間に堆積したパーティクルによってすぐに平坦化されてしまい、それ以降に吸着されるパーティクルが脱落し易くなるおそれがあった。

本願明細書に記載の技術は、上記のような事情に基づいて完成されたものであって、パーティクルが脱落し難くすることを目的とする。

（１）本願明細書に記載の技術に関わる真空装置用部品は、基板を真空処理するための真空装置の内部に用いられる部品であって、算術平均粗さＲａが５μｍ以上で且つ８μｍ以下の範囲とされ、凹凸平均間隔ＲＳｍが３００μｍ以上で且つ５００μｍ以下の範囲とされる表面粗さを有する。

（２）また、上記真空装置用部品は、上記（１）に加え、セラミックからなり、前記表面粗さとなる凹凸が直接形成されてなるようにしてもよい。

（３）本願明細書に記載の技術に関わる真空装置は、上記（１）または上記（２）の真空装置用部品を備える真空装置であって、前記基板が収容される真空室と、前記真空室内に配されて前記基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部側から立ち上がって前記基板を取り囲む側壁部と、を備えており、少なくとも前記側壁部は、前記真空装置用部品により構成される。

（４）また、上記真空装置は、上記（３）に加え、前記側壁部は、少なくとも前記基板側を向いた側面が前記表面粗さとされてもよい。

（５）また、上記真空装置は、上記（３）または上記（４）に加え、前記側壁部と前記基板支持部との間に介在していて前記側壁部と共に前記基板支持部に対して近づくようまたは離れるよう変位可能な可動部を備えており、少なくとも前記可動部は、前記真空装置用部品により構成されてもよい。

（６）また、上記真空装置は、上記（５）に加え、前記基板支持部には、前記可動部を受ける受け部が設けられており、少なくとも前記受け部は、前記真空装置用部品により構成されてもよい。

（７）また、上記真空装置は、上記（６）に加え、前記可動部は、少なくとも前記受け部との対向面が前記表面粗さとされてもよい。

（８）また、上記真空装置は、上記（６）または上記（７）に加え、前記受け部は、少なくとも前記可動部との対向面が前記表面粗さとされてもよい。

本願明細書に記載の技術によれば、パーティクルが脱落し難くすることができる。

実施形態１に係るエッチング装置の断面図 エッチング装置に備わる側壁部及び可動部の平面図 可動部を基板支持部から離した状態の断面図 実施形態２に係るエッチング装置の基板支持部、側壁部及び可動部付近を拡大した断面図 可動部を基板支持部から離した状態の断面図 比較実験における比較例及び実施例の側面を撮影した写真 比較実験における比較例及び実施例の一端側部分と中央部分と他端側部分との３位置における算術平均粗さＲａ及び凹凸平均間隔ＲＳｍを示す表 比較実験における比較例及び実施例の不良基板の数を正規化した値を示すグラフ

＜実施形態１＞
実施形態１を図１から図３によって説明する。エッチング装置（真空装置）１０について例示する。

図１は、エッチング装置１０を示す断面図である。本実施形態のエッチング装置１０は、図１に示すように、液晶パネルを構成する基板Ｓに成膜された被処理膜ＰＦをエッチング処理（真空処理）するためのものである。基板Ｓにおいてエッチング処理の対象である被処理膜ＰＦは、所定のパターンのレジスト膜により覆われている。なお、被処理膜ＰＦには、金属膜、半導体膜、透明電極膜、絶縁膜（無機絶縁膜、有機絶縁膜）などが含まれる。従って、エッチング装置１０によるエッチング処理がなされると、被処理膜ＰＦのうちのレジスト膜により覆われない部分が選択的にエッチングされて除去され、レジスト膜により覆われた部分がエッチングされることなく残存する。これにより、被処理膜ＰＦは、レジスト膜のパターンに応じてパターニングされるようになっている。なお、エッチング処理の対象となる基板Ｓは、平面形状が方形をなしている。

