JP2021051871A - 同軸コネクタ - Google Patents

Abstract

【課題】特性インピーダンスの整合を向上できる同軸コネクタを提供する。【解決手段】リセプタクル２０は、同軸ケーブルＣｂの端末に接続したプラグ１０と接続できる。リセプタクル２０は、メタルシェル２、第２誘電体筒４、及び、第２中心コンタクト６を備える。メタルシェル２は、外部導体Ｗｂに接続したシェル１と接続できる円筒部２ｃを有する。第２誘電体筒４は、メタルシェルの内部に支持されている。第２中心コンタクト６は、他端部側を第２誘電体筒の内部に支持されている。第２中心コンタクト６は、雌端子５ｔと接続自在な雄端子６ｔを一端部側に有する。第２中心コンタクトは、雄端子６ｔの外径より幅広のショルダー部６ｓを雄端子６ｔの基端部に有する。雌端子５ｔと雄端子６ｔが接続した状態では、ショルダー部６ｓは、第１誘電体筒３の支持孔３ｈの内部に進入している。【選択図】図５

Description

本発明は、同軸コネクタに関する。特に、同軸ケーブルの端末に接続した同軸コネクタであって、相手側同軸コネクタの雌端子と着脱自在に接続できる雄端子を有する中心コンタクトを備えた同軸コネクタの構造に関する。

例えば、プリント基板に実装できる多芯同軸コネクタ（リセプタクル）に対して、複数の同軸ケーブルの端末に接続した多芯同軸コネクタ（プラグ）が着脱自在な同軸コネクタ組立体が開示されている（例えば、特許文献１参照）。

特許文献１による同軸コネクタ組立体は、特性インピーダンスを維持しながら、解除可能な完全ロックを行うことができる、としている。

特開２０１９−３８５６号公報

図８は、従来技術による同軸コネクタ組立体の構成を示す図であり、図８（Ａ）は、同軸コネクタ組立体の右側面図、図８（Ｂ）は、同軸コネクタ組立体の背面図、図８（Ｃ）は、図８（Ｂ）のＸ−Ｘ矢視断面図である。

図９は、従来技術による同軸コネクタ組立体を構成するプラグの内部構成を示す斜視分解組立図である。図１０は、従来技術による同軸コネクタ組立体を構成するリセプタクルの構成を示す斜視分解組立図である。

なお、本願の図８と図９は、特許文献１の図５と図２に相当している。又、本願の図１０７は、特許文献１の図４に相当している。

図８を参照すると、従来技術による同軸コネクタ組立体ＣＮは、プラグ８とリセプタクル９で構成している。プラグ８は、複数の同軸ケーブルＣｂの端末に接続している。リセプタクル９は、図示しないプリント基板に実装できる。リセプタクル９に対して、プラグ８を着脱できる。なお、図８は、リセプタクル９とプラグ８が接続した状態を示している。

図８を参照すると、プラグ８は、直方体状のハウジング８ｈ、複数の中心コンタクト８１、及び、中心コンタクト８１と同数の円筒状のシェル８２を備えている。ハウジング８ｈは、一端面から他端面に向けて貫通したケーブル挿入孔を開口している。ケーブル挿入孔は、二段二列に配列されている。ケーブル挿入孔には、中心コンタクト８１及びシェル８２付きの同軸ケーブルＣｂを一端面から挿入できる。

図９を参照すると、同軸ケーブルＣｂは、単線又は撚線からなる円形の中心導体Ｗｃ、中心導体Ｗｃの包囲するフッ素系樹脂などの誘電体Ｄｉ、誘電体Ｄｉの周囲を覆う編組線などの外部導体Ｗｂ、及び、外部導体Ｗｂを被覆保護する絶縁シースＷｉで構成している。なお、図９では、同軸ケーブルＣｂの端末を端末処理した状態で示している。

図８又は図９を参照すると、中心コンタクト８１は、雌端子８１ｔを先端部に有している。中心コンタクト８１は、その他端部を圧着により、中心導体Ｗｃに固定している。更に、中心コンタクト８１は、円筒状の誘電体８１ｄを中間部に保持している。

