JP2021027445A - パッケージ及び圧電デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】 画像認識しやすく、簡易な構造の圧電デバイス用のパッケージを提供する。【解決手段】 励振電極と該励振電極から引き出される一対の引出電極とを有する圧電振動片が載置されるパッケージ（８０）である。パッケージ（８０）は、平面視で四角形状であり、外部電極を形成した第１面（３２）と、第１面とは反対側で引出電極と接続する一対の接続バンプ（３３）及び接続バンプから伸びる一対の配線電極（３５）を形成する第２面（３１）とを有する、絶縁体からなる基板本体と、一対の配線電極の一部を覆う絶縁膜と、を備える。絶縁膜で覆われなかった一対の配線電極の一方は第１辺を有し、一対の配線電極の他方は第１辺と直交する第２辺を有する。【選択図】 図１

Description

本発明は、圧電振動片を搭載するパッケージ、及び該パッケージを使った圧電デバイスに関する。

セラミックパッケージのキャビティに圧電振動片を位置決めして搭載するために、パッケージの最上部の封止用メタライズ層または封止用金属リングを画像認識して位置決め基準にする方法がとられている。しかし、この方法ではパッケージを製造する際のセラミックシート間の積層ズレや、メタライズ層の印刷ズレや金属リングのズレ等によって、上記位置決め基準の位置精度が出ないため、圧電振動片の位置ズレ等が発生し、振動特性の不良等が発生する問題を有している。そこで、特許文献１に開示される発明は、パッケージの底面に形成される配線を特別な形状にして、画像認識できるようにしている。

特開平１１−２５１８３９号公報

しかし、パッケージが小型化されるにつれて、さらに小さくなる配線を特別な形状に加工もしくは印刷することは、困難な作業である。また、小さな特別な形状の配線を画像認識することは、画像認識自体で誤差も生じることになる。
そこで、画像認識しやすく、簡易な構造のパッケージを提供する。

本実施形態は、励振電極と該励振電極から引き出される一対の引出電極とを有する圧電振動片が載置されるパッケージである。パッケージは、平面視で四角形状であり、外部電極を形成した第１面と、第１面とは反対側で引出電極と接続する一対の接続バンプ及び一対の接続バンプから伸びる一対の配線電極を形成する第２面とを有する、絶縁体からなる基板本体と、一対の配線電極の一部を覆う絶縁膜と、を備える。絶縁膜で覆われなかった一対の配線電極の一方は第１辺を有し、一対の配線電極の他方は第１辺と直交する第２辺を有する。

また別の実施形態のパッケージは、平面視で四角形状であり、外部電極を形成した第１面と、第１面とは反対側で引出電極と接続する一対の接続バンプ及び一対の接続バンプの少なくとも一方から伸びる配線電極を形成し且つパッケージのアース配線を形成する第２面とを有する、絶縁体からなる基板本体と、配線電極の一部及びアース配線の一部を覆う絶縁膜と、を備える。絶縁膜で覆われなかった一対の配線電極の一方は第１辺を有し、絶縁膜で覆われなかったアース配線は、第１辺と直交する第２辺を有する。

また別の実施形態のパッケージは、平面視で四角形状であり、外部電極を形成した第１面と、第１面とは反対側で引出電極と接続する一対の接続バンプ及び少なくとも接続バンプの少なくとも一方から外部電極まで伸びる配線電極を形成し且つパッケージのアース配線を形成する第２面とを有する、絶縁体からなる基板本体と、配線電極及びアース配線の一部を覆う絶縁膜と、を備える。絶縁膜で覆われなかったアース配線は、第１辺と該第１辺と直交する第２辺を有する。

これら実施形態の接続バンプ及び配線電極は、メタライズ層とメッキ層とを含む。また絶縁膜で覆われなかった一対の配線電極の一方は、第２面と向かい合う圧電振動片の励振電極と導通する。また実施形態の圧電デバイスは、上記実施形態のパッケージと、一対の前記接続バンプに載置される圧電振動片と、圧電振動片を覆うようにパッケージに載置される金属キャップと、を備えてもよい。

本発明のパッケージは、互いに離れた第１辺と第２辺とを画像認識できるため、接続パッドの位置を正確に特定することができる。また、パッケージを作成する工程は同じであり、新たに特別な工程を設ける必要もないのでコスト高を招くことがない。

