JP2021047151A - レーザー脱離/イオン化質量分析用基板、及び、それを用いたレーザー脱離/イオン化質量分析法 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明のレーザー脱離/イオン化質量分析用基板は、レーザー脱離/イオン化質量分析法に用いる分析用の基板であって、該基板が一方の面に窒化チタン(TiN)のナノピラーからなるピラーアレイ構造を有しており、かつ、該ピラーアレイ構造を形成するナノピラーのアスペクト比の平均値が1.5以上であることを特徴とするものである。
本発明の質量分析用基板を調製するための方法は特に制限されず、得られる基板の一方の面にピラーアレイ構造を形成することが可能な方法(前記基材の表面上にピラーアレイ構造を形成することが可能な方法)である限り適宜利用できる。このような本発明の質量分析用基板を調製するための方法としては、中でも、斜め方向からの電子ビーム蒸着法を利用してターゲットとなるチタン(メタル状)に電子ビームを照射して、基材上にチタンの蒸着粒子を堆積させて、複数のナノピラー(チタン(メタル状)の蒸着粒子の堆積物)が配列された構造を形成する工程(I)と、該工程(I)により得られたチタン(メタル状)からなるナノピラーをそれぞれ窒化することにより前記基材上に窒化チタンからなるナノピラーを配列させたピラーアレイ構造を形成して、上記本発明の質量分析用基板を得る工程(II)とを含む方法(かかる方法を、便宜上、「電子ビーム蒸着を利用する調製方法」と称する)を好適に採用することができる。以下、このような電子ビーム蒸着を利用する調製方法において採用する工程(I)と工程(II)を分けて説明する。
工程(I)は、電子ビーム蒸着法を利用してターゲットとなるチタン(メタル状)に電子ビームを照射して、基材上にチタンの蒸着粒子を堆積させて、複数のナノピラー(チタン(メタル状)の蒸着粒子の堆積物)が配列された構造を形成する工程(電子ビーム蒸着工程)である。以下、このような電子ビーム蒸着工程を図面を参照しながら説明する。なお、以下の説明及び図面中、同一又は相当する要素には同一の符号を付し、重複する説明は省略する。
工程(II)は、前記工程(I)により得られたチタン(メタル状)からなるナノピラーをそれぞれ窒化することにより前記基材上に窒化チタンからなるナノピラーを配列させたピラーアレイ構造を形成して、上記本発明の質量分析用基板を得る工程である。
このような疎水層の調製方法は、特に制限されないが、例えば、疎水性材料を含む疎水化処理液を、前記ピラーアレイ構造を有する側の前記基板の表面上に接触せしめることで、ナノピラーの表面上に疎水層を調製する方法を好適に利用することが可能である。以下、このような疎水層の調製方法として好適に利用することが可能な方法について簡単に説明する。
であることが好ましく、例えば、式:−CF2−CF2−O−、−CF2−CF2−CF2−O−、−CF2−CF2−CF2−CF2−O−で表される基等が挙げられる。
で表される化合物(高分子成分);トリメトキシ(3,3,3−トリフルオロプロピル)シラン、トリエトキシ(1H,1H,2H,2H−パーフルオロオクチル)シラン、トリメトキシ(1H,1H,2H,2H−ノナフルオロヘキシル)シラン、トリエトキシ(1H,1H,2H,2H−トリデカフルオロオクチル)シラン)等のフッ化アルキルトリアルコキシシラン;トリフルオロプロピルジメチルクロロシラン等のトリフルオロアルキルジアルキルクロロシラン;クロロトリメチルシラン、クロロトリエチルシラン、トリプロピルクロロシラン等のトリアルキルクロロシラン;(2−クロロエチル)トリメトキシシラン、3−クロロプロピルトリメトキシシラン等の塩化アルキルトリアルコキシシラン;(ヘプタデカフルオロ−1,1,2,2−テトラヒドロデシル)ジメチルクロロシラン、オクタデシルトリクロロシラン、テトラメチル−1,3−ビス(クロロメチル)ジシラザン、ヘキサメチルジシラザン、3−(メタクリロイルオキシ)プロピルトリメトキシシラン等の疎水基を含有するシラン化合物;等を好適に利用できる。なお、このような疎水性材料としては、市販品を適宜利用してもよく、例えば、上記式(1)で表される化合物としてダイキン工業製の商品名「オプツール(登録商標)DSX」を利用してもよい。
