JP2021034909A - リンギング抑制回路 - Google Patents

Abstract

【課題】リンギングを一層効果的に抑制する。【解決手段】リンギング抑制回路７は、通信線３Ｐ、３Ｎを介して差動信号を伝送することで他のノードとの通信を行う通信回路６を備えたノードに設けられたものであり、抑制部８および動作制御部９を備える。抑制部８は、通信線３Ｐ、３Ｎ間にインピーダンス素子１１を接続することにより差動信号の伝送に伴い発生するリンギングを抑制する抑制動作を行うことができる。動作制御部９は、抑制部８の動作を制御するもので、差動信号の信号レベルがレセッシブに変化したことを検出すると抑制部８による抑制動作を開始する。動作制御部９は、インピーダンス素子１１のインピーダンス値を、抑制動作が実行される抑制期間のうち抑制動作の開始時点を含む第１期間では第１設定値になるとともに第１期間より後の第２期間では第１設定値より高い第２設定値になるように切り替える。【選択図】図２

Description

本発明は、一対の通信線を介した差動信号の伝送に伴い発生するリンギングを抑制するリンギング抑制回路に関する。

一対の通信線からなる伝送線路を介してデジタル信号を伝送する場合、受信側においては、信号レベルが変化するタイミングで信号エネルギーの一部が反射することで、オーバーシュートやアンダーシュートのような波形の歪み、すなわちリンギングが生じる問題がある。従来、このような波形歪みを抑制するため、様々な技術が提案されている。例えば、特許文献１には、通信バス間にスイッチング素子を設け、差動信号のレベルが変化したことを検出すると上記スイッチング素子を一定期間オンさせるといった簡単な構成のリンギング抑制回路でリンギングを抑制して通信の信頼性を高める技術が開示されている。

特許第５４９８５２７号公報

上記した従来のリンギング抑制回路では、リンギングを抑制する抑制動作が実行される抑制期間を通じて通信バス間を一定の比較的低いインピーダンス（例えば１２０Ω相当）とするようになっている。リンギングの大きさは、差動信号のレベルが変化した直後が最も大きくなる傾向がある。また、リンギングの大きさは、バスネットワークの形態、ノード同士などを接続する配線の長さ、ノードの数などの各種条件に応じて変化する。

従来のリンギング抑制回路では、各種条件によっては、最も大きくなるリンギングを抑制しきれず、その結果、波形の歪みがサンプリングタイミングまでに収束しないケースが発生するおそれがあった。さらに、近年のＣＡＮ通信などの通信速度の高速化トレンドに伴い、リンギング抑制に求められる時間的制約は厳しくなっており、より効果的にリンギングを抑制する技術が求められている。

本発明は上記事情に鑑みてなされたものであり、その目的は、リンギングを一層効果的に抑制することができるリンギング抑制回路を提供することにある。

請求項１に記載のリンギング抑制回路は、一対の通信線（３Ｐ、３Ｎ）を介して差動信号を伝送することで他のノードとの通信を行う通信回路（６）を備えたノード（２）に設けられたものであり、抑制部（８、２２、４２）および動作制御部（９、２３、３２、４３、５３）を備える。抑制部は、一対の通信線間にインピーダンス素子（１１、２９、４８）を接続することにより差動信号の伝送に伴い発生するリンギングを抑制する抑制動作を行うことができる。動作制御部は、抑制部の動作を制御するもので、差動信号の信号レベルがレセッシブに変化したことを検出すると抑制部による抑制動作を開始する。動作制御部は、インピーダンス素子のインピーダンス値を、抑制動作が実行される抑制期間のうち抑制動作の開始時点を含む第１期間では第１設定値になるとともに第１期間より後の第２期間では第１設定値より高い第２設定値になるように切り替える。

前述したように、差動信号の伝送に伴い発生するリンギングの大きさは、差動信号のレベルがレセッシブに変化した直後、言い換えると、抑制動作が開始された直後が最も大きくなる傾向がある。上記構成では、抑制動作が実行される抑制期間のうち抑制動作の開始時点を含む第１期間ではインピーダンス素子のインピーダンス値が比較的低い第１設定値になるように切り替えられるため、最も大きくなる可能性があるリンギングが効果的に抑制される。

そして、このような第１期間の後の第２期間では、リンギングの大きさは次第に小さくなる。このようにリンギングが小さくなる期間において、インピーダンス素子のインピーダンス値を低くし過ぎると、二次、三次の反射波などによるリンギングを抑制する効果が逆に低下する可能性がある。上記構成では、第２期間ではインピーダンス素子のインピーダンス値が比較的高い第２設定値になるように切り替えられるため、このような第２期間におけるリンギングについても効果的に抑制される。このように、上記構成によれば、従来の構成に比べ、リンギングを一層効果的に抑制することができるという優れた効果が得られる。

第１実施形態に係る通信ネットワークの構成を模式的に示す図 第１実施形態に係るリンギング抑制回路を含むトランシーバの構成を模式的に示す図 第１実施形態に係る抑制部の具体的な第１構成例を示す図 第１実施形態に係る抑制部の具体的な第２構成例を示す図 第１実施形態に係る抑制部による抑制動作を説明するためのタイミングチャートであり、差動電圧および線間インピーダンスの波形を模式的に示す図 第１比較例の構成による動作をシミュレーションした結果を示す図 第２比較例および第１実施形態に係るリンギング抑制回路による動作をシミュレーションした結果を示す図 第２実施形態に係るリンギング抑制回路の構成を模式的に示す図 第２実施形態に係る抑制部による抑制動作を説明するためのタイミングチャートであり、各スイッチの状態および線間インピーダンスの波形を模式的に示す図 第２比較例および第２実施形態に係るリンギング抑制回路による動作をシミュレーションした結果を示す図 第３実施形態に係るリンギング抑制回路の構成を模式的に示す図 第３実施形態に係る抑制部による抑制動作を説明するためのタイミングチャートであり、各ＭＯＳトランジスタの状態、ゲート電圧の波形および線間インピーダンスの波形を模式的に示す図 第４実施形態に係るリンギング抑制回路の構成を模式的に示す図 第４実施形態に係る各部の電圧およびオン抵抗の関係を模式的に示す図 第４実施形態に係る抑制部による抑制動作を説明するためのタイミングチャートであり、スイッチの状態、ＯＰアンプの状態および線間インピーダンスの波形を模式的に示す図 第５実施形態に係るリンギング抑制回路を含むトランシーバの構成を模式的に示す図 第５実施形態に係るリンギング抑制回路による動作をシミュレーションした結果を示す図であり、自ノード送信時および他ノード送信時における差動電圧の波形を示す図。

