JP2021040155A - 静電チャック - Google Patents
静電チャック Download PDFInfo
- Publication number
- JP2021040155A JP2021040155A JP2020195093A JP2020195093A JP2021040155A JP 2021040155 A JP2021040155 A JP 2021040155A JP 2020195093 A JP2020195093 A JP 2020195093A JP 2020195093 A JP2020195093 A JP 2020195093A JP 2021040155 A JP2021040155 A JP 2021040155A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- ceramic dielectric
- dielectric substrate
- bonding layer
- base plate
- electrostatic chuck
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 183
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract description 181
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 5
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 5
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 4
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M copper(1+);methylsulfanylmethane;bromide Chemical compound Br[Cu].CSC PMHQVHHXPFUNSP-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 3
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000005336 cracking Methods 0.000 abstract description 30
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 20
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 17
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 17
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 description 9
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 7
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 7
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 7
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000011256 inorganic filler Substances 0.000 description 5
- 229910003475 inorganic filler Inorganic materials 0.000 description 5
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 4
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 3
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- -1 siloxane skeleton Chemical group 0.000 description 3
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 2
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000002826 coolant Substances 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 2
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 2
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 2
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005304 joining Methods 0.000 description 2
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 229910017109 AlON Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 1
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 1
- NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N acrylic acid group Chemical group C(C=C)(=O)O NIXOWILDQLNWCW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004873 anchoring Methods 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 125000000484 butyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000006835 compression Effects 0.000 description 1
- 238000007906 compression Methods 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 125000001495 ethyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004051 hexyl group Chemical group [H]C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])* 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 238000000691 measurement method Methods 0.000 description 1
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 description 1
- 229910003465 moissanite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- 125000001997 phenyl group Chemical group [H]C1=C([H])C([H])=C(*)C([H])=C1[H] 0.000 description 1
- 125000001436 propyl group Chemical group [H]C([*])([H])C([H])([H])C([H])([H])[H] 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000005070 sampling Methods 0.000 description 1
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
Description
図1に表したように、静電チャック110は、セラミック誘電体基板11と、ベースプレート50と、接合層60と、を備える。
ここで、本願明細書において、「極低温」とは、−60℃以下の低温環境をいう。具体的には、−60℃〜−120℃をいう。
図3は、接合層の弾性率の算出方法を表す説明図である。
図4は、接合層の伸び率及び接合強度の測定箇所を例示する説明図である。
実施形態において、接合層60の伸び率α及び接合強度βは、図2(a)〜図2(c)に示した方法で測定することができる。
図6は、図5のA部を拡大したグラフである。
図7は、実施形態に係る静電チャックの接合層の一例の物性を表す表である。
実施例1は、実施形態に係る静電チャック110の一例である。参考例1は、実施例1とは物性が異なる接合層60を有する静電チャックの一例である。
実施例2〜14は、実施形態に係る静電チャック110の一例である。
実施例1及び参考例1と同様にして測定・算出した実施例2〜14の接合層60の伸び率α、接合強度β、及び弾性率γを図8に示す。また、実施例1及び参考例1と同様にして剥離/割れ試験を行った結果を図8に示す。
図9に表したように、ウェーハ処理装置500は、処理容器501と、高周波電源504と、吸着用電源505と、上部電極510と、静電チャック110と、を備えている。処理容器501の天井には、処理ガスを内部に導入するための処理ガス導入口502、及び、上部電極510が設けられている。処理容器501の底板には、内部を減圧排気するための排気口503が設けられている。静電チャック110は、処理容器501の内部において、上部電極510の下に配置されている。静電チャック110のベースプレート50及び上部電極510は、高周波電源504と接続されている。静電チャック110の電極層12は、吸着用電源505と接続されている。
Claims (6)
- セラミック誘電体基板と、
前記セラミック誘電体基板を支持する金属製のベースプレートと、
前記セラミック誘電体基板と前記ベースプレートとの間に設けられ、樹脂材料を含む接合層と、
を備え、
25℃における前記接合層の伸び率α2に対する−60℃における前記接合層の伸び率α1の比α1/α2は、0.60以上であることを特徴とする静電チャック。 - 前記比α1/α2は、0.80以上であることを特徴とする請求項1記載の静電チャック。
- −60℃における前記接合層の弾性率γ1は、0.1MPa以上10MPa以下であることを特徴とする請求項1または2に記載の静電チャック。
- 25℃における前記接合層の弾性率γ2に対する−60℃における前記接合層の弾性率γ1の比γ1/γ2は、0.6以上30以下であることを特徴とする請求項1〜3のいずれか1つに記載の静電チャック。
- 前記セラミック誘電体基板は、酸化アルミニウム、窒化アルミニウム、炭化ケイ素、窒化ケイ素、及び酸化イットリウムのうち少なくとも1つを含むことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1つに記載の静電チャック。