本発明のレーザー脱離/イオン化質量分析法は、レーザー脱離/イオン化質量分析法に用いる分析用基板が、上記本発明のレーザー脱離/イオン化質量分析用基板であることを特徴とする方法である。
レーザー脱離/イオン化質量分析用基板を以下のようにして製造した。以下、図1及び図2を参照しながら説明する。
スパッタ法により、平板状のシリコン基材(縦:10mm、横:10mm、厚み:0.525mm)の表面上に100nmの窒化チタン薄膜を成膜し、シリコン基材10Aと該基材10A上に積層された窒化チタン薄膜10Bとを備える基材10を調製した。なお、製膜時に採用したスパッタ条件は、雰囲気:アルゴンと窒素の混合ガス雰囲気(窒素の含有量:5.9容量%)、ターゲット:Ti、圧力:0.3Pa、電力:500W及びスパッタ時間:13分50秒という条件とした。
工程(A)で得られた基材10を用い、該基材の窒化チタン薄膜10Bの表面上に、いわゆる斜め入射の電子ビーム蒸着(EB蒸着)により、チタン(メタル状)からなるナノピラー(蒸着粒子の堆積物)を複数形成し、窒化チタン薄膜10Bの表面上にチタンのナノピラーが配列されたピラーアレイ構造を形成せしめて、基板の前駆体を得た。なお、前記EB蒸着(ピラーアレイ構造の形成)に際しては、電子ビーム蒸着装置(キャノンアネルバ株式会社製の商品名「L−045E蒸着装置」)を用い、図2に模式的に示すように基材10やターゲット(蒸着源)23等を配置し、基材ホルダ24を回転させながらターゲット23に対して電子ビームEを照射して、基材10の窒化チタン薄膜10Bの表面上にチタン粒子の蒸着を行うことで、チタンの蒸着粒子の堆積物からなる複数のナノピラー11を形成した。なお、このようなEB蒸着において採用した具体的な条件を以下に示す。
・基材10:工程(A)で調製した基材
・容器22:直径20mm、高さ20mmのカーボン製の坩堝
・ターゲット23:チタンのタブレット(直径10mm、高さ5mm、純度:99.9%)
・基材ホルダ24の回転速度:4.6rpm
・平行距離d及び高さh:d=250mm、h=20mm
・蒸着速度:2Å/秒
・蒸着角度(角度θ):85.4°
・圧力:10−3Pa以下の真空条件
・蒸着時の温度条件:25℃
・蒸着時間:ナノピラーの高さ(計算値)が250nmとなるまで実施。
先ず、ガス導入管と排ガス管とが接続された容器を準備し、かかる容器内にアンモニアとアルゴンの混合ガス(アンモニアのキャリアガスとしてアルゴンを利用)を流して、容器内のガス雰囲気をアンモニアとアルゴン(不活性ガス)とからなるガス雰囲気(アンモニアとアルゴンの混合ガス雰囲気:アンモニアとアルゴンの容量比は0.5:0.1)に置換した。次いで、該容器内に前記工程(B)で得られた基板の前駆体を投入した後、該容器内にアンモニアとアルゴンとを流量がそれぞれ0.5L/分(アンモニア)及び0.1L/分(アルゴン)となるような条件で流しながら、昇温速度10℃/分の条件で室温(25℃)から800℃まで昇温し、800℃にて1時間保持することによりアンモニアの存在するガス雰囲気下において前記前駆体を加熱し、該前駆体の表面上に形成されているチタンのナノピラーを窒化した。このようにして、基材10の表面上(窒化チタン薄膜10Bの表面上)に窒化チタンのナノピラー11が複数配列されてなるピラーアレイ構造が形成されたレーザー脱離/イオン化質量分析用基板1を得た。なお、このようにして得られたレーザー脱離/イオン化質量分析用基板の表面上に形成されたピラーアレイ構造の特性を以下に示す。