以下、本発明の複数の実施形態について図面を参照して説明する。なお、各実施形態において実質的に同一の構成には同一の符号を付して説明を省略する。
（第１実施形態）
以下、第１実施形態について図１〜図７を参照して説明する。

＜通信ネットワークの構成＞
図１に示す通信ネットワーク１は、車両に搭載される複数のノード２間の制御通信のために、それらのノード２がツイストペア線で構成される伝送線路３を介して接続されたネットワークである。各ノード２は、それぞれ車両の状態を検出するためのセンサ類やセンサからの情報に基づいてアクチュエータをコントロールする電子制御装置である。

各ノード２には、それぞれ図示しない通信回路が設けられており、伝送線路３での通信プロトコル、例えばＣＡＮプロトコルに従って送信データや受信データを通信信号に変換し、他のノード２との間で通信、つまりデータの送受信を行う。伝送線路３、つまり通信バスの途中には、適宜、伝送線路３を分岐するための分岐コネクタ４が設けられている。なお、図１に示したノード２のうち、長方形内に「Ｔ」と記載したノード２は、その外部に終端抵抗を持つノードを示している。また、図１に示したノード２のうち、単なる長方形のシンボルで表したノード２は終端抵抗を備えていないノードを示している。この場合、終端抵抗の抵抗値は、例えば１２０Ωとなっている。

＜リンギング抑制回路の構成＞
図２に示すトランシーバ５は、半導体集積回路、つまりＩＣとして構成されたものであり、図１に示したノード２に設けられる。トランシーバ５は、データの送信および受信を行う通信回路６およびリンギング抑制回路７を備えている。通信回路６は、同じくノード２に設けられる図示しない制御装置から与えられる送信データＴＸＤに基づいた通信信号を生成し、その通信信号を伝送線路３に送信する。また、通信回路６は、伝送線路３を介して送信された通信信号を受信し、受信データＲＸＤとして上記制御装置に送信する。

リンギング抑制回路７は、抑制部８および動作制御部９を備える。抑制部８は、高電位側信号線３Ｐおよび低電位側信号線３Ｎからなる伝送線路３のインピーダンスを低下させることにより、差動信号の伝送に伴い発生するリンギングを抑制する抑制動作を行う。なお、高電位側信号線３Ｐおよび低電位側信号線３Ｎは、一対の通信線に相当するものであり、以下、単に信号線３Ｐおよび信号線３Ｎと省略することもある。また、図２などでは、信号線３Ｐの信号をＣＡＮ＿Ｈと称するとともに、信号線３Ｎの信号をＣＡＮ＿Ｌと称する。

抑制部８は、スイッチ１０およびインピーダンス素子１１を備えている。スイッチ１０およびインピーダンス素子１１は、信号線３Ｐ、３Ｎ間に直列接続されている。スイッチ１０は、動作制御部９により制御されるもので、抑制動作が実行されるときにはオンされるとともに、抑制動作が実行されないときにはオフされる。スイッチ１０がオンされることにより、信号線３Ｐ、３Ｎ間にインピーダンス素子１１が接続され、信号線３Ｐ、３Ｎ間のインピーダンスが低下する。このように、抑制部８は、信号線３Ｐ、３Ｎ間にインピーダンス素子１１を接続することによりリンギングを抑制する抑制動作を行うことができる。

インピーダンス素子１１は、そのインピーダンス値を切り替えることができる構成となっている。インピーダンス値の切り替えは、動作制御部９により制御される。この場合、信号線３Ｐ、３Ｎ間のインピーダンス、つまり線間インピーダンスは、スイッチ１０がオフのとき、つまり抑制動作が実行されない期間には例えば１００ｋΩ程度の非常に高い値であるものが、スイッチ１０がオンのとき、つまり抑制動作が実行される抑制期間には例えば３０Ω程度から例えば１２０Ω程度の範囲の低い値とされる。

本実施形態では、インピーダンス素子１１のインピーダンス値は、抑制期間の開始時点では例えば３０Ω程度とされ、その後、連続的に上昇するように切り替えられる。そして、インピーダンス素子１１のインピーダンス値は、抑制期間の終了時点では、例えば１２０Ω程度とされる。言い換えると、インピーダンス素子１１のインピーダンス値は、抑制期間の開始時点を含む期間である第１期間では第１設定値になるとともに、第１期間より後の期間である第２期間では第１設定値より高い第２設定値となるように切り替えられるようになっている。

動作制御部９は、抑制部８の動作を制御するものであり、変化検出部１２および切替制御部１３を備えている。変化検出部１２は、信号線３Ｐ、３Ｎ間の電位に基づいて差動信号の信号レベルの変化を検出し、その検出結果を表す検出信号Ｓａを切替制御部１３へと出力する。切替制御部１３は、抑制部８のスイッチ１０のオンオフを制御するとともに、抑制部８のインピーダンス素子１１のインピーダンス値の切り替えを制御するための制御信号Ｓｂを抑制部８へと出力する。

上記したような構成の動作制御部９は、差動信号の信号レベルがレセッシブを表すレベルに変化したことを検出すると、抑制部８のスイッチ１０をオンする。つまり、動作制御部９は、差動信号の信号レベルがレセッシブを表すレベルに変化したことを検出すると、信号線３Ｐ、３Ｎ間にインピーダンス素子１１を接続して抑制部８による抑制動作を開始させる。また、動作制御部９は、抑制動作を実行する抑制期間において、インピーダンス素子１１のインピーダンス値を、前述したように切り替える。

抑制部８の具体的な構成としては、例えば図３に示すような第１構成例または図４に示すような第２構成例を採用することができる。図３に示すように、第１構成例の抑制部８は、Ｎチャネル型のＭＯＳトランジスタＱ１および抵抗素子Ｒ１を備えている。ＭＯＳトランジスタＱ１のドレインは抵抗素子Ｒ１を介して信号線３Ｐに接続され、そのソースは信号線３Ｎに接続されている。

つまり、ＭＯＳトランジスタＱ１は、信号線３Ｐ、３Ｎ間に抵抗素子Ｒ１を介して接続されている。なお、ＭＯＳトランジスタＱ１および抵抗素子Ｒ１の接続位置は入れ替えることができる。ＭＯＳトランジスタＱ１のゲートには、切替制御部１３から出力される制御信号Ｓｂが与えられている。そのため、ＭＯＳトランジスタＱ１の駆動は、制御信号Ｓｂを出力する動作制御部９の切替制御部１３により制御される。抑制部８は、ＭＯＳトランジスタＱ１をオン駆動することにより抑制動作を行うようになっている。

