JP7302315B2 - コネクタ - Google Patents

Description

本開示は、コネクタに関する。

例えば、車両に搭載される高周波信号用のコネクタは、特開２００５－３１７２６７号公報が知られている。このコネクタは、同軸ケーブルに接続された内導体を誘電体が介在した状態で収容する外導体を有する雌コネクタと、基板に接続される芯線端子を雄側の誘電体が介在した状態で収容する接地体を有する雄コネクタとを備えている。

このコネクタは、雌コネクタと雄コネクタとを嵌合させると、雌コネクタにおける誘電体と雄コネクタにおける誘電体とが嵌合方向に対向した状態となると共に、雄コネクタの誘電体から前方に突出した芯線端子が雌コネクタの誘電体内に進入することによって芯線端子と内導体とが接続される。

特開２００５－３１７２６７号公報

ところで、一般に、高周波信号の伝送経路では、特性インピーダンスが所定値に設定されることによってインピーダンス整合が図られる。したがって、上記のコネクタにおける同軸ケーブルから内導体、芯線端子においてもインピーダンス整合が図られている。しかしながら、上記のコネクタでは、雌コネクタと雄コネクタとを嵌合させた際に、雌コネクタにおける誘電体と、雄コネクタにおける誘電体との間に隙間が生じる場合がある。すると、誘電体間に生じる隙間では、芯線端子と接地体との間に誘電体が配置されなくなるため、隙間部分における比誘電率が変化して高インピーダンス状態となってしまう。この結果、隙間部分においてインピーダンスの不整合が生じ、伝送信号が反射することによって伝送効率が低下してしまう。

本明細書では、インピーダンスの変化を抑制する技術を開示する。

本開示のコネクタは、雌端子モジュールと、前記雌端子モジュールと嵌合する雄端子モジュールと、を有するコネクタであって、前記雌端子モジュールは、導電性の雌側内導体と、絶縁性の雌側誘電体と、導電性の雌側外導体とを有し、前記雌側外導体は、前記雌側誘電体を介在させた状態で前記雌側内導体を収容しており、前記雄端子モジュールは、導電性の雄側内導体と、絶縁性の雄側誘電体と、導電性の雄側外導体とを有し、前記雄側外導体は、前記雄側誘電体を介在させた状態で前記雄側内導体を収容すると共に、前記雌端子モジュールと前記雄端子モジュールとが嵌合した状態では、前記雌側外導体と接続され、前記雌側誘電体は、雌側嵌合部を有し、前記雄側誘電体は、雄側嵌合部を有し、前記雌側嵌合部と前記雄側嵌合部とは、前記雌端子モジュールと前記雄端子モジュールとが嵌合した状態では、前記雌端子モジュールと前記雄端子モジュールとの嵌合方向に凹凸嵌合し、前記雄側内導体は、雄型接続部を有しており、前記雄型接続部は、前記雄側嵌合部から前記雌端子モジュール側に向けて延びて形成されており、前記雄型接続部は、前記雌端子モジュールと前記雄端子モジュールとが嵌合した状態では、前記雌側嵌合部内に進入して前記雌側内導体と接続される。

本開示によれば、インピーダンスの変化を抑制できる。

図１は、実施形態に係るコネクタの側面図である。 図２は、図１のＡ－Ａ線の断面に相当する断面図である。 図３は、図２の要部拡大断面図である。 図４は、雄端子モジュールの斜視図である。 図５は、雄側前誘電体の斜視図である。 図６は、雄側前誘電体の正面図である。 図７は、雄側前誘電体の側面図である。 図８は、ケーブル芯線に接続された雄側内導体の斜視図である。 図９は、雌端子モジュールの斜視図である。 図１０は、雌側前誘電体の斜視図である。 図１１は、雌側前誘電体の正面図である。 図１２は、雌側前誘電体の側面図である。 図１３は、ケーブル芯線に接続された雌側内導体の斜視図である。 図１４は、他の実施形態に係るコネクタの要部拡大断面図であって、図３の断面に相当する要部拡大断面図である。 図１５は、従来のコネクタの要部拡大断面図であって、図３の断面に相当する要部拡大断面図である。

［本開示の実施形態の説明］
最初に本開示の実施形態を列挙して説明する。

（１）雌端子モジュールと、前記雌端子モジュールと嵌合する雄端子モジュールと、を有するコネクタであって、前記雌端子モジュールは、導電性の雌側内導体と、絶縁性の雌側誘電体と、導電性の雌側外導体とを有し、前記雌側外導体は、前記雌側誘電体を介在させた状態で前記雌側内導体を収容しており、前記雄端子モジュールは、導電性の雄側内導体と、絶縁性の雄側誘電体と、導電性の雄側外導体とを有し、前記雄側外導体は、前記雄側誘電体を介在させた状態で前記雄側内導体を収容すると共に、前記雌端子モジュールと前記雄端子モジュールとが嵌合した状態では、前記雌側外導体と接続され、前記雌側誘電体は、雌側嵌合部を有し、前記雄側誘電体は、雄側嵌合部を有し、前記雌側嵌合部と前記雄側嵌合部とは、前記雌端子モジュールと前記雄端子モジュールとが嵌合した状態では、前記雌端子モジュールと前記雄端子モジュールとの嵌合方向に凹凸嵌合し、前記雄側内導体は、雄型接続部を有しており、前記雄型接続部は、前記雄側嵌合部から前記雌端子モジュール側に向けて延びて形成されており、前記雄型接続部は、前記雌端子モジュールと前記雄端子モジュールとが嵌合した状態では、前記雌側嵌合部内に進入して前記雌側内導体と接続される。