図８又は図９を参照すると、プラグ８は、クリンプバレル８３を更に備えている。クリンプバレル８３は、一端部側にインシュレータバレル８３ｉを有し、他端部側に導電バレル８３ｃを有している。

図８又は図９を参照して、インシュレータバレル８３ｉを絶縁シースＷｉの外周方向から圧着することで、同軸ケーブルＣｂの端末にクリンプバレル８３を固定できる。シェル８２の一端部側を外部導体Ｗｂに被せ、シェル８２の一端部側の外周方向から導電バレル８３ｃを圧着することで、シェル８２を同軸ケーブルＣｂの端末に固定できると共に、外部導体Ｗｂとシェル８２を電気的に接続できる。

図８を参照すると、中心コンタクト８１とシェル８２は、同軸上に配置されている。中心コンタクト８１の中間部に誘電体８１ｄを備えることで、中心コンタクト８１とシェル８２の同軸度を担保できる。

図８又は図１０を参照すると、リセプタクル９は、直方体状のハウジング９ｈとメタルシェル９２を備えている。又、リセプタクル９は、一組のＬ形の棒状の中心コンタクト９１ａ・９１ｂと一組の誘電体９３ａ・９３ｂを備えている。誘電体９３ａは、中心コンタクト９１ａの中間部を一体成形している。誘電体９３ｂは、中心コンタクト９１ｂの中間部を一体成形している。

図８を参照すると、ハウジング９ｈは、メタルシェル９２を内部に保持している。ハウジング９ｈには、その他端部側から一端部側に向けて、メタルシェル９２が挿入されている。メタルシェル９２は、一端面から他端面に向けて貫通した支持孔９２ｈ・９２ｈを開口している（図１０参照）。これらの支持孔９２ｈ・９２ｈは、二段二列に配列されている（図１０参照）。

図８を参照すると、メタルシェル９２の下段の支持孔には、中心コンタクト９１ａ付き誘電体９３ａが挿入されている。又、メタルシェル９２の上段の支持孔には、中心コンタクト９１ｂ付き誘電体９３ｂが挿入されている。これらの誘電体９３ａ・９３ｂは、メタルシェル９２の他端部側（背面側）から挿入されている。

図８又は図１０を参照すると、中心コンタクト９１ａは、雄端子９１ｔを先端部に有している。同様に、中心コンタクト９１ｂは、雄端子９１ｔを先端部に有している。雄端子９１ｔは、雌端子８１ｔの内部に進入でき、雌端子８１ｔと電気的に接続できる。中心コンタクト９１ａ・９１ｂは、リード部を他端部に有している。これらのリード部は、図示しないプリント基板に設けたスルーホールにはんだ接合できる。

図８又は図１０を参照すると、リセプタクル９は、複数の円筒状のシェル９４を備えている。シェル９４の他端部側は、メタルシェル９２と接触可能に、メタルシェル９２の支持孔９２ｈに圧入されている。シェル９４の一端部側は、雄端子９１ｔを同軸上に囲っている。リセプタクル９とプラグ８を接続すると、シェル９４とシェル８２を電気的に接続できる。

図８又は図１０を参照すると、リセプタクル９は、第１シールド板９５と第２シールド板９６を更に備えている。第１シールド板９５と第２シールド板９６は、メタルシェル９２の底面側から圧入されている。

図８を参照すると、第１シールド板９５は、メタルシェル９２の背面を覆うように配置されている。第１シールド板９５は、誘電体９３ｂを介して、中心コンタクト９１ｂを電磁遮蔽している。第２シールド板９６は、誘電体９３ａと誘電体９３ｂの間に配置されている。第２シールド板９６は、誘電体９３ａ・９３ｂを介して、中心コンタクト９１ａと中心コンタクト９１ｂを電磁遮蔽している。