上述のようにして得られたレーザー脱離/イオン化質量分析用基板1の表面に形成されたピラーアレイ構造の特性を確認するために、先ず、走査型電子顕微鏡(SEM)を用いた測定を行った。なお、走査型電子顕微鏡(SEM)としては、日立ハイテクノロジーズ社製の走査型電子顕微鏡(商品名「Hitachi S−4800」)を用いた。
<レーザー脱離/イオン化質量分析用基板の調製工程>
実施例1で採用した方法(工程(A)〜(C)を実施する方法)と同様の方法を採用して、一方の面にアスペクト比の平均値が2.4のナノピラー11が複数配列されたピラーアレイ構造が形成されたレーザー脱離/イオン化質量分析用基板1を調製した(図1参照)。
上述のようにして得られた基板1の表面上に、以下のようにして疎水層を形成し、窒化チタンからなるナノピラーが形成されている面の表面上に積層された疎水層を有する形態のレーザー脱離/イオン化質量分析用基板を得た。すなわち、先ず、疎水基としてフルオロエーテル基を有するケイ素アルコキシド(ダイキン工業製の商品名「オプツール(登録商標)DSX」)からなる疎水性材料をハイドロフルオロエーテルで0.1質量%に希釈することにより疎水化処理液を調製した。次に、該疎水化処理液中に前記基板1を1分間浸した後、前記基板1を前記疎水化処理液からゆっくり引き上げ、60℃の飽和水蒸気に3時間暴露することにより、基板1の表面に疎水性材料からなる疎水層を形成した。次いで、このようにして疎水層を形成した基板1をハイドロフルオロエーテルに浸漬し、5分間超音波洗浄を行うことで、余剰の疎水性材料を除去した。このようにして基板の表面の全面に疎水層を形成し、窒化チタンからなるナノピラーが形成されている面の表面上に積層された疎水層(疎水性材料からなる層)を有する形態のレーザー脱離/イオン化質量分析用基板を得た。なお、このような疎水層を有する形態のレーザー脱離/イオン化質量分析用基板は、疎水化処理前の基板が実施例1と同様の方法で製造したものであることから、アスペクト比の平均値が1.5以上のナノピラー(窒化チタンからなり、かつ、表面に疎水層が積層された柱状体)が複数配列されたピラーアレイ構造を表面に有する基板であることは明らかである。
工程(A)を実施せずに、工程(B)において工程(A)で得られた基材10を用いる代わりに平板状のシリコン基材(縦:10mm、横:10mm、厚み:0.525mm)をそのまま用いた以外は、実施例1と同様にして、一方の面に窒化チタンからなるナノピラーが複数配列されてなるピラーアレイ構造が形成されたレーザー脱離/イオン化質量分析用基板を得た(シリコン基材の表面に窒化チタンのナノピラーからなるピラーアレイ構造を直接形成して、レーザー脱離/イオン化質量分析用基板を得た)。なお、このようにして得られたレーザー脱離/イオン化質量分析用基板に対して、実施例1と同様にして走査型電子顕微鏡(SEM)を用いた測定を行って平均直径を求めた結果、ナノピラーの平均直径は100nmであることが確認された。また、ナノピラーの平均高さは、実施例1と同様に、その製造条件から250nm(計算値:[蒸着速度]×[蒸着時間])であるものと擬制した。そのため、ナノピラーのアスペクト比の平均値は2.5であることが確認された。また、実施例1と同様にして基板表面上の測定領域の面積に対して該測定領域内に存在する全てのナノピラーが占める面積の割合(密度)を求めたところ、その割合(密度)は48.0%となっていた。