雌端子モジュールと雄端子モジュールとが嵌合し、雄側嵌合部から延びる雄型接続部が雌側嵌合部内に進入して雌側内導体と接続された状態では、雌側誘電体と雄側誘電体とが嵌合方向に凹凸嵌合した状態となる。したがって、雄型接続部の周りには、少なくとも雄側嵌合部または雌側嵌合部のいずれか一方が配置されることになる。

これにより、雄型接続部における比誘電率の変化が抑制され、インピーダンスの変化を小さく抑えることができる。つまりは、高周波信号の反射損失を小さくでき、伝送効率が低下することを抑制できる。

（２）前記雌側嵌合部および前記雄側嵌合部うちの一方の嵌合部は、第１テーパ面を有する凸型に形成されており、他方の嵌合部は、第２テーパ面を有する凹型に形成されており、前記第１テーパ面は、他方の嵌合部側に向かうほど前記雄型接続部の軸心に向かって傾斜しており、前記第２テーパ面は、前記一方の嵌合部側から離れるほど前記雄型接続部の軸心に向けて傾斜して前記第１テーパ面に沿って配置される。

一般に、雄型接続部が雌側嵌合部内に進入する部分では、雄側嵌合部と雌側嵌合部とが嵌合方向に突き当たって嵌合できなくなることを回避するために、雄側嵌合部の先端と雌側嵌合部の先端と間に隙間が生じるように構成される。

ここで、例えば、雄側嵌合部および雌側嵌合部のうちいずれか一方の嵌合部が円柱状に形成され、他方の嵌合部が円柱状に窪んだ凹部として形成される場合、他方の嵌合部における凹部の奥部では、雄型接続部の外周に凹部の内径と同じ大きさの隙間が生じてしまうため、雄型接続部におけるインピーダンスの変化が大きくなる傾向にある。

ところが、上記の構成によると、一方の嵌合部が第１テーパ面を有する凸型に形成され、他方の嵌合部が第２テーパ面を有する凹型に形成されている。
つまり、凹型に形成された他方の嵌合部は、奥部に向かうほど空間が狭くなるから、他方の嵌合部における凹型の奥部に配された雄型接続部の外周の隙間を小さくできる。これにより、雄型接続部におけるインピーダンスの変化をさらに小さく抑えることができ、雄型接続部における高周波信号の反射損失をさらに小さくできる。また、第１テーパ面と第２テーパ面とが完全に接触しない場合でも、第１テーパ面と第２テーパ面との隙間を一様とすることができるため、インピーダンスの局所的変化を抑えることができる。

（３）前記第１テーパ面は、先細りとなる円錐状に形成されており、前記第２テーパ面は、凹型の奥部に向かうほど円錐状に縮径して形成されている。
第２テーパ面によって凹型に形成された他方の嵌合部の奥部が雄型接続部を中心に狭い構成となるから、例えば、他方の嵌合部の一部に第２テーパ面を構成する場合に比べて、雄側嵌合部と雌側嵌合部との間の隙間を小さくできる。これにより、インピーダンスの変化をさらに小さく抑えることができ、高周波信号の反射損失をさらに小さくできる。

（４）前記第１テーパ面と前記第２テーパ面とは、前記雌端子モジュールと前記雄端子モジュールとが嵌合した状態では密着している。
第１テーパ面と第２テーパ面とが密着することによって雌側嵌合部と雄側嵌合部との間の隙間をさらに小さくできる。これにより、インピーダンスの変化をさらに小さく抑えることができ、高周波信号の反射損失をさらに小さくできる。

（５）前記雌端子モジュールを収容する雌ハウジングと、前記雄端子モジュールを収容すると共に、前記雌ハウジングと嵌合可能な雄ハウジングとを備えている。

［本開示の実施形態の詳細］
本開示のコネクタの具体例を、以下の図面を参照しつつ説明する。なお、本開示は、これらの例示に限定されるものではなく、特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。

＜実施形態１＞
本開示における実施形態１について図１から図１３を参照して説明する。
本実施形態に係るコネクタ１０は、車両に搭載される電気機器間を接続するものであって、高周波の電気信号を伝送する。

