JP2021044636A - 光電変換装置 - Google Patents

光電変換装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2021044636A
JP2021044636A JP2019163864A JP2019163864A JP2021044636A JP 2021044636 A JP2021044636 A JP 2021044636A JP 2019163864 A JP2019163864 A JP 2019163864A JP 2019163864 A JP2019163864 A JP 2019163864A JP 2021044636 A JP2021044636 A JP 2021044636A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
unit
signal
photoelectric conversion
conversion device
counting
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2019163864A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7393162B2 (ja
Inventor
雄 前橋
Yu Maehashi
雄 前橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Canon Inc
Original Assignee
Canon Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Canon Inc filed Critical Canon Inc
Priority to JP2019163864A priority Critical patent/JP7393162B2/ja
Priority to US17/010,362 priority patent/US11240453B2/en
Publication of JP2021044636A publication Critical patent/JP2021044636A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7393162B2 publication Critical patent/JP7393162B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/77Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
    • H04N25/772Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components comprising A/D, V/T, V/F, I/T or I/F converters
    • HELECTRICITY
    • H04ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04NPICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/75Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Light Receiving Elements (AREA)
  • Measurement Of Optical Distance (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

【課題】信号処理回路で種々の演算処理を行うことが可能な光電変換装置を提供する。【解決手段】光電変換装置は、複数の行及び複数の列を構成するようにアレイ状に配された複数の画素12を有する。複数の画素12の各々は、光子の入射に応じたアバランシェ増倍によって生成される出力信号を出力する光子検知素子Dと、光子検知素子に接続されたクエンチ素子Rqと、光子検知素子に接続され、出力信号に基づく検知信号を生成する波形整形部INVと、波形整形部INVから出力される検知信号に対して信号処理を行う信号処理回路18と、を有する。信号処理回路18は、波形整形部INVから出力される検知信号を計数する計数処理を行う計数部と、計数部から出力される計数結果に対して所定の演算処理を行う演算部と、から成る。【選択図】図2