また、このような測定の結果として、実施例3で得られたレーザー脱離/イオン化質量分析用基板の表面の斜め方向のSEM写真(ナノピラーが形成された表面に対して垂直な方向に対してなす角度が35°となる斜め方向から確認したSEM像)を図4に示し、図4中の一部を拡大したSEM写真を図5に示す。なお、図4や前述のように2値化した画像等から、直径を測定したピラー(無作為に選択した50点のピラー)はいずれも、直径が65〜170nmの範囲に入っており、かつ、その形状は直径の大きさよりも高さの大きさが大きな柱状体となっていることが確認できたことから(ナノピラーの高さがいずれも上記計算値(250nm)であると擬制した場合にはアスペクト比はいずれも1.47以上である)、これらはいずれも「ナノピラー」であると判断できた。
実施例1で採用している工程(A)と同様の工程を採用して、シリコン基材と該基材の表面上に積層された100nmの窒化チタン薄膜とを備える積層体を調製し、得られた積層体をそのまま、比較のためのレーザー脱離/イオン化質量分析用基板とした。
先ず、市販の窒化チタンのナノ粒子からなる粉末(富士フィルム和光純薬社製の商品名「窒化チタン」、平均粒径:50nm)を用いて、窒化チタンのナノ粒子の濃度が10mg/mLとなるように、アセトニトリル(溶媒)中に窒化チタンのナノ粒子を導入(分散)し、超音波で20分間処理して分散液を得た。次に、実施例1の工程(A)で用いたシリコン基材と同様のシリコン基材を準備し、該シリコン基材の表面上に前記分散液を0.5mL滴下し、溶媒を蒸発させて、前記シリコン基材の表面上に窒化チタンのナノ粒子を担持した。このようにして得られた、窒化チタンのナノ粒子を担持したシリコン基材を、比較のためのレーザー脱離/イオン化質量分析用基板とした。
レーザー脱離/イオン化質量分析法に用いる分析用の基板として、実施例1で得られたレーザー脱離/イオン化質量分析用基板(以下、場合により、単に「実施例1で得られた基板」と称する)を利用し、以下のようにして、レーザー脱離/イオン化質量分析(LDI−MS)を行った。
レーザー脱離/イオン化質量分析法に用いる分析用の基板として実施例1で得られた基板を用いる代わりに比較例1で得られたレーザー脱離/イオン化質量分析用基板(シリコン基材/窒化チタン薄膜(100nm)の積層体)を用いた以外は、実施例4で採用している方法と同様にしてレーザー脱離/イオン化質量分析(LDI−MS)を行い、マススペクトル(LDI−MSスペクトル)を求めた(なお、質量分析に際しては、基板の窒化チタン薄膜の表面上にアンジオテンシンI(試料)を担持した)。このようにして求められたマススペクトル(LDI−MSスペクトル)を図7に示す(図7中の右上の差し込み図は、質量電荷比(m/z)の値が1290〜1310付近のマススペクトルのグラフの拡大図である)。
レーザー脱離/イオン化質量分析法に用いる分析用の基板として実施例1で得られた基板を用いる代わりに比較例2で得られたレーザー脱離/イオン化質量分析用基板(窒化チタンのナノ粒子を担持したシリコン基材)を用いた以外は、実施例4で採用している方法と同様にしてレーザー脱離/イオン化質量分析(LDI−MS)を行い、マススペクトル(LDI−MSスペクトル)を求めた(なお、質量分析に際しては、基板の窒化チタンナノ粒子の担持部位にアンジオテンシンI(試料)を担持した)。このようにして求められたマススペクトル(LDI−MSスペクトル)を図8に示す。
