KR20150052898A - 말디톱 질량분석기에 이용가능한 시료 플레이트 및 상기 시료 플레이트의 제조방법 - Google Patents

Abstract

말디톱 질량분석기에 이용가능한 시료 플레이트로서, 특히 수백 Da 수준의 고분자 물질의 분자량 측정에 특히 유용한 시료 플레이트, 및 상기 시료 플레이트의 제조방법이 제공된다. 본 발명에 따른 시료 플레이트는 타겟 플레이트, 상기 타켓 플레이트의 일면에 형성된 유기 매트릭스 및 상기 유기 매트릭스가 형성된 타겟 플레이스 위에 형성되고, 상기 유기 매트릭스를 전부 덮도록 형성된 파릴렌 박막을 포함한다.

Description

말디톱 질량분석기에 이용가능한 시료 플레이트 및 상기 시료 플레이트의 제조방법 {Sample plate using MALDI-TOF mass spectrometer and manufacturing method of the sample plate}

본 발명은 말디톱 질량분석기에 이용가능한 시료 플레이트로서, 특히 수백 Da 수준의 고분자 물질의 분자량 측정에 특히 유용한 시료 플레이트, 및 상기 시료 플레이트의 제조방법에 관한 것이다.

일반적으로 질량분석기는 화합물의 질량을 측정하는 분석기기로서 화합물을 하전시켜 이온화한 후 질량 대 전하량을 측정하여 화합물의 분자량을 결정하게 된다. 화합물을 이온화하는 방법으로는 전자빔을 이용하는 전자이온화법, 고속의 원자를 충돌시키는 방법, 레이저를 이용하는 방법 등이 알려져 있다.

이 중 레이저를 이용하는 방법은 화합물의 이온화를 돕는 매트릭스를 분석하고자 하는 화합물(시료)과 혼합하여 분석장치의 타겟에 배치한 후 레이저를 시료에 조사하면 시료가 매트릭스의 도움을 받아 쉽게 이온화되는 특징을 이용하여 시료를 이온화시키는 방법이다. 상기 방법은 고분자 물질의 분자량 측정이 가능하고, 감도가 높아 펩토몰 수준의 시료도 분석이 가능하며, 이온화 시 분석하고자 하는 화합물이 조각나는 현상을 크게 줄일 수 있다는 등의 장점이 있다. 따라서, 단백질, 핵산과 같은 분자량이 큰 생화학 물질의 질량분석에는 레이저를 이용하는 말디톱 질량분석법이 효과적이며, 이를 위한 장치인 말디톱 질량분석기가 최근 상용화되는 추세에 있다.

하지만, 상기 방법은 매트릭스를 사용하여 시료를 이온화시키므로 시료의 종류에 따라서 각각 다른 매트릭스 물질을 결정해야 한다는 불편함이 있다. 또한, 통상적인 매트릭스 물질은 수백 Da 정도의 분자량을 가지는데, 분석하고자 하는 화합물의 분자량이 매트릭스 물질의 분자량과 유사한 경우 매트릭스 분해물이 질량분석 스펙트럼에 나타나게 되므로, 수백 Da 수준의 화합물의 질량분석에는 사용하기 어렵다는 단점이 있다.

상기 단점을 해결하기 위하여 최근 상기 매트릭스 대신 금속 나노선을 이용한 말디톱 질량분석법이 대한민국 특허공개 제10-2005-92809호 및 대한민국 특허공개 제 10-2012-95638호 등에서 제시된 바 있다. 상기 금속 나노선을 이용한 말디톱 질량분석법은 전도체 또는 반도체 기판 상의 특정 영역에 나노선을 복수로 성장치켜 나노선 스폿을 형성한 후, 질량분석의 대상이 되는 화합물(시료)을 상기 나노선 스폿에 배치한 후 건조시킨 후, 상기 난노선 스폿에 레이저를 조사하여 나노선을 통해 에너지를 시료에 전달하여 시료를 탈착 및 이온화시키는 원리를 이용한 방법이다.