Description

本発明は、光電変換装置に関する。
光子検知素子として、光子の入射により発生する電荷をアバランシェ降伏により増倍するAPD(Avalanche Photo Diode)やSPAD(Single Photon Avalanche Diode)が知られている。これら光子検知素子は、検知した光子を計数するフォトンカウントセンサとして、撮像や測距に利用されている。SPADを用いたセンサの画素は、一般に、光子検知素子と、クエンチ素子と、波形整形部と、信号処理回路と、により構成される。光子検知素子が光子を検知することにより発生するなだれ電流は、クエンチ素子によって電圧降下を起こし、検知信号を生成する。検知信号は、波形整形部によってパルス状の波形に整形され、信号処理回路に入力される。特許文献1には、画素の動作を制御信号によって制御することで、計数レンジを実効的に拡張し、ダイナミックレンジを拡大することが記載されている。
特開平07−067043号公報
しかしながら、特許文献1に記載の信号処理回路の機能は、従来のフォトンカウントセンサ同様、検知信号の計数に限られていた。
本発明の目的は、信号処理回路で種々の演算処理を行うことが可能な光電変換装置を提供することにある。
本発明の一観点によれば、複数の行及び複数の列を構成するようにアレイ状に配された複数の画素を有する光電変換装置であって、前記複数の画素の各々は、光子の入射に応じたアバランシェ増倍によって生成される出力信号を出力する光子検知素子と、前記光子検知素子に接続されたクエンチ素子と、前記光子検知素子に接続され、前記出力信号に基づく検知信号を生成する波形整形部と、前記波形整形部から出力される前記検知信号に対して信号処理を行う信号処理回路と、を有し、前記信号処理回路は、前記波形整形部から出力される前記検知信号を計数する計数処理を行う計数部と、前記計数部から出力される計数結果に対して所定の演算処理を行う演算部と、を有する光電変換装置が提供される。
また、本発明の他の一観点によれば、複数の行及び複数の列を構成するようにアレイ状に配された複数の画素を有する光電変換装置であって、前記複数の画素の各々は、光子の入射に応じたアバランシェ増倍によって生成される出力信号を出力する光子検知素子と、前記光子検知素子に接続されたクエンチ素子と、前記光子検知素子に接続され、前記出力信号に基づく検知信号を生成する波形整形部と、前記波形整形部から出力される前記検知信号に対して信号処理を行う信号処理回路と、を有し、前記信号処理回路は、前記波形整形部から出力される前記検知信号に対して所定の演算処理を行う演算部と、前記演算部から出力される演算結果に対して計数処理を行う計数部と、を有する光電変換装置が提供される。
本発明によれば、信号処理回路において、検知信号の計数のみならず種々の演算処理が可能となり、光電変換装置の高機能化を実現することができる。
本発明の第1実施形態による光電変換装置の概略構成を示すブロック図である。 本発明の第1実施形態による光電変換装置の画素の構成例を示す回路図である。 本発明の第1実施形態による光電変換装置の信号処理回路の構成例を示すブロック図である。 本発明の第1実施形態による光電変換装置の信号処理回路における後処理部の構成例を示すブロック図(その1)である。 本発明の第1実施形態による光電変換装置の信号処理回路における後処理部の構成例を示すブロック図(その2)である。 本発明の第1実施形態による光電変換装置の駆動方法を示すタイミングチャート(その1)である。 本発明の第1実施形態による光電変換装置の駆動方法を示すタイミングチャート(その2)である。 本発明の第2実施形態による光電変換装置の信号処理回路の構成例を示すブロック図である。 本発明の第2実施形態による光電変換装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。 本発明の第2実施形態による光電変換装置の信号処理回路の他の構成例を示すブロック図である。 本発明の第2実施形態による光電変換装置の画素の他の構成例を示す回路図(その1)である。 本発明の第2実施形態による光電変換装置の画素の他の構成例を示す回路図(その2)である。 本発明の第3実施形態による光電変換装置の構成例を示す概略図である。 本発明の第4実施形態による撮像システムの概略構成を示すブロック図である。 本発明の第5実施形態による撮像システム及び移動体の構成例を示す図である。
[第1実施形態]
本発明の第1実施形態による光電変換装置及びその駆動方法について、図1乃至図7を用いて説明する。
はじめに、本実施形態による光電変換装置の構成について、図1乃至図5を用いて説明する。図1は、本実施形態による光電変換装置の概略構成を示すブロック図である。図2は、本実施形態による光電変換装置の画素の構成例を示す回路図である。図3は、本実施形態による光電変換装置の信号処理回路の構成例を示すブロック図である。図4及び図5は、本実施形態による光電変換装置の信号処理回路における後処理部の構成例を示すブロック図である。
本実施形態による光電変換装置100は、図1に示すように、画素領域10と、垂直走査回路20と、水平走査回路30と、出力回路40と、制御回路50と、を有する。
画素領域10には、複数の行及び複数の列に渡ってアレイ状に配された複数の画素12が設けられている。画素領域10を構成する画素12の数は、特に限定されるものではない。例えば、一般的なデジタルカメラのように数千行×数千列の画素12で画素領域10を構成することができる。或いは、1行又は1列に並べた複数の画素12で画素領域10を構成してもよい。或いは、1つの画素12で画素領域10を構成してもよい。
画素領域10の画素アレイの各行には、第1の方向(図1において横方向)に延在して、制御線14が配されている。制御線14は、第1の方向に並ぶ画素12にそれぞれ接続され、これら画素12に共通の信号線をなしている。制御線14の延在する第1の方向は、行方向或いは水平方向と表記することがある。制御線14の各々は、複数種類の制御信号を画素12に供給するための複数の信号線を含み得る。
また、画素領域10の画素アレイの各列には、第1の方向と交差する第2の方向(図1において縦方向)に延在して、データ線16が配されている。データ線16は、第2の方向に並ぶ画素12にそれぞれ接続され、これら画素12に共通の信号線をなしている。データ線16の延在する第2の方向は、列方向或いは垂直方向と表記することがある。データ線16の各々は、画素12から出力されるデジタル信号をビット毎に転送するための複数の信号線を含み得る。
各行の制御線14は、垂直走査回路20に接続されている。垂直走査回路20は、画素12を駆動するための制御信号を、制御線14を介して画素12に供給する回路部である。垂直走査回路20は、画素領域10内の画素12を行単位で順次走査し、データ線16を介して各画素12の画素信号を水平走査回路30へと出力する。
各列のデータ線16は、水平走査回路30に接続されている。水平走査回路30は、画素領域10から行単位で出力される各列の画素12の画素信号を選択して出力回路40へと順次出力する回路部である。水平走査回路30は、画素領域10の複数の列に対応する複数の保持部を備え、画素領域10から行単位で出力される各列の画素12の画素信号を対応する列の保持部にて保持する。水平走査回路30は、各列の保持部を順次走査し、各々に保持されている画素信号を順次出力回路40へと出力する。
出力回路40は、トランスミッタ回路42を有し、水平走査回路30から出力された画素信号を光電変換装置100の外部へと出力する回路部である。トランスミッタ回路42は、例えば、LVDS(Low Voltage Differential Signaling)回路、SLVS(Scalable Low Voltage Signaling)回路等のSerDes(SERializer/DESerializer)送信回路により構成され得る。なお、出力回路40を構成する外部インターフェース回路は、特に限定されるものではない。
制御回路50は、垂直走査回路20及び水平走査回路30の動作やそのタイミングを制御する制御信号を供給するための回路部である。なお、垂直走査回路20及び水平走査回路30の動作やそのタイミングを制御する制御信号の少なくとも一部は、光電変換装置100の外部から供給してもよい。
各々の画素12は、図2に示すように、光子検知素子Dと、クエンチ素子Rqと、波形整形部INVと、信号処理回路18と、を有する。光子検知素子Dは、光子の入射により生成される電荷をアバランシェ降伏により増倍するAPD(Avalanche Photo Diode)やSPAD(Single Photon Avalanche Diode)等のフォトダイオードにより構成され得る。クエンチ素子Rqは、抵抗素子やMOSトランジスタなどにより構成され得る。波形整形部INVは、光子検知素子Dから出力されるアナログ信号を検知信号に変換する波形整形部であり、例えばインバータ回路により構成され得る。なお、信号処理回路18については後述する。
光子検知素子Dを構成するフォトダイオードのアノードは、電圧Vssが供給されるノードに接続されている。光子検知素子Dを構成するフォトダイオードのカソードには、クエンチ素子Rqの一方の端子が接続されている。クエンチ素子Rqの他方の端子は、電圧Vddが供給されるノードに接続されている。波形整形部INVの入力端子は、光子検知素子Dとクエンチ素子Rqとの間の接続ノード(ノードN)に接続されている。波形整形部INVの出力端子は、信号処理回路18の入力端子に接続されている。信号処理回路18の出力端子は、データ線16に接続されている。また、信号処理回路18には制御線14が接続されている。