実施例1で得られたレーザー脱離/イオン化質量分析用基板を用いて、レーザー脱離/イオン化質量分析法により質量分析した場合(実施例4)には、図6に示す結果からも明らかなように、マススペクトル(LDI−MSスペクトル)において、同位体を含むアンジオテンシンIのプロトン付加体のシグナルを明瞭に確認することができることが分かった(同位体を含むアンジオテンシンIのプロトン付加体のシグナルの検出強度が約3000となっていた)。これに対して、比較例1で得られたレーザー脱離/イオン化質量分析用基板を用いて、レーザー脱離/イオン化質量分析法により質量分析した場合(比較例3)には、図7に示す結果からも明らかなように、マススペクトル(LDI−MSスペクトル)において、同位体を含むアンジオテンシンIのプロトン付加体のシグナルを確認できるものの、かかるシグナルの検出強度は約70程度に過ぎず、実施例4で確認された検出強度(約3000)と対比すると非常に検出強度が低いものとなった。また、比較例2で得られたレーザー脱離/イオン化質量分析用基板を用いて、レーザー脱離/イオン化質量分析法により質量分析した場合(比較例4)には、アンジオテンシンIに由来するシグナル(ピーク)を全く観察することができなかった。
試料担持用溶液(アンジオテンシンIの溶液)中のアンジオテンシンIの濃度を1pmol/μLから1fmol/μLに変更し、かつ、質量分析時にスペクトルの積算回数(レーザー光の照射回数)を10回から400回に変更した以外は、実施例4で採用している方法と同様にしてレーザー脱離/イオン化質量分析(LDI−MS)を行い、マススペクトル(LDI−MSスペクトル)を求めた。このようにして求められたマススペクトル(LDI−MSスペクトル)を図10に示す。
測定対象分子(分析対象物質)をアンジオテンシンIからマルトヘプタオース(Maltoheptaose、分子量:1153)に変更し、試料担持用溶液としてアンジオテンシンIの溶液を用いる代わりに、濃度が5pmol/μLのマルトヘプタオースの溶液を用いた以外は、実施例4で採用している方法と同様にしてレーザー脱離/イオン化質量分析(LDI−MS)を行い、マススペクトル(LDI−MSスペクトル)を求めた。なお、濃度が5pmol/μLのマルトヘプタオースの溶液は、超純水中にマルトヘプタオースを濃度が5pmol/μLとなるように溶解するとともにイオン化剤としてのクエン酸を濃度が20nmol/μLとなるように添加することにより調製した。このようにして求められたマススペクトル(LDI−MSスペクトル)を図11に示す(図11中の右上の差し込み図は、質量電荷比(m/z)の値が1150〜1200付近のマススペクトルのグラフの拡大図である)。
レーザー脱離/イオン化質量分析法に用いる分析用の基板として実施例1で得られた基板を用いる代わりに実施例2で得られた基板(ナノピラーが形成されている面の表面上に疎水層が積層されている形態のレーザー脱離/イオン化質量分析用基板:窒化チタンのナノピラーが複数配列されている側の面を利用)を用い、かつ、イオン化剤としてクエン酸の代わりにトリフルオロ酢酸を用いてトリフルオロ酢酸の濃度が6.14nmol/μLとなる試料用の溶媒を準備した以外は、実施例4で採用している方法と同様にしてレーザー脱離/イオン化質量分析(LDI−MS)を行い、マススペクトル(LDI−MSスペクトル)を求めた。このようにして求められたマススペクトル(LDI−MSスペクトル)を図12に示す(図12中の右上の差し込み図は、質量電荷比(m/z)の値が1290〜1300付近のマススペクトルのグラフの拡大図である)。