図８を参照すると、ハウジング８ｈは、ロックレバー８１ｒを有している。ロックレバー８１ｒは、ハウジング８ｈの上面に片持ち支持されている。ロックレバー８１ｒは、ハウジング８ｈに一端部側（前方）から他端部側（後方）に向かって、ハウジング８ｈの上面に沿って延出している。ロックレバー８１ｒは、ロック用の係止凸部８１１を中間部から突出している（図８（Ｃ）参照）。

図８を参照すると、ハウジング９ｈは、ロックレバー８１ｒを導入できるラッチ部９１ｒを上面に形成している。ラッチ部９１ｒは、実体として、ロックレバー８１ｒを導入できる受入開口である。

図８（Ｃ）を参照して、プラグ８をリセプタクル９に向かって移動すると、ロックレバー８１ｒをラッチ部９１ｒの内部に進入できる。そして、ロックレバー８１ｒが弾性復帰することで、係止凸部８１１をラッチ部９１ｒの内壁に係止できる。これにより、プラグ８をリセプタクル９にロックできる。ロックレバー８１ｒの後端部を押すことで、プラグ８とリセプタクル９のロックを解除できる。

図９を参照すると、プラグ８は、中心コンタクト８１の先端部側に設けた雌端子８１ｔの挿入口をスリット８１ｓで分割した、いわゆる、接触ばねで構成している。接触ばねは、棒状の雄端子９１ｔなどを挿入することによって発生する「こじり」などを緩和できる。

図８を参照すると、特許文献１による同軸コネクタ組立体は、シェル８２で囲われた雌端子８１ｔに先太り状の雄端子９１ｔが挿入されることで、雌端子８１ｔと雄端子９１ｔを電気的に接続している。雌端子８１ｔの外径に対して、雄端子９１ｔの外径が小さく、かつ、先端部に対して雄端子９１ｔの基端部の外径が縮径しているので、信号の伝送特性を向上することが容易でなかった。

同軸ケーブルの中心導体と接続する相手側中心コンタクトの雌端子と接続する雄端子を先端部に設けた中心コンタクトを有する同軸コネクタであって、中心コンタクトの先端部側に設けた雄端子の構造を工夫することで、特性インピーダンスの整合を向上できる雄端子を先端部に設けた中心コンタクトを有する同軸コネクタが求められている。そして、以上のことが本発明の課題といってよい。

本発明は、このような課題に鑑みてなされたものであり、特性インピーダンスの整合を向上できる、相手側中心コンタクトの雌端子と接続する雄端子を先端部に設けた中心コンタクトを有する同軸コネクタを提供することを目的とする。

本発明者らは、相手側中心コンタクトの雌端子と接続する雄端子に、雄端子の外径より幅広のショルダー部を形成すると共に、雌端子を囲う誘電体の内部にショルダー部の先端部側を進入可能に構成することで、特性インピーダンスの整合を向上できると考え、これに基づいて、以下のような新たな同軸コネクタを発明するに至った。

（１）本発明による同軸コネクタは、中心導体、前記中心導体を包囲する誘電体、前記誘電体を覆う外部導体、及び、前記外部導体を被覆する絶縁シースを有する同軸ケーブルの端末に接続した相手側同軸コネクタと着脱自在に接続する同軸コネクタであって、前記相手側同軸コネクタは、一端面を開口すると共に、当該同軸コネクタを一端部に導入でき、他端部を前記外部導体に接続した円筒状のシェルと、一端面から他端面に向けて貫通した支持孔を中心部に有し、前記シェルの内部に保持した第１誘電体筒と、前記第１誘電体筒の支持孔の内部に支持され、雌端子を一端部側に有し、前記中心導体に接続した接続端子を他端部側に有する、筒状の第１中心コンタクトと、を備え、前記シェルと接続できる円筒部を一方の端部から突出したメタルシェルと、前記メタルシェルの内部に支持され、前記第１誘電体筒の一端面と一端面が近接可能に配置された第２誘電体筒と、前記雌端子の内部に進入でき、前記雌端子と接続自在な雄端子を一端部側に有し、他端部側を前記第２誘電体筒の内部に支持した、第２中心コンタクトと、を備え、前記第２中心コンタクトは、前記雄端子の外径より幅広のショルダー部を前記雄端子の基端部に有し、前記雌端子と前記雄端子が接続した状態では、少なくとも前記ショルダー部の一部が、前記第１誘電体筒の支持孔の内部に進入している。