電圧Vss及び電圧Vddは、光子検知素子Dにガイガーモードで動作するに十分な逆バイアス電圧を印加することが可能なように設定されている。一例では、電圧Vssとして負の高電圧が与えられ、電圧Vddとして電源電圧程度の正電圧が与えられる。本実施形態では、光子検知素子Dを構成するフォトダイオードを、ガイガーモードで動作、すなわち単一光子アバランシェダイオード(SPAD)として使用する。
これにより、光子検知素子Dは、電圧Vddと電圧Vssとの間の電位差に相当する逆バイアス電圧が印加された状態となっている。この逆バイアス電圧は、光子検知素子Dを構成するフォトダイオードの降伏電圧よりも高い電圧であり、アバランシェ増倍を起こすに十分である(ガイガーモード)。しかしながら、光子検知素子Dに光子が入射していない状態では種となるキャリアが存在しないため、アバランシェ増倍は起こらず、光子検知素子Dに電流は流れない(待機状態)。
待機状態の光子検知素子Dに光子が入射すると、入射光子により励起されて光子検知素子D内にキャリアが生成される。光子検知素子D内に生成されたキャリアは、光子検知素子D内の高電界で加速されてアバランシェ増倍を引き起こし、大きななだれ電流が発生する(ガイガーモード動作)。このなだれ電流がクエンチ素子Rqを流れることによりクエンチ素子Rqによる電圧降下が生じ、光子検知素子Dの端子間電圧が低下する。これにより、光子検知素子Dはガイガーモードから外れ(非ガイガーモード)、アバランシェ増倍は停止する。光子検知素子Dのカソード側のノード(ノードN)のキャリアは、負荷として接続されたクエンチ素子Rqを介して徐々に排出される。これにより、ノードNの電位は再び初期電圧に戻る。
この一連の動作により、ノードNは、光子の入射に伴い、待機状態から、ガイガーモードで大きな電流が流れて電圧が降下した状態となり、その後、待機状態に戻る。ノードNにおけるこの電位変動が、信号Sig_Aとして波形整形部INVに入力される。波形整形部INVは、入力された信号Sig_Aの波形をパルス状の信号Sig_Dに整形し、信号処理回路18へと出力する。この信号Sig_Dが検知信号である。信号処理回路18は、信号Sig_Dに対して所定の信号処理を行う。信号処理回路18は、垂直走査回路20から制御線14を介して出力される制御信号に応じて、信号処理後の信号である信号DOUTをデータ線16に出力する。
信号処理回路18は、図3に示すように、計数部180と、後処理部182と、を有する。信号処理回路18の入力端子でもある計数部180の入力端子は、波形整形部INVの出力端子に接続されている。計数部180の出力端子は、後処理部182の入力端子に接続されている。信号処理回路18の出力端子でもある後処理部182の出力端子は、データ線16に接続されている。
計数部180及び後処理部182は、制御線14に接続されている。計数部180には、制御線14を介して垂直走査回路20から、計数結果の出力を制御する制御信号S1と、計数部180のリセット動作を制御する制御信号S2と、動作イネーブル/ディスエーブルを切り替える制御信号S5と、が供給される。後処理部182には、制御線14を介して垂直走査回路20から、処理結果の出力を制御する制御信号S3と、後処理部182のリセット動作を制御する制御信号S4と、動作イネーブル/ディスエーブルを切り替える制御信号S5と、が供給される。
計数部180の入力端子には、波形整形部INVから出力される信号Sig_Dが入力される。計数部180は、信号Sig_Dの立ち上がりエッジ又は立ち下がりエッジの数を計数する計数処理を行う。そして、計数部180は、垂直走査回路20から供給される制御信号S1に応じて、計数結果を示す信号CSを後処理部182へと出力する。また、計数部180は、垂直走査回路20から制御信号S2が供給されるとリセット動作を行い、初期状態へと遷移する。これにより、計数部180のカウンタの計数値Countは0になる。
後処理部182の入力端子には、計数部180から出力される信号CSが入力される。後処理部182は、信号CSによって示される計数結果に対して所定の演算処理を行う演算部である。そして、後処理部182は、垂直走査回路20から供給される制御信号S3に応じて、処理結果を信号DOUTとして出力する。また、後処理部182は、垂直走査回路20から制御信号S4が供給されるとリセット動作を行い、初期状態へと遷移する。
後処理部182が行う演算処理としては、特に限定されるものではないが、例えば、平均値の算出、中央値の算出、フィルタリング処理等が挙げられる。フィルタリング処理の例としては、例えば、IIR(Infinite Impulse Response)フィルタ処理やFIR(Finite Impulse Response)フィルタ処理等が挙げられる。
例えば、計数部180はフレーム毎に計数を行い、後処理部182はフレーム毎の計数結果に対して、平均値の算出、中央値の算出、フィルタリング処理等の演算処理を行うことができる。或いは、計数部180は1フレームの間に複数回の計数を行い、後処理部182は計数期間毎の計数結果に対して、平均値の算出、中央値の算出、フィルタリング処理等の演算処理を行うことができる。
図4は、IIRフィルタ回路を含む後処理部182の構成例である。後処理部182は、例えば図4に示すように、加算回路184及び遅延回路186を含んで構成されるIIRフィルタと、スイッチSWと、により構成され得る。加算回路184の2つの入力端子は、信号CSが出力される計数部180の出力端子と、遅延回路186の出力端子と、に接続されている。加算回路184の出力端子は、遅延回路186の入力端子と、スイッチSWの一方の端子に接続されている。スイッチSWの他方の端子は、後処理部182の出力端子となる。スイッチSWは、垂直走査回路20から供給される制御信号S3によって接続状態(導通・非導通)が制御される。後処理部182は、スイッチSWがオンのとき、加算回路184の出力を信号DOUTとして出力する。IIRフィルタ回路を用いて後処理部182を構成することにより、所定のIIRフィルタ処理、例えば重み付け加算処理等の演算処理を実現可能である。
図5は、FIRフィルタ回路を含む後処理部182の構成例である。後処理部182は、例えば図5に示すように、複数の加算回路184、複数の遅延回路186及び複数の乗算回路188を含んで構成されるFIRフィルタと、スイッチSWと、により構成され得る。信号CSが出力される計数部180の出力端子には、第1段目の遅延回路186の入力端子と、第1段目の乗算回路188の入力端子と、が接続されている。第1段目の遅延回路186の出力端子には、第2段目の遅延回路186の入力端子と、第2段目の乗算回路188の入力端子と、が接続されている。第1段目の乗算回路188の出力端子と第2段目の乗算回路188の出力端子とは、第1段目の加算回路184の2つの入力端子に接続されている。第2段目の遅延回路186の出力端子には、第3段目の遅延回路186の入力端子と、第3段目の乗算回路188の入力端子と、が接続されている。第1段目の加算回路184の出力端子と第3段目の乗算回路188の出力端子とは、第2段目の加算回路184の2つの入力端子に接続されている。第3段目の遅延回路186の出力端子には、第4段目の乗算回路188の入力端子が接続されている。第2段目の加算回路184の出力端子と第4段目の乗算回路188の出力端子とは、第3段目の加算回路184の2つの入力端子に接続されている。第3段目の加算回路184の出力端子は、スイッチSWの一方の端子に接続されている。スイッチSWの他方の端子は、後処理部182の出力端子となる。
スイッチSWは、垂直走査回路20から供給される制御信号S3によって接続状態(導通・非導通)が制御される。後処理部182は、スイッチSWがオンのとき、加算回路184の出力を信号DOUTとして出力する。FIRフィルタ回路を用いて後処理部182を構成することにより、所定のFIRフィルタ処理、例えば移動平均化処理等の演算処理を実現可能である。
IIRフィルタはFIRフィルタに比べ回路規模が小さく、FIRフィルタはIIRフィルタに比べ理想的なフィルタを実現できる、という特徴の違いがあるため、アプリケーションに応じて設計者がいずれかを選択又は組み合わせて使用することができる。なお、図4に示すIIRフィルタ及び図5に示すFIRフィルタは一例に過ぎず、適宜変更が可能である。
次に、本実施形態による光電変換装置の駆動方法について、図6及び図7を用いて説明する。図6及び図7は、本実施形態による光電変換装置の駆動方法を示すタイミングチャートである。
図6は、光子検知素子D、波形整形部INV及び計数部180の動作を説明するタイミングチャートである。図6には、光子検知素子Dに光子が入射するタイミング、信号Sig_A、信号Sig_D、計数部180による信号Sig_Dの計数値(=Count)を示している。
時刻t0において、光子検知素子Dに光子は入射しておらず、信号Sig_Aは待機状態を示す所定の電位であり、信号Sig_Dはローレベルである。また、時刻t0の時点において、計数部180の計数値Countは0である。
時刻t1において、光子検知素子Dに光子が入射したものとする。すると、光子検知素子Dでは入射した光子により励起されたキャリアを種としてアバランシェ増倍が起こり、なだれ電流が流れることによってノードNの電位が低下する。ノードNの電位が低下することに伴い、信号Sig_Aの電位は低下する。また、信号Sig_Aの電位の低下を受け、信号Sig_Dは、ローレベルからハイレベルへと遷移する。