第１構成例では、ＭＯＳトランジスタＱ１によるスイッチング動作がスイッチ１０として機能する。また、第１構成例では、ＭＯＳトランジスタＱ１のオン抵抗および抵抗素子Ｒ１がインピーダンス素子１１として機能する。つまり、この場合、インピーダンス素子１１は、ＭＯＳトランジスタＱ１のオン抵抗を含む。ＭＯＳトランジスタＱ１のオン抵抗は、そのゲート電圧に応じて変化する。上記構成では、ＭＯＳトランジスタＱ１のゲート電圧は、制御信号Ｓｂの電圧レベルを変化させることで制御することができる。

第１構成例では、動作制御部９の切替制御部１３は、制御信号ＳｂによってＭＯＳトランジスタＱ１のゲート電圧を制御することによりインピーダンス素子１１のインピーダンス値を切り替えるようになっている。なお、この場合、ＭＯＳトランジスタＱ１および抵抗素子Ｒ１としては、前述したような範囲でインピーダンス素子１１のインピーダンス値を切り替えることができるようなオン抵抗および抵抗値を有するものが用いられる。

図４に示すように、第２構成例の抑制部８は、図３に示した第１構成例の抑制部８に対し、抵抗素子Ｒ１が省かれている点などが異なる。この場合、ＭＯＳトランジスタＱ１のドレインは信号線３Ｐに接続され、そのソースは信号線３Ｎに接続されている。つまり、ＭＯＳトランジスタＱ１は、信号線３Ｐ、３Ｎ間に接続されている。この場合も、抑制部８は、ＭＯＳトランジスタＱ１をオン駆動することにより抑制動作を行うようになっている。

第２構成例では、ＭＯＳトランジスタＱ１のオン抵抗がインピーダンス素子１１として機能する。つまり、この場合も、インピーダンス素子１１は、ＭＯＳトランジスタＱ１のオン抵抗を含む。なお、この場合、ＭＯＳトランジスタＱ１としては、前述したような範囲でインピーダンス素子１１のインピーダンス値を切り替えることができるようなオン抵抗を有するものが用いられる。

上記した抑制部８の第１構成例および第２構成例には、それぞれにメリットがある。まず、第１構成例によれば、ＭＯＳトランジスタＱ１のオン抵抗と抵抗素子Ｒ１とによりインピーダンス素子１１が構成されることになる。一般に、抵抗素子は、ＭＯＳトランジスタのオン抵抗に比べ、その抵抗値の精度は高く、また、温度特性などの各種特性も良好なものとすることができる。

そのため、第１構成例によれば、ＭＯＳトランジスタＱ１のオン抵抗だけによりインピーダンス素子１１が構成される第２構成例に比べ、インピーダンス素子１１のインピーダンス値の合わせ込みが容易になるというメリットが得られる。一方、第２構成例によれば、第１構成例に比べ、インピーダンス値の合わせ込みがし難くなるものの、ＭＯＳトランジスタＱ１だけで抑制部８を構成することが可能となることから、その構成を簡素化することができる。したがって、第２構成例によれば、第１構成例に比べ、リンギング抑制回路７の回路面積を小さく抑えることができるというメリットが得られる。

次に、上記構成の作用について説明する。
この場合、伝送線路３は、ハイレベル、ロウレベルの２値信号を差動信号として伝送する。例えば、電源電圧が５Ｖの場合、信号線３Ｐ、３Ｎは、非ドライブ状態においていずれも中間電位である２．５Ｖに設定され、差動電圧は０Ｖであり、差動信号はレセッシブを表すロウレベルとなる。そして、通信回路６の送信回路（図示略）が伝送線路３をドライブすると、信号線３Ｐは例えば３．５Ｖ以上に、信号線３Ｎは例えば１．５Ｖ以下にドライブされ、差動電圧は２Ｖ以上となり、差動信号はドミナントを表すハイレベルとなる。また、図示しないが、信号線３Ｐ、３Ｎの両端は１２０Ωの終端抵抗により終端されている。

このようなことから、図５に示すように、差動信号の信号レベルがハイレベルからロウレベルに変化する際には、伝送線路３が非ドライブ状態となり伝送線路３のインピーダンスが高くなることから、差動信号波形にリンギングが発生する。なお、図５などでは、差動信号がドミナントを表す期間をＴａと称するとともに差動信号がレセッシブを表す期間をＴｂと称する。また、図５では、差動信号の理想的な波形を一点鎖線で示している。

そこで、リンギング抑制回路７では、次のようにして、このようなリンギングを抑制するための抑制動作が行われる。すなわち、変化検出部１２は、差動信号の信号レベルがハイレベルからロウレベルに変化した時点ｔ１において、差動信号の信号レベルがレセッシブを表すレベルに変化したことを検出する。すると、切替制御部１３は、スイッチ１０をオンさせ、これにより抑制部８による抑制動作が開始される。そして、抑制動作が開始された時点ｔ１において、線間インピーダンスが１００ｋΩから３０Ωへと変化する。

切替制御部１３は、このようなスイッチ１０のオン、つまり抑制動作を時点ｔ２まで継続する。この場合、時点ｔ１〜ｔ２の期間Ｔｃが、抑制動作が行われる抑制期間に相当する。切替制御部１３は、抑制期間の開始時点である時点ｔ１から終了時点である時点ｔ２までの間、制御信号Ｓｂの電圧レベル、つまりＭＯＳトランジスタＱ１のゲート電圧を、徐々に低下させるようになっている。これにより、線間インピーダンスは、時点ｔ１から時点ｔ２に向けて徐々に高くなっていき、時点ｔ２において１２０Ωとなる。

このような抑制動作により、差動信号の信号レベルがハイレベルからロウレベルに変化する立ち下がり期間に発生する波形歪みのエネルギーがインピーダンス素子１１により消費され、リンギングが抑制される。切替制御部１３は、時点ｔ２において、スイッチ１０をオフさせ、これにより抑制部８による抑制動作が停止される。そして、抑制動作が停止された時点ｔ２において、線間インピーダンスが１２０Ωから１００ｋΩへと変化する。

以上説明した本実施形態によれば、次のような効果が得られる。
差動信号の伝送に伴い発生するリンギングの大きさは、差動信号のレベルがレセッシブに変化した直後、言い換えると、抑制部８による抑制動作が開始された直後が最も大きくなる傾向がある。本実施形態のリンギング抑制回路７では、インピーダンス素子１１のインピーダンス値は、抑制動作が実行される抑制期間Ｔｃの開始時点ｔ１には最も低い３０Ω程度となり、その後、徐々に高くなるように切り替えられる。したがって、本実施形態によれば、最も大きくなる可能性があるレセッシブ遷移直後のリンギングを、線間インピーダンスをより低くすることによって効果的に抑制することができる。