第１実施形態のセラミックパッケージ８０を、複数の層に分けて描いた斜視図である。 （ａ）はセラミックパッケージ８０の平面図である。 （ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 （ａ）は圧電振動片４０の平面図である。 （ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。 （ａ）は第２実施形態のセラミックパッケージ８０ａの平面図である。 （ｂ）は第３実施形態のセラミックパッケージ８０ｂの平面図である。 （ａ）は第４実施形態のセラミックパッケージ８０ｃの平面図である。 （ｂ）は第５実施形態のセラミックパッケージ８０ｄの平面図である。

以下、本発明の実施形態を、図面を参照しながら説明する。なお、説明に用いる各図はこれら発明を理解できる程度に概略的に示してあり、大きさ、角度又は厚み等は誇張して描いている。また説明に用いる各図において、同様な構成成分については同一の番号を付して示し、その説明を省略する場合もある。また、以下の実施形態中で述べる形状、寸法、材質等はこの発明の範囲内の好適例に過ぎない。

［第１実施形態］
＜セラミックパッケージの構成＞
まず、第１実施形態のセラミックパッケージについて説明する。図１はセラミックパッケージ８０を理解のため、複数の層に分けて描いた図である。図１に示されるように、本実施形態のセラミックパッケージ８０は、例えば圧電振動子の容器（圧電振動子パッケージ）として用いられるものである。この圧電振動子は、セラミックパッケージ８０の凹部（キャビティ）内に、圧電振動片４０（図３を参照）を収容し、金属キャップＣＡで密閉されたものである。

セラミックパッケージ８０は、例えばアルミナからなり、図１に示されるように、セラミックパッケージ８０の底部を構成する四角形状、この場合は長方形の下部セラミック板３０と、下部セラミック板３０上に形成された枠状の上部セラミック板１０とが積層されて形成される。上部セラミック板１０は、セラミックパッケージ８０のキャビティの周囲を囲む内壁１５を形成する。

上部セラミック板１０は、短辺（Ｘ軸方向）と長辺（Ｙ軸方向）とからなる四角形状の枠体であり上面１１とその反対の下面１２とを有する。セラミックパッケージ８０の表面となる上面１１には、表面導体層１７が形成されている。この表面導体層１７は、例えばタングステン（Ｗ）からなるメタライズ層の上に、ニッケルメッキ層が形成され、更にニッケルメッキ層の上に金メッキ層が形成されたものである。この表面導体層１７の金メッキ層の上に、コバール等の金属キャップＣＡが溶着される。また枠体の長辺の内壁１５の一部に内壁導体層１８が形成される。この内壁導体層１８も、タングステン（Ｗ）からなるメタライズ層の上に、ニッケルメッキ層が形成され、更にニッケルメッキ層の上に金メッキ層が形成されたものである。内壁導体層１８は表面導体層１７に導通し、さらに金属キャップＣＡに導通する。

下部セラミック板３０は、短辺（Ｘ軸方向）と長辺（Ｙ軸方向）とからなる四角形状の平板であり上面３１とその反対の下面３２とを有する。下部セラミック板３０の上面３１には、一対の接続バンプ３３（３３ｐ，３３ｑ）が形成されている。一対の接続バンプ３３は、上（Ｚ軸方向）から見て円形状でも矩形状でもよい。一方の接続バンプ３３ｐは、下部セラミック板３０の長辺（Ｙ軸方向）に平行に伸びる配線電極３５を有している。配線電極３５の端部は例えば配線電極３５の幅（Ｘ軸方向）よりも大きな直径を有する円形状に形成されてもよい。その円形状の位置に上面３１から下面３２まで貫通するビア配線３８が形成される。他方の接続バンプ３３ｑは、そこに上面３１から下面３２まで貫通するビア配線３８が形成される。

また下部セラミック板３０の上面３１には、アース用配線３７が形成されている。アース用配線３７は少なくとも下部セラミック板３０の短辺（Ｘ軸方向）に平行に伸びる辺を有している。図１では、アース用配線３７は上（Ｚ軸方向）から見て矩形状であるがＸ軸方向）に平行に伸びる辺を有する半円状であってもよい。またアース用配線３７はビア配線３８が形成される。アース用配線３７は内壁導体層１８に導通しているため、表面導体層１７にも導通している。