本実施形態のエッチング装置１０は、反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching）装置と呼ばれるものであり、異方性エッチングを行うのに適している。エッチング装置１０は、図１に示すように、基板Ｓを収容する真空室１１と、真空室１１内に配されて基板Ｓを支持する基板支持部１２と、真空室１１に接続されて真空室１１内に反応性ガス（例えばアルゴンガスなど）を導入するためのガス導入装置１３と、真空室１１に接続されて真空室１１内を排気するための排気装置１４と、ガス導入装置１３により導入されるガスの流路に配される上部電極（アノード電極）１５と、を少なくとも備える。このうちの基板支持部１２は、基板Ｓが載置されて高周波電源ＲＦに接続される下部電極（カソード電極）１２Ａと、下部電極１２Ａに対して基板Ｓとは反対側に配されて下部電極１２Ａを支持する下部電極ベース１２Ｂと、から構成される。上記した高周波電源ＲＦは、出力が例えば１３．５６ＭＨｚとされる。エッチング処理に際しては、真空室１１内に収容した基板Ｓを基板支持部１２上に載置した後、排気装置１４により排気を行って真空室１１内を真空環境下としつつ、ガス導入装置１３により反応性ガスを真空室１１内に導入する。この状態で高周波電源ＲＦから下部電極１２Ａに高周波電圧を印加すると、下部電極１２Ａと上部電極１５との間に放電が生じ、それに伴って真空室１１内にプラズマが発生する。すると、反応性ガスに解離が生じ、それに伴って発生した活性種（イオン・ラジカル）ＡＳがターゲットである被処理膜ＰＦに向けて加速されて衝突する。このとき、活性種ＡＳによるスパッタリングと、反応性ガスの化学反応が同時に起こることで、被処理膜ＰＦを高い精度でエッチングすることができる。このエッチングに伴い、被処理膜ＰＦのパーティクルＰが真空室１１内に飛散するおそれがある。

さらには、エッチング装置１０は、図１に示すように、基板支持部１２側から立ち上がって基板Ｓを取り囲む側壁部１６と、側壁部１６と基板支持部１２との間に介在していて側壁部１６と共に基板支持部１２に対して近づくようまたは離れるよう変位可能な可動部１７と、を備える。側壁部１６は、その高さ寸法が基板Ｓ及び被処理膜ＰＦの厚さ寸法よりも十分に大きくされている。側壁部１６は、その壁面が基板Ｓの板面の法線方向とほぼ一致するよう配されている。側壁部１６は、図２に示すように、基板Ｓを全周にわたって取り囲むよう方形の枠状をなしている。なお、図２は、側壁部１６及び可動部１７の平面図である。側壁部１６は、４つの辺部１６Ｂを連ねてなり、各辺部１６Ｂは、それぞれ長さ方向についての一端側部分１６Ｂ１と、他端側部分１６Ｂ２と、これらの間の中央部分１６Ｂ３と、を有する。可動部１７は、側壁部１６と同様に、基板Ｓを全周にわたって取り囲むよう方形の枠状をなしている。可動部１７は、図１に示すように、その板面が側壁部１６の壁面とほぼ直交するとともに基板Ｓの板面と並行するよう配されている。可動部１７は、内周側部分に対して図１に示す上側に側壁部１６が載る形で取り付けられている。