（２）前記雄端子は、円柱状に形成したピンコンタクトからなり、前記ショルダー部は、前記ピンコンタクトの外径より幅広の矩形板で形成していることが好ましい。

（３）前記ショルダー部は、その幅を前記第１中心コンタクトの外径と略同じに形成してもよい。

（４）前記ショルダー部は、その幅を前記第１中心コンタクトの外径より大きく、かつ、前記第１誘電体筒の内径より小さく形成してもよい。

本発明による同軸コネクタは、相手側の第１中心コンタクトと接続自在な第２中心コンタクトは、雄端子の外径より幅広のショルダー部を雄端子の基端部に有し、雌端子と雄端子を接続した状態では、ショルダー部は、相手側の第１誘電体筒の支持孔の内部に進入しているので、特性インピーダンスの整合を向上できる。

本発明の一実施形態による同軸コネクタの構成を示す斜視図であり、図１（Ａ）は、実施形態による同軸コネクタと相手側同軸コネクタが接続した状態図、図１（Ｂ）は、実施形態による同軸コネクタが相手側同軸コネクタと接続する前の状態図である。 前記実施形態による同軸コネクタの構成を示す斜視図であり、図２（Ａ）は、実施形態による同軸コネクタと相手側同軸コネクタが接続した状態図、図２（Ｂ）は、実施形態による同軸コネクタが相手側同軸コネクタと接続する前の状態図である。 前記実施形態による同軸コネクタの構成を示す斜視分解組立図である。 前記実施形態による相手側同軸コネクタの構成を示す図であり、図４（Ａ）は、実施形態による相手側同軸コネクタの斜視図、図４（Ｂ）は、実施形態による相手側同軸コネクタの斜視分解組立図である。 前記実施形態による同軸コネクタと相手側同軸コネクタが接続した状態を示す図であり、図５（Ａ）は、実施形態による同軸コネクタの左側面図、図５（Ｂ）は、図５（Ａ）のＣ−Ｃ矢視断面図、図５（Ｃ）は、図５（Ａ）のＤ−Ｄ矢視断面図、図５（Ｄ）は、図５（Ｂ）の接続部の拡大図である。 前記実施形態による同軸コネクタの構成を示す図であり、図６（Ａ）は、実施形態による同軸コネクタの左側面図、図６（Ｂ）は、図６（Ａ）のＬ−Ｌ矢視断面図、図６（Ｃ）は、図６（Ａ）のＪ−Ｊ矢視断面図、図６（Ｄ）は、実施形態による同軸コネクタの斜視図である。 前記実施形態による相手側同軸コネクタの構成を示す図であり、図７（Ａ）は、実施形態による相手側同軸コネクタの左側面図、図７（Ｂ）は、図７（Ａ）のＧ−Ｇ矢視断面図、図７（Ｃ）は、図７（Ａ）のＨ−Ｈ矢視断面図、図７（Ｄ）は、実施形態による相手側同軸コネクタの斜視図である。 従来技術による同軸コネクタ組立体の構成を示す図であり、図８（Ａ）は、同軸コネクタ組立体の右側面図、図８（Ｂ）は、同軸コネクタ組立体の背面図、図８（Ｃ）は、図８（Ｂ）のＸ−Ｘ矢視断面図である。 従来技術による同軸コネクタ組立体を構成するプラグの内部構成を示す斜視分解組立図である。 従来技術による同軸コネクタ組立体を構成するリセプタクルの構成を示す斜視分解組立図である。

以下、図面を参照して本発明を実施するための形態を説明する。
（相手側同軸コネクタの構成）
本発明の一実施形態による同軸コネクタの構成を説明する前に、相手側同軸コネクタの構成を説明する。