［コネクタ１０］
コネクタ１０は、図１および図２に示されるように、シールド電線Ｗの端部に接続される雄コネクタ２０と、シールド電線Ｗの端部に接続されると共に雄コネクタ２０に嵌合される雌コネクタ６０とを有している。なお、以下の説明において、前後方向については雄コネクタ２０と雌コネクタ６０との嵌合方向を基準として互いに嵌合する側を前側として説明する。

［シールド電線Ｗ］
シールド電線Ｗは、図２に示されるように、ケーブル芯線Ｗ１と、絶縁体によって覆われたケーブル芯線Ｗ１の外周を覆う編組体Ｗ２と、編組体Ｗ２の外周を覆う外被覆Ｗ３とを備えた、いわゆる同軸ケーブルとされている。シールド電線Ｗの前端部では、編組体Ｗ２および外被覆Ｗ３が皮剥ぎされると共に、絶縁体が除去されることによってケーブル芯線Ｗ１が露出している。露出したケーブル芯線Ｗ１の後方では、外被覆Ｗ３のみが皮剥ぎされることにより編組体Ｗ２が露出している。

［雄コネクタ２０］
雄コネクタ２０は、図１および図２に示されるように、雄ハウジング２１と、雄端子モジュール３０とを備えている。
［雄ハウジング２１］
雄ハウジング２１は、絶縁性の合成樹脂製によって筒状に形成されている。雄ハウジング２１内には、雄端子モジュール３０が後方から収容可能とされている。雄ハウジング２１内には、雄端子モジュール３０が雄ハウジング２１内の正規の位置に至った際に、雄端子モジュール３０に係止する図示しない係止部が形成されている。これにより、雄端子モジュール３０が雄ハウジング２１内に抜け止めされた状態で保持されるようになっている。

［雄端子モジュール３０］
雄端子モジュール３０は、図２に示されるように、雄側内導体３１と、雄側誘電体４０と、雄側外導体５０とを備えている。
［雄側内導体３１］
雄側内導体３１は、導電性を有する金属板材を加工することによって形成されている。雄側内導体３１は、図２、図３および図８に示されるように、雄型接続部３２と、雄型接続部３２の後方に設けられた電線接続部３３とを備えている。

雄型接続部３２は、前後方向に延びるピン型に形成されている。雄型接続部３２は、雄コネクタ２０と雌コネクタ６０とが嵌合すると、雌コネクタ６０の後述する雌側誘電体８０内に収容された雌側内導体７１に接続される。

電線接続部３３は、図８に示されるように、シールド電線Ｗの先端部において露出したケーブル芯線Ｗ１に圧着されて固定されている。これにより、雄側内導体３１は、シールド電線Ｗのケーブル芯線Ｗ１に電気的に接続されている。

［雄側誘電体４０］
雄側誘電体４０は、図２および図３に示されるように、所定の比誘電率を有する絶縁性の合成樹脂によって筒状に形成されている。
雄側誘電体４０は、絶縁体および編組体Ｗ２から前方に露出したケーブル芯線Ｗ１と、ケーブル芯線Ｗ１に接続された雄側内導体３１とを内部に収容する。また、雄側誘電体４０は、雄側前誘電体４１と、雄側前誘電体４１の後方に配置される雄側後誘電体４８とを有している。

雄側前誘電体４１は、図３、図５から図７に示されるように、前後方向に長い筒状に形成されている。雄側前誘電体４１は、雄側本体部４２と、雄側本体部４２の前方に連なる雄側嵌合部４４とを有している。

雄側本体部４２は、前後方向に延びる円筒状に形成されている。雄側本体部４２内には、雄側内導体３１の電線接続部３３が収容可能とされている。

雄側嵌合部４４は、雄側本体部４２の前端部から前方に突出して形成されている。
雄側嵌合部４４には、雄型接続部３２が前方に向かって突出するように前後方向に挿通されている。雄側嵌合部４４は、第１テーパ面４５と、先端面４６とを有している。

第１テーパ面４５は、雄側本体部４２の前端部から前方に向かうほど雄側嵌合部４４の軸心に向かって傾斜する円錐状に形成されている。また、第１テーパ面４５は、雄型接続部３２が雄側嵌合部４４に挿通された状態では、雄型接続部３２を囲うように雄型接続部３２の外周に全周にわたって配置された状態となる。

先端面４６は、第１テーパ面４５の前端部において雄側嵌合部４４の軸心と直交するように前方視円形状に形成されている。雄型接続部３２が雄側嵌合部４４に挿通されると、雄型接続部３２が先端面４６から前方に突出した状態となる。

雄側後誘電体４８は、図２に示されるように、シールド電線Ｗにおいて編組体Ｗ２から露出したケーブル芯線Ｗ１の外周に組み付けられる。雄側後誘電体４８は、後述する雄側外導体５０が外周に圧着されることによってケーブル芯線Ｗ１を全周にわたって囲むようにケーブル芯線Ｗ１の外周に配置されている。ケーブル芯線Ｗ１と雄側後誘電体４８との間には、インピーダンスを調整するための隙間が設けられている。