하지만, 상기 방법을 이용할 경우 나노선의 성장을 위하여, 통상적으로 VLS(vapor liquid solid) 합성법으로 통칭되는, 기판 위의 금속 촉매 위에 나노선으로 성장시키고자 하는 물질을 증기 전구체(vapor precursor)의 형태로 고온 고압의 캐리어(carrier) 가스와 함께 흘려 보내 성장시키는 방법이 이용된다. 그런데, 상기 VLS 방법으로 나노선 어레이를 형성하기 위해서는 먼저 금속 촉매를 어레이 형태로 기판에 올려야하는데, 그 어레이 기술을 적용하는 것은 난이도가 높아 대량 생산에 곤란하고, 동일한 수준의 나노선을 계속하여 형성하는 것이 곤란하다. 또한, VLS 방법은 공정이 고온 고압의 석영관(quartz tube)에서 이루어지기 때문에 생산 단가가 증가하며, 대량 생산이 어렵다는 단점이 있다.

따라서, 본 발명은 종래의 고분자 물질의 질량분석에 사용되는 말디톱 질량분석기용 시료 플레이트로서, 특히 수백 Da 수준의 분자량을 갖는 화합물의 분자량 분석에 특히 적합한 시료 플레이트를 제공하는 것을 목적으로 한다.

특히, 본 발명은 나노선을 이용한 제조가 어려운 나노선을 이용한 시료 플레이트를 사용하는 대신, 기존의 유기 매트릭스를 이용한 시료 플레이트를 이용하면서도 수백 Da 수준의 분자량을 갖는 화합물의 분자량을 정확하게 측정할 수 있는 시료 플레이트를 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 시료 플레이트는:

타겟 플레이트,

상기 타켓 플레이트의 일면에 형성된 유기 매트릭스, 및

상기 유기 매트릭스가 형성된 타겟 플레이스 위에 형성되고, 상기 유기 매트릭스를 전부 덮도록 형성된 파릴렌 박막을 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 본 발명에 따른 시료 플레이트는 상기 파릴렌 박막 위에 형성된 분석 대상물을 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 파릴렌 박막은 파릴렌-N 박막인 것이 바람직하다.

또한, 상기 파릴렌 박막은 10nm 내지 100nm의 두께로 증착되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 분석 대상물은 100Da 내지 1,000Da의 분자량을 가질 수 있다.

또한, 상기 시료 플레이트는 말디톱 질량분석기용 시료 플레이트인 것이 바람직하다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 시료 플레이트의 제조방법은:

타켓 플레이트의 일면에 유기 매트릭스를 형성하는 단계; 및

상기 유기 매트릭스가 형성된 타겟 플레이스 위에 형성되고, 상기 유기 매트릭스를 전부 덮도록 파릴렌 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 한다.

또한, 상기 방법은 상기 파릴렌 박막 위에 형성된 분석 대상물 형성하는 단계를 더 포함할 수 있다.

또한, 상기 파릴렌 박막은 파릴렌-N 박막인 것이 바람직하다.

또한, 상기 파릴렌 박막은 10nm 내지 100nm의 두께로 증착되는 것이 바람직하다.

또한, 상기 파릴렌 박막을 형성하는 단계는:

파릴렌 다이머를 파릴렌을 기화시키는 제 1 단계,

상기 기화된 파릴레 다이머를 열분해하여 중간 생성물을 형성하는 제 2 단계, 및

상기 중간생성물을 증착 챔버 내부로 도입하여, 유기 매트릭스가 형성된 타겟 플레이트 위에 파릴렌 박막을 증착시키는 제 3 단계를 포함하는 것이 바람직하다.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 시료 플레이트에 레이저를 조사하면 분석 대상물인 화합물의 이온화는 유기 매트릭스와 화합물을 혼합한 경우와 유사한 수준으로 진행되지만, 유기 매트릭스는 파릴렌 박막을 통과하여 디텍터에 도달하지 않게 되고, 디텍터에 충돌하는 이온은 모두 분석대상물의 이온이므로 유기 매트릭스의 성분에 상관없이 분석 대상물인 화합물의 종류를 정확하게 파악할 수 있다.