レーザー脱離/イオン化質量分析法に用いる分析用の基板として実施例1で得られた基板を用いる代わりに実施例2で得られた基板(ナノピラーが形成されている面の表面上に疎水層が積層されている形態のレーザー脱離/イオン化質量分析用基板:窒化チタンのナノピラーが複数配列されている側の面を利用)を用い、かつ、質量分析時にレーザー強度を60%から70%に変更するとともにスペクトルの積算回数(レーザー光の照射回数)を10回から100回に変更した以外は、実施例6で採用している方法と同様にしてレーザー脱離/イオン化質量分析(LDI−MS)を行い、マススペクトル(LDI−MSスペクトル)を求めた。このようにして求められたマススペクトル(LDI−MSスペクトル)を図13に示す(図13中の右上の差し込み図は、質量電荷比(m/z)の値が1150〜1200付近のマススペクトルのグラフの拡大図である)。
レーザー脱離/イオン化質量分析法に用いる分析用の基板として実施例1で得られた基板を用いる代わりに実施例3で得られた基板(シリコン基材の表面に窒化チタンのナノピラーからなるピラーアレイ構造が直接形成されたレーザー脱離/イオン化質量分析用基板:窒化チタンのナノピラーが複数配列されている側の面を利用)を用い、測定対象分子(分析対象物質)をアンジオテンシンIからポリエチレングリコール4000(Polyethylene Glycol 4000:PEG4000、平均分子量:2700〜3500)に変更し、試料担持用溶液としてアンジオテンシンIの溶液を用いる代わりに濃度が2.5pmol/μLのポリエチレングリコール4000の溶液を用い、質量分析時にレーザー強度を60%から70%に変更するとともにスペクトルの積算回数(レーザー光の照射回数)を10回から100回に変更した以外は、実施例4で採用している方法と同様にしてレーザー脱離/イオン化質量分析(LDI−MS)を行い、マススペクトル(LDI−MSスペクトル)を求めた。得られたマススペクトル(LDI−MSスペクトル)を図14に示す。なお、濃度が2.5pmol/μLのポリエチレングリコール4000の溶液は、水とアセトニトリルの混合溶媒(アセトニトリル30容量%)中にイオン化剤(イオン化助剤)としてのクエン酸を20nmol/μLの濃度となるように添加した試料用の溶媒を準備し、該溶媒中にポリエチレングリコール4000を溶解することにより調製した。
測定対象分子(分析対象物質)としてアンジオテンシンIの代わりに、下記表1に記載のポリペプチド及びタンパク(インスリン、ユビキチン、及び、シトクロム C)のうちのいずれかを選択し、試料担持用溶液としてアンジオテンシンIの溶液の代わりに下記試料担持用溶液(A)〜(C)のうちのいずれかを用い、質量分析時にレーザー強度を下記表1に記載の強度に変更し、質量分析時にスペクトルの積算回数(レーザー光の照射回数)を下記表1に記載の回数に変更し、更に、リフレクトロンモードからリニアモードに変更して測定を行った以外は、実施例4で採用している方法と同様にしてレーザー脱離/イオン化質量分析(LDI−MS)を行い、マススペクトル(LDI−MSスペクトル)をそれぞれ求めた。
・試料担持用溶液(A):濃度が2.5pmol/μLのインスリンの溶液(溶媒:水とアセトニトリルの混合溶媒(アセトニトリル30容量%)、イオン化剤として20nmol/μLのクエン酸を含む)
・試料担持用溶液(B):濃度が5pmol/μLのユビキチンの溶液(溶媒:水とアセトニトリルの混合溶媒(アセトニトリル30容量%)、イオン化剤として20nmol/μLのクエン酸を含む)
・試料担持用溶液(C):濃度が2.5pmol/μLのシトクロム Cの溶液(溶媒:水とアセトニトリルの混合溶媒(アセトニトリル50容量%)、イオン化剤として20nmol/μLのクエン酸を含む)
レーザー脱離/イオン化質量分析法に用いる分析用の基板として実施例1で得られた基板を用いる代わりに実施例2で得られた基板(窒化チタンのナノピラーが複数配列されている側の面を利用)を用い、レーザー強度を60%に変更し、スペクトルの積算回数(レーザー光の照射回数)を100回に変更した以外は、実施例10で採用している方法と同様にしてレーザー脱離/イオン化質量分析(LDI−MS)を行い、マススペクトル(LDI−MSスペクトル)をそれぞれ求めた。得られたマススペクトル(LDI−MSスペクトル)を図18に示す。なお、図18中のピークP4のシグナルがインスリンに由来するピーク(一価のプロトン付加体に由来するピーク)である。
