JP2021012896A - 多数個取りセラミック基板およびその製造方法、並びにセラミック基板の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】基板領域と外周領域とを容易に見分けることができるとともに、反りの発生を抑えることのできる多数個取りセラミック基板を提供する。【解決手段】多数個取りセラミック基板１は、製品エリア２と、外周エリア３とを有している。製品エリア２に配置されている基板要素部１１のそれぞれは、導体パターン２５ａおよび２５ｂを有している。外周エリア３には、導体パターン２５ａおよび２５ｂと少なくとも部分的に同じ形状を有するダミー導体パターン２３ａおよび２３ｂが配置されている。最下層に位置する第１のセラミック層２１ａの下面１ａおよび最上層に位置する第２のセラミック層２１ｂの上面１ｂに配置された導体パターン２５ａおよび２５ｂの表面には、金属メッキ層２４ａおよび２４ｂが設けられている。一方、ダミー導体パターン２３ａおよび２３ｂの表面には、金属メッキ層が設けられていない。【選択図】図３

Description

本発明は、多数個取りセラミック基板、およびその製造方法に関する。また、本発明は、多数個取りセラミック基板を分割して得られるセラミック基板の製造方法に関する。

複数の基板要素部を含む多数個取りセラミック基板は、個片のセラミック基板となる基板領域（製品エリアとも呼ばれる）と、この基板領域の外側に位置する外周領域とを有している。多数個取りセラミック基板の基板領域には、各基板要素部を個々に分割するために、それぞれの基板要素部の境界に沿って縦横に延びる分割溝が形成されている。この積層基板を、分割溝に沿って分割することで、複数の個片積層体（すなわち、セラミック基板）が得られる。各セラミック基板には、導体パターンによって内部回路素子が形成されている。

多数個取りセラミック基板は、導体パターンを印刷形成したセラミックグリーンシートを複数積層して板状成形体とし、この板状成形体を焼結させることによって製造される。このような多数個取りセラミック基板においては、焼結時に起こり得る基板の反りや変形を抑えるために、基板領域に形成される製品用導体パターンと同じ形状のダミー導体パターンを外周領域に形成することが提案されている（例えば、特許文献１および２参照）。

例えば、特許文献１に開示されている多数個取り配線基板には、捨て代領域５に、配線基板領域２の各並びの両端に隣接して複数のダミー配線基板領域３が配列形成されている。このダミー配線基板領域３は、配線基板領域２と同一形状であり、配線導体４と上面視で同一形状のダミー配線導体９を有しており、ダミー配線導体９上には配線導体４と同様のニッケルめっき層および金めっき層が被着されている。

特開２００３−３４７６９０号公報 特開２００９−２０００７３号公報

しかし、外周領域に基板領域と同じ形状の導体パターンを形成することで、外周領域と基板領域との境界が見分けにくくなる。また、特許文献１の多数個取り配線基板のように、ダミー配線導体９上に配線導体４と同様のニッケルめっき層および金めっき層を形成することで、金属材料の使用量が増加し、製造コストの上昇にもつながる。

そこで、本発明では、基板領域と外周領域とを容易に見分けることができるとともに、反りの発生を抑えることのできる多数個取りセラミック基板およびその製造方法を提供する。

本発明の一局面にかかる多数個取りセラミック基板は、複数の基板要素部が並んで配置されている基板領域と、該基板領域の外側に位置する外周領域とを有している。この多数個取りセラミック基板は、積層された複数のセラミック層を有し、前記基板要素部のそれぞれは、前記セラミック層上に所定の形状を有する製品用導体パターンを有しており、前記外周領域には、前記製品用導体パターンと少なくとも部分的に同じ形状を有する変形抑止用導体パターンが並んで配置されている。そして、最上層に位置する前記セラミック層の上面および最下層に位置する前記セラミック層の下面に配置された前記製品用導体パターンの表面には、金属メッキ層が設けられている一方、前記変形抑止用導体パターンの表面には、金属メッキ層が設けられていない。

