JP2021024236A5 - - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 14
- 239000005871 repellent Substances 0.000 claims description 14
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 14
- 125000005375 organosiloxane group Chemical group 0.000 claims description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical group [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 125000000217 alkyl group Chemical group 0.000 claims description 4
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229910018540 Si C Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910010271 silicon carbide Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims 13
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims 2
- 125000002496 methyl group Chemical group [H]C([H])([H])* 0.000 claims 2
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 claims 2
- 238000001157 Fourier transform infrared spectrum Methods 0.000 claims 1
- 229910018557 Si O Inorganic materials 0.000 claims 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims 1
- LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N silicon monoxide Inorganic materials [Si-]#[O+] LIVNPJMFVYWSIS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims 1
- 230000002940 repellent Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Description
上述のような課題を解決するための本発明に係る液体吐出ヘッド用基板は、液滴を吐出するための吐出口を備えたノズルプレートと、前記ノズルプレートの液滴吐出面に形成された撥水層と、を有し、前記撥水層の最表面がケイ素原子に置換したアルキル基に由来するＳｉ－Ｃ結合とシロキサン結合とを有するオルガノシロキサン膜であって、前記オルガノシロキサン膜に含まれる炭素の組成比が１２原子％以上、５０原子％以下であることを特徴とする。
Claims (13)
- 液滴を吐出するための吐出口を備えたノズルプレートと、前記ノズルプレートの液滴吐出面に形成された撥水層と、を有し、前記撥水層の最表面がケイ素原子に置換したアルキル基に由来するＳｉ－Ｃ結合とシロキサン結合とを有するオルガノシロキサン膜であって、前記オルガノシロキサン膜に含まれる炭素の組成比が１２原子％以上、５０原子％以下であることを特徴とする、液体吐出ヘッド用基板。
- 前記アルキル基がメチル基である、請求項１に記載の液体吐出ヘッド用基板。
- 前記撥水層が、前記オルガノシロキサン膜の単層であり、該膜の密度が１．５ｇ／ｃｍ３以下である、請求項２に記載の液体吐出ヘッド用基板。
- 前記オルガノシロキサン膜のＦＴ－ＩＲスペクトルにおいて、１０００ｃｍ－１付近に観察されるＳｉ－Ｏ結合に由来する吸収ピークのピークトップ強度（Ａ）および８００ｃｍ－１付近に観察されるＳｉ－ＣＨ３結合に由来する吸収ピークのピークトップ強度（Ｂ）の比（Ｂ／Ａ）が０．２０以上、０．５０以下である、請求項２又は３に記載の液体吐出ヘッド用基板。
- 前記比（Ｂ／Ａ）が０．２５以上である、請求項４に記載の液体吐出ヘッド用基板。
- 前記比（Ｂ／Ａ）が０．３０以上である、請求項５に記載の液体吐出ヘッド用基板。
- 前記撥水層の厚さが前記ノズルプレートの厚さの１０％以下である、請求項１～６のいずれか一項に記載の液体吐出ヘッド用基板。
- 前記撥水層の厚さが前記ノズルプレートの厚さの５％以下である、請求項７に記載の液体吐出ヘッド用基板。
- 前記撥水層の厚さが前記ノズルプレートの厚さの２％以下である、請求項８に記載の液体吐出ヘッド用基板。
- 液滴を吐出させる吐出口を備えたノズルプレートと、前記ノズルプレートの液滴吐出面に、撥水層を有する液体吐出ヘッド用基板の製造方法において、前記撥水層の少なくとも最表層の形成がケイ素原子にメチル基が置換した第１の化合物と酸素を原料としてプラズマＣＶＤ法で行われることを特徴とする、液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
- 前記ノズルプレートは、プラズマＣＶＤ法で形成される無機材料であり、前記ノズルプレートと前記撥水層の形成の間は大気雰囲気に晒さず、真空一貫で前記ノズルプレートと前記撥水層の形成が行われる、請求項１０に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
- 前記第１の化合物は、環状シロキサン構造を有する化合物である、請求項１０又は１１に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
- 前記撥水層の最表面は、ケイ素原子に置換したアルキル基に由来するＳｉ－Ｃ結合とシロキサン結合とを有するオルガノシロキサン膜であって、前記オルガノシロキサン膜に含まれる炭素の組成比が１２原子％以上、５０原子％以下である、請求項１０に記載の液体吐出ヘッド用基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019146219A JP7453760B2 (ja) | 2019-08-08 | 2019-08-08 | 液体吐出ヘッド用基板およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2019146219A JP7453760B2 (ja) | 2019-08-08 | 2019-08-08 | 液体吐出ヘッド用基板およびその製造方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2021024236A JP2021024236A (ja) | 2021-02-22 |
| JP2021024236A5 true JP2021024236A5 (ja) | 2022-08-09 |
| JP7453760B2 JP7453760B2 (ja) | 2024-03-21 |
Family
ID=74663512
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2019146219A Active JP7453760B2 (ja) | 2019-08-08 | 2019-08-08 | 液体吐出ヘッド用基板およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP7453760B2 (ja) |
Family Cites Families (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4496805B2 (ja) * | 2004-03-02 | 2010-07-07 | セイコーエプソン株式会社 | 成膜方法および膜 |
| JP5391283B2 (ja) | 2009-12-25 | 2014-01-15 | 理想科学工業株式会社 | インクジェット記録装置用ノズルプレート及びそれを含む記録装置 |
| JP2010280229A (ja) * | 2010-09-16 | 2010-12-16 | Seiko Epson Corp | ノズルプレート、ノズルプレートの製造方法、液滴吐出ヘッド、液滴吐出ヘッドの製造方法および液滴吐出装置 |
| JP2015526693A (ja) | 2012-05-09 | 2015-09-10 | エスアイオーツー・メディカル・プロダクツ・インコーポレイテッド | Ｐｅｃｖｄ皮膜の検査方法 |
| JPWO2019012829A1 (ja) | 2017-07-10 | 2020-05-21 | コニカミノルタ株式会社 | インクジェットヘッド、インクジェット記録装置及びインクジェットヘッドの製造方法 |
-
2019
- 2019-08-08 JP JP2019146219A patent/JP7453760B2/ja active Active
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