一対の接続バンプ３３、配線電極３５及びアース用配線３７は、例えばタングステン（Ｗ）からなるメタライズ層の上に、ニッケルメッキ層が形成され、更にニッケルメッキ層の上に金メッキ層が形成されたものである。配線電極３５及びアース用配線３７は、その表面の一部がアルミナ等からなる絶縁層３６で覆われている。つまり、セラミックパッケージ８０を表側から見た場合、一対の接続バンプ３３が露出するとともに、配線電極３５及びアース用配線３７の一部が露出している。例えば配線電極３５のＹ軸方向の辺３９Ｙが露出しており、アース用配線３７のＸ軸方向の辺３９Ｘが露出している。絶縁層３６は、配線電極３５及びアース用配線３７が他の不要な導電体と接触しないために設けられている。図１では、絶縁層３６と配線電極３５及びアース用配線３７との位置関係が理解できるように絶縁層３６が半透明に描かれている。

下部セラミック板３０の下面３２の外周部には、タングステン等のような高融点金属とその上に形成された好適なメッキ層とからなる外部電極３４が複数個、例えば４個設けられている。これらの外部電極３４は、圧電振動子を図示しないプリント基板上に実装する際に対して接合される。また、これら複数の外部電極３４は、それぞれビア配線３８と導通している。このため、一対の接続バンプ３３は一対の外部電極３４に導通し、アース用配線３７も別の外部電極３４に導通する。

本実施形態では説明しないが、最終製品が圧電発振器の場合には、ＩＣチップ等が、下部セラミック板３０の表面３１に配置されてもよい。すなわち接続バンプ３３に接続される圧電振動片４０の下側（―Ｚ軸側）で、ＩＣチップ等が下部セラミック板３０の中央部分に形成されたパターン（図示せず）に接続されてもよい。

次に図２を使ってセラミックパッケージ８０又は圧電振動子１００を説明する。図２（ａ）は上からキャビティを見たセラミックパッケージ８０の平面図であり、図２（ｂ）は図２（ａ）のＡ−Ａ断面図である。図２（ａ）では、図１と異なり、一対の接続バンプ３３に導電性接着剤ＥＢが塗布された状態が描かれている。図２（ａ）でも、絶縁層３６と配線電極３５及びアース用配線３７との位置関係が理解できるように絶縁層３６が半透明に描かれている。また図２（ｂ）では、圧電振動片４０が導電性接着剤ＥＢによって一対の接続バンプ３３に載置され、さらに金属キャップＣＡが表面導体層１７に接合された圧電振動子１００が描かれている。

一対の接続バンプ３３（３３ｐ，３３ｑ）、配線電極３５及びアース用配線３７は、下部セラミック板３０の上面３１に、例えばスクリーン印刷等の手法で一回の塗布でメタライズ層が形成される。このため、一対の接続バンプ３３（３３ｐ、３３ｑ）の位置と配線電極３５及びアース用配線３７の位置とはほとんど位置ずれすることがない。

一対の接続バンプ３３（３３ｐ，３３ｑ）、配線電極３５及びアース用配線３７が形成された後に、絶縁層３６が例えばスクリーン印刷等の手法で一回の塗布で、切り欠けのある矩形形状に形成される。図２（ａ）に示されるように、絶縁層３６は、配線電極３５のＹ軸方向に伸びる一方の辺３９Ｙが見えるように一部が−Ｘ軸方向に切り欠かれて形成される。また絶縁層３６は、アース用配線３７のＸ軸方向に伸びる一方の辺３９Ｘが見えるように形成される。配線電極３５の辺３９Ｙの長さは画像認識しやすい長さであることが好ましい。アース用配線３７の辺３９Ｘの長さも画像認識しやすい長さであることが好ましい。仮にアース用配線３７の辺３９Ｘが画像認識しにくいのであれば、アース用配線３７のＸ軸方向の長さを大きくしてもよい。

パッケージ８０のキャビティ内に圧電振動片４０を位置決めして搭載する際には、一対の接続バンプ３３（３３ｐ，３３ｑ）の中央に導電性接着剤ＥＢが塗布される。塗布された導電性接着剤ＥＢの量によって、接続バンプ３３が見えなくなってしまったり、塗布された導電性接着剤ＥＢが接続バンプ３３の中央から外れて接続バンプ３３の一部が見えなくなってしまったりする。そのような場合、カメラで接続バンプ３３を画像認識することが困難になる。一方、本実施形態の場合は、絶縁層３６は配線電極３５及びアース用配線３７をすべて覆うのではなく、配線電極３５及びアース用配線３７のＹ軸方向の辺３９Ｙ及びＸ軸方向の辺３９Ｘがカメラで観察できるようにしている。

