JP2021040022A5 - - Google Patents

Description

一態様では、前記非接触式洗浄機構は、電解水生成機をさらに含み、前記洗浄流体ノズルは、電解水を前記基板のデバイス面に向けて噴射する。
一態様では、前記洗浄流体ノズルは、メガソニック水または薬液を前記基板のデバイス面に向けて噴射する。
一態様では、前記研磨装置は、前記基板のデバイス面に保護液を供給する保護液供給ノズルをさらに備える。
一態様では、前記研磨装置は、前記非接触式洗浄機構、および前記保護液供給ノズルの動作を制御する動作制御部をさらに備え、前記動作制御部は、前記研磨具で前記基板の非デバイス面を研磨している間に、前記基板のデバイス面に前記保護液供給ノズルから前記保護液を供給しつつ、さらに、前記非接触式洗浄機構によって、前記基板のデバイス面を洗浄する。
一態様では、前記研磨装置は、前記研磨具、および前記非接触式洗浄機構の動作を制御する動作制御部をさらに備え、前記動作制御部は、前記研磨具による前記基板の非デバイス面の研磨の開始よりも前に、前記非接触式洗浄機構による前記基板のデバイス面の洗浄を開始し、前記研磨具による前記基板の非デバイス面の研磨の終了後に、前記非接触式洗浄機構による前記基板のデバイス面の洗浄を終了する。
一態様では、前記研磨装置は、前記研磨具、および前記非接触式洗浄機構の動作を制御する動作制御部をさらに備え、前記動作制御部は、前記研磨具による前記基板の非デバイス面の研磨の開始と同時に、前記非接触式洗浄機構による前記基板のデバイス面の洗浄を開始し、前記研磨具による前記基板の非デバイス面の研磨の終了と同時に、前記非接触式洗浄機構による前記基板のデバイス面の洗浄を終了する。
一態様では、前記研磨装置は、前記研磨具、および前記非接触式洗浄機構の動作を制御する動作制御部をさらに備え、前記動作制御部は、前記研磨具による前記基板の非デバイス面の研磨の開始後に、前記非接触式洗浄機構による前記基板のデバイス面の洗浄を開始し、前記研磨具による前記基板の非デバイス面の研磨の終了後に、前記非接触式洗浄機構による前記基板のデバイス面の洗浄を終了する。

一態様では、前記洗浄流体ノズルは、電解水を前記基板のデバイス面に向けて噴射する。
一態様では、前記洗浄流体ノズルは、メガソニック水または薬液を前記基板のデバイス面に向けて噴射する。
一態様では、前記基板の非デバイス面を研磨している間、前記基板のデバイス面にさらに保護液が供給される。
一態様では、前記基板の非デバイス面を研磨している間に、前記基板のデバイス面に前記保護液を供給しつつ、さらに、前記非接触式洗浄機構によって、前記基板のデバイス面を洗浄する。
一態様では、前記研磨具による前記基板の非デバイス面の研磨の開始よりも前に、前記非接触式洗浄機構による前記基板のデバイス面の洗浄を開始し、前記研磨具による前記基板の非デバイス面の研磨の終了後に、前記非接触式洗浄機構による前記基板のデバイス面の洗浄を終了する。
一態様では、前記研磨具による前記基板の非デバイス面の研磨の開始と同時に、前記非接触式洗浄機構による前記基板のデバイス面の洗浄を開始し、前記研磨具による前記基板の非デバイス面の研磨の終了と同時に、前記非接触式洗浄機構による前記基板のデバイス面の洗浄を終了する。
一態様では、前記研磨具による前記基板の非デバイス面の研磨の開始後に、前記非接触式洗浄機構による前記基板のデバイス面の洗浄を開始し、前記研磨具による前記基板の非デバイス面の研磨の終了後に、前記非接触式洗浄機構による前記基板のデバイス面の洗浄を終了する。

Claims (24)