そして、可動部１７は、リフト機構によって図１に示す上下方向に沿って変位可能とされ、その変位動作に側壁部１６が追従するようになっている。図１に示される位置（エッチング処理位置）とされた可動部１７が基板支持部１２から離れるよう図１に示される上側に移動されると、図３に示すように、可動部１７と基板支持部１２との間に空間が空けられるようになっており、この空間を通して基板Ｓの搬入出を行うことが可能とされる。なお、図３は、可動部１７と基板支持部１２との間に空間が空けられた状態を示す断面図である。また、エッチング処理を行う際には、図３に示される位置（基板搬入出位置）とされた可動部１７が基板支持部１２に近づくよう図３に示される下側に移動され、図１に示すように、可動部１７が基板支持部１２に接する状態に至る。基板支持部１２には、可動部１７を受ける受け部１８が設けられている。受け部１８は、側壁部１６及び可動部１７と同様に方形の枠状をなしており、その板面が側壁部１６の壁面とほぼ直交するとともに基板Ｓ及び可動部１７の板面と並行するよう配されている。受け部１８は、図１及び図３に示す上側の板面が、可動部１７における下側の板面に当接されることで、可動部１７を支持することができる。受け部１８は、可動部１７に対する支持面が下部電極１２Ａにおける基板Ｓに対する支持面とほぼ面一状をなしている。

さて、本実施形態に係るエッチング装置１０には、算術平均粗さＲａが５μｍ以上で且つ８μｍ以下の範囲とされ、凹凸平均間隔ＲＳｍが３００μｍ以上で且つ５００μｍ以下の範囲とされる表面粗さを有するエッチング装置用部品（真空装置用部品）１９が備えられている。本実施形態では、図１及び図２に示すように、エッチング装置１０の構成部品のうち、側壁部１６がエッチング装置用部品１９により構成されている。詳しくは、エッチング装置用部品１９により構成される側壁部１６は、表面のうち基板Ｓ側を向いた側面（壁面）１６Ａが選択的に上記した表面粗さとされている。側壁部１６は、セラミックからなり、その基板Ｓ側を向いた側面１６Ａには、上記した表面粗さとなる微細な凹凸２０が多数形成されている。このような凹凸２０を形成するに際しては、側壁部１６における基板Ｓ側を向いた側面１６Ａに対してブラスト装置によって選択的にブラスト処理が行われており、それにより側面１６Ａに凹凸２０が直接形成されている。凹凸２０は、側壁部１６における基板Ｓ側を向いた側面１６Ａの全周・全高さ範囲にわたって形成されている。なお、上記した算術平均粗さＲａ及び凹凸平均間隔ＲＳｍは、いずれもＪＩＳ規格である「ＪＩＳ Ｂ６０１−２００１」に基づいて算出した。

上記のような構成の側壁部１６がエッチング装置１０の内部に配されているので、基板Ｓがエッチング処理されるのに伴って被処理膜ＰＦのパーティクルＰが真空室１１内に飛散しても、そのパーティクルＰを側壁部１６の側面１６Ａに形成された凹凸２０によって十分に高い吸着力でもって吸着することができる。凹凸２０に吸着されたパーティクルＰには、脱落が生じ難くなっている。これにより、パーティクルＰが真空室１１内を浮遊し続けて基板Ｓに付着する事態が生じ難くなり、エッチング処理された基板Ｓの歩留まりを向上させることができる。しかも、側壁部１６における基板Ｓ側を向いた側面１６Ａに対してブラスト装置によってブラスト処理を行うことで、適切な凹凸２０を容易に形成することができる。

以上説明したように本実施形態のエッチング装置用部品（真空装置用部品）１９は、基板Ｓを真空処理するためのエッチング装置（真空装置）１０の内部に用いられる部品であって、算術平均粗さＲａが５μｍ以上で且つ８μｍ以下の範囲とされ、凹凸平均間隔ＲＳｍが３００μｍ以上で且つ５００μｍ以下の範囲とされる表面粗さを有する。

エッチング装置１０の内部では、基板Ｓが真空処理されるのに伴ってパーティクルＰが発生する。このパーティクルＰが不用意に基板Ｓに付着すると、基板Ｓが不良品となるおそれがある。そこで、エッチング装置１０の内部に用いられるエッチング装置用部品１９に所定の表面粗さとなるよう微細な凹凸２０を形成することで、凹凸２０によってパーティクルＰを吸着し、基板Ｓへの付着を抑制することができる。