［雄側外導体５０］
雄側外導体５０は、導電性を有する金属板材を加工することによって形成されている。雄側外導体５０は、図２および図４に示されるように、雄側前外導体５１と、雄側前外導体５１が外側から組み付けられる雄側後外導体５８とを有している。

雄側後外導体５８は、円筒状に形成されており、シールド電線Ｗにおける露出した編組体Ｗ２から外被覆Ｗ３の前端部までの領域の外周に配置される。雄側後外導体５８の前部は、編組体Ｗ２に圧着されることによって編組体Ｗ２と電気的に接続されている。雄側後外導体５８の後部は、外被覆Ｗ３に圧着されることによってシールド電線Ｗに固定されている。

雄側前外導体５１は、図２に示されるように、雄側後外導体５８とほぼ同径の円筒状に形成されており、雄側後外導体５８の前端部から雄側内導体３１の前後方向中央部までの領域の外周に配置される。雄側前外導体５１の後端部は、雄側後外導体５８の前端部に圧着されるバレル状の導体圧着部５４とされている。導体圧着部５４が雄側後外導体５８に圧着されることにより雄側前外導体５１と雄側後外導体５８とが一体となって雄側外導体５０を構成する。

雄側前外導体５１の前後方向中央部は、雄側後誘電体４８の外周に圧着される中央圧着部５５とされている。中央圧着部５５の内径は、雄側後誘電体４８への圧着時に、雄側後誘電体４８を圧縮し過ぎないように（ケーブル芯線Ｗ１と雄側後誘電体４８との間の隙間が小さくならないように）、小さくなっている。

雄側前外導体５１の前端部は、図２および図３に示されるように、円筒状の接続筒部５６とされている。接続筒部５６は、雄側前誘電体４１の後端部から雄型接続部３２の前後方向中央部までの領域を内部に収容するように雄側前誘電体４１および雄型接続部３２の外周に配置されている。
したがって、雄側外導体５０は、図２に示されるように、シールド電線Ｗの編組体Ｗ２に接続された状態で雄型接続部３２の前後方向中央部から外被覆Ｗ３の前端部までの領域を覆っている。

［雌コネクタ６０］
雌コネクタ６０は、図１および図２に示されるように、雌ハウジング６１と、雌端子モジュール７０とを備えている。
［雌ハウジング６１］
雌ハウジング６１は、絶縁性の合成樹脂製によって筒状に形成されている。雌ハウジング６１内には、雌端子モジュール７０が後方から収容可能とされている。雌ハウジング６１内には、雌端子モジュール７０が雌ハウジング６１内の正規の位置に至った際に、雌端子モジュール７０に係止する図示しない係止部が形成されている。これにより、雌端子モジュール７０が雌ハウジング６１内に抜け止めされた状態で保持されるようになっている。

［雌端子モジュール７０］
雌端子モジュール７０は、図１および図２に示されるように、雄コネクタ２０と雌コネクタ６０とが嵌合する際に、雄端子モジュール３０と嵌合する。したがって、雌端子モジュール７０と雄端子モジュール３０とがコネクタ１０の一部を構成している。雌端子モジュール７０は、図２に示されるように、雌側内導体７１と、雌側誘電体８０と、雌側外導体９０とを備えている。

［雌側内導体７１］
雌側内導体７１は、導電性を有する金属板材を加工することによって形成されている。雌側内導体７１は、図２、図３および図１３に示されるように、弾性接続部７２と、弾性接続部７２の後方に配置される電線接続部７３とを備えている。

弾性接続部７２は、図９および図１３に示されるように、対向して配置された一対の弾性片７２Ａを有している。一対の弾性片７２Ａは、互いに離れる方向に弾性変位可能とされている。一対の弾性片７２Ａの間には、雄コネクタ２０と雌コネクタ６０とが嵌合する過程において雄型接続部３２が前方から進入する。雄コネクタ２０と雌コネクタ６０とが嵌合すると、図３に示されるように、一対の弾性片７２Ａは雄型接続部３２に弾性的に接触し、雌側内導体７１と雄側内導体３１とが電気的に接続される。
電線接続部７３は、図１３に示されるように、シールド電線Ｗの先端部において露出したケーブル芯線Ｗ１に圧着されて固定されている。これにより、雌側内導体７１は、シールド電線Ｗのケーブル芯線Ｗ１に電気的に接続されている。

［雌側誘電体８０］
雌側誘電体８０は、図２および図３に示されるように、所定の比誘電率を有する絶縁性の合成樹脂によって前後方向に長い筒状に形成されている。雌側誘電体８０は、編組体Ｗ２から前方に露出したケーブル芯線Ｗ１とケーブル芯線Ｗ１に接続された雌側内導体７１とを内部に収容する。また、雌側誘電体８０は、雌側前誘電体８１と、雌側前誘電体８１の後方に配置される雌側後誘電体８７とを有している。

雌側前誘電体８１は、図３、図１０から図１２に示されるように、前後方向に長い円筒状に形成されている。雌側前誘電体８１は、雌側本体部８２と、雌側嵌合部８４とを有している。