時刻t1以降、信号Sig_Aの電位は、光子検知素子Dで生じた電子がクエンチ素子Rqを介して徐々に排出されるのに伴い、徐々に増加する。信号Sig_Aの電位が所定値まで増加した時刻t2において、信号Sig_Dはハイレベルからローレベルへと遷移し、待機状態に戻る。
計数部180のカウンタは、信号Sig_Dの立ち上がり又は立ち下がりに応じて、計数値Countを1増加する。ここでは、信号Sig_Dの立ち下がりに応じて計数値Countが増加するものとする。すなわち、時刻t2において、計数部180のカウンタの計数値Countは1となる。
時刻t2以降の時刻t3において、光子検知素子Dに再び光子が入射したものとする。すると、光子検知素子Dでは入射した光子により励起されたキャリアを種としてアバランシェ増倍が起こり、なだれ電流が流れることによってノードNの電位が低下する。ノードNの電位が低下することに伴い、信号Sig_Aの電位は低下する。また、信号Sig_Aの電位の低下を受け、信号Sig_Dは、ローレベルからハイレベルへと遷移する。
時刻t3以降、信号Sig_Aの電位は、光子検知素子Dで生じた電子がクエンチ素子Rqを介して徐々に排出されるのに伴い、徐々に増加する。信号Sig_Aの電位が所定値まで増加した時刻t4において、信号Sig_Dはハイレベルからローレベルへと遷移し、待機状態に戻る。
計数部180のカウンタは、信号Sig_Dの立ち下がりに応じて計数値Countを1増加する。すなわち、時刻t4において、計数部180のカウンタの計数値Countは2となる。
図7は、信号処理回路18の動作を説明するタイミングチャートである。図7には、信号処理回路18の制御信号S1,S2,S3,S4,S5、計数部180のカウンタの計数値Count、計数部180から出力される信号CS、信号処理回路18から出力される信号DOUTを示している。
初期状態において、垂直走査回路20は、Loレベルの制御信号S5を信号処理回路18に供給している。Loレベルの制御信号S5を受ける計数部180及び後処理部182は、非アクティブ状態(動作ディスエーブル)になっている。ここで、制御信号S5が次にHiレベルになる時刻を時刻t11とし、時刻t11までの期間を期間T1とする。
期間T1の時刻t10において、垂直走査回路20は、制御信号S2,S4を一時的にLoレベルからHiレベルへと制御する。これにより、計数部180及び後処理部182はリセットされる。計数部180のリセットに伴い、計数部180のカウンタの計数値Countは、0になる。
次いで、垂直走査回路20は、制御信号S5を、時刻t11においてLoレベルからHiレベルへと制御し、時刻t11から時刻t12までの期間T2の間、Hiレベルのまま保持する。これにより、期間T2の間にHiレベルの制御信号S5を受ける計数部180及び後処理部182は、アクティブ状態(動作イネーブル)となる。制御信号S5がHiレベルである期間T2は、光子検知期間となる。光子検知期間では、図6を用いて説明したように、光子検知素子Dに光子が入射するたびに計数部180のカウンタの計数値Countが1ずつ増加する。ここでは、期間T2の間に、計数部180のカウンタの計数値Countが0からX+1まで増加したものとする。
次いで、垂直走査回路20は、制御信号S5を、時刻t12においてHiレベルからLoレベルへと制御し、時刻t12から時刻t15までの期間T3の間、Loレベルのまま保持する。これにより、期間T3の間にLoレベルの制御信号S5を受ける計数部180及び後処理部182は非アクティブ状態となり、光子検知期間が終了する。
期間T3の時刻t13において、垂直走査回路20は、制御信号S1を一時的にLoレベルからHiレベルへと制御する。これにより、計数部180は、その時点におけるカウンタの計数値Countを、信号CSとして後処理部182へと出力する。図7の例では、時刻t13における計数値CountはX+1であり、この値を表す信号CSが、計数部180から後処理部182へと出力される。
また、期間T3の時刻t14において、垂直走査回路20は、制御信号S2を一時的にLoレベルからHiレベルへと制御する。これにより、計数部180はリセットされ、計数部180のカウンタの計数値Countは、0に戻る。
次いで、垂直走査回路20は、制御信号S5を、時刻t15においてLoレベルからHiレベルへと制御し、時刻t15から時刻t16までの期間T4の間、Hiレベルのまま保持する。これにより、計数部180及び後処理部182はアクティブ状態となり、再び光子検知期間となる。光子検知期間では、図6を用いて説明したように、光子検知素子Dに光子が入射するたびに計数部180のカウンタの計数値Countが1ずつ増加する。ここでは、期間T4の間に、計数部180のカウンタの計数値Countが0からY+1まで増加したものとする。
次いで、垂直走査回路20は、制御信号S5を、時刻t16においてHiレベルからLoレベルへと制御する。これにより、時刻t16以降の期間T5の間にLoレベルの制御信号S5を受ける計数部180及び後処理部182は非アクティブ状態となり、光子検知期間が終了する。
期間T5の時刻t17において、垂直走査回路20は、制御信号S1を一時的にLoレベルからHiレベルへと制御する。これにより、計数部180は、その時点におけるカウンタの計数値Countを、信号CSとして後処理部182へと出力する。図7の例では、時刻t17における計数値CountはY+1であり、この値を表す信号CSが、計数部180から後処理部182へと出力される。
また、期間T5の時刻t18において、垂直走査回路20は、制御信号S3を一時的にLoレベルからHiレベルへと制御する。これにより、後処理部182は、計数部180からの信号CSに対して所定の処理を施した信号DOUTを出力する。
図7には、2つの計数結果(X+1とY+1)を後処理部182で処理する場合の動作例を示している。しかしながら、後処理部182のリセットから信号DOUTの出力までに後処理部182に入力される信号CSの数は、特に限定されるものではない。
また、計数部180が計数結果を後処理部182に送り出すタイミングは、1フレーム期間の間に1回であってもよいし、1フレーム期間の間に複数回であってもよい。1フレーム期間の間に1回、計数結果を送り出す場合、後処理部182は、フレーム間の画素信号値の変化について演算処理を実行することができる。1フレーム期間の間に複数回、計数結果を送り出す場合、後処理部182は、1フレーム内での画素信号値の変化について演算処理を実行することができる。
このように、本実施形態によれば、信号処理回路において、光子検知信号の計数のみならず種々の演算処理を行うことが可能となり、光電変換装置の高機能化を実現することができる。
[第2実施形態]
本発明の第2実施形態による光電変換装置及びその駆動方法について、図8乃至図13を用いて説明する。第1実施形態による光電変換装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。
はじめに、本実施形態による光電変換装置の構成について、図8を用いて説明する。図8は、本実施形態による光電変換装置の信号処理回路の構成例を示すブロック図である。
本実施形態による光電変換装置は、信号処理回路18の構成が異なるほかは、第1実施形態による光電変換装置と同様である。すなわち、本実施形態による光電変換装置の信号処理回路18は、図8に示すように、前処理部192と、計数部194と、を有する。前処理部192は、1つの入力端子と、複数の出力端子と、を有する。計数部194は、デジタル信号の各ビットの値が入力される複数の入力端子Di0〜Di4と、デジタル信号の各ビットの値が出力される複数の出力端子Do0〜Do4と、を有する。
信号処理回路18の入力端子でもある前処理部192の入力端子は、波形整形部INVの出力端子に接続されている。前処理部192の複数の出力端子は、計数部194の入力端子Di0〜Di4に接続されている。信号処理回路18の出力端子でもある計数部194の出力端子Do0〜Do4は、データ線16に接続されている。前処理部192及び計数部194は、制御線14に接続されている。前処理部192には、制御線14を介して垂直走査回路20から、信号Sig_Dを出力する出力端子を選択する制御信号S6が供給される。計数部194には、制御線14を介して垂直走査回路20から、計数結果の出力を制御する制御信号S7が供給される。なお図8には示していないが、第1実施形態の信号処理回路18と同様、前処理部192及び計数部194のリセット動作を制御する制御信号や動作イネーブル/ディスエーブルを切り替える制御信号を更に入力するように構成してもよい。
前処理部192は、入力信号である1ビットの信号Sig_Dを、垂直走査回路20から供給される制御信号S6に応じて、複数の出力端子のうちのどの出力端子から出力するかを選択するセレクタである。例えば、計数部194が図8に示すように5ビットのデジタル信号の加算器で構成される場合、前処理部192は少なくとも5つの出力端子を有する。この5つの出力端子は、計数部194の入力端子Di0〜Di4に対応している。
計数部194は、入力端子Di0〜Di4から入力される5ビットの入力信号を加算し、計数結果(信号DOUT)を出力端子Do0〜Do4から出力する。計数部194からの信号DOUTの出力は、垂直走査回路20から供給される制御信号S7によって制御される。なお、図8において、入力端子Di0及び出力端子Do0は最下位ビット(第0ビット)に対応し、入力端子Di4及び出力端子Do4は最上位ビット(第4ビット)に対応するものとする。ここでは計数部194が扱うデジタル信号のビット数が5ビットの例を示しているが、計数部194が扱うデジタル信号のビット数は特に限定されるものではない。