도 1(a)은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 시료 플레이트를 형성하는 절차를 개략적으로 도시한 개요도,
도 1(b)는 상기 방법에 따라서 형성된 시료 플레이트의 구조를 개략적으로 도시하는 도면,
도 2는 파릴렌 박막 형성장치의 일례를 도시하는 블록도,
도 3은 본 실시예에서 사용되는 말디톱 질량분석기의 구조의 일례를 도시하는 도면,
도 4(a)는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 시료 플레이트에서 파릴렌 박막을 형성하였을때 AFM 이미지를 도시하는 도면,
도 4(b)는 파릴렌-N 박막으로 코팅된 Au 전극을 이용하여 사이클릭 볼타메트리를 측정한 결과를 도시하는 도면,
도 5는 다양한 방법으로 시료 플레이트를 만든 후 분자량을 측정한 결과를 도시하는 도면,
도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 시료 플레이트를 이용하여 다양한 분자량을 갖는 화합물에 대하여 분자량을 측정한 결과를 도시하는 도면이다.

본 발명의 바람직한 실시예에 따른 시료 플레이트 및 그 제조방법을 이하에서 상세하게 설명한다.

도 1(a)은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 시료 플레이트를 형성하는 절차를 개략적으로 도시한 개요도이고, 도 1(b)는 상기 방법에 따라서 형성된 시료 플레이트의 구조를 개략적으로 도시하는 도면이다.

도 1에서 보듯이 먼저, 말디톱 질량분석기에 사용한 타겟 플레이트를 준비한다. 타겟 플레이트는 금속 재질로서 스테인레스 스틸을 주로 사용하지만 반드시 그에 한정되는 것은 아니다.

다음으로 타겟 플레이트 위에 유기 매트릭스 용액을 드랍하고 용매를 건조시켜, 유기 매트릭스를 형성한다. 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 실험에서는 α-시아노(ciano)-4-하이드록시시나믹산(hydroxycinnamic)(CHCA) 유기 매트릭스를 형성하기 위하여 유기 매트릭스 용액으로서 0.1% 트리플루오로아세트산(trifluoroacetic acid)이 첨가된 아세토니트릴(acetonitrile)/물(1:1, v/v)에 10mg/ml 농도로 α-시아노(ciano)-4-하이드록시시나믹산(hydroxycinnamic)(CHCA)가 용해된 용액을 사용하였다. 하지만, 상기 유기 매트릭스 용액은 분석하려는 화합물의 종류에 따라서 다양하게 선택가능한 것이며 본 발명은 상기 용액으로 한정되는 것이 아님을 이해할 것이다.

다음으로, 유기 매트릭스가 형성된 타겟 플레이트를 파릴렌 박막으로 증착한다.

일반적으로 파릴렌은 p-자일렌(p-xylene)이 중합되어 있는 폴리머로 투명하고, 방수, 내화성 및 내식성을 갖고 있어서 다양한 분야에서 응용가능하다. 또한, 통상적으로 기판 위에 증착되는 파릴렌은 일반적으로 p-자일렌 다이머를 의미하며 파릴렌 N으로 통칭된다.