図２（ａ）に示されるように、それぞれの接続バンプ３３ｐ，３３ｑの中央とＹ軸方向の辺３９Ｙ及びＸ軸方向の辺３９Ｘとの関係は、スクリーン印刷等で接続バンプ３３、配線電極３５及びアース用配線３７が形成される時点で予め定められている。Ｘ軸方向に関しては、Ｙ軸方向の辺３９Ｙから一方の接続バンプ３３ｐの中央までは距離ＬＸ１であり、Ｙ軸方向の辺３９Ｙから他方の接続バンプ３３ｑの中央までは距離ＬＸ２である。Ｙ軸方向に関しては、Ｘ軸方向の辺３９Ｘから両方の接続バンプ３３ｐ及び３３ｑの中央までは距離ＬＹ１である。このため、カメラがＹ軸方向の辺３９Ｙ及びＸ軸方向の辺３９Ｘを画像認識できれば、誤差を生じることなく、導電性接着剤ＥＢが塗布された一対の接続バンプ３３に圧電振動片を位置決めして搭載することができる。下部セラミック板３０と絶縁層３６とが同じ材料（例えばアルミナなど）であれば同じ色であり、金メッキ層である辺３９Ｙ及びＸ軸方向の辺３９Ｘの色との差異が大きく、画像処理しやすい。

＜圧電振動片の構成＞
図３（ａ）は、第１実施形態の圧電振動片４０の平面図であり、図３（ｂ）は、図３（ａ）のＡ−Ａ断面図である。圧電振動片４０は励振電極４１と引出電極４３とを有している。圧電振動片４０は長辺がＹ軸方向に伸び、短辺がＸ軸方向に伸びる四角形状の平板状に形成されている。

圧電振動片４０の主面表裏（＋Ｚ軸側の各面）にはそれぞれ励振電極４１が形成されている。各励振電極４１は同形状でありＺ軸方向に互いに重なるように形成されている。励振電極４１は長軸がＹ軸方向に伸び、短軸がＸ軸方向に伸びる四角形状又は図示しない楕円形状に形成されており、各励振電極４１からは、圧電振動片４０のＹ軸側の辺の両端にそれぞれ引出電極４３が引き出されている。引出電極４３は接続バンプ２５に導電性接着剤ＥＢで接着される。図３に描かれた圧電振動片４０が図２（ｂ）に描かれているように、一対の接続バンプ３３（３３ｐ，３３ｑ）に載置されると、一対の励振電極４１と接続バンプ３３が導通し、外部電極３４にも導通する。配線電極３５は、上面３１と向かい合う圧電振動片４０の励振電極４１と同電位になるので、圧電振動子１００が不要な容量を有することもない。

圧電振動片４０がＡＴカット又はＳＣカット等の水晶振動片である場合、電位が加えられて振動する振動周波数は水晶片の厚さに反比例するため、その厚さは圧電振動片４０の振動周波数に応じて決められる。主振動を閉じ込めるため、振動片はＹ軸方向の一端側及び他端側は薄く形成されている。圧電振動片４０は、ＡＴカット圧電振動片以外にも、音叉型の圧電振動片等の他の振動モードの振動片であっても良い。

［第２実施形態から第５実施形態］
＜セラミックパッケージの構成＞
第２実施形態から第５実施形態のセラミックパッケージについて説明する。図４（ａ）は上からキャビティを見た第２実施形態のセラミックパッケージ８０ａの平面図であり、図４（ｂ）は上からキャビティを見た第３実施形態のセラミックパッケージ８０ｂの平面図である。図５（ａ）は上からキャビティを見た第４実施形態のセラミックパッケージ８０ｃの平面図であり、図５（ｂ）は上からキャビティを見た第５実施形態のセラミックパッケージ８０ｄの平面図である。第２実施形態から第５実施形態のセラミックパッケージも、第１実施形態と同様に、圧電振動子又は圧電発振器に使用されるものである。また図４及び図５において、同じ構成部材については同一の番号を付している。

図４（ａ）で示される第２実施形態のセラミックパッケージ８０ａは、図２（ａ）で示される第１実施形態のセラミックパッケージ８０と異なる点は２点ある。１点目は、配線電極３５ａの形状が配線電極３５と異なる点であり、２点目は、絶縁層３６ａの形状が絶縁層３６と異なる点である。接続バンプ３３ｐからＹ軸方向に伸びる配線電極３５ａは、途中でＸ軸方向に幅広く形成されており、その幅広い箇所はＹ軸に平行な辺３９Ｙを有している。絶縁層３６ａは四角形状に形成されており、配線電極３５ａの幅広い箇所の辺３９Ｙとアース用配線３７の辺３９Ｘとを除き、配線電極３５ａ及びアース用配線３７を覆っている。