なお、従来技術で用いた符号と同じ符号を付した構成品は、その作用を同じとするので、以下説明を省略する場合がある。

（全体構成）
図１又は図２及び図４を参照すると、本発明の一実施形態による相手側同軸コネクタ（以下、プラグという）１０は、同軸ケーブルＣｂの端末に接続している。同軸ケーブルＣｂは、中心導体Ｗｃ、中心導体Ｗｃを包囲する誘電体Ｄｉ、誘電体Ｄｉを覆う外部導体Ｗｂ、及び、外部導体Ｗｂを被覆する絶縁シースＷｉを有している。

図１又は図２及び図４を参照すると、プラグ１０は、本発明の一実施形態による同軸コネクタ（以下、リセプタクルという）２０と着脱自在に接続できる。リセプタクル２０は、例えば、図示しないプリント基板に実装できる。

図１又は図２及び図４又は図５を参照すると、プラグ１０は、円筒状のシェル１、第１誘電体筒３、及び、筒状の第１中心コンタクト５を備えている。シェル１は、その一端面を開口している。シェル１は、その一端部をリセプタクル２０に導入できる。又、シェル１は、その他端部を外部導体Ｗｂに圧着により接続している。

図４又は図７を参照すると、第１誘電体筒３は、支持孔３ｈを中心部に有している。支持孔３ｈは、第１誘電体筒３の一端面から他端面に向けて貫通している。第１誘電体筒３は、シェルの一端面から挿入できる（図４（Ｂ）参照）。そして、第１誘電体筒３は、シェル１の内部に保持されている。

図４又は図５及び図７を参照すると、第１中心コンタクト５は、第１誘電体筒３の支持孔３ｈの内部に支持されている。第１中心コンタクト５は、雌端子５ｔを一端部側に有している。雌端子５ｔは、雄端子６ｔと接続できる（図５（Ｃ）又は図５（Ｄ）参照）。又、第１中心コンタクト５は、接続端子５ｃを他端部側に有している。接続端子５ｃは、中心導体Ｗｃに接続している。実施の形態では、接続端子５ｃは、圧着端子で構成している。

図４（Ｂ）又は図７（Ｃ）を参照すると、雌端子５ｔは、スリット５ｓで分割した接触ばねＥｏを有している。接触ばねＥｏは、その挿入口の内壁が膨出している（図５（Ｄ）参照）。

図３（Ｂ）又は図４及び図５（Ｃ）を参照すると、第１中心コンタクト５は、相手側の雄端子６ｔと接触時に、接続端子５ｃを除き、雌端子５ｔを含んで略同じ外径Ｄで形成している。第１中心コンタクト５は、その軸方向の外径Ｄの変動を抑制している。

［相手側コネクタの構成］
次に、本発明の一実施形態による同軸コネクタ（以下、リセプタクルという）２０の構成を説明する。図１から図３及び図５又は図６を参照すると、リセプタクル２０は、メタルシェル２、第２誘電体筒４、及び、第２中心コンタクト６を備えている。

図１から図３及び図５を参照すると、メタルシェル２は、直方体状の本体２ｂと円筒部２ｃを有している。メタルシェル２は、支持孔２ｈを中心部に有している（図１（Ｂ）参照）。支持孔３ｈは、円筒部２ｃの先端面から本体２ｂの底面に向けて貫通している。

図３又は図５及び図６を参照すると、メタルシェル２の支持孔２ｈの内部には、第２誘電体筒４が支持されている。第２誘電体筒４は、第２中心コンタクト６を中心部に保持している。第２中心コンタクト６は、雄端子６ｔを一端部側に有している。第２中心コンタクト６の他端部側は、例えば、第２誘電体筒４の中心部に圧入されている。雄端子６ｔは、第２誘電体筒４の一端面から突出した状態で配置されている。

又、図３又は図５（Ｄ）及び図６を参照すると、第２中心コンタクト６は、ショルダー部６ｓを雄端子６ｔの基端部に形成している。ショルダー部６ｓは、雄端子６ｔの外径より幅広の外形を形成している（図５（Ｄ）参照）。第２中心コンタクト６は、雄端子６ｔ及びショルダー部６ｓの基端部が第２誘電体筒４の端面から突出した状態で、第２誘電体筒４に固定されている。