ここで、仮に算術平均粗さＲａを５μｍよりも小さい表面粗さとした場合には、表面に形成された凹凸が平坦すぎるため、パーティクルＰを十分に吸着することができない。これに対し、仮に算術平均粗さＲａを８μｍよりも大きい表面粗さとした場合には、パーティクルＰを吸着する能力は高いものの、表面をブラスト処理することで凹凸を形成しようとした場合に凹凸が強度に悪影響を与えるような損傷となってしまい、製造が困難となる。一方、仮に凹凸平均間隔ＲＳｍを３００μｍよりも小さい表面粗さとした場合には、表面に形成された凹凸の間に存在する空間の容積が十分に確保されないため、上記凹凸が上記空間に堆積したパーティクルＰによってすぐに平坦化されてしまい、それ以降に吸着されるパーティクルＰが脱落し易くなるおそれがある。これに対し、仮に凹凸平均間隔ＲＳｍを５００μｍよりも大きい表面粗さとした場合には、凹凸の間に存在する空間の容積は十分に確保されるものの、表面をブラスト処理することで凹凸を形成しようとした場合にブラスト処理を行うブラスト装置の能力の限界から製造が困難となる。また、凹凸の間に存在する空間の容積が大きすぎると、パーティクルＰが堆積してなる堆積物の重量も大きくなりすぎるため、自重によってパーティクルＰの堆積物が脱落し易くなることも懸念される。

その点、算術平均粗さＲａが５μｍ以上で且つ８μｍ以下の範囲とされる表面粗さとすれば、パーティクルＰを十分な吸着力でもって吸着することができるのに加え、表面にブラスト処理を行うことで適切な凹凸２０を容易に形成することができる。そして、凹凸平均間隔ＲＳｍが３００μｍ以上で且つ５００μｍ以下の範囲とされる表面粗さとすれば、凹凸２０の間に存在する空間の容積を十分に確保することができるので、十分な量のパーティクルＰを吸着してその脱落を生じ難くすることができるのに加え、表面にブラスト処理を行うことで適切な凹凸２０を容易に形成することができる。以上により、パーティクルＰの吸着能力が十分に高くなるとともにパーティクルＰが脱落し難くなり、さらにはブラスト処理での製造が容易になる。

また、セラミックからなり、上記した表面粗さとなる凹凸２０が直接形成されてなる。本実施形態では、ブラスト処理を用いて、セラミックからなる当該エッチング装置用部品１９に凹凸２０を直接形成する。ここで、一般的にブラスト処理とは、加工面に固体金属または研磨材等を吹き付けて加工面を摩耗（粗面化）させる処理をいう。そのため、加工対象物がセラミックのような脆性破壊し易い材質であると、ブラスト処理に伴う加工面の強度低下が懸念される。このような事情に鑑み、セラミックからなる当該エッチング装置用部品１９に凹凸２０を直接形成するに際してその表面粗さについて鋭意検討した結果、算術平均粗さＲａが８μｍ以下の表面粗さとすれば、セラミックからなる当該エッチング装置用部品１９に脆性破壊を生じさせることなく凹凸２０をブラスト処理により形成することができることを見出した。そして、凹凸平均間隔ＲＳｍが５００μｍ以下の表面粗さとすれば、セラミックからなる当該エッチング装置用部品１９に凹凸２０を、能力上の問題を生じさせることなくブラスト処理により形成することができる。

また、本実施形態に係るエッチング装置１０は、上記記載のエッチング装置用部品１９を備え、基板Ｓが収容される真空室１１と、真空室１１内に配されて基板Ｓを支持する基板支持部１２と、基板支持部１２側から立ち上がって基板Ｓを取り囲む側壁部１６と、を備えており、少なくとも側壁部１６は、エッチング装置用部品１９により構成される。このような構成のエッチング装置１０によれば、真空室１１内に収容された基板Ｓは、基板支持部１２によって支持されるとともに側壁部１６によって取り囲まれる。この状態で基板Ｓが真空処理されるのに伴って発生するパーティクルＰは、上記した表面粗さを有するエッチング装置用部品１９により構成される側壁部１６に効率的に吸着される。これにより、パーティクルＰが基板Ｓに付着し難くなっている。