レーザー脱離/イオン化質量分析法に用いる分析用の基板として実施例1で得られた基板を用いる代わりに実施例3で得られた基板(窒化チタンのナノピラーが複数配列されている側の面を利用)を用い、測定対象分子(分析対象物質)としてアンジオテンシンIの代わりに下記表2に記載のタンパク(シトクロム C、ミオグロビン、トリプシノーゲン、アルブミン、トランスフェリン)のうちのいずれかを選択し、試料担持用溶液としてアンジオテンシンIの溶液の代わりに下記試料担持用溶液(D)〜(H)のうちのいずれかを用い、質量分析時にレーザー強度を下記表2に記載の強度に変更し、質量分析時にスペクトルの積算回数(レーザー光の照射回数)を下記表2に記載の回数に変更し、更に、リフレクトロンモードからリニアモードに変更して測定を行った以外は、実施例4で採用している方法と同様にしてレーザー脱離/イオン化質量分析(LDI−MS)を行い、マススペクトル(LDI−MSスペクトル)をそれぞれ求めた。
・試料担持用溶液(D):濃度が5pmol/μLのシトクロム Cの溶液(溶媒:水とアセトニトリルの混合溶媒(アセトニトリル50容量%)、イオン化剤として20nmol/μLのクエン酸を含む)
・試料担持用溶液(E):濃度が5pmol/μLのミオグロビンの溶液(溶媒:水とアセトニトリルの混合溶媒(アセトニトリル50容量%)、イオン化剤として20nmol/μLのクエン酸を含む)
・試料担持用溶液(F):濃度が5pmol/μLのトリプシノーゲンの溶液(溶媒:水とアセトニトリルの混合溶媒(アセトニトリル50容量%)、イオン化剤として20nmol/μLのクエン酸を含む)
・試料担持用溶液(G):濃度が5pmol/μLのアルブミンの溶液(溶媒:水とアセトニトリルの混合溶媒(アセトニトリル30容量%)、イオン化剤として20nmol/μLのクエン酸を含む)
・試料担持用溶液(H):濃度が5pmol/μLのトランスフェリンの溶液(溶媒:超純水、イオン化剤として20nmol/μLのクエン酸を含む)
Claims (5)
- レーザー脱離/イオン化質量分析法に用いる分析用の基板であって、該基板が一方の面に窒化チタンのナノピラーからなるピラーアレイ構造を有しており、かつ、該ピラーアレイ構造を形成するナノピラーのアスペクト比の平均値が1.5以上であることを特徴とするレーザー脱離/イオン化質量分析用基板。
- 前記ナノピラーがチタンの蒸着粒子の堆積物の窒化物からなることを特徴とする請求項1に記載のレーザー脱離/イオン化質量分析用基板。
- 前記ピラーアレイ構造において、前記ナノピラーの平均直径が5〜300nmであり、かつ、前記ナノピラーの平均高さが40〜1500nmであることを特徴とする請求項1又は2に記載のレーザー脱離/イオン化質量分析用基板。
- 前記ピラーアレイ構造が形成されている基板表面を上方から走査型電子顕微鏡により測定した場合に、前記基板表面上の測定領域の面積に対して該測定領域内に存在する全てのナノピラーが占める面積の割合が30%〜90%であることを特徴とする請求項1〜3のうちのいずれか一項に記載のレーザー脱離/イオン化質量分析用基板。
- レーザー脱離/イオン化質量分析法に用いる分析用基板が、請求項1〜4のうちのいずれか一項に記載のレーザー脱離/イオン化質量分析用基板であることを特徴とするレーザー脱離/イオン化質量分析法。
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