雌側本体部８２は、前端部および後端部が前後方向中央部よりも小径に形成されている。雌側本体部８２の前端部から前後方奥中央部の位置には雌側内導体７１の弾性接続部７２が収容されている。雌側本体部８２の後端部には、雌側内導体７１の電線接続部７３が収容されている。また、雌側本体部８２の後端部は、図２に示されるように、後述する雌側外導体９０の雌側前外導体９１が圧着されることによって上下方向に圧縮されて電線接続部７３に固定される。

雌側嵌合部８４は、図３、図１０から図１２に示されるように、雌側本体部８２の前端部から前方に突出する円筒状に形成されている。雌側嵌合部８４の内部は、奥部（後部）に向かうほど円錐状に縮径した凹型に形成されている。したがって、雌側嵌合部８４の内部は、奥部に向かうほど狭くなっている。また、雌側嵌合部８４の内周面は、前方から後方に向かうほど軸心に向けて円錐状に傾斜する第２テーパ面８５とされている。

第２テーパ面８５の傾斜角度は、雄側誘電体４０における雄側嵌合部４４の第１テーパ面４５の傾斜角度と同一に設定されている。ここで、第２テーパ面８５の傾斜角度が第１テーパ面４５の傾斜角度と同一とは、第２テーパ面８５の傾斜角度が第１テーパ面４５の傾斜角度と同一の場合と、第２テーパ面８５の傾斜角度が第１テーパ面４５の傾斜角度と同一でない場合でも実質的に同一と見なしうる場合を含む。

また、雌側嵌合部８４の内部には、雄コネクタ２０と雌コネクタ６０とが嵌合する過程において、雄側誘電体４０の雄側嵌合部４４が前方から進入する。そして、雄コネクタ２０と雌コネクタ６０とが嵌合した状態に至ると、図２および図３に示されるように、雄側嵌合部４４の第１テーパ面４５が雌側嵌合部８４の第２テーパ面８５と全周にわたって密着する。つまり、第１テーパ面４５と第２テーパ面８５とが全周にわたって面接触することにより、第１テーパ面４５と第２テーパ面８５との間の隙間がなくなった状態となる。
また、雌側嵌合部８４は、奥部に向かうほど狭くなっているから、雄コネクタ２０と雌コネクタ６０とが嵌合した状態に至ると、雌側嵌合部８４の奥部において生じる隙間Ｓは小さくなる。

雌側後誘電体８７は、図２に示されるように、シールド電線Ｗにおいて編組体Ｗ２から露出したケーブル芯線Ｗ１の外周に組み付けられている。雌側後誘電体８７は、後述する雌側外導体９０に押圧されることによってケーブル芯線Ｗ１を全周にわたって囲むようにケーブル芯線Ｗ１の外周に配置されている。ケーブル芯線Ｗ１と雌側後誘電体８７との間には、インピーダンスを調整するための隙間が設けられている。

［雌側外導体９０］
雌側外導体９０は、導電性を有する金属板材を加工することによって形成されている。雌側外導体９０は、図１、図２および図９に示されるように、雌側前外導体９１と、雌側中央外導体９５と、雌側後外導体９７とを有している。

雌側後外導体９７は、円筒状に形成されており、図２に示されるように、シールド電線Ｗにおいて露出した編組体Ｗ２から外被覆Ｗ３の前端部までの領域の外周に配置される。雌側後外導体９７の前部は、編組体Ｗ２に圧着されることによって編組体Ｗ２と電気的に接続されている。雌側後外導体９７の後部は、外被覆Ｗ３に圧着されることによってシールド電線Ｗに固定されている。

雌側中央外導体９５は、図２および図９に示されるように、雌側後外導体９７とほぼ同径の円筒状に形成されており、雌側後誘電体８７の前端部から雌側後外導体９７の前端部までの領域外周に配置される。雌側中央外導体９５の前部は、雌側後誘電体８７を圧縮し過ぎないように、雌側後誘電体８７に圧着されている。雌側中央外導体９５の後部は、雌側後外導体９７の前部に圧着されることにより、雌側後外導体９７と電気的に接続されている。

雌側前外導体９１は、図２および図９に示されるように、雌側中央外導体９５とほぼ同径の円筒状に形成されており、雌側中央外導体９５の前端部から雌側誘電体８０の前端部までの領域の外周に配置されている。雌側前外導体９１の後端部は、雌側中央外導体９５の前端部および雌側前誘電体８１の後端部に圧着される筒状圧着部９２とされている。筒状圧着部９２が雌側前誘電体８１に圧着されることにより雌側前誘電体８１が雌側内導体７１に固定される。また、筒状圧着部９２が雌側中央外導体９５に圧着されることにより、雌側前外導体９１と雌側中央外導体９５とが電気的に接続される。これにより、雌側前外導体９１と雌側中央外導体９５と雌側後外導体９７とが一体となって雌側外導体９０を構成する。