- 前記セラミック誘電体基板は、酸化アルミニウムを含むことを特徴とする請求項5記載の静電チャック。
Priority Applications (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2022127102A JP2022145853A (ja) | 2019-03-28 | 2022-08-09 | 静電チャック |
JP2024078149A JP2024096457A (ja) | 2019-03-28 | 2024-05-13 | 静電チャック |
JP2024078150A JP2024096458A (ja) | 2019-03-28 | 2024-05-13 | 静電チャック |
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019062370 | 2019-03-28 | ||
JP2019062370 | 2019-03-28 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020051446A Division JP6804053B2 (ja) | 2019-03-28 | 2020-03-23 | 静電チャック |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022127102A Division JP2022145853A (ja) | 2019-03-28 | 2022-08-09 | 静電チャック |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2021040155A true JP2021040155A (ja) | 2021-03-11 |
JP2021040155A5 JP2021040155A5 (ja) | 2022-07-08 |
JP7133764B2 JP7133764B2 (ja) | 2022-09-09 |
Family
ID=72714917
Family Applications (5)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020051446A Ceased JP6804053B2 (ja) | 2019-03-28 | 2020-03-23 | 静電チャック |
JP2020195093A Ceased JP7133764B2 (ja) | 2019-03-28 | 2020-11-25 | 静電チャック |
JP2022127102A Pending JP2022145853A (ja) | 2019-03-28 | 2022-08-09 | 静電チャック |
JP2024078149A Pending JP2024096457A (ja) | 2019-03-28 | 2024-05-13 | 静電チャック |
JP2024078150A Pending JP2024096458A (ja) | 2019-03-28 | 2024-05-13 | 静電チャック |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2020051446A Ceased JP6804053B2 (ja) | 2019-03-28 | 2020-03-23 | 静電チャック |
Family Applications After (3)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2022127102A Pending JP2022145853A (ja) | 2019-03-28 | 2022-08-09 | 静電チャック |
JP2024078149A Pending JP2024096457A (ja) | 2019-03-28 | 2024-05-13 | 静電チャック |
JP2024078150A Pending JP2024096458A (ja) | 2019-03-28 | 2024-05-13 | 静電チャック |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (5) | JP6804053B2 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2022059674A (ja) | 2020-10-02 | 2022-04-14 | 国立大学法人高知大学 | アミロイドβの凝集抑制剤、アミロイドβ凝集疾患用医薬組成物、およびその用途 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003258072A (ja) * | 2002-03-07 | 2003-09-12 | Ngk Insulators Ltd | セラミックス−金属接合体 |
WO2019176544A1 (ja) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | 日本碍子株式会社 | ウエハー保持台 |
JP2020023088A (ja) * | 2018-08-07 | 2020-02-13 | 日本特殊陶業株式会社 | 複合部材および接着剤組成物 |
Family Cites Families (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH04287344A (ja) * | 1991-03-15 | 1992-10-12 | Kyocera Corp | 静電チャックの接合構造 |
JP3188057B2 (ja) * | 1993-06-28 | 2001-07-16 | 東京エレクトロン株式会社 | 静電チャック |
JPH07183279A (ja) * | 1993-12-24 | 1995-07-21 | Tokyo Electron Ltd | 処理装置 |
JP6176771B2 (ja) * | 2010-12-28 | 2017-08-09 | 住友大阪セメント株式会社 | 静電チャック装置 |
JP6250949B2 (ja) * | 2013-04-15 | 2017-12-20 | 日本特殊陶業株式会社 | 半導体製造装置用部品及びその製造方法 |
-
2020
- 2020-03-23 JP JP2020051446A patent/JP6804053B2/ja not_active Ceased
- 2020-11-25 JP JP2020195093A patent/JP7133764B2/ja not_active Ceased
-
2022
- 2022-08-09 JP JP2022127102A patent/JP2022145853A/ja active Pending
-
2024
- 2024-05-13 JP JP2024078149A patent/JP2024096457A/ja active Pending
- 2024-05-13 JP JP2024078150A patent/JP2024096458A/ja active Pending
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2003258072A (ja) * | 2002-03-07 | 2003-09-12 | Ngk Insulators Ltd | セラミックス−金属接合体 |
WO2019176544A1 (ja) * | 2018-03-13 | 2019-09-19 | 日本碍子株式会社 | ウエハー保持台 |
JP2020023088A (ja) * | 2018-08-07 | 2020-02-13 | 日本特殊陶業株式会社 | 複合部材および接着剤組成物 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2024096457A (ja) | 2024-07-12 |
JP2022145853A (ja) | 2022-10-04 |
JP6804053B2 (ja) | 2020-12-23 |
JP7133764B2 (ja) | 2022-09-09 |
JP2020167404A (ja) | 2020-10-08 |
JP2024096458A (ja) | 2024-07-12 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6047506B2 (ja) | 静電チャック装置 | |
TWI518841B (zh) | Electrostatic sucker | |
TWI739307B (zh) | 用於高溫處理之具有金屬結合背板的靜電定位盤組件 | |
JP2024096458A (ja) | 静電チャック | |
JP2008160093A (ja) | 静電チャック、静電チャックの製造方法および基板処理装置 | |
JP6627936B1 (ja) | 静電チャック装置および静電チャック装置の製造方法 | |
TWI836170B (zh) | 陶瓷接合體、靜電卡盤裝置、陶瓷接合體的製造方法 | |
WO2017130827A1 (ja) | 静電チャック装置 | |
JP7140297B2 (ja) | 静電チャック | |
JP6909448B2 (ja) | 静電チャック | |
JP6909447B2 (ja) | 静電チャック | |
JP2021158242A (ja) | 静電チャック装置 | |
KR102663868B1 (ko) | 정전 척 | |
JP2002121083A (ja) | セラミック部材と金属部材の接合体及びこれを用いたウエハ支持部材 | |
JP2000049217A (ja) | ウエハ支持部材 | |
JP2000169252A (ja) | セラミック部材と金属部材の接合体及びこれを用いたウエハ支持部材 | |
JP2020047747A (ja) | 保持装置 | |
JP3987841B2 (ja) | ウェハ保持装置 | |
JP3965470B2 (ja) | 静電チャック及びその製造方法 | |
WO2018221436A1 (ja) | 試料保持具 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220630 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20220630 |
|
A871 | Explanation of circumstances concerning accelerated examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A871 Effective date: 20220630 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220729 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220811 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7133764 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
RVOP | Cancellation by post-grant opposition |