また、側壁部１６は、少なくとも基板Ｓ側を向いた側面１６Ａが上記した表面粗さとされる。このようにすれば、基板Ｓに付着しようとするパーティクルＰを、側壁部１６における基板Ｓ側を向いた側面１６Ａによって効率的に吸着することができる。これにより、基板ＳへのパーティクルＰの付着をより好適に生じ難くすることができる。

＜実施形態２＞
実施形態２を図４または図５によって説明する。この実施形態２では、可動部１１７及び受け部１１８がいずれもエッチング装置用部品１１９により構成される場合を示す。なお、上記した実施形態１と同様の構造、作用及び効果について重複する説明は省略する。

本実施形態に係る可動部１１７及び受け部１１８は、図４及び図５に示すように、いずれもエッチング装置用部品１１９により構成されている。上記した実施形態１にて説明した通り、可動部１１７は、側壁部１１６と共に受け部１１８を有する基板支持部１１２に対して近づくようまたは離れるよう変位可能とされている。このため、可動部１１７が側壁部１１６と共に基板支持部１１２に対して変位される際には、可動部１１７により吸着されたパーティクルＰが脱落したり、受け部１１８により吸着されたパーティクルＰが脱落したりすることで、パーティクルＰが基板Ｓに付着することが懸念される。その点、可動部１１７及び受け部１１８は、側壁部１１６と共に、算術平均粗さＲａが５μｍ以上で且つ８μｍ以下の範囲とされ、凹凸平均間隔ＲＳｍが３００μｍ以上で且つ５００μｍ以下の範囲とされる表面粗さを有するエッチング装置用部品１１９により構成されている。従って、可動部１１７が基板支持部１１２に対して変位される際に、可動部１１７により吸着されたパーティクルＰに脱落が生じ難くなるとともに受け部１１８に吸着されたパーティクルＰに脱落が生じ難くなっている。

しかも、可動部１１７は、図４及び図５に示すように、受け部１１８との対向面１１７Ａが選択的に上記した表面粗さとされるとともに受け部１１８は、可動部１１７との対向面１１８Ａが選択的に上記した表面粗さとされる。可動部１１７及び受け部１１８は、いずれもセラミックからなり、それぞれの対向面１１７Ａ，１１８Ａには、上記した表面粗さとなる微細な凹凸１２０が多数形成されている。このような凹凸１２０を形成するに際しては、可動部１１７及び受け部１１８におけるそれぞれの対向面１１７Ａ，１１８Ａに対してブラスト装置によって選択的にブラスト処理が行われており、それにより各対向面１１７Ａ，１１８Ａに凹凸１２０が直接形成されている。凹凸１２０は、可動部１１７及び受け部１１８におけるそれぞれの対向面１１７Ａ，１１８Ａの全域にわたって形成されている。このように、可動部１１７及び受け部１１８は、各対向面１１７Ａ，１１８Ａが上記した表面粗さとされているので、可動部１１７が側壁部１１６と共に基板支持部１１２及び受け部１１８に対して変位される際に可動部１１７及び受け部１１８の各対向面１１７Ａ，１１８Ａが相互に干渉した場合でも、各対向面１１７Ａ，１１８Ａに形成された凹凸１２０によって吸着されたパーティクルＰに脱落が生じ難くなっている。これにより、パーティクルＰが基板Ｓに付着する事態が生じ難くなっている。