Ｘ軸方向に関しては、Ｙ軸方向の辺３９Ｙから一方の接続バンプ３３ｐの中央までは距離ＬＸ３であり、Ｙ軸方向の辺３９Ｙから他方の接続バンプ３３ｑの中央までは距離ＬＸ４である。Ｙ軸方向に関しては、Ｘ軸方向の辺３９Ｘから両方の接続バンプ３３ｐ及び３３ｑの中央までは距離ＬＹ１である。このため、カメラがＹ軸方向の辺３９Ｙ及びＸ軸方向の辺３９Ｘを画像認識できれば、誤差を生じることなく、導電性接着剤ＥＢが塗布された一対の接続バンプ３３に圧電振動片を位置決めして搭載することができる。

図４（ｂ）で示される第３実施形態のセラミックパッケージ８０ｂは、図２（ａ）で示される第１実施形態のセラミックパッケージ８０と異なる点は２点ある。１点目は、アース用配線３７ｂの形状がアース用配線３７と異なる点であり、２点目は、絶縁層３６ｂの形状が絶縁層３６と異なる点である。アース用配線３７ｂは矩形形状に形成されＹ軸に平行な辺３９ＹとＸ軸に平行な辺３９Ｘとを有している。絶縁層３６ｂは全体として四角形状に形成されているが、アース用配線３７ｂの辺３９Ｙが見えるように切り欠かれている。また、絶縁層３６ｂはアース用配線３７の辺３９Ｘが見える大きさで形成されている。

Ｘ軸方向に関しては、Ｙ軸方向の辺３９Ｙから一方の接続バンプ３３ｐの中央までは距離ＬＸ５であり、Ｙ軸方向の辺３９Ｙから他方の接続バンプ３３ｑの中央までは距離ＬＸ６である。Ｙ軸方向に関しては、Ｘ軸方向の辺３９Ｘから両方の接続バンプ３３ｐ及び３３ｑの中央までは距離ＬＹ２である。

図５（ａ）で示される第４実施形態のセラミックパッケージ８０ｃは、図２（ａ）で示される第１実施形態のセラミックパッケージ８０と異なる点は２点ある。１点目は、配線電極３５ｃの形状が配線電極３５と異なる点であり、２点目は、絶縁層３６ａの形状が絶縁層３６と異なる点である。接続バンプ３３ｐからＹ軸方向に伸びる配線電極３５ｃは、ビア配線３８の周りでＸ軸に平行な辺３９ＸとＹ軸に平行な辺３９Ｙとを有している。絶縁層３６ａは第２実施形態と同様に四角形状に形成されており、配線電極３５ｃのビア配線３８の周辺の辺３９Ｘ及び辺３９Ｙとアース用配線３７の辺３９Ｘとを除き、配線電極３５ｃ及びアース用配線３７を覆っている。

Ｘ軸方向に関しては、Ｙ軸方向の辺３９Ｙから一方の接続バンプ３３ｐの中央までは距離ＬＸ７であり、Ｙ軸方向の辺３９Ｙから他方の接続バンプ３３ｑの中央までは距離ＬＸ８である。Ｙ軸方向に関しては、Ｘ軸方向の辺３９Ｘから両方の接続バンプ３３ｐ及び３３ｑの中央までは距離ＬＹ１である。この際に、配線電極３５ｃの辺３９Ｘ及びアース用配線３７の辺３９ＸがＹ軸方向に異なる場合には平均値を使用してもよい。

図５（ｂ）で示される第５実施形態のセラミックパッケージ８０ｄは、図２（ａ）で示される第１実施形態のセラミックパッケージ８０と異なる点は４点ある。１点目は、アース用配線３７ｄの形状がアース用配線３７と異なる点であり、アース用配線３７ｄはアース用配線３７より小さい面積で形成され絶縁層３６ａでＹ軸方向の辺が隠れている。２点目は、接続バンプ３３ｐから伸びる配線電極３５ｄが、ビア配線３８の周りでＸ軸に平行な辺３９Ｘを有している。３点目は、接続バンプ３３ｑからビア配線３８の位置が−Ｙ軸方向に移動し、接続バンプ３３ｑから伸びる配線電極３５ｅが形成されるとともに、その配線電極３５ｅの周りにＹ軸に平行な辺３９Ｙを有している。４点目は、絶縁層３６ａの形状が絶縁層３６と異なり、第２実施形態と同様に四角形状に形成される点である。