信号処理回路18は、1ビットの信号Sig_Dに対して重み付け加算処理を行う。具体的には、前処理部192が信号Sig_Dに対して重み付けを施し、計数部194が前処理部192から出力される重み付け結果を累積加算していく。
すなわち、前処理部192は、垂直走査回路20から供給される制御信号S6に応じて、信号Sig_Dを、計数部194の入力端子Di0〜Di4のうちのどの入力端子に入力するかを選択する。例えば、前処理部192が、計数部194に入力されるデジタル信号の第0ビットに対応する入力端子Di0を選択した場合、計数部194には1倍の重み付けを施した信号Sig_Dが入力されることになる。また、前処理部192が、計数部194に入力されるデジタル信号の第1ビットに対応する入力端子Di1を選択した場合、計数部194には2倍の重み付けを施した信号Sig_Dが入力されることになる。前処理部192が、計数部194に入力されるデジタル信号の第3ビットに対応する入力端子Di0を選択した場合、計数部194には8倍の重み付けを施した信号Sig_Dが入力されることになる。つまり、前処理部192は、信号Sig_Dに対して重み付け演算を行う演算部として機能し、演算結果を計数部194に出力する。計数部194は、多ビット入力の累積加算器である。計数部194は、このようにして前処理部192から入力される5ビットの信号を加算し、計数結果を5ビットの信号DOUTとして出力端子Do0〜Do4から出力する。
次に、本実施形態による光電変換装置の駆動方法について、図8及び図9を用いて説明する。図9は、信号処理回路18の動作を説明するタイミングチャートである。図9には、信号Sig_D、信号処理回路18の制御信号S6,S7、計数部180の計数値Count、信号処理回路18から出力される信号DOUTを示している。
前処理部192による重み付けは、垂直走査回路20から供給される制御信号S6を制御することによって動的に変化することができる。例えば図9において、時刻t21までの期間T1では、信号Sig_Dに1倍の重み付けを施しており、期間T1の間に光子検知素子Dに光子が入射するたびに、計数部194の計数値Countは1ずつ増加する。時刻t21から時刻t23までの期間T2では、信号Sig_Dに2倍の重み付けを施しており、期間T2の間に光子検知素子Dに光子が入射するたびに、計数部194の計数値Countは2ずつ増加する。時刻t23以降の期間T3では、信号Sig_Dに8倍の重み付けを施しており、期間T3の間に光子検知素子Dに光子が入射するたびに、計数部194の計数値Countは8ずつ増加する。
初期状態において、計数部194の計数値Countは0であり、垂直走査回路20はLoレベルの制御信号S7を計数部194に供給している。
期間T1の時刻t20において、光子検知素子Dに光子が入射し、信号Sig_DがLoレベルからHiレベルへと遷移したものとする。期間T1において前処理部192の重み付けは1倍であり、前処理部192は信号Sig_Dを計数部194の第0ビットに対応する入力端子Di0に入力する。すなわち、計数部194に入力されるデジタル信号は、00001である。これにより、計数部194の計数値Countは、1となる。
次いで、期間T2の時刻t22において、光子検知素子Dに光子が入射し、信号Sig_DがLoレベルからHiレベルへと遷移したものとする。期間T2において前処理部192の重み付けは2倍であり、前処理部192は信号Sig_Dを計数部194の第1ビットに対応する入力端子Di1に入力する。すなわち、計数部194に入力されるデジタル信号は、00010である。これにより、計数部194の計数値Countは、1に2を加算した3となる。
次いで、期間T3の時刻t24において、光子検知素子Dに光子が入射し、信号Sig_DがLoレベルからHiレベルへと遷移したものとする。期間T3において前処理部192の重み付けは8倍であり、前処理部192は信号Sig_Dを計数部194の第3ビットに対応する入力端子Di3に入力する。すなわち、計数部194に入力されるデジタル信号は、01000である。これにより、計数部194の計数値Countは、3に8を加算した11となる。
次いで、垂直走査回路20は、時刻t25において制御信号S7をLoレベルからHiレベルへと制御する。これにより、計数部194は、そのときの計数値Countを出力端子Do0〜Do4から信号DOUTとして出力する。
なお、本実施形態では、計数部194を多ビット入力の累積加算器とし、前処理部192によって信号Sig_Dを計数部194の何ビット目に入力するかを選択する構成としているが、重み付け加算回路の構成例はこれに限定されるものではない。
また、図8には信号処理回路18として重み付け加算を行う回路を示しているが、信号処理回路18が行う演算処理はこれに限定されるものではない。例えば、前処理部192に、図4や図5に示すフィルタ回路を設けてもよい。前処理部192が例えばIIRフィルタで構成されるローパスフィルタである場合、光子検知素子Dに入射する光量が多いほど、すなわち信号Sig_Dの周期が短いほど、信号Sig_Dが前処理部192を通過しにくくなる。つまり、計数部194が計数できる上限値を超えるような光量が入射する場合においても、計数部194における計数を行うことが可能になる。
また、信号処理回路18は、前処理部192及び計数部194をそれぞれ複数有していてもよい。図10は、信号処理回路18を、前処理部192a及び計数部194aを含む信号処理部190aと、前処理部192b及び計数部194bを含む信号処理部190bと、により構成した例である。
信号Sig_Dは、信号処理部190a及び信号処理部190bの両方に並列に入力される。前処理部192aには、制御線14を介して垂直走査回路20から、信号Sig_Dを出力する出力端子を選択する制御信号S6aが供給される。前処理部192bには、制御線14を介して垂直走査回路20から、信号Sig_Dを出力する出力端子を選択する制御信号S6bが供給される。計数部194a,194bには、制御線14を介して垂直走査回路20から、計数結果の出力を制御する制御信号S7が供給される。計数部194a,194bは、制御信号S7に応じて、信号DOUTをデータ線16a,16bにそれぞれ出力する。
制御信号S6a,S6bは、前処理部192a,192bに対して異なる制御を行ってもよい。例えば、信号処理部190a及び信号処理部190bがともに重み付け加算回路である場合、信号処理部190a及び信号処理部190bが信号Sig_Dに対して異なる重み付け処理を施すように構成することができる。
なお、制御信号S6,S7によって画素領域10を構成する総ての画素12に対して同時に制御を行う場合、信号Sig_Dは、画素12毎に非同期で信号処理回路18に入力される。そこで、例えば図11や図12に示すように画素12を構成し、同期化処理を行うようにしてもよい。
図11に示す画素12は、クエンチ素子Rqに同期信号SSを入力し、同期信号SSの1周期に1回だけ光子検知素子Dが光子を検知するように制御する構成例である。クエンチ素子Rqを例えばP型MOSトランジスタで構成することにより、このような制御が可能である。図12に示す画素12は、信号Sig_Dを、同期回路22を介して信号処理回路18に入力する構成例である。同期回路22では、同期信号SSの1周期に1回だけ信号処理回路18に信号Sig_Dを入力するように制御される。
同期信号SSは、例えば制御回路50から供給することができる。この場合、制御回路50は、信号処理回路18における演算処理を同期信号SSに同期して実行するように制御する制御部として機能する。
なお、図12に示す画素12では、同期回路22をSRラッチ回路により構成しているが、同期回路22の構成はこれに限定されるものではない。また、信号Sig_Dの同期化について、図11や図12は一例であり、これらに限定されるものではない。
このように、本実施形態によれば、信号処理回路において、光子検知信号の計数のみならず種々の演算処理を行うことが可能となり、光電変換装置の高機能化を実現することができる。
[第3実施形態]
本発明の第3実施形態による光電変換装置について、図13を用いて説明する。第1及び第2実施形態による光電変換装置と同様の構成要素には同一の符号を付し、説明を省略し或いは簡潔にする。図13は、本実施形態による光電変換装置の構成例を示す概略図である。
本実施形態による光電変換装置100は、図13に示すように、図1に示す各ブロックを2つの基板60a,60bに作り分け、これら基板60a,60bを接合することにより構成することが可能である。基板60aと基板60bとは、例えばバンプ電極や貫通電極等の導電部材を介して互いに電気的に接続され得る。
画素領域10に配される複数の画素12の各々は、基板60aに設けられた画素部12aと、基板60bに設けられた画素部12bと、を含む。基板60aに設けられた画素部12aには、画素12の構成要素のうち、少なくとも光子検知素子Dが配される。また、基板60bに設けられた画素部12bには、画素12の構成要素のうち、少なくとも信号処理回路18が配される。