도 2는 파릴렌 박막을 형성하는 장치의 일례를 예시하는 블록도이다. 도 2에서 보듯이, 종래의 파릴렌 박막 형성 장치는 파릴렌 다이머 분말을 가열하여 파릴렌을 기화시키는 기화부(1), 상기 기화된 파릴레 다이머 기체를 고온에서 열분해하여 중간 생성물인 고반응성 p-자일렌 라디칼을 형성하는 열분해부(2), 상기 열분해된 고반응성 p-자일렌 라디칼을 도입하여 진공 상태에서 상기 고반응도 p-자일렌 라디칼을 기판(기질)에 증착시키는 증착 챔버(3), 상기 증착 챔버(3)로부터 파릴렌 모노머 기체를 흡입하고, 콜드 트랩을 통한 트래핑을 가능하게하는 진공 펌프(4) 및 박막 형성 장치의 각종 기능 및 동작을 제어하는 제어부(5)를 포함한다. 또한, 도 2에는 도시하지 않았지만, 파릴렌 박막 형성 장치는 상기 기화부(1), 열분해부(2), 증착 챔버(3) 및 진공 펌프(4)를 연결하는 연결관, 상기 기화부(1), 열분해부(2), 증착 챔버(3) 및 진공 펌프(4)를 조절하기 위한 각종 밸브 등 구성요소를 더 포함한다.

본 발명의 바람직한 실시예에 따르면 파릴렌 박막 형성 방법은 파릴렌 다이머를 파릴렌을 기화시키는 제 1 단계, 상기 기화된 파릴레 다이머를 열분해하여 중간 생성물을 형성하는 제 2 단계 및 상기 중간 생성물을 증착 챔버 내부로 도입하여, 상기 증착 챔버 내부에 형성된 기판 위에 파릴렌 박막을 증착시키는 제 3 단계로 구성된다.

구체적으로, 제 1 단계에서 기화되는 파릴렌 다이머는 효과적인 기화를 위하여 파릴렌 다이머 분말인 것이 바람직하다. 이 경우, 파릴렌 다이머 분말이 액화되지 않고 곧바로 기화되도록 100℃ 이상, 바람직하게는 140℃ 내지 180℃의 온도에서 파릴렌 다이머 분말을 기화시키는 것이 바람직하다.

또한, 제 2 단계에서 파릴렌 다이머 기체는 600℃ 이상, 더욱 바람직하게는 650℃ 이상의 온도에서 열분해된다. 상기 열분해에 의하여 파릴렌 다이머 분말은 중간 생성물이 형성되는데, 파릴렌 N을 열분해할 경우 중간 생성물은 고반응성 p-자일렌 라디칼이 형성된다.

또한, 상기 제 3 단계에서 열분해된 중간 생성물은 증착 챔버 내부로 도입되어, 상기 증착 챔버 내부에 형성된 기판 위에 증착되어 파릴렌 박막을 형성한다. 상기 파릴렌 박막의 형성은 진공 및 상온 조건에서 수행되는 것이 바람직하다.

한편, 본 발명의 바람직한 실시예에 따르면 상기 증착 챔버 내부에 형성된 기판은 유기 매트릭스가 형성된 타겟 플레이트가 된다.

이러한 파릴렌 박막의 증착은 기체상에서 이루어지는 특성으로 인하여 기질 모양과 상관없이 균일한 증착이 가능하다는 장점이 있다. 또한, 파릴렌은 박막 성장이 느린 특성으로 인해 수십 나노미터 이하의 두께를 갖는 박막으로 제조가 가능하며, 표면이 균질하고 치밀하여 우수한 방수 특성 및 전기 절연성을 갖는다.

하지만, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 상기 방법 외에 다양한 방법으로 파릴렌 박막을 형성할 수 있으며, 본 발명은 상기 본 실시예에 따른 방법으로 한정되지 않는 것을 이해할 것이다.

또한, 상기 파릴렌 박막이 증착된 타겟 플레이트에서 유기 매트릭스의 윗부분에는 분석하려는 화합물을 형성하고, 말디톱 질량분석기의 지정된 위치로 도입되어 질량분석을 할 수 있다. 상기 화합물은 예컨데, 분석하려는 화합물(시료)을 소정의 용매와 혼합한 후, 유기 매트릭스가 형성된 파릴렌 박막 위에 위치시키고, 이어서 상기 시료 용액을 건조시켜 시료를 결정화함으로서 형성된다.