リンギングの大きさは、差動信号のレベルがレセッシブに変化した後は、次第に小さくなっていく。このようにリンギングが小さくなる期間において、線間インピーダンスを低くし過ぎると、二次、三次の反射波などによるリンギングを抑制する効果が逆に低下する可能性がある。上記構成では、インピーダンス素子１１のインピーダンス値は、抑制期間Ｔｃ中、時間の経過とともに次第に高くなるように切り替えられる。そのため、上記構成によれば、このような次第に小さくなるリンギングについても、線間インピーダンスを低くし過ぎないことによって効果的に抑制することができる。このように、本実施形態によれば、従来の構成に比べ、リンギングを一層効果的に抑制することができるという優れた効果が得られる。

本実施形態により得られる上述したような効果は、リンギング抑制回路が設けられていない構成である第１比較例および抑制期間を通じて線間インピーダンスを一定の低いインピーダンス（例えば１２０Ω程度）とする抑制動作を行う従来のリンギング抑制回路が設けられた構成である第２比較例と比較することで一層明確になる。そこで、以下では、各比較例および本実施形態のそれぞれにおける回路動作のシミュレーション結果に相当する差動電圧の波形を表す図６および図７を参照しながら、各比較例と本実施形態とを比較しつつ本実施形態により得られる効果を説明する。

［１］第１比較例
第１比較例の場合、ノード２にリンギング抑制回路が設けられていない。そのため、図６に示すように、差動信号のレベルがドミナントを表すレベルからレセッシブを表すレベルに変化した後に比較的大きなリンギングが発生し、その後、そのリンギングが収束するまでに比較的長い時間を要している。したがって、第１比較例の場合、例えば誤サンプリングによる誤ったデータの受信など、通信に致命的な障害が生じるおそれがある。

［２］第２比較例
第２比較例の場合、差動信号のレベルがドミナントを表すレベルからレセッシブを表すレベルに変化した後、抑制期間Ｔｃを通じて線間インピーダンスを１２０Ωとする抑制動作が行われる。そのため、図７に細い実線で示すように、第１比較例に比べリンギングが小さく抑えられている。

しかし、この場合、差動信号のレベルがレセッシブを表すレベルに変化した直後に発生する最も大きくなるリンギングが後述する本実施形態に比べて十分に抑制されておらず、その結果、リンギングが収束するまでの時間が後述する本実施形態に比べて長くなっている。したがって、第２比較例によれば、波形の歪みがサンプリングタイミングまでに収束しないケースが発生するおそれがある。

［３］本実施形態
本実施形態の場合、差動信号のレベルがドミナントを表すレベルからレセッシブを表すレベルに変化した後、前述したような抑制動作が行われる。そのため、線間インピーダンスは、差動信号のレベルがレセッシブを表すレベルに変化した直後、つまり抑制期間Ｔｃの開始時点では第２比較例における１２０Ωよりも一層低い３０Ωとなり、その後、徐々に高くなるように切り替えられる。

そのため、図７に太い実線で示すように、差動信号のレベルがレセッシブを表すレベルに変化した直後に発生する最も大きくなるリンギングが、第２比較例よりも小さくなるように効果的に抑制されている。また、この場合、線間インピーダンスは、抑制期間Ｔｃ中、時間の経過とともに次第に高くなるように切り替えられ、抑制期間Ｔｃの終了時点では伝送線路３の特性インピーダンスに相当する１２０Ωとなる。そのため、本実施形態では、抑制期間Ｔｃの後半に発生する二次、三次の反射波などによるリンギングが、インピーダンスマッチングにより、効果的に抑制されている。

このようなことから、本実施形態では、リンギングが収束するまでの時間が第２比較例に比べて短くなっており、波形の歪みがサンプリングタイミングまでに収束しないケースが発生する可能性を低く抑えることができる。また、本実施形態では、インピーダンス素子１１のインピーダンス値は、抑制期間Ｔｃ中、連続的に切り替えられるようになっている。そのため、インピーダンス値の切り替えに伴い、差動電圧が急峻に変化すること、言い換えると差動電圧の波形に段差ができることがない。したがって、本実施形態によれば、インピーダンス値を切り替えることに伴って放射ノイズが増加する、といった別の問題が生じることがない。

（第２実施形態）
以下、第２実施形態について図８〜図１０を参照して説明する。
図８に示すように、本実施形態のリンギング抑制回路２１は、第１実施形態のリンギング抑制回路７に対し、抑制部８に代えて抑制部２２を備えている点、動作制御部９に代えて動作制御部２３を備えている点などが異なる。

抑制部２２は、スイッチ２４、２５および抵抗素子２６、２７を備えている。スイッチ２４および抵抗素子２６は、直列接続されており、その直列回路は、通信線３Ｐ、３Ｎ間に接続されている。スイッチ２５および抵抗素子２７は、直列接続されており、その直列回路は、通信線３Ｐ、３Ｎ間に接続されている。このように、抑制部２２は、通信線３Ｐ、３Ｎ間に接続された抵抗素子およびスイッチの直列回路を２つ備えた構成となっている。なお、抑制部２２は、通信線３Ｐ、３Ｎ間に接続された抵抗素子およびスイッチの直列回路を３つ以上備えた構成とすることもできる。

動作制御部２３は、動作制御部９に対し、切替制御部１３に代えて切替制御部２８を備えている点などが異なる。抑制部２２のスイッチ２４、２５は、動作制御部２３の切替制御部２８により制御されるものであり、抑制動作が実行されるときには少なくとも一方がオンされるとともに、抑制動作が実行されないときには双方がオフされる。スイッチ２４、２５の少なくとも一方がオンされることにより、信号線３Ｐ、３Ｎ間に抵抗素子２６、２７の少なくとも一方が接続され、線間インピーダンスが低下する。

このように、本実施形態では、抵抗素子２６、２７がインピーダンス素子２９として機能する。つまり、この場合、インピーダンス素子２９は、抵抗素子２６、２７を含む。本実施形態では、抵抗素子２６の抵抗値は１２０Ω程度となっている。また、抵抗素子２７の抵抗値は、抵抗素子２６、２７の並列合成抵抗値が３０Ω程度となるような値（例えば４Ω程度）となっている。

動作制御部２３の切替制御部２８は、抑制部２２のスイッチ２４、２５を個別にオンオフするための制御信号Ｓｃを抑制部２２へと出力する。この場合、動作制御部２３は、差動信号の信号レベルがレセッシブを表すレベルに変化したことを検出すると、抑制部２２の２つのスイッチ２４、２５の双方をオンして信号線３Ｐ、３Ｎ間にインピーダンス素子２９として機能する２つの抵抗素子２６、２７を接続することにより、抑制部２２による抑制動作を開始させる。