図３又は図６を参照して、第２中心コンタクト６付き第２誘電体筒４は、本体２ｂの底面側から挿入できる。そして、メタルシェル２の内部に第２誘電体筒４が保持された状態では、雄端子６ｔは、円筒部２ｃの内部に臨んで配置されている（図６参照）。

図１又は図２及び図５を参照して、プラグ１０をリセプタクル２０に向かって移動すると、プラグ１０の先端部側を円筒部２ｃの内部に導入できる。そして、雄端子６ｔは、雌端子５ｔの内部に相対的に進入でき、雌端子５ｔと電気的に接続できる。又、円筒部２ｃの内部にシェル１が相対的に進入することで、メタルシェル２とシェル１を電気的に接続できる。

図５（Ｄ）を参照して、雌端子５ｔと雄端子６ｔが接続した状態では、ショルダー部６ｓは、第１誘電体筒３の支持孔３ｈの内部に進入している。これにより、特性インピーダンスの整合を向上できる。

引き続き、プラグ１０の構成を説明する。図１又は図２及び図４又は図５を参照すると、プラグ１０は、圧着スリーブ７を更に備えている。図５又は図７を参照すると、シェル１の他端部は、誘電体Ｄｉと外部導体Ｗｂの間に挿入されている。絶縁シースＷｉを介して、圧着スリーブ７を同軸ケーブルＣｂの端末に圧着すると、シェル１の他端部を外部導体Ｗｂに電気的に接続できる。又、絶縁シースＷｉを介して、圧着スリーブ７を同軸ケーブルＣｂの端末に圧着すると、同軸ケーブルＣｂの端末にプラグ１０を固定できる。

（第１中心コンタクトの構成）
次に、実施形態による第１中心コンタクト５の構成を説明する。図４又は図５及び図７を参照すると、第１中心コンタクト５は、導電性を有する金属板からなり、導電性を有する展開板を成形することで、円筒状コンタクトを得ることができる。

図４（Ｂ）又は図７（Ｂ）を参照すると、第１中心コンタクト５は、雌端子５ｔの接触ばねＥｏの挿入口が外周から内周に折り返している。これにより、相手側の雄端子６ｔと接触時に、雌端子５ｔの外径Ｄを第１中心コンタクト５の外径Ｄに略収束できる。実施形態による第１中心コンタクト５は、金属板を円筒状に成形した円筒状コンタクトを開示したが、雌端子５ｔの接触ばねＥｏの挿入口の内周が膨出したスクリューマシン・コンタクト（金属棒から切削加工されたコンタクト）で構成することもできる。

又、図４又は図５及び図７を参照すると、実施形態による雌端子５ｔは、半分に分割した接触ばねＥｏを開示したが、接触ばねＥｏは、その外径Ｄを超えない範囲で、三分割してもよく、十字状のスリットを設けて、四分割してもよい。

（第２中心コンタクトの構成）
次に、実施形態による第２中心コンタクト６の構成を説明する。図３又は図５及び図６を参照すると、第２中心コンタクト６は、導電性を有する金属板からなり、導電性を有する金属板を打ち抜き加工することで、板状の第２中心コンタクト６を得ることができる。

図３又は図５及び図６を参照すると、実施の形態では、雄端子６ｔは、円柱状に形成したピンコンタクトで構成している。一方、ショルダー部６ｓは、ピンコンタクトの外径より幅広の矩形板で形成している。雄端子６ｔは、雄端子６ｔとショルダー部６ｓを含む第２中心コンタクト６の他端部側を一体で成形することもできる。

図３又は図５及び図６を参照すると、実施の形態では、雄端子６ｔは、円柱状に形成しているが、雄端子６ｔは、四角柱状に形成してもよい。

［同軸コネクタの作用］
次に、実施形態によるリセプタクル２０の作用及び効果を説明する。図１から図７を参照すると、実施形態によるリセプタクル２０は、相手側のシェル１と接続できる円筒部２ｃを一方の端部から突出したメタルシェル２、メタルシェル２の内部に支持された第２誘電体筒４、及び、雌端子５ｔと接続自在な雄端子６ｔを一端部側に有する第２中心コンタクト６とを備え、第２中心コンタクト６は、雌端子５ｔの外径とより幅広のショルダー部６ｓを雄端子６ｔの基端部に有し、雌端子５ｔと雄端子６ｔが接続した状態では、ショルダー部６ｓは、相手側の第１誘電体筒３の支持孔３ｈの内部に進入しているので、特性インピーダンスの整合を向上できる。