画素12の他の構成要素、すなわち、クエンチ素子Rq及び波形整形部INVは、画素部12a及び画素部12bのいずれに配されてもよい。ただし、クエンチ素子Rq及び波形整形部INVを画素部12b側に配置すると、光子検知素子Dの面積を最大化、すなわち感度を最大化でき、また光子検知素子Dの特性に特化したプロセス設計ができるため、画素部12bの側に配置することがより好ましい。
また、図13には図示していないが、光電変換装置100を構成する他の要素、すなわち、垂直走査回路20、水平走査回路30、出力回路40及び制御回路50の各々についても、基板60a又は基板60bのいずれかに配することができる。この場合、クエンチ素子Rq及び波形整形部INVを画素部12bの側に配置することと同様の理由から、垂直走査回路20、水平走査回路30、出力回路40及び制御回路50についても、基板60bの側に配置することがより好ましい。
このように、本実施形態においては、2枚の基板60a,60bを積層して光電変換装置を構成し、基板60aに画素12の構成要素のうち少なくとも光子検知素子Dを配置し、基板60bに画素12の構成要素のうち少なくとも信号処理回路18を配置する。したがって、本実施形態によれば、積層型の光電変換装置を構成しない場合と比較して画素12の感度や集積度を向上することができ、光電変換装置の更なる高性能化・高機能化を実現することができる。
[第4実施形態]
本発明の第4実施形態による撮像システムについて、図14を用いて説明する。図14は、本実施形態による撮像システムの概略構成を示すブロック図である。
上記第1乃至第3実施形態で述べた光電変換装置100は、種々の撮像システムに適用可能である。適用可能な撮像システムの例としては、デジタルスチルカメラ、デジタルカムコーダ、監視カメラ、複写機、ファックス、携帯電話、車載カメラ、観測衛星などが挙げられる。また、レンズなどの光学系と撮像装置とを備えるカメラモジュールも、撮像システムに含まれる。図14には、これらのうちの一例として、デジタルスチルカメラのブロック図を例示している。
図14に例示した撮像システム200は、撮像装置201、被写体の光学像を撮像装置201に結像させるレンズ202、レンズ202を通過する光量を可変にするための絞り204、レンズ202の保護のためのバリア206を有する。レンズ202及び絞り204は、撮像装置201に光を集光する光学系である。撮像装置201は、第1乃至第3実施形態のいずれかで説明した光電変換装置100であって、レンズ202により結像された光学像を画像データに変換する。
撮像システム200は、また、撮像装置201より出力される出力信号の処理を行う信号処理部208を有する。信号処理部208は、撮像装置201が出力するデジタル信号から画像データの生成を行う。また、信号処理部208は必要に応じて各種の補正、圧縮を行って画像データを出力する動作を行う。信号処理部208は、撮像装置201と同一の半導体基板に形成されていてもよい。
撮像システム200は、更に、画像データを一時的に記憶するためのメモリ部210、外部コンピュータ等と通信するための外部インターフェース部(外部I/F部)212を有する。更に撮像システム200は、撮像データの記録又は読み出しを行うための半導体メモリ等の記録媒体214、記録媒体214に記録又は読み出しを行うための記録媒体制御インターフェース部(記録媒体制御I/F部)216を有する。なお、記録媒体214は、撮像システム200に内蔵されていてもよく、着脱可能であってもよい。
更に撮像システム200は、各種演算とデジタルスチルカメラ全体を制御する全体制御・演算部218、撮像装置201と信号処理部208に各種タイミング信号を出力するタイミング発生部220を有する。ここで、タイミング信号などは外部から入力されてもよく、撮像システム200は少なくとも撮像装置201と、撮像装置201から出力された出力信号を処理する信号処理部208とを有すればよい。
撮像装置201は、撮像信号を信号処理部208に出力する。信号処理部208は、撮像装置201から出力される撮像信号に対して所定の信号処理を実施し、画像データを出力する。信号処理部208は、撮像信号を用いて、画像を生成する。
このように、本実施形態によれば、第1乃至第3実施形態による光電変換装置100を適用した撮像システムを実現することができる。
[第5実施形態]
本発明の第5実施形態による撮像システム及び移動体について、図15を用いて説明する。図15は、本実施形態による撮像システム及び移動体の構成を示す図である。
図15(a)は、車載カメラに関する撮像システムの一例を示したものである。撮像システム300は、撮像装置310を有する。撮像装置310は、上記第1乃至第3実施形態のいずれかに記載の光電変換装置100である。撮像システム300は、撮像装置310により取得された複数の画像データに対し、画像処理を行う画像処理部312と、撮像システム300により取得された複数の画像データから視差(視差画像の位相差)の算出を行う視差取得部314を有する。また、撮像システム300は、算出された視差に基づいて対象物までの距離を算出する距離取得部316と、算出された距離に基づいて衝突可能性があるか否かを判定する衝突判定部318と、を有する。ここで、視差取得部314や距離取得部316は、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段の一例である。すなわち、距離情報とは、視差、デフォーカス量、対象物までの距離等に関する情報である。衝突判定部318はこれらの距離情報のいずれかを用いて、衝突可能性を判定してもよい。距離情報取得手段は、専用に設計されたハードウェアによって実現されてもよいし、ソフトウェアモジュールによって実現されてもよい。また、FPGA(Field Programmable Gate Array)やASIC(Application Specific Integrated circuit)等によって実現されてもよいし、これらの組合せによって実現されてもよい。
撮像システム300は車両情報取得装置320と接続されており、車速、ヨーレート、舵角などの車両情報を取得することができる。また、撮像システム300は、衝突判定部318での判定結果に基づいて、車両に対して制動力を発生させる制御信号を出力する制御装置である制御ECU330が接続されている。また、撮像システム300は、衝突判定部318での判定結果に基づいて、ドライバーへ警報を発する警報装置340とも接続されている。例えば、衝突判定部318の判定結果として衝突可能性が高い場合、制御ECU330はブレーキをかける、アクセルを戻す、エンジン出力を抑制するなどして衝突を回避、被害を軽減する車両制御を行う。警報装置340は音等の警報を鳴らす、カーナビゲーションシステムなどの画面に警報情報を表示する、シートベルトやステアリングに振動を与えるなどしてユーザに警告を行う。
本実施形態では、車両の周囲、例えば前方又は後方を撮像システム300で撮像する。図15(b)に、車両前方(撮像範囲350)を撮像する場合の撮像システム300を示した。車両情報取得装置320が、撮像システム300ないしは撮像装置310に指示を送る。このような構成により、測距の精度をより向上させることができる。
上記では、他の車両と衝突しないように制御する例を説明したが、他の車両に追従して自動運転する制御や、車線からはみ出さないように自動運転する制御などにも適用可能である。更に、撮像システムは、自車両等の車両に限らず、例えば、船舶、航空機あるいは産業用ロボットなどの移動体(移動装置)に適用することができる。加えて、移動体に限らず、高度道路交通システム(ITS)等、広く物体認識を利用する機器に適用することができる。
[変形実施形態]
本発明は、上記実施形態に限らず種々の変形が可能である。
例えば、いずれかの実施形態の一部の構成を他の実施形態に追加した例や、他の実施形態の一部の構成と置換した例も、本発明の実施形態である。
また、上記実施形態では、画素領域10内に2次元状に画素12を配置した光電変換装置を想定しているが、画素12の配置は2次元状に限定されるものではない。例えば、単一の画素12で光電変換装置を構成してもよいし、画素12を1次元状或いは3次元状に配置するように構成してもよい。
また、上記実施形態では、制御線14を各行の総ての画素12に共通の信号線とし、データ線16を各列の総ての画素12に共通の信号線としているが、制御線14及びデータ線16の配置はこれに限定されるものではない。例えば、i行×j列(i,jはともに自然数)を単位とするブロック毎に共通の制御線14やデータ線16を配置するようにしてもよい。
また、上記第4及び第5実施形態に示した撮像システムは、本発明の光電変換装置を適用しうる撮像システム例を示したものであり、本発明の光電変換装置を適用可能な撮像システムは図14及び図15に示した構成に限定されるものではない。
本発明は、上記実施形態の1以上の機能を実現するプログラムを、ネットワーク又は記憶媒体を介してシステム又は装置に供給し、そのシステム又は装置のコンピュータにおける1つ以上のプロセッサーがプログラムを読出し実行する処理でも実現可能である。また、1以上の機能を実現する回路(例えば、ASIC)によっても実現可能である。
なお、上記実施形態は、いずれも本発明を実施するにあたっての具体化の例を示したものに過ぎず、これらによって本発明の技術的範囲が限定的に解釈されてはならないものである。すなわち、本発明はその技術思想、又はその主要な特徴から逸脱することなく、様々な形で実施することができる。
D…光子検知素子
Rq…クエンチ素子
INV…波形整形部
10…画素領域
12…画素
18…信号処理回路
100…光電変換装置
180,194…計数部
182…後処理部
192…前処理部