動作制御部２３は、抑制動作を実行する抑制期間において、インピーダンス素子２９のインピーダンス値を、次のように切り替える。すなわち、動作制御部２３は、抑制期間中、オンされたスイッチ２４、２５を段階的にオフすることによりインピーダンス素子２９のインピーダンス値を段階的に切り替える。具体的には、動作制御部２３は、抑制期間の開始時点を含む前半の期間である第１期間では、スイッチ２４、２５の双方をオンした状態を維持する。

これにより、第１期間では、インピーダンス素子２９のインピーダンス値は、第１設定値に相当する３０Ω程度となる。動作制御部２３は、第１期間より後の期間、つまり抑制期間の後半の期間では、スイッチ２５をオフする。これにより、第２期間では、インピーダンス素子２９のインピーダンス値は、第１設定値より高い第２設定値に相当する１２０Ω程度となる。このように、動作制御部２３は、インピーダンス素子２９のインピーダンス値を段階的に切り替えるようになっている。

次に、上記構成の作用について説明する。
リンギング抑制回路２１では、次のように抑制動作が行われる。すなわち、図９に示すように、変化検出部１２により差動信号の信号レベルがレセッシブを表すレベルに変化したことが検出された時点ｔ１１において、切替制御部２８は、スイッチ２４、２５をオンさせ、これにより抑制部２２による抑制動作が開始される。そして、抑制動作が開始された時点ｔ１１において、線間インピーダンスが１００ｋΩから３０Ωへと変化する。

切替制御部２８は、スイッチ２４をオンさせた状態を時点ｔ１３まで継続する。この場合、時点ｔ１１〜ｔ１３の期間Ｔｃが、抑制動作が行われる抑制期間に相当する。切替制御部２８は、抑制期間の開始時点である時点ｔ１１を含む前半の期間、つまり時点ｔ１１〜ｔ１２の期間である第１期間Ｔ１では、スイッチ２４、２５をオンさせた状態を維持する。これにより、抑制期間Ｔｃの前半の期間である第１期間Ｔ１では、線間インピーダンスが３０Ωで一定とされる。

切替制御部２８は、時点ｔ１２において、スイッチ２５をオフさせる。これにより、時点ｔ１２において、線間インピーダンスが３０Ωから１２０Ωへと変化する。切替制御部２８は、抑制期間Ｔｃの後半の期間、つまり時点ｔ１２〜ｔ１３の期間である第２期間Ｔ２では、スイッチ２４をオンさせるとともにスイッチ２５をオフさせた状態を維持する。これにより、抑制期間Ｔｃの後半の期間である第２期間Ｔ２では、線間インピーダンスが１２０Ωで一定とされる。

このような抑制動作により、差動信号の信号レベルがハイレベルからロウレベルに変化する立ち下がり期間に発生する波形歪みのエネルギーがインピーダンス素子２９により消費され、リンギングが抑制される。切替制御部２８は、時点ｔ１３において、スイッチ２５をオフさせ、これにより抑制部２２による抑制動作が停止される。そして、抑制動作が停止された時点ｔ１３において、線間インピーダンスが１２０Ωから１００ｋΩへと変化する。

以上説明したように、本実施形態のリンギング抑制回路２１では、インピーダンス素子２９のインピーダンス値は、抑制期間Ｔｃの開始時点ｔ１１を含む第１期間Ｔ１では３０Ω程度となり、第１期間Ｔ１より後の第２期間Ｔ２では１２０Ω程度となるように切り替えられる。したがって、本実施形態によっても、第１実施形態と同様の効果、つまり従来の構成に比べ、リンギングを一層効果的に抑制することができるという優れた効果が得られる。

以下、第１実施形態で説明した第２比較例および本実施形態のそれぞれにおける回路動作のシミュレーション結果に相当する差動電圧の波形を表す図１０を参照しながら、第２比較例と本実施形態とを比較しつつ本実施形態により得られる効果を説明する。なお、図１０では、第２比較例に対応する差動電圧の波形を細い実線で示し、本実施形態に対応する差動電圧の波形を太い実線で示している。

図１０に示すように、本実施形態によれば、差動信号のレベルがレセッシブを表すレベルに変化した直後に発生する最も大きくなるリンギングが、第２比較例よりも小さくなるように効果的に抑制されている。また、この場合、線間インピーダンスは、抑制期間Ｔｃの後半の期間である第２期間Ｔ２では、伝送線路３の特性インピーダンスに相当する１２０Ωとされる。そのため、本実施形態では、抑制期間Ｔｃの後半に発生する二次、三次の反射波などによるリンギングが、インピーダンスマッチングにより、効果的に抑制されている。

このようなことから、本実施形態では、リンギングが収束するまでの時間が第２比較例に比べて短くなっており、波形の歪みがサンプリングタイミングまでに収束しないケースが発生する可能性を低く抑えることができる。なお、本実施形態では、インピーダンス素子２９のインピーダンス値は、抑制期間Ｔｃ中、段階的に切り替えられるようになっている。そのため、インピーダンス値の切り替えに伴い、差動電圧が急峻に変化すること、言い換えると差動電圧の波形に段差ができることがある。

そのため、本実施形態では、第１実施形態では発生する可能性がない問題、つまりインピーダンス値を切り替えることに伴って放射ノイズが増加する問題が生じる可能性がある。ただし、本実施形態によれば、抑制期間Ｔｃ中、第１実施形態のようにインピーダンス値を連続的に変化させるための制御を行う必要がなく、スイッチ２４、２５を段階的に切り替えるようにオンオフ制御すればよいだけであることから、動作制御部２３の切替制御部２８における制御を簡素化することができるというメリットがある。

（第３実施形態）
以下、第３実施形態について図１１および図１２を参照して説明する。
図１１に示すように、本実施形態のリンギング抑制回路３１は、第１実施形態のリンギング抑制回路７に対し、動作制御部９に代えて動作制御部３２を備えている点などが異なる。なお、この場合、抑制部８としては、図３に示した第１構成例が採用されている。動作制御部３２は、動作制御部９に対し、切替制御部１３に代えて切替制御部３３を備えている点などが異なる。

切替制御部３３は、バッファ３４、抵抗Ｒ３１、コンデンサＣ３１、Ｐチャネル型のＭＯＳトランジスタＱ３１およびＮチャネル型のＭＯＳトランジスタＱ３２を備えている。バッファ３４の入力端子には、一定の電圧Ｖｒｅｆが入力される。電圧Ｖｒｅｆは、ＭＯＳトランジスタＱ１のゲート閾値電圧よりも高い電圧である。バッファ３４の出力端子は、抵抗Ｒ３１を介してＭＯＳトランジスタＱ１のゲートに接続されるとともに、コンデンサＣ３１を介して回路の基準電位が与えられるグランドに接続される。