以上説明したように本実施形態によれば、側壁部１１６と基板支持部１１２との間に介在していて側壁部１１６と共に基板支持部１１２に対して近づくようまたは離れるよう変位可能な可動部１１７を備えており、少なくとも可動部１１７は、エッチング装置用部品１１９により構成される。このようにすれば、真空室１１１にて基板支持部１１２により支持される基板Ｓの搬入出を行う際には、側壁部１１６と共に可動部１１７を基板支持部１１２に対して変位させればよい。可動部１１７が側壁部１１６と共に基板支持部１１２に対して変位される際には、可動部１１７により吸着されたパーティクルＰが脱落し、基板Ｓに付着することが懸念される。その点、可動部１１７は、側壁部１１６と共に、上記した表面粗さを有するエッチング装置用部品１１９により構成されているので、変位される際にも可動部１１７により吸着されたパーティクルＰに脱落が生じ難くなっている。これにより、パーティクルＰが基板Ｓに付着する事態が生じ難くなっている。

また、基板支持部１１２には、可動部１１７を受ける受け部１１８が設けられており、少なくとも受け部１１８は、エッチング装置用部品１１９により構成される。このようにすれば、可動部１１７が側壁部１１６と共に基板支持部１１２及び受け部１１８に対して変位される際に、可動部１１７が受け部１１８に干渉すると、受け部１１８により吸着されたパーティクルＰが脱落し、基板Ｓに付着することが懸念される。その点、受け部１１８は、側壁部１１６及び可動部１１７と共に、上記した表面粗さを有するエッチング装置用部品１１９により構成されているので、可動部１１７が干渉する際にも受け部１１８により吸着されたパーティクルＰに脱落が生じ難くなっている。これにより、パーティクルＰが基板Ｓに付着する事態が生じ難くなっている。

また、可動部１１７は、少なくとも受け部１１８との対向面１１７Ａが上記した表面粗さとされる。このようにすれば、可動部１１７が側壁部１１６と共に基板支持部１１２及び受け部１１８に対して変位される際には、可動部１１７における受け部１１８との対向面１１７Ａが受け部１１８に干渉することで、当該対向面１１７Ａにより吸着されたパーティクルＰに脱落が生じることが懸念される。その点、可動部１１７は、少なくとも受け部１１８との対向面１１７Ａが上記した表面粗さとされているので、当該対向面１１７Ａが受け部１１８に干渉した場合でも、パーティクルＰに脱落が生じ難くなっている。これにより、パーティクルＰが基板Ｓに付着する事態が生じ難くなっている。

また、受け部１１８は、少なくとも可動部１１７との対向面１１８Ａが上記した表面粗さとされる。このようにすれば、可動部１１７が側壁部１１６と共に基板支持部１１２及び受け部１１８に対して変位される際には、受け部１１８における可動部１１７との対向面１１８Ａが可動部１１７に干渉することで、当該対向面１１８Ａにより吸着されたパーティクルＰに脱落が生じることが懸念される。その点、受け部１１８は、少なくとも可動部１１７との対向面１１８Ａが上記した表面粗さとされているので、当該対向面１１８Ａが可動部１１７に干渉した場合でも、パーティクルＰに脱落が生じ難くなっている。これにより、パーティクルＰが基板Ｓに付着する事態が生じ難くなっている。

＜比較実験＞
上記した実施形態１に記載したような表面粗さを有するエッチング装置用部品１９により側壁部１６を構成することで得られる効果を実証するため、下記の比較実験を行った。この比較実験では、実施例としてブラスト処理を施したエッチング装置用部品１９を用い、比較例としてブラスト処理を施していないエッチング装置用部品を用いた。比較例は、算術平均粗さＲａが２μｍ以上で且つ４μｍ以下の範囲とされ、凹凸平均間隔ＲＳｍが２００μｍ以上で且つ３００μｍ以下の範囲とされる表面粗さを有する。実施例は、算術平均粗さＲａが５μｍ以上で且つ８μｍ以下の範囲とされ、凹凸平均間隔ＲＳｍが３００μｍ以上で且つ５００μｍ以下の範囲とされる表面粗さを有する。図６には、比較例及び実施例の側面を撮影した写真が示されている。図６によれば、実施例は、比較例よりも表面に形成された凹凸が粗くなっていることが把握できる。図７は、比較例及び実施例において、図２に示される各辺部１６Ｂのうちの一端側部分１６Ｂ１と中央部分１６Ｂ３と他端側部分１６Ｂ２との３位置における算術平均粗さＲａ（単位は「μｍ」）及び凹凸平均間隔ＲＳｍ（単位は「μｍ」）を示す表である。図７に示される算術平均粗さＲａ及び凹凸平均間隔ＲＳｍの各数値に基づき、比較例及び実施例における表面粗さに係る数値範囲が上記のように特定されている。