상기 실시예에 따라 형성된 나노 입자가 고정된 나노 웹 매트릭스를 이용하여 소정의 시료에 대한 질량분석을 수행하는 방법을 이하에서 설명한다. 도 3은 본 실시예에서 사용되는 말디톱 질량분석기의 구조의 일례를 도시하는 도면이다.

이어서, 상기 시료 플레이트를 도 3에 도시된 질량분석기 메인 챔버의 지정된 위치(샘플 플레이트(Sample Plate)로 표시된 곳)에 배치한 후, 레이저 발생장치에서 레이저를 조사한다. 그러면, 상기 시표 플레이트의 표면에 조사된 레이저는 분석 대상물인 화합물의 일부를 이온화시키고, 이온화된 시료는 전기장에 의해 가속되어 비행 튜브를 통과한다. 비행 튜브를 통과한 이온화된 시료는 디텍터에 충돌하게 되고, 질량분석기는 이온화된 시료가 시료 플레이트의 표면에서부터 디텍터에 충돌하기까지 걸린 시간을 계산함으로써 시료를 구성하는 화합물의 질량을 파악할 수 있다.

도 4(a)는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 시료 플레이트에서 파릴렌 박막을 각각 25nm, 50nm 및 125nm 두께로 형성하였을때 AFM 이미지를 도시하는 도면이고, 도 4(b)는 페리사이어나이드(ferricyanide; Fe(CN)₆ ^3-/4-)의 레독스 커플(redox couple)을 이용하여 파릴렌-N 박막으로 코팅된 Au 전극을 이용하여 사이클릭 볼타메트리(cyclic voltammetry)를 측정한 결과를 도시하는 도면이다.

사이클릭 볼타메트리는 급박막을 활동전극으로 사용하여 포텐셜을 가했을때 활동전극에서 일어나는 페리사이어나이드의 산화-환원반응에 의해 발생하는 산화-환원전류를 측정하는 방법이다. 도 4에서 보이는 바와 같이 파릴렌-N 박막이 50 nm이하 일때에는 페리사이아나이드의 산화-환원 포텐셜에서 산화-환원 전류피크가 발생하는 것을 관찰할 수 있다. 이와 같은 현상은 금박막상에 파릴렌-N이 코팅되었지만 금박막(전극)이 일부 노출되어 페리사이아나이드가 금박막 상에서 산화-환원반응을 일으켰기 때문이다. 즉, 금박막이 일부 노출되어있음을 보여준다. 파릴렌-N 박막의 두께가 125nm인 경우 앞서와 같은 산화-환원전류에 의한 피크가 발생되지 않고 있으며, 이와같은 현상은 파릴렌-N 박막의 두께가 두꺼워짐에 따라 금전극이 노출되지 않음을 보여준다. 즉, 50 nm이하의 파릴렌-N 박막을 매트릭스 위에 코팅하는 경우 박막이 부분 투과성을 나타내어 시료가 가해지는 경우 미세하게 매트릭스와 시료가 혼합된 것으로 판단된다.

도 5는 타겟 플레이트에 유기 매트릭스만 형성한 경우(a), 파릴렌 박막만 형성한 경우(b), 유기 매트릭스 위에 파릴렌 박막을 형성한 경우(c) 및 유기 매트릭스 위에 파릴렌 박막과 분석 대상물인 화합물을 모두 형성한 경우(d)에 대하여 말디톱 질량 분석기를 이용하여 다양한 강도(30%, 50%, 55%, 60%, 95%)로 레이저를 조사하여 질량 분석을 실시한 결과를 도시하는 도면이다. 도 5에서 사용된 유기 매트릭스는 α-시아노(ciano)-4-하이드록시시나믹산(hydroxycinnamic)(CHCA)이고, 분석대상물인 화합물은 모델 펩타이드(브래디키닌(bradykinin) 조각, 분자량 756.4g/mol)이다.