ＭＯＳトランジスタＱ３１のソースは、電源電圧ＶＤＤが供給される電源線Ｌ３１に接続され、そのドレインはＭＯＳトランジスタＱ１のゲートに接続される。電源電圧ＶＤＤは、電圧Ｖｒｅｆよりも高い電圧となっている。ＭＯＳトランジスタＱ３２のソースはグランドに接続され、そのドレインはＭＯＳトランジスタＱ１のゲートに接続される。ＭＯＳトランジスタＱ３１、Ｑ３２の各ゲートには、駆動信号ＳＷＰ、ＳＷＮがそれぞれ与えられている。

ＭＯＳトランジスタＱ３１は、駆動信号ＳＷＰがハイレベルのときにオフされるとともにロウレベルのときにオンされる。ＭＯＳトランジスタＱ３２は、駆動信号ＳＷＮがハイレベルのときにオンされるとともにロウレベルのときにオフされる。駆動信号ＳＷＰ、ＳＷＮの生成、ひいてはＭＯＳトランジスタＱ３１、Ｑ３２の駆動の制御などは、切替制御部３３に設けられた図示しない制御回路により行われる。

この場合、ＭＯＳトランジスタＱ１および抵抗素子Ｒ１としては、次のような条件を満たすことができるオン抵抗および抵抗値を有するものが用いられる。第１の条件は、ＭＯＳトランジスタＱ１のゲートに対して電圧Ｖｒｅｆが与えられることでオンされる期間におけるインピーダンス素子１１のインピーダンス値が１２０Ω程度になるという条件である。第２の条件は、ＭＯＳトランジスタＱ１のゲートに対して電源電圧ＶＤＤが与えられることでオンされる期間におけるインピーダンス素子１１のインピーダンス値が３０Ω程度になるという条件である。

次に、上記構成の作用について説明する。
リンギング抑制回路３１では、次のように抑制動作が行われる。すなわち、図１２に示すように、時点ｔ３１以前の期間または時点ｔ３３以降の期間では、ＭＯＳトランジスタＱ３１がオフされるとともにＭＯＳトランジスタＱ３２がオンされるため、ＭＯＳトランジスタＱ１がオフされて抑制動作が行われない。

変化検出部１２により差動信号の信号レベルがレセッシブを表すレベルに変化したことが検出された時点ｔ３１において、ＭＯＳトランジスタＱ３１がオンに転じるとともにＭＯＳトランジスタＱ３２がオフに転じ、これにより抑制部８による抑制動作が開始される。この抑制動作は、時点ｔ３３まで継続される。したがって、この場合、時点ｔ３１〜ｔ３３の期間が抑制期間Ｔｃに相当する。そして、抑制動作が開始された時点ｔ３１において、ＭＯＳトランジスタＱ３１のゲート電圧が電源電圧ＶＤＤとなることから線間インピーダンスが１００ｋΩから３０Ωへと変化する。

ＭＯＳトランジスタＱ３１がオンされる状態は、時点ｔ３２まで継続される。そのため、時点ｔ３１〜ｔ３２の期間では、ＭＯＳトランジスタＱ１のゲート電圧が電源電圧ＶＤＤに維持され、線間インピーダンスが３０Ωで一定となる。時点ｔ３２において、ＭＯＳトランジスタＱ３１がオフに転じる。これにより、ＭＯＳトランジスタＱ１のゲート電圧は、電源電圧ＶＤＤから電圧Ｖｒｅｆに向けて低下する。このときのゲート電圧の低下の傾きは、抵抗Ｒ３１およびコンデンサＣ３１による時定数に応じた傾きとなる。このようにＭＯＳトランジスタＱ１のゲート電圧が所定の傾きで低下することにより、線間インピーダンスは、３０Ωから同様の傾きで上昇し、やがては１２０Ωで一定となる。

このような抑制動作により、差動信号の信号レベルがハイレベルからロウレベルに変化する立ち下がり期間に発生する波形歪みのエネルギーがインピーダンス素子１１により消費され、リンギングが抑制される。この場合、時点ｔ３３において、ＭＯＳトランジスタＱ３２がオンに転じることで、抑制部８による抑制動作が停止される。そして、抑制動作が停止された時点ｔ３３において、線間インピーダンスが１２０Ωから１００ｋΩへと変化する。

以上説明した本実施形態のリンギング抑制回路３１によれば、第１実施形態のリンギング抑制回路７と同様に、インピーダンス素子１１のインピーダンス値が、抑制動作が実行される抑制期間Ｔｃの開始時点である時点ｔ３１には最も低い３０Ω程度になるとともに終了時点である時点ｔ３３には１２０Ω程度になるように、つまりインピーダンス値が徐々に高くなるように連続的に切り替えられるようになっている。したがって、本実施形態によっても、第１実施形態と同様の効果が得られる。

（第４実施形態）
以下、第４実施形態について図１３〜図１５を参照して説明する。
図１３に示すように、本実施形態のリンギング抑制回路４１は、第１実施形態のリンギング抑制回路７に対し、抑制部８に代えて抑制部４２を備えている点、動作制御部９に代えて動作制御部４３を備えている点などが異なる。

抑制部４２は、スイッチ４４、抵抗素子４５、Ｎチャネル型のＭＯＳトランジスタＱ４１およびＯＰアンプ４６を備えている。スイッチ４４および抵抗素子４５は、直列接続されており、その直列回路は、通信線３Ｐ、３Ｎ間に接続されている。スイッチ４４は、動作制御部４３により制御されるものであり、抑制動作が実行されるときにはオンされるとともに、抑制動作が実行されないときにはオフされる。

ＭＯＳトランジスタＱ４１のドレインは通信線３Ｐに接続され、そのソースは通信線３Ｎに接続されている。ＭＯＳトランジスタＱ４１のゲートには、ＯＰアンプ４６の出力電圧Ｖｏｕｔが与えられている。ＯＰアンプ４６は、イネーブル端子を備えており、そのイネーブル端子に入力される信号ＥＮＢに応じて動作状態と非動作状態とに切り替えが可能な構成となっている。

具体的には、ＯＰアンプ４６は、信号ＥＮＢがハイレベルのときに動作状態となり、信号ＥＮＢがロウレベルのときに非動作状態となる。ＯＰアンプ４６の非反転入力端子は通信線３Ｐに接続され、その反転入力端子は通信線３Ｎに接続されている。つまり、ＯＰアンプ４４には、通信線３Ｐ、３Ｎ間の差動電圧Ｖｄｉｆｆが入力されるようになっている。