雌側前外導体９１の前後方向中央部よりも前側の部分は、図２および図３に示されるように、筒状圧着部９２の前端縁に連なる円筒状の接続大筒部９３とされている。接続大筒部９３は、雌側前誘電体８１の前後方向中央部よりも前側の部分を内側に収容している。

したがって、雌側外導体９０は、シールド電線Ｗの編組体Ｗ２に接続された状態で雌側内導体７１の弾性接続部７２から外被覆Ｗ３の前端部までの領域を覆っている。
つまり、雄コネクタ２０と雌コネクタ６０とは、互いに嵌合されると、図２に示されるように、前後方向にほぼ同径に構成された雄側外導体５０と、前後方向にほぼ同径に構成された雌側外導体９０とによって前後方向に覆われるようになっている。

また、接続大筒部９３は、図１および図９に示されるように、前後方向に延びる複数のスリット９３Ａの間に形成された複数の弾性接続片９４を有している。それぞれの弾性接続片９４は、径方向外側に向かって弾性変位可能とされている。

接続大筒部９３と雌側前誘電体８１との間には、図２および図３に示されるように、雄側外導体５０における接続筒部５６が進入可能とされている。接続大筒部９３と雌側前誘電体８１との間には、雄コネクタ２０と雌コネクタ６０とが嵌合する際に接続筒部５６が進入し、接続大筒部９３内に進入した接続筒部５６が複数の弾性接続片９４に弾性的に接触することによって雌側外導体９０と雄側外導体５０とが電気的に接続される。

［コネクタ１０の作用および効果］
本実施形態は、以上のような構成であって、続いて、コネクタ１０およびの作用および効果について説明する。
一般に、高周波信号の伝送経路では、特性インピーダンスが所定値に設定されることによってインピーダンス整合が図られる。
ここで、例えば、図１５に示されるように、雌側内導体５を雌側誘電体４が介在した状態で収容する雌側外導体３を有する雌コネクタ２と、雄側内導体９を雄側誘電体８が介在した状態で収容する雄側外導体７を有する雄コネクタ６とを備えたコネクタ１において、雌コネクタ２と雄コネクタ６とを嵌合させる。すると、雌側誘電体４と雄側誘電体８とが嵌合方向に対向した状態となると共に、雄側誘電体８から前方に突出した雄側内導体９が雌側誘電体４内に進入し、雄側内導体９と雌側内導体５とが接続される。

しかしながら、雌側誘電体４と雄側誘電体８との間には、雌側誘電体４と雄側誘電体８とが突き当たることを防止するためや、製造公差や組付公差などの影響により隙間Ｓが生じる場合がある。雌側誘電体４と雄側誘電体８との間に隙間Ｓが生じると、雄側内導体９の外周にいずれの誘電体４，８も配置されなくなる部分が生じ、隙間Ｓ部分における雄側内導体９の比誘電率が変化して雄側内導体が高インピーダンス状態となってしまう。この結果、隙間Ｓ部分においてインピーダンスの不整合が生じ、伝送信号が反射することによって伝送効率の低下してしまうことが懸念される。

そこで、本発明者らは、上記の課題を解決するため、鋭意検討を行った結果、本実施形態の構成を見出した。すなわち、本実施形態は、雌端子モジュール７０と、雌端子モジュール７０と嵌合する雄端子モジュール３０と、を備えたコネクタ１０であって、雌端子モジュール７０は、導電性の雌側内導体７１と、絶縁性の雌側誘電体８０と、導電性の雌側外導体９０とを有し、雌側外導体９０は、雌側誘電体８０を介在させた状態で雌側内導体７１を収容している。雄端子モジュール３０は、導電性の雄側内導体３１と、絶縁性の雄側誘電体４０と、導電性の雄側外導体５０とを有し、雄側外導体５０は、図２および図３に示されるように、雄側誘電体４０を介在させた状態で雄側内導体３１を収容すると共に、雌端子モジュール７０と雄端子モジュール３０とが嵌合した状態では、雌側外導体９０と接続される。雌側誘電体８０は、雌側嵌合部８４を有し、雄側誘電体４０は、雄側嵌合部４４を有している。

雌側嵌合部８４と雄側嵌合部４４とは、雌端子モジュール７０と雄端子モジュール３０とが嵌合した状態では、図２および図３に示されるように、雌端子モジュール７０と雄端子モジュール３０との嵌合方向に凹凸嵌合する。雄側内導体３１は、雄型接続部３２を有しており、雄型接続部３２は、雄側嵌合部４４から雌端子モジュール７０側である前方に向けて延びて形成されており、雄型接続部３２は、雌端子モジュール７０と雄端子モジュール３０とが嵌合した状態では、図２および図３に示されるように、雌側嵌合部８４内に進入して雌側内導体７１と接続される。