Ｘ軸方向に関しては、配線電極３５ｅの辺３９Ｙから一方の接続バンプ３３ｐの中央までは距離ＬＸ１０であり、Ｙ軸方向の辺３９Ｙから他方の接続バンプ３３ｑの中央までは距離ＬＸ９である。Ｙ軸方向に関しては、Ｘ軸方向の辺３９Ｘから両方の接続バンプ３３ｐ及び３３ｑの中央までは距離ＬＹ１である。

第１実施形態から第５実施形態まで説明したが、例えば第２実施形態のセラミックパッケージ８０ａに、第５実施形態で開示した接続バンプ３３ｑから伸びる配線電極３５ｅを提供しても良いし、例えば第３実施形態のセラミックパッケージ８０ｂに、第５実施形態で開示した接続バンプ３３ｑから伸びる配線電極３５ｅを提供しても良い。このように第１実施形態から第５実施形態を、適宜組み合わせても良い。また、上述の実施形態では、パッケージは平面視で長方形で説明していたが、平面視で正方形状の場合があっても良い。

１０：上部セラミック板
１１：上面 １２：下面 １５：内壁
１７：表面導体層 １８：内壁導体層
３０：下部セラミック板
３１：上面 ３２：下面 ３３（３３ｐ、３３ｑ）：接続バンプ
３４：外部電極
３５（３５ａ、３５ｂ，３５ｃ，３５ｄ，３５ｅ）：配線電極
３６（３６ａ）：絶縁層 ３８：ビア配線、
４０：圧電振動片 ４１：励振電極 ４３：引出電極
８０：セラミックパッケージ
ＣＡ：金属キャップ ＥＢ：導電接着剤

Claims (6)

1. 励振電極と該励振電極から引き出される一対の引出電極とを有する圧電振動片が載置されるパッケージであって、
   平面視で四角形状であり、外部電極を形成した第１面と、前記第１面とは反対側で前記引出電極と接続する一対の接続バンプ及び前記接続バンプから伸びる一対の配線電極を形成する第２面とを有する、絶縁体からなる基板本体と、
   一対の前記配線電極の一部を覆う絶縁膜と、を備え、
   前記絶縁膜で覆われなかった一対の前記配線電極の一方は第１辺を有し、一対の前記配線電極の他方は、前記第１辺と直交する第２辺を有するパッケージ。
2. 励振電極と該励振電極から引き出される一対の引出電極とを有する圧電振動片が載置されるパッケージであって、
   平面視で四角形状であり、外部電極を形成した第１面と、前記第１面とは反対側で前記引出電極と接続する一対の接続バンプ及び前記一対の接続バンプの少なくとも一方から伸びる配線電極を形成し且つ前記パッケージのアース配線を形成する第２面とを有する、絶縁体からなる基板本体と、
   前記配線電極の一部及び前記アース配線の一部を覆う絶縁膜と、を備え、
   前記絶縁膜で覆われなかった一対の前記配線電極の一方は第１辺を有し、前記絶縁膜で覆われなかった前記アース配線は、前記第１辺と直交する第２辺を有するパッケージ。
3. 励振電極と該励振電極から引き出される一対の引出電極とを有する圧電振動片が載置されるパッケージであって、
   平面視で四角形状であり、外部電極を形成した第１面と、前記第１面とは反対側で前記引出電極と接続する一対の接続バンプ及び前記一対の接続バンプの少なくとも一方から伸びる配線電極を形成し且つ前記パッケージのアース配線を形成する第２面とを有する、絶縁体からなる基板本体と、
   前記配線電極及び前記アース配線の一部を覆う絶縁膜と、を備え、
   前記絶縁膜で覆われなかった前記アース配線は、第１辺と該第１辺と直交する第２辺を有するパッケージ。
4. 前記接続バンプ及び前記配線電極は、メタライズ層とメッキ層とを含む請求項１から請求項３のいずれか一項に記載のパッケージ。
5. 前記絶縁膜で覆われなかった一対の前記配線電極の一方は、前記第２面と向かい合う前記圧電振動片の励振電極と導通する請求項１又は請求項２に記載のパッケージ。
6. 請求項１から請求項５のいずれか一項のパッケージと、
   一対の前記接続バンプに載置される圧電振動片と、
   前記圧電振動片を覆うように、前記パッケージに載置される金属キャップと、
   を備える圧電デバイス。