この場合、ＯＰアンプ４６の出力電圧Ｖｏｕｔと差動電圧Ｖｄｉｆｆとの関係、ＭＯＳトランジスタＱ４１のオン抵抗ＲＯＮと差動電圧Ｖｄｉｆｆとの関係は、図１４に示すような特性となっている。すなわち、ＯＰアンプ４６の出力電圧Ｖｏｕｔと差動電圧Ｖｄｉｆｆとは比例の関係となっている。また、オン抵抗ＲＯＮと差動電圧Ｖｄｉｆｆとは反比例の関係となっている。なお、図１４では、ＭＯＳトランジスタＱ４１のゲート閾値電圧を電圧Ｖｔとして示している。

動作制御部４３は、動作制御部９に対し、切替制御部１３に代えて切替制御部４７を備えている点などが異なる。切替制御部４７は、スイッチ４４のオンオフを前述したように制御する。また、切替制御部４７は、信号ＥＮＢを生成する機能を有する。したがって、ＯＰアンプ４６の動作状態は、切替制御部４７により制御される。上記構成では、スイッチ４４がオンされることにより信号線３Ｐ、３Ｎ間に抵抗素子４５が接続され、線間インピーダンスが低下する。また、上記構成では、ＯＰアンプ４６が動作状態になると、差動電圧Ｖｄｉｆｆに応じてＭＯＳトランジスタＱ４１がオン駆動されて線間インピーダンスが低下する。

このようなことから、本実施形態では、抵抗素子４５およびＭＯＳトランジスタＱ４１のオン抵抗がインピーダンス素子４８として機能する。本実施形態では、抵抗素子４５の抵抗値は１２０Ω程度となっている。また、本実施形態では、ＭＯＳトランジスタＱ４１は、いわゆるフルオンの状態において、抵抗素子４５とＭＯＳトランジスタＱ４１のオン抵抗との並列合成抵抗値が３０Ω程度となるような特性となっている。言い換えると、ＭＯＳトランジスタＱ４１は、そのオン抵抗の最小値が例えば４Ω程度となるものが用いられる。

次に、上記構成の作用について説明する。
リンギング抑制回路４１では、次のように抑制動作が行われる。すなわち、図１５に示すように、変化検出部１２により差動信号の信号レベルがレセッシブを表すレベルに変化したことが検出された時点ｔ４１において、切替制御部４７は、スイッチ４４をオンするとともにＯＰアンプ４６を動作状態に切り替え、これにより抑制部４２による抑制動作が開始される。そして、抑制動作が開始された時点ｔ４１において、線間インピーダンスが１００ｋΩから３０Ωへと変化する。

切替制御部４７は、スイッチ４４をオンさせた状態を時点ｔ４３まで継続する。この場合、時点ｔ４１〜ｔ４３の期間Ｔｃが、抑制動作が行われる抑制期間に相当する。切替制御部４７は、抑制期間Ｔｃの開始時点である時点ｔ４１を含む前半の期間、つまり時点ｔ４１〜ｔ４２の期間である第１期間Ｔ１では、ＯＰアンプ４６を動作状態に維持する。これにより、抑制期間Ｔｃの前半の期間である第１期間Ｔ１では、線間インピーダンスが３０Ωから１２０Ωの間で変化する。

具体的には、第１期間Ｔ１では、差動電圧Ｖｄｉｆｆが高くなるほどＭＯＳトランジスタＱ４１のオン抵抗ＲＯＮが低下することから、差動電圧Ｖｄｉｆｆが高いとき、つまりリンギングが大きいときほど、線間インピーダンスが低下する。なお、図１５では、第１期間Ｔ１における線間インピーダンスは３０Ωから１２０Ωへと所定の傾きで変化するようになっている。これは、ＯＰアンプ４６の応答性などに起因して、ＭＯＳトランジスタＱ４１のオン抵抗ＲＯＮの変化がリンギングに応じた差動電圧Ｖｄｉｆｆの変化に追従していないためである。

切替制御部４７は、時点ｔ４２において、ＯＰアンプ４６を非動作状態に切り替える。これにより、時点ｔ４２において、線間インピーダンスが１２０Ωとなる。切替制御部４７は、抑制期間Ｔｃの後半の期間、つまり時点ｔ４２〜ｔ４３の期間である第２期間Ｔ２では、ＯＰアンプ４６を非動作状態に切り替えるとともにスイッチ４４をオンさせた状態を維持する。これにより、抑制期間Ｔｃの後半の期間である第２期間Ｔ２では、線間インピーダンスが１２０Ωで一定とされる。

このような抑制動作により、差動信号の信号レベルがハイレベルからロウレベルに変化する立ち下がり期間に発生する波形歪みのエネルギーがインピーダンス素子４８により消費され、リンギングが抑制される。切替制御部４７は、時点ｔ４３において、スイッチ４４をオフさせ、これにより抑制部４２による抑制動作が停止される。そして、抑制動作が停止された時点ｔ４３において、線間インピーダンスが１２０Ωから１００ｋΩへと変化する。

以上説明した本実施形態のリンギング抑制回路４１によれば、第１実施形態のリンギング抑制回路７と同様に、インピーダンス素子４８のインピーダンス値が、抑制動作が実行される抑制期間Ｔｃの開始時点ｔ４１には最も低い３０Ω程度になるとともに終了時点ｔ４３には１２０Ω程度になるように、つまりインピーダンス値が徐々に高くなるように連続的に切り替えられるようになっている。したがって、本実施形態によっても、第１実施形態と同様の効果が得られる。

さらに、本実施形態のリンギング抑制回路４１は、差動電圧Ｖｄｉｆｆが高くなるほど通信線３Ｐ、３Ｎ間を短絡するＭＯＳトランジスタＱ４１のオン抵抗が低くなる、つまり線間インピーダンスが低下する構成となっている。そのため、本実施形態のリンギング抑制回路４１によれば、例えば差動信号のレベルがレセッシブに変化した直後など、リンギングが激しくなるときには、線間インピーダンスをより低くすることによって効果的に抑制することができる。

（第５実施形態）
以下、第５実施形態について図１６および図１７を参照して説明する。
図１６に示すように、本実施形態のトランシーバ５１が備えるリンギング抑制回路５２は、第１実施形態のリンギング抑制回路７に対し、動作制御部９に代えて動作制御部５３を備えている点などが異なる。動作制御部５３は、動作制御部９に対し、判断部５４が追加されている点、切替制御部１３に代えて切替制御部５５を備えている点などが異なる。