すなわち、本実施形態によると、雌端子モジュール７０と雄端子モジュール３０とが嵌合し、雄側嵌合部４４から延びる雄型接続部３２が雌側嵌合部８４内に進入して雌側内導体７１と接続された状態では、雌側嵌合部８４と雄側嵌合部４４とが嵌合方向に凹凸嵌合した状態となる。
したがって、雄型接続部３２の周りには、少なくとも雄側嵌合部４４または雌側嵌合部８４のいずれか一方が配置されることになる。これにより、雄型接続部３２における比誘電率の変化が抑制され、インピーダンスの変化が小さく抑えられる。つまりは、雄型接続部３２における高周波信号の反射損失を小さくすることでき、コネクタ１０において伝送効率が低下することを抑制できる。

雌側嵌合部８４および雄側嵌合部４４うちの一方の嵌合部である雄側嵌合部４４は、第１テーパ面４５を有する凸型に形成されており、他方の嵌合部である雌側嵌合部８４は、第２テーパ面８５を有する凹型に形成されており、第１テーパ面４５は、前側（他方の嵌合部側）に向かうほど雄型接続部３２の軸心に向かって傾斜しており、第２テーパ面８５は、雄側嵌合部４４側から離れるほど雄型接続部３２の軸心に向けて傾斜して第１テーパ面４５に沿って配置される。

一般に、雄型接続部が雌側嵌合部内に進入する部分では、雄側嵌合部の先端と雌側嵌合部の先端とが嵌合方向に突き当たって嵌合できなくなることを回避するために、雄側嵌合部の先端と雌側嵌合部の先端と間に隙間が生じるように構成される。

ここで、例えば、雄側嵌合部および雌側嵌合部のうちいずれか一方の嵌合部が円柱状に形成され、他方の嵌合部が円柱状に窪んだ凹部として形成される場合、他方の嵌合部における凹部の奥部では、雄型接続部の外周に凹部の内径と同じ大きさの隙間が生じてしまうため、雄型接続部におけるインピーダンスの変化が大きくなる傾向にある。

しかしながら、本実施形態によると、一方の嵌合部である雄側嵌合部４４が第１テーパ面４５を有する凸型に形成され、他方の嵌合部である雌側嵌合部８４が第２テーパ面８５を有する凹型に形成されている。

つまり、凹型に形成された雌側嵌合部８４は、図３に示されるように、奥部に向かうほど空間が狭くなっているから、雌側嵌合部８４の奥部における雄型接続部３２の外周の隙間Ｓを小さくできる。これにより、雄型接続部３２におけるインピーダンスの変化をさらに小さく抑えることができ、雄型接続部３２における高周波信号の反射損失をさらに小さくできる。

第１テーパ面４５は、図５から図７に示されるように、先細りとなる円錐状に形成されており、第２テーパ面８５は、図１０から図１２に示されるように、凹型の奥部に向かうほど円錐状に縮径して形成されている。
つまり、第２テーパ面８５によって凹型に形成された雌側嵌合部８４の奥部が雄型接続部３２を中心に狭い構成となるから、例えば、雌側嵌合部の一部に第２テーパ面を構成する場合に比べて、図３に示されるように、雄側嵌合部４４と雌側嵌合部８４との間の隙間を小さくできる。これにより、インピーダンスの変化をさらに小さく抑えることができ、高周波信号の反射損失をさらに小さくできる。

第１テーパ面４５と第２テーパ面８５とは、図３に示されるように、雌端子モジュール７０と雄端子モジュール３０とが嵌合した状態では密着している。つまり、第１テーパ面４５と第２テーパ面８５とが密着することによって雌側嵌合部８４と雄側嵌合部４４との間の隙間をさらに小さくできる。これにより、インピーダンスの変化をさらに小さく抑えることができ、高周波信号の反射損失をさらに小さくできる。

以上のように本実施形態は、雄型接続部３２の外周に、少なくとも雌側誘電体８０または雄側誘電体４０を配置すると共に、雄側嵌合部４４と雌側嵌合部８４との間の隙間を小さくしている。つまり、本実施形態のコネクタ１０は、雄型接続部３２におけるインピーダンスの変化を小さく抑えて高周波信号の反射損失を小さくし、伝送効率が低下することを抑制できる。

＜他の実施形態＞
本明細書で開示される技術は上記記述及び図面によって説明した実施形態に限定されるものではなく、例えば次のような種々の態様も含まれる。
（１）上記実施形態では、シールド電線Ｗは、同軸ケーブルとして構成されている。しかしながら、これに限らず、シールド電線が複数のケーブル芯線を有し、雄側誘電体に複数の雄側嵌合部を形成すると共に、雌側誘電体に複数の雌側嵌合部を形成してもよい。

（２）上記実施形態では、雌側誘電体８０を２つの誘電体によって構成し、雄側誘電体４０を２つの誘電体によって構成した。しかしながら、これに限らず、雌側誘電体や雄側誘電体が１つの誘電体によって構成されてもよい。

（３）上記実施形態では、雌側外導体９０を３つの外導体によって構成し、雄側外導体５０を２つの外導体によって構成した。しかしながら、これに限らず、雌側外導体や雄側外導体が１つの外導体によって構成されてもよい。