1. 基板をそのデバイス面が上を向いた状態で保持して、該基板を回転させる基板保持部と、
   前記基板の非デバイス面に接触して、該基板の非デバイス面を研磨する研磨具と、
   前記研磨具で前記基板の非デバイス面を研磨している間に、前記基板のデバイス面を洗浄する非接触式洗浄機構と、を備えたことを特徴とする研磨装置。
2. 前記非接触式洗浄機構は、
   洗浄流体を前記基板のデバイス面に向けて噴射する洗浄流体ノズルと、
   前記洗浄流体ノズルを、前記基板のデバイス面の上方で移動させるノズル移動機構と、を有することを特徴とする請求項１に記載の研磨装置。
3. 前記洗浄流体ノズルは、２流体ジェットを前記基板のデバイス面に向けて噴射させる２流体ジェットノズルであることを特徴とする請求項２に記載の研磨装置。
4. 前記非接触式洗浄機構は、オゾン発生器をさらに含み、
   前記洗浄流体ノズルは、オゾン水、またはオゾンマイクロバブル水を前記基板のデバイス面に向けて噴射することを特徴とする請求項２に記載の研磨装置。
5. 前記非接触式洗浄機構は、電解水生成機をさらに含み、
   前記洗浄流体ノズルは、電解水を前記基板のデバイス面に向けて噴射することを特徴とする請求項２に記載の研磨装置。
6. 前記洗浄流体ノズルは、メガソニック水または薬液を前記基板のデバイス面に向けて噴射することを特徴とする請求項２に記載の研磨装置。
7. 前記基板のデバイス面に保護液を供給する保護液供給ノズルをさらに備えたことを特徴とする請求項１乃至６のいずれか一項に記載の研磨装置。
8. 前記非接触式洗浄機構、および前記保護液供給ノズルの動作を制御する動作制御部をさらに備え、
   前記動作制御部は、前記研磨具で前記基板の非デバイス面を研磨している間に、前記基板のデバイス面に前記保護液供給ノズルから前記保護液を供給しつつ、さらに、前記非接触式洗浄機構によって、前記基板のデバイス面を洗浄することを特徴とする請求項７に記載の研磨装置。
9. 前記研磨具、および前記非接触式洗浄機構の動作を制御する動作制御部をさらに備え、
   前記動作制御部は、
   前記研磨具による前記基板の非デバイス面の研磨の開始よりも前に、前記非接触式洗浄機構による前記基板のデバイス面の洗浄を開始し、
   前記研磨具による前記基板の非デバイス面の研磨の終了後に、前記非接触式洗浄機構による前記基板のデバイス面の洗浄を終了することを特徴とする請求項１に記載の研磨装置。
10. 前記研磨具、および前記非接触式洗浄機構の動作を制御する動作制御部をさらに備え、
    前記動作制御部は、
    前記研磨具による前記基板の非デバイス面の研磨の開始と同時に、前記非接触式洗浄機構による前記基板のデバイス面の洗浄を開始し、
    前記研磨具による前記基板の非デバイス面の研磨の終了と同時に、前記非接触式洗浄機構による前記基板のデバイス面の洗浄を終了することを特徴とする請求項１に記載の研磨装置。
11. 前記研磨具、および前記非接触式洗浄機構の動作を制御する動作制御部をさらに備え、
    前記動作制御部は、
    前記研磨具による前記基板の非デバイス面の研磨の開始後に、前記非接触式洗浄機構による前記基板のデバイス面の洗浄を開始し、
    前記研磨具による前記基板の非デバイス面の研磨の終了後に、前記非接触式洗浄機構による前記基板のデバイス面の洗浄を終了することを特徴とする請求項１に記載の研磨装置。
12. 基板を、そのデバイス面が上を向いた状態で保持して、該基板を回転させ、
    前記回転している基板の非デバイス面に研磨具を押し付けて、該非デバイス面を研磨し、
    前記基板の非デバイス面を研磨している間に、前記基板のデバイス面を非接触式洗浄機構で洗浄することを特徴とする研磨方法。
13. 前記基板のデバイス面の洗浄は、洗浄流体ノズルを前記基板のデバイス面の上方で移動させながら、該洗浄流体ノズルから洗浄流体を前記基板のデバイス面に噴射することにより行われることを特徴とする請求項１２に記載の研磨方法。
14. 前記洗浄流体ノズルは、２流体ジェットを前記基板のデバイス面に向けて噴射することを特徴とする請求項１３に記載の研磨方法。
15. 前記洗浄流体ノズルは、オゾン水、またはオゾンマイクロバブル水を前記基板のデバイス面に向けて噴射することを特徴とする請求項１３に記載の研磨方法。
16. 前記洗浄流体ノズルは、電解水を前記基板のデバイス面に向けて噴射することを特徴とする請求項１３に記載の研磨方法。
17. 前記洗浄流体ノズルは、メガソニック水または薬液を前記基板のデバイス面に向けて噴射することを特徴とする請求項１３に記載の研磨方法。
18. 前記基板の非デバイス面を研磨している間、前記基板のデバイス面にさらに保護液が供給されることを特徴とする請求項１２乃至１７のいずれか一項に記載の研磨方法。
19. 前記基板の非デバイス面を研磨している間に、前記基板のデバイス面に前記保護液を供給しつつ、さらに、前記非接触式洗浄機構によって、前記基板のデバイス面を洗浄することを特徴とする請求項１８に記載の研磨方法。
20. 前記研磨具による前記基板の非デバイス面の研磨の開始よりも前に、前記非接触式洗浄機構による前記基板のデバイス面の洗浄を開始し、
    前記研磨具による前記基板の非デバイス面の研磨の終了後に、前記非接触式洗浄機構による前記基板のデバイス面の洗浄を終了することを特徴とする請求項１２に記載の研磨方法。
21. 前記研磨具による前記基板の非デバイス面の研磨の開始と同時に、前記非接触式洗浄機構による前記基板のデバイス面の洗浄を開始し、
    前記研磨具による前記基板の非デバイス面の研磨の終了と同時に、前記非接触式洗浄機構による前記基板のデバイス面の洗浄を終了することを特徴とする請求項１２に記載の研磨方法。
22. 前記研磨具による前記基板の非デバイス面の研磨の開始後に、前記非接触式洗浄機構による前記基板のデバイス面の洗浄を開始し、
    前記研磨具による前記基板の非デバイス面の研磨の終了後に、前記非接触式洗浄機構による前記基板のデバイス面の洗浄を終了することを特徴とする請求項１２に記載の研磨方法。
23. 請求項１乃至１１のいずれか一項に記載の研磨装置と、
    前記研磨装置によって研磨された基板を洗浄する洗浄ユニットと、
    前記洗浄ユニットで洗浄された基板を乾燥させる乾燥ユニットと、を備えたことを特徴とする基板処理装置。
24. 前記洗浄ユニットは、前記基板の非デバイス面のみを洗浄することを特徴とする請求項２３に記載の基板処理装置。