도 5(a)에서 보듯이, 타겟 플레이트에 유기 매트릭스만 형성한 경우에는 말디톱 질량분석기에서 레이저를 조사하면 유기 매트릭스가 이온화되어 디텍팅되므로 수백Da 크기의 분자량을 갖는 많은 유기 매트릭스를 구성하는 성분들이 검출된다. 또한, 도 5(b)의 파릴렌 박막만 형성한 경우에는 말디톱 질량분석기에서 레이저를 조사하여도 이온화되어 디텍팅되는 성분이 거의 없는 것을 확인할 수 있다.

또한, 도 5(c)의 유기 매트릭스 위에 파릴렌 박막을 형성한 경우에는 도 5(b)와 유사하게 이온화되어 디텍팅되는 성분이 거의 없는 것을 확인할 수 있는데, 이것은 유기 매트릭스 성분이 이온화되지 않았거나, 이온화 되더라도 파릴렌 막막을 뚫고 나와 디텍터(detector)까지 도달하여 디텍팅되지 않았음을 의미한다.

또한, 도 5(d)의 유기 매트릭스 위에 파릴렌 박막과 분석 대상물인 화합물을 모두 형성한 경우 분석 대상물의 분자량에서 피크가 크게 나타나고, 유기 매트릭스 성분의 분자량에서는 피크가 나타나지 않는 것을 확인할 수 있다. 이것은 유기 매트릭스에 의하여 분석 대상물의 이온화는 효과적으로 이루어진 반면, 유기 매트릭스 성분은 이온화되지 않았거나, 이온화 되더라도 파릴렌 막막을 뚫고 나와 디텍터(detector)까지 도달하여 디텍팅되지 않았음을 보여준다.

또한, 도5에서 레이져가 55% 일때에는 분석 대상물의 분자량 피크가 나타나지만, 레이져의 강도가 강해지는 경우 작은 분자량의 피크만이 관찰된다. 이와같은 현상은 레이져의 에너지가 시료분자에 전달된후 시료분자가 분해되고, 시료의 잔해물이 이온화되어 피크를 나타내는 것으로 판단된다. 따라서, 정확한 분자량의 측정을 위해서는 적절한 강도의 레이져 조사가 요구된다.

도 6은 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 시료 플레이트, 즉, 유기 매트릭스 위에 파릴렌 박막을 형성하고, 그 위에 분석 대상물인 화합물을 다양한 방법으로 형성하여 분자량을 측정한 결과를 도시하는 도면이다. 본 실시예에서 사용된 화합물은 극성(글라인 및 세린), 무극성(프롤린 및 페닐알라닌), 산(아스파틱산 및 글루탐산), 염기(히스티딘 및 아르지닌)이다. 또한, 각 화합물은 시료 매트릭스의 스폿에 각각 1.25nmol 제공되었으며, 레이저 조사 강도는 55%로 고정하였다.

도 6(a)는 상기 8개의 화합물을 각각 유기 매트릭스 및 파릴렌 박막이 형성된 시료 플레이트 위에 형성한 후 분자량을 측정한 결과를 도시하는 도면으로서, 도 6(a)에서 보듯이, 상기 8개의 화합물들은 모두 각 화합물의 분자량이 정확하게 측정되었음을 확인할 수 있다. 또한, 도 6(b)는 상기 8개의 화합물을 1개의 유기 매트릭스 및 파릴렌 박막이 형성된 시료 플레이트 위에 형성한 후 분자량을 측정한 결과를 도시하는 도면으로서, 도 6(b)에서 보듯이, 상기 8개의 화합물들이 모두 섞인 경우에도 모든 화합물의 분자량이 정확하게 측정되는 것을 확인할 수 있다. 이 것은 본 발명에 따른 시료 플레이트를 이용할 경우 다양한 성분으로 구성된 화합물의 성분을 정확하게 파악할 수 있음을 의미한다.