（４）上記実施形態では、第１テーパ面４５を有する円錐状に突出する雄側嵌合部４４と、第２テーパ面８５を有する円錐状に窪んだ雌側嵌合部８４とが前後方向に凹凸嵌合する構成とした。しかしながら、これに限らず、雌側嵌合部を円錐状に突出させ、雄側嵌合部を円錐状に窪ませて構成してもよく、雌側嵌合部を多角円錐状に窪ませて、雄側嵌合部を多角円錐状に突出させて構成してもよい。
また、図１４に示すように、雄側誘電体１４０に円柱状に突出して設けられた雄側嵌合部１４４と、雌側誘電体１８０に円柱状に凹んで設けられた雌側嵌合部１８４とが前後方向に凹凸嵌合する構成にしてもよい。なお、このとき、第１テーパ面と第２テーパ面とが完全に接触しない場合でも、第１テーパ面と第２テーパ面との隙間を一様とすることができるため、インピーダンスの局所的変化を抑えることができる。

１０： コネクタ
２０： 雄コネクタ
２１： 雄ハウジング
３０： 雄端子モジュール
３１： 雄側内導体
３２： 雄型接続部
３３： 電線接続部
４０： 雄側誘電体
４１： 雄側前誘電体
４２： 雄側本体部
４４： 雄側嵌合部
４５： 第１テーパ面
４６： 先端面
４８： 雄側後誘電体
５０： 雄側外導体
５１： 雄側前外導体
５４： 導体圧着部
５５： 中央圧着部
５６： 接続筒部
５８： 雄側後外導体
６０： 雌コネクタ
６１： 雌ハウジング
７０： 雌端子モジュール
７１： 雌側内導体
７２： 弾性接続部
７２Ａ： 弾性片
７３： 電線接続部
８０： 雌側誘電体
８１： 雌側前誘電体
８２： 雌側本体部
８４： 雌側嵌合部
８５： 第２テーパ面
８７： 雌側後誘電体
９０： 雌側外導体
９１： 雌側前外導体
９２： 筒状圧着部
９３： 接続大筒部
９３Ａ： スリット
９４： 弾性接続片
９５： 雌側中央外導体
９７： 雌側後外導体
Ｗ１： ケーブル芯線
Ｗ２： 編組体
Ｗ３： 外被覆
Ｗ： シールド電線

Claims (4)

1. 雌端子モジュールと、前記雌端子モジュールと嵌合する雄端子モジュールと、を有するコネクタであって、
   前記雌端子モジュールは、導電性の雌側内導体と、絶縁性の雌側誘電体と、導電性の雌側外導体とを有し、
   前記雌側外導体は、前記雌側誘電体を介在させた状態で前記雌側内導体を収容しており、
   前記雄端子モジュールは、導電性の雄側内導体と、絶縁性の雄側誘電体と、導電性の雄側外導体とを有し、
   前記雄側外導体は、前記雄側誘電体を介在させた状態で前記雄側内導体を収容すると共に、前記雌端子モジュールと前記雄端子モジュールとが嵌合した状態では、前記雌側外導体と接続され、
   前記雌側誘電体は、雌側嵌合部を有し、
   前記雄側誘電体は、雄側嵌合部を有し、
   前記雌側嵌合部と前記雄側嵌合部とは、前記雌端子モジュールと前記雄端子モジュールとが嵌合した状態では、前記雌端子モジュールと前記雄端子モジュールとの嵌合方向に凹凸嵌合し、
   前記雄側内導体は、雄型接続部を有しており、
   前記雄型接続部は、前記雄側嵌合部から前記雌端子モジュール側に向けて延びて形成されており、
   前記雄型接続部は、前記雌端子モジュールと前記雄端子モジュールとが嵌合した状態では、前記雌側嵌合部内に進入して前記雌側内導体と接続されており、
   前記雌側嵌合部および前記雄側嵌合部のうちの一方の嵌合部のみが第１テーパ面を有する凸型に形成されており、他方の嵌合部のみが第２テーパ面を有する凹型に形成されており、
   前記第１テーパ面は、前記他方の嵌合部側に向かうほど前記雄型接続部の軸心に向かって傾斜しており、
   前記第２テーパ面は、前記一方の嵌合部側から離れるほど前記雄型接続部の軸心に向けて傾斜して前記第１テーパ面に沿って配置されるコネクタ。
2. 前記第１テーパ面は、先細りとなる円錐状に形成されており、
   前記第２テーパ面は、凹型の奥部に向かうほど円錐状に縮径して形成されている請求項１に記載のコネクタ。
3. 前記第１テーパ面と前記第２テーパ面とは、前記雌端子モジュールと前記雄端子モジュールとが嵌合した状態では密着している請求項２に記載のコネクタ。
4. 前記雌端子モジュールを収容する雌ハウジングと、
   前記雄端子モジュールを収容すると共に、前記雌ハウジングと嵌合可能な雄ハウジングとをさらに備える請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のコネクタ。

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