この比較実験では、上記した比較例及び実施例を上記した実施形態１にて説明したエッチング装置内に設置した上で、所定枚数ずつの基板Ｓをエッチング処理した。なお、比較実験における基板Ｓの被処理膜ＰＦは、金属膜とされる。エッチング処理された基板ＳにパーティクルＰが付着しているか否かを検査し、パーティクルＰが付着していた不良基板の数を、比較例及び実施例毎に集計した上で正規化した。正規化に際しては、比較例及び実施例における不良基板の数のそれぞれを、比較例における不良基板の数により除するようにした。つまり、比較例の実験結果を基準とした正規化を行った。このようにして得た実験結果は図８に示される通りである。

図８に示される実験結果について説明する。実施例における不良基板の数を正規化した値は、「０．８６」であり、比較例の「１」よりも「０．１４」低い値であった。このような結果となった要因について次のように推考する。比較例は、算術平均粗さＲａを５μｍよりも小さい表面粗さとされていることから、表面に形成された凹凸が平坦すぎるため、パーティクルＰを十分に吸着することができないと思われる。また、比較例は、凹凸平均間隔ＲＳｍを３００μｍよりも小さい表面粗さとされていることから、表面に形成された凹凸の間に存在する空間の容積が十分に確保されない。このため、上記凹凸が上記空間に堆積したパーティクルＰによってすぐに平坦化されてしまい、それ以降に吸着されるパーティクルＰが脱落し易くなると考えられる。これらの要因から比較例は、実施例よりも不良基板の数が多くなっていると考えられる。

これに対し、実施例は、算術平均粗さＲａが５μｍ以上となる表面粗さとされているので、パーティクルＰを十分な吸着力でもって吸着することができると考えられる。さらには、実施例は、凹凸平均間隔ＲＳｍが３００μｍ以上となる表面粗さとされているので、凹凸２０の間に存在する空間の容積が十分に確保されている。これにより、凹凸２０の間に十分な量のパーティクルＰが吸着されてその脱落が生じ難くなっていると考えられる。また、実施例は、算術平均粗さＲａが８μｍ以下となる表面粗さとされているので、凹凸２０を形成するために行われるブラスト処理によって強度上の問題が生じることが避けられ、ブラスト処理によって適切な凹凸２０を容易に形成することができる。また、実施例は、凹凸平均間隔ＲＳｍが５００μｍ以下となる表面粗さとされているので、凹凸２０を形成するためのブラスト処理を実行するブラスト装置の能力の限界を超えることなく、適切な凹凸２０を容易に形成することができる。それに加えて、凹凸２０の間に存在する空間の容積が大きくなりすぎることが避けられるので、パーティクルＰが堆積してなる堆積物が自重によって脱落する事態も生じ難くなっていると考えられる。以上により、実施例によれば、パーティクルＰの吸着能力が十分に高くなるとともにパーティクルＰが脱落し難くなり、さらにはブラスト処理での製造が容易になっている。

＜他の実施形態＞
本明細書が開示する技術は、上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような実施形態も技術的範囲に含まれる。