정리하면, 유기 매트릭스와 분석 대상물인 화합물을 혼합하여 시료 플레이트에 형성한 를 사용한 종래의 시료 플레이트를 이용할 경우, 유기 매트릭스가 화합물의 이온화를 도우므로 레이저를 조사할 경우 화합물의 이온화가 용이하게 되어 화합물 이온이 디텍터에 충돌하는 양을 증가시킴으로서 화합물의 질량을 분석할 수 있다는 장점이 있다. 하지만, 이 경우 레이저가 조사되면 유기 매트릭스 물질까지 이온화되어 디텍터에 충돌하여 검출되므로 분석하려는 화합물과 유기 매트릭스의 분자량이 유사한 경우 분석 대상물을 정확하게 파악할 수 없다는 문제가 있었다.

하지만, 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 시료 플레이트에 레이저를 조사하면 분석 대상물인 화합물의 이온화는 유기 매트릭스와 화합물을 혼합한 경우와 유사한 수준으로 진행되지만, 유기 매트릭스는 파릴렌 박막을 통과하여 디텍터에 도달하지 않게 되고, 디텍터에 충돌하는 이온은 모두 분석대상물의 이온이므로 분석 대상물인 화합물의 종류를 정확하게 파악할 수 있다.

이상으로 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 시료 플레이트 및 그 제조방법을 상세하게 설명하였다. 하지만, 본 발명이 속한 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자는 상기 구성에 대한 다양한 수정 및 변형이 가능하다는 것을 이해할 것이다. 따라서 본 발명의 범위는 오직 뒤에서 기재할 특허청구범위에 의해서만 한정된다.

Claims (11)

1. 타겟 플레이트,
   상기 타켓 플레이트의 일면에 형성된 유기 매트릭스, 및
   상기 유기 매트릭스가 형성된 타겟 플레이스 위에 형성되고, 상기 유기 매트릭스를 전부 덮도록 형성된 파릴렌 박막을 포함하는 것을 특징으로 하는 시료 플레이트.
2. 청구항 1에 있어서, 상기 시료 플레이트는 상기 파릴렌 박막 위에 형성된 분석 대상물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 시료 플레이트.
3. 청구항 1에 있어서, 또한, 상기 파릴렌 박막은 파릴렌-N 박막인 것을 특징으로 하는 시료 플레이트.
4. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 파릴렌 박막은 10nm 내지 100nm의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 시료 플레이트.
5. 청구항 1 내지 청구항 3 중 어느 한 항에 있어서, 상기 시료 플레이트는 말디톱 질량분석기용 시료 플레이트인 것을 특징으로 하는 시료 플레이트.
6. 청구항 2에 있어서, 상기 분석 대상물은 100Da 내지 1,000Da의 분자량을 갖는 것을 특징으로 하는 시료 플레이트.
7. 타켓 플레이트의 일면에 유기 매트릭스를 형성하는 단계; 및
   상기 유기 매트릭스가 형성된 타겟 플레이스 위에 형성되고, 상기 유기 매트릭스를 전부 덮도록 파릴렌 박막을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 시료 플레이트의 제조방법.
8. 청구항 7에 있어서, 상기 방법은 상기 파릴렌 박막 위에 형성된 분석 대상물 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 시료 플레이트의 제조방법.
9. 청구항 7에 있어서, 상기 파릴렌 박막은 파릴렌-N 박막인 것을 특징으로 하는 시료 플레이트의 제조방법.
10. 청구항 7에 있어서, 상기 파릴렌 박막은 10nm 내지 100nm의 두께로 증착되는 것을 특징으로 하는 시료 플레이트의 제조방법.
11. 청구항 7 내지 청구항 10 중 어느 한 항에 있어서, 상기 파릴렌 박막을 형성하는 단계는:
    파릴렌 다이머를 파릴렌을 기화시키는 제 1 단계,
    상기 기화된 파릴레 다이머를 열분해하여 중간 생성물을 형성하는 제 2 단계, 및
    상기 중간생성물을 증착 챔버 내부로 도입하여, 유기 매트릭스가 형성된 타겟 플레이트 위에 파릴렌 박막을 증착시키는 제 3 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 시료 플레이트의 제조방법.

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