図３から図７を参照すると、実施形態によるリセプタクル２０は、第２中心コンタクト６は、雄端子６ｔの外径より幅広のショルダー部６ｓを雄端子６ｔの基端部に有し、雌端子５ｔと雄端子６ｔが接続した状態では、ショルダー部６ｓは、相手側の第１誘電体筒３の支持孔３ｈの内部に進入可能に構成しているので、電定在波比（ＶＳＷＲ:Ｖｏｌｔａｇｅ Sｔａｎｄｉｎｇ Ｗａｖｅ Ｒａｔｉｏ）を改善できる。

本発明は、単線の同軸ケーブル用同軸コネクタ（相手側同軸コネクタ）に着脱自在なプリント基板用同軸コネクタを開示したが、本発明は、多芯同軸コネクタに適用することもできる。

１ シェル
２ メタルシェル
２ｈ 円筒部
３ 第１誘電体筒
３ｈ 支持孔
４ 第２誘電体筒
５ 第１中心コンタクト
５ｃ 接続端子
５ｔ 雌端子
６ 第２中心コンタクト
６ｔ 雄端子
６ｓ ショルダー部
１０ プラグ（相手側同軸コネクタ）
２０ リセプタクル（同軸コネクタ）
Ｃｂ 同軸ケーブル
Ｄ 外径
Ｄｉ 誘電体
Ｗｂ 外部導体
Ｗｃ 中心導体
Ｗｉ 絶縁シース
Ｗｃ 中心導体

Claims (4)

1. 中心導体、前記中心導体を包囲する誘電体、前記誘電体を覆う外部導体、及び、前記外部導体を被覆する絶縁シースを有する同軸ケーブルの端末に接続した相手側同軸コネクタと着脱自在に接続する同軸コネクタであって、
   前記相手側同軸コネクタは、
   一端面を開口すると共に、当該同軸コネクタを一端部に導入でき、他端部を前記外部導体に接続した円筒状のシェルと、
   一端面から他端面に向けて貫通した支持孔を中心部に有し、前記シェルの内部に保持した第１誘電体筒と、
   前記第１誘電体筒の支持孔の内部に支持され、雌端子を一端部側に有し、前記中心導体に接続した接続端子を他端部側に有する、筒状の第１中心コンタクトと、を備え、
   前記シェルと接続できる円筒部を一方の端部から突出したメタルシェルと、
   前記メタルシェルの内部に支持され、前記第１誘電体筒の一端面と一端面が近接可能に配置された第２誘電体筒と、
   前記雌端子の内部に進入でき、前記雌端子と接続自在な雄端子を一端部側に有し、他端部側を前記第２誘電体筒の内部に支持した、第２中心コンタクトと、を備え、
   前記第２中心コンタクトは、前記雄端子の外径より幅広のショルダー部を前記雄端子の基端部に有し、
   前記雌端子と前記雄端子が接続した状態では、少なくとも前記ショルダー部の一部が、前記第１誘電体筒の支持孔の内部に進入している、同軸コネクタ。
2. 前記雄端子は、円柱状に形成したピンコンタクトからなり、
   前記ショルダー部は、前記ピンコンタクトの外径より幅広の矩形板で形成している、請求項１記載の同軸コネクタ。
3. 前記ショルダー部は、その幅を前記第１中心コンタクトの外径と略同じに形成している、請求項１又は２記載の同軸コネクタ。
4. 前記ショルダー部は、その幅を前記第１中心コンタクトの外径より大きく、かつ、前記第１誘電体筒の内径より小さく形成している、請求項１又は２記載の同軸コネクタ。

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