（１）側壁部１６，１１６は、表面のうちの基板Ｓ側を向いた側面１６Ａ以外の面にも上記した表面粗さの凹凸２０，１２０が形成されていても構わない。

（２）上記した実施形態２において、可動部１１７は、表面のうちの受け部１１８との対向面１１７Ａ以外の面にも上記した表面粗さの凹凸１２０が形成されていても構わない。

（３）上記した実施形態２において、受け部１１８は、表面のうちの可動部１１７との対向面１１８Ａ以外の面にも上記した表面粗さの凹凸１２０が形成されていても構わない。

（４）エッチング装置用部品１９，１１９は、セラミック以外の材料により構成されていても構わない。

（５）凹凸２０，１２０は、側壁部１６，１１６における基板Ｓ側を向いた側面１６Ａにおいて部分的に形成されていても構わない。

（６）上記した実施形態２において、凹凸１２０は、可動部１１７における受け部１１８との対向面１１７Ａにおいて部分的に形成されていても構わない。

（７）上記した実施形態２において、凹凸１２０は、受け部１１８における可動部１１７との対向面１１８Ａにおいて部分的に形成されていても構わない。

（８）側壁部１６，１１６は、その壁面が基板Ｓの板面の法線方向に対して交差するよう配されていても構わない。

（９）可動部１７，１１７は、その板面が基板Ｓの板面に対して交差するよう配されていても構わない。

（１０）受け部１８，１１８は、その板面が基板Ｓの板面に対して交差するよう配されていても構わない。

（１１）エッチング装置１０は、反応性イオンエッチング装置以外にも、誘導結合型プラズマ装置やマイクロ波プラズマ装置でも構わない。

（１２）真空装置は、エッチング装置１０以外にも、基板Ｓに対して真空処理として成膜処理を行う成膜装置であっても構わない。その場合、膜材料からなるターゲットがスパッタリングされる際に生じるパーティクルＰが真空装置用部品により吸着されて脱落し難くなるとともに基板Ｓに付着し難くなる効果が得られる。

１０…エッチング装置（真空装置）、１１，１１１…真空室、１２，１１２…基板支持部、１６，１１６…側壁部、１６Ａ…側面、１７，１１７…可動部、１８，１１８…受け部、１９，１１９…エッチング装置用部品（真空装置用部品）、２０，１２０…凹凸、１１７Ａ…対向面、１１８Ａ…対向面、Ｐ…パーティクル、Ｓ…基板

Claims (8)

1. 基板を真空処理するための真空装置の内部に用いられる部品であって、
   算術平均粗さＲａが５μｍ以上で且つ８μｍ以下の範囲とされ、凹凸平均間隔ＲＳｍが３００μｍ以上で且つ５００μｍ以下の範囲とされる表面粗さを有する真空装置用部品。
2. セラミックからなり、前記表面粗さとなる凹凸が直接形成されてなる請求項１記載の真空装置用部品。
3. 請求項１または請求項２記載の真空装置用部品を備える真空装置であって、
   前記基板が収容される真空室と、
   前記真空室内に配されて前記基板を支持する基板支持部と、
   前記基板支持部側から立ち上がって前記基板を取り囲む側壁部と、を備えており、
   少なくとも前記側壁部は、前記真空装置用部品により構成される真空装置。
4. 前記側壁部は、少なくとも前記基板側を向いた側面が前記表面粗さとされる請求項３記載の真空装置。
5. 前記側壁部と前記基板支持部との間に介在していて前記側壁部と共に前記基板支持部に対して近づくようまたは離れるよう変位可能な可動部を備えており、
   少なくとも前記可動部は、前記真空装置用部品により構成される請求項３または請求項４記載の真空装置。
6. 前記基板支持部には、前記可動部を受ける受け部が設けられており、
   少なくとも前記受け部は、前記真空装置用部品により構成される請求項５記載の真空装置。
7. 前記可動部は、少なくとも前記受け部との対向面が前記表面粗さとされる請求項６記載の真空装置。
8. 前記受け部は、少なくとも前記可動部との対向面が前記表面粗さとされる請求項６または請求項７記載の真空装置。

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