判断部５４は、自ノード２が送信動作を実行しているか否かを判断する。具体的には、判断部５４は、このトランシーバ５１が設けられるノード２の通信回路６から与えられる信号Ｓｄに基づいて、その通信回路６が送信動作を実行しているか否かを判断する。なお、信号Ｓｄは、送信データＴＸＤをモニタするなどして生成することができる。判断部５４は、このような判断の結果を表す信号Ｓｅを切替制御部５５に与える。

切替制御部５５は、切替制御部１３と同様にインピーダンス素子１１のインピーダンス値を切り替えることができる。また、切替制御部５５は、インピーダンス素子１１のインピーダンス値を一定の値（例えば１２０Ω程度）に固定することができる。切替制御部５５は、判断部５４により自ノード２が送信動作を実行していると判断される場合、インピーダンス素子１１のインピーダンス値を切替制御部１３と同様に切り替える。

具体的には、切替制御部５５は、判断部５４により自ノード２が送信動作を実行していると判断される場合、インピーダンス素子１１のインピーダンス値を、抑制期間の開始時点を含む第１期間では第１設定値（例えば３０Ω程度）になるとともに、第１期間より後の第２期間では第２設定値（例えば１２０Ω程度）になるように切り替える。また、切替制御部５５は、判断部５４により自ノード２が送信動作を実行していないと判断される場合、インピーダンス素子１１のインピーダンス値を、抑制期間を通じて上記した第２設定値に固定する。

以上説明した本実施形態によれば、次のような効果が得られる。
図１７に示すように、自ノード２が送信動作を実行しているときには、自ノード２が送信動作をしていないとき、つまり他のノード２が送信動作を実行しているときに比べ、リンギングが大きくなる傾向がある。そこで、本実施形態では、自ノード２が送信動作を実行している自ノード送信時には、第１実施形態などと同様の抑制動作を実行して比較的大きくなるリンギングを効果的に抑制する。

また、本実施形態では、他のノード２が送信動作を実行している他ノード送信時には、抑制期間を通じて線間インピーダンスを１２０Ωとする第２比較例と同様の抑制動作を実行して比較的小さくなるリンギングを効果的に抑制する。このように、本実施形態によれば、発生するリンギングの大きさに応じて抑制動作が適切に切り替えられるため、そのリンギングをより効果的に抑制することができる。

（その他の実施形態）
なお、本発明は上記し且つ図面に記載した各実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で任意に変形、組み合わせ、あるいは拡張することができる。
上記各実施形態で示した数値などは例示であり、それに限定されるものではない。
通信プロトコルはＣＡＮに限ることなく、一対の通信線を介して差動信号を伝送する通信プロトコルであれば適用が可能である。

抑制部としては、上記各実施形態にて例示したものに限らず、一対の通信線間にインピーダンス素子を接続することにより差動信号の伝送に伴い発生するリンギングを抑制する抑制動作を行うことができる構成であればよく、その具体的な構成は適宜変更することができる。

本開示は、実施例に準拠して記述されたが、本開示は当該実施例や構造に限定されるものではないと理解される。本開示は、様々な変形例や均等範囲内の変形をも包含する。加えて、様々な組み合わせや形態、さらには、それらに一要素のみ、それ以上、あるいはそれ以下、を含む他の組み合わせや形態をも、本開示の範疇や思想範囲に入るものである。

２…ノード、３Ｐ、３Ｎ…通信線、６…通信回路、７、２１、３１、４１、５２…リンギング抑制回路、８、２２、４２…抑制部、９、２３、３２、４３、５３…動作制御部、１１、２９、４８…インピーダンス素子、２４、２５…スイッチ、２６、２７…抵抗素子、５４…判断部、Ｑ１、Ｑ４１…ＭＯＳトランジスタ。

Claims (6)

1. 一対の通信線（３Ｐ、３Ｎ）を介して差動信号を伝送することで他のノードとの通信を行う通信回路（６）を備えたノード（２）に設けられたリンギング抑制回路であって、
   前記一対の通信線間にインピーダンス素子（１１、２９、４８）を接続することにより前記差動信号の伝送に伴い発生するリンギングを抑制する抑制動作を行うことができる抑制部（８、２２、４２）と、
   前記抑制部の動作を制御するもので、前記差動信号の信号レベルがレセッシブに変化したことを検出すると前記抑制部による抑制動作を開始する動作制御部（９、２３、３２、４３、５３）と、
   を備え、
   前記動作制御部は、
   前記インピーダンス素子のインピーダンス値を、前記抑制動作が実行される抑制期間のうち抑制動作の開始時点を含む第１期間では第１設定値になるとともに前記第１期間より後の第２期間では前記第１設定値より高い第２設定値になるように切り替えるリンギング抑制回路。
2. 前記動作制御部（５３）は、
   自ノードが送信動作を実行しているか否かを判断する判断部（５４）を備え、
   前記判断部により自ノードが送信動作を実行していると判断される場合、前記インピーダンス素子のインピーダンス値を、前記第１期間では前記第１設定値になるとともに前記第２期間では前記第２設定値になるように切り替え、
   前記判断部により自ノードが送信動作を実行していないと判断される場合、前記インピーダンス素子のインピーダンス値を、前記抑制動作が実行される抑制期間を通じて前記第２設定値とする請求項１に記載のリンギング抑制回路。
3. 前記動作制御部（９、３２）は、前記インピーダンス素子（１１、４８）のインピーダンス値を連続的に切り替えるようになっている請求項１または２に記載のリンギング抑制回路。
4. 前記動作制御部（２３）は、前記インピーダンス素子（２９）のインピーダンス値を段階的に切り替えるようになっている請求項１または２に記載のリンギング抑制回路。
5. 前記抑制部（８、４２）は、前記一対の通信線間に接続されたＭＯＳトランジスタ（Ｑ１、Ｑ４１）を備え、
   前記インピーダンス素子は、前記ＭＯＳトランジスタのオン抵抗を含み、
   前記抑制部は、前記ＭＯＳトランジスタをオン駆動することにより前記抑制動作を行うようになっており、
   前記動作制御部は、前記ＭＯＳトランジスタのゲート電圧を制御することにより前記インピーダンス値を切り替えるようになっている請求項３に記載のリンギング抑制回路。
6. 前記抑制部（２２）は、前記一対の通信線間に接続された抵抗素子（２６、２７）およびスイッチ（２４、２５）の直列回路を複数備え、
   前記インピーダンス素子は、前記抵抗素子を含み、
   前記抑制部は、複数の前記スイッチをオンすることにより前記抑制動作を開始するようになっており、
   前記動作制御部（２３）は、前記抑制部によりオンされた複数の前記スイッチを段階的にオフすることにより前記インピーダンス値を段階的に切り替えるようになっている請求項４に記載のリンギング抑制回路。

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