Claims (17)

  1. 複数の行及び複数の列を構成するようにアレイ状に配された複数の画素を有する光電変換装置であって、
    前記複数の画素の各々は、
    光子の入射に応じたアバランシェ増倍によって生成される出力信号を出力する光子検知素子と、
    前記光子検知素子に接続されたクエンチ素子と、
    前記光子検知素子に接続され、前記出力信号に基づく検知信号を生成する波形整形部と、
    前記波形整形部から出力される前記検知信号に対して信号処理を行う信号処理回路と、を有し、
    前記信号処理回路は、
    前記波形整形部から出力される前記検知信号を計数する計数処理を行う計数部と、
    前記計数部から出力される計数結果に対して所定の演算処理を行う演算部と、を有する
    ことを特徴とする光電変換装置。
  2. 前記演算部は、前記計数部から出力される前記計数結果に対してフィルタ処理を行う
    ことを特徴とする請求項1記載の光電変換装置。
  3. 前記フィルタ処理は、IIRフィルタ処理である
    ことを特徴とする請求項2記載の光電変換装置。
  4. 前記フィルタ処理は、FIRフィルタ処理である
    ことを特徴とする請求項2記載の光電変換装置。
  5. 前記計数部は、フレーム毎に計数を行い、
    前記演算部は、フレーム毎の前記計数結果に対して前記演算処理を行う
    ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか1項に記載の光電変換装置。
  6. 前記計数部は、フレーム毎に計数を行い、
    前記演算部は、複数のフレームにおける前記計数結果の平均値又は中央値を出力する
    ことを特徴とする請求項1記載の光電変換装置。
  7. 複数の行及び複数の列を構成するようにアレイ状に配された複数の画素を有する光電変換装置であって、
    前記複数の画素の各々は、
    光子の入射に応じたアバランシェ増倍によって生成される出力信号を出力する光子検知素子と、
    前記光子検知素子に接続されたクエンチ素子と、
    前記光子検知素子に接続され、前記出力信号に基づく検知信号を生成する波形整形部と、
    前記波形整形部から出力される前記検知信号に対して信号処理を行う信号処理回路と、を有し、
    前記信号処理回路は、
    前記波形整形部から出力される前記検知信号に対して所定の演算処理を行う演算部と、
    前記演算部から出力される演算結果に対して計数処理を行う計数部と、を有する
    ことを特徴とする光電変換装置。
  8. 前記演算部は、前記波形整形部から出力される前記検知信号に対して重み付け演算を行う
    ことを特徴とする請求項7記載の光電変換装置。
  9. 前記演算部は、前記波形整形部から出力される前記検知信号に対してフィルタ処理を行う
    ことを特徴とする請求項7記載の光電変換装置。
  10. 前記フィルタ処理は、IIRフィルタ処理である
    ことを特徴とする請求項9記載の光電変換装置。
  11. 前記フィルタ処理は、FIRフィルタ処理である
    ことを特徴とする請求項9記載の光電変換装置。
  12. 前記信号処理回路は、前記演算部と前記計数部とを各々が含む複数の信号処理部を有する
    ことを特徴とする請求項7乃至11のいずれか1項に記載の光電変換装置。
  13. 前記複数の信号処理部は、第1の信号処理部と、第2の信号処理部と、を含み、
    前記第1の信号処理部の演算部が行う演算処理と、前記第2の信号処理部の演算部が行う演算処理とが異なっている
    ことを特徴とする請求項12記載の光電変換装置。
  14. 前記信号処理回路における前記演算処理を同期信号に同期して実行するように制御する制御部を更に有する
    ことを特徴とする請求項7乃至13のいずれか1項に記載の光電変換装置。
  15. 前記複数の画素の前記光子検知素子が配された第1の基板と、
    前記第1の基板に積層され、前記複数の画素の前記信号処理回路が配された第2の基板と
    を有することを特徴とする請求項1乃至14のいずれか1項に記載の光電変換装置。
  16. 請求項1乃至15のいずれか1項に記載の光電変換装置と、
    前記光電変換装置から出力される信号を処理する信号処理部と
    を有することを特徴とする撮像システム。
  17. 移動体であって、
    請求項1乃至15のいずれか1項に記載の光電変換装置と、
    前記光電変換装置からの信号に基づく視差画像から、対象物までの距離情報を取得する距離情報取得手段と、
    前記距離情報に基づいて前記移動体を制御する制御手段と
    を有することを特徴とする移動体。
JP2019163864A 2019-09-09 2019-09-09 光電変換装置 Active JP7393162B2 (ja)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019163864A JP7393162B2 (ja) 2019-09-09 2019-09-09 光電変換装置
US17/010,362 US11240453B2 (en) 2019-09-09 2020-09-02 Photoelectric conversion device

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2019163864A JP7393162B2 (ja) 2019-09-09 2019-09-09 光電変換装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2021044636A true JP2021044636A (ja) 2021-03-18
JP7393162B2 JP7393162B2 (ja) 2023-12-06

Family

ID=74851325

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2019163864A Active JP7393162B2 (ja) 2019-09-09 2019-09-09 光電変換装置

Country Status (2)

Country Link
US (1) US11240453B2 (ja)
JP (1) JP7393162B2 (ja)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011515676A (ja) * 2008-03-19 2011-05-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 単一光子放射線検出器
JP2019017065A (ja) * 2017-07-06 2019-01-31 キヤノン株式会社 固体撮像素子、撮像装置及び撮像方法
JP2019075610A (ja) * 2017-10-12 2019-05-16 キヤノン株式会社 固体撮像素子及び撮像装置
JP2019110406A (ja) * 2017-12-15 2019-07-04 キヤノン株式会社 撮像素子、撮像装置および画像処理方法
WO2019150752A1 (ja) * 2018-02-02 2019-08-08 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3029363B2 (ja) 1993-08-23 2000-04-04 株式会社東芝 固体撮像装置
JP2006242716A (ja) * 2005-03-02 2006-09-14 Canon Inc 撮像装置
JP5484422B2 (ja) 2011-10-07 2014-05-07 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP5901212B2 (ja) 2011-10-07 2016-04-06 キヤノン株式会社 光電変換システム
GB2510890A (en) * 2013-02-18 2014-08-20 St Microelectronics Res & Dev Method and apparatus
JP6246004B2 (ja) 2014-01-30 2017-12-13 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP6482186B2 (ja) 2014-05-23 2019-03-13 キヤノン株式会社 撮像装置及びその駆動方法
JP6774224B2 (ja) 2016-05-26 2020-10-21 キヤノン株式会社 固体撮像装置及び撮像システム
JP2018060980A (ja) 2016-10-07 2018-04-12 キヤノン株式会社 撮像表示装置及びウェアラブルデバイス
EP3309847B1 (en) * 2016-10-13 2024-06-05 Canon Kabushiki Kaisha Photo-detection apparatus and photo-detection system
US10312275B2 (en) * 2017-04-25 2019-06-04 Semiconductor Components Industries, Llc Single-photon avalanche diode image sensor with photon counting and time-of-flight detection capabilities
JP6957202B2 (ja) 2017-05-29 2021-11-02 キヤノン株式会社 固体撮像素子、撮像装置及び撮像方法
US10834349B2 (en) 2017-07-06 2020-11-10 Canon Kabushiki Kaisha Solid-state image sensor, image capturing apparatus and image capturing method
JP7089390B2 (ja) 2018-03-30 2022-06-22 キヤノン株式会社 光電変換装置及びその駆動方法

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011515676A (ja) * 2008-03-19 2011-05-19 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 単一光子放射線検出器
JP2019017065A (ja) * 2017-07-06 2019-01-31 キヤノン株式会社 固体撮像素子、撮像装置及び撮像方法
JP2019075610A (ja) * 2017-10-12 2019-05-16 キヤノン株式会社 固体撮像素子及び撮像装置
JP2019110406A (ja) * 2017-12-15 2019-07-04 キヤノン株式会社 撮像素子、撮像装置および画像処理方法
WO2019150752A1 (ja) * 2018-02-02 2019-08-08 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 固体撮像素子、撮像装置、および、固体撮像素子の制御方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP7393162B2 (ja) 2023-12-06
US20210075989A1 (en) 2021-03-11
US11240453B2 (en) 2022-02-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP7321713B2 (ja) 光電変換装置、撮像システム、移動体
JP7114396B2 (ja) 撮像装置、撮像システム、移動体
EP3657775B1 (en) Photoelectric conversion device, method of driving photoelectric conversion device, imaging system, and moving body
JP7089390B2 (ja) 光電変換装置及びその駆動方法
JP7353765B2 (ja) 光検出装置、光検出システム及び移動体
JP2018137628A (ja) 固体撮像装置、固体撮像装置の制御方法、撮像システム及び移動体
US10833207B2 (en) Photo-detection device, photo-detection system, and mobile apparatus
US20220210359A1 (en) Photoelectric conversion apparatus, photoelectric conversion system, moving body, and semiconductor substrate
JP2024071455A (ja) 光電変換装置、撮像システム、移動体
JP7393162B2 (ja) 光電変換装置
US20230122042A1 (en) Device, system, mobile object, and apparatus
JP2023080296A (ja) 光電変換装置及び撮像システム
JP2022092345A (ja) 光電変換装置、撮像システム、移動体
US11665431B2 (en) Photoelectric conversion device and method of driving photoelectric conversion device
US20220132065A1 (en) Semiconductor device
US20230179893A1 (en) Photoelectric conversion device
JP2023174180A (ja) 距離画像生成装置及び距離画像生成方法
US20210168319A1 (en) Photoelectric conversion apparatus, photoelectric conversion system, moving body, and method for checking photoelectric conversion apparatus
EP4277294A1 (en) Photoelectric conversion device, imaging system, movable object, equipment, signal processing device and signal processing method
US20240134017A1 (en) Ranging device and driving method of ranging device
JP2024059296A (ja) 測距装置
JP2023084272A (ja) 光電変換装置

Legal Events

Date Code Title Description
RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20220630

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20220830

A977 Report on retrieval

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007

Effective date: 20230612

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20230629

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230823

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20231026

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20231124

R151 Written notification of patent or utility model registration

Ref document number: 7393162

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R151