上記の構成によれば、外周領域に変形抑止用導体パターンが設けられていることで、焼成工程時に起こり得る基板の反りや変形を抑えることができる。また、基板領域に形成された製品用導体パターンには金属メッキ層が設けられている一方、外周領域に形成された変形抑止用導体パターンにはメッキ処理が施されていないため、金属メッキ層の有無によって、基板領域と外周領域とを容易に見分けることができる。また、基板領域内の製品用導体パターンのみにメッキ処理を施すことで、金属材料の使用量を抑えることができる。

上記の本発明の一局面にかかる多数個取りセラミック基板において、前記外周領域には、製造時に位置合わせの指標となる位置決め部が設けられており、前記変形抑止用導体パターンは、前記位置決め部の形成領域を除いて配置されていてもよい。

上記の構成によれば、位置決め部の周辺には変形抑止用導体パターンが存在しないため、位置決め部の視認性を高めることができる。

上記の本発明の一局面にかかる多数個取りセラミック基板において、前記外周領域における前記位置決め部に隣接する位置には、前記製品用導体パターンの一部と同じ形状を有する前記変形抑止用導体パターンが配置されており、それ以外の位置（すなわち、前記位置決め部に隣接していない位置）には、前記製品用導体パターンと同じ形状を有する前記変形抑止用導体パターンが配置されていてもよい。

上記の構成によれば、位置決め部に隣接する位置には、基板要素部に含まれる製品用導体パターンの一部と同じ形状を有する変形抑止用導体パターンを配置することで、外周領域のより多くの領域に変形抑止用導体パターンを設けることができる。これにより、焼成工程時の基板の変形抑止効果を高めることができる。

また、上記の本発明の一局面にかかる多数個取りセラミック基板において、前記外周領域には、前記基板領域に隣接する位置から端部へむかって、前記製品用導体パターンと同じ形状を有する前記変形抑止用導体パターンが配列されており、前記端部において前記基板要素部の幅の半分以上の幅を有する領域が残された場合には、当該領域に、前記製品用導体パターンの一部と同じ形状を有する前記変形抑止用導体パターンを配置してもよい。

上記の構成によれば、基板の端部近傍にまで変形抑止用導体パターンを配置することができる。これにより、外周領域のより多くの領域に変形抑止用導体パターンを設けることができ、焼成工程時の基板の変形抑止効果を高めることができる。

また、本発明のもう一つの局面は、複数の基板要素部が並んで配置されている基板領域と、該基板領域の外側に位置する外周領域とを有する多数個取りセラミック基板の製造方法に関する。この製造方法は、少なくとも一つのセラミックシート上における前記基板領域に、所定の形状を有する製品用導体パターンを形成するとともに、前記少なくとも一つのシート上における前記外周領域に、前記製品用導体パターンと少なくとも部分的に同じ形状を有する変形抑止用導体パターンを形成する導体パターン形成工程と、複数の前記セラミックシートのそれぞれを積層する積層体形成工程と、最上層に位置するセラミック層の上面および最下層に位置するセラミック層の下面に配置された前記製品用導体パターンの表面に金属メッキを施す一方、前記変形抑止用導体パターンの表面には金属メッキを施さない、メッキ処理工程とを含む。

上記の製造方法によれば、基板領域に形成された製品用導体パターンには金属メッキ層が設けられている一方、外周領域に形成された変形抑止用導体パターンにはメッキ処理が施されていない多数個取りセラミック基板を得ることができる。この多数個取りセラミック基板は、外周領域に変形抑止用導体パターンが設けられていることで、焼成工程時に起こり得る基板の反りや変形を抑えることができる。この多数個取りセラミック基板は、金属メッキ層の有無によって、基板領域と外周領域とを容易に見分けることができる。

また、本発明のもう一つの局面は、セラミック基板の製造方法に関する。この製造方法は、上記の本発明の一局面にかかる多数個取りセラミック基板の製造方法によって多数個取りセラミック基板を製造した後に、前記多数個取りセラミック基板を個々の前記基板要素部に分割する工程を含むものである。これにより、反りの発生が抑えられたセラミック基板が得られる。

以上のように、本発明によれば、基板領域と外周領域とを容易に見分けることができるとともに、反りの発生を抑えることのできる多数個取りセラミック基板を得ることができる。

第１の実施形態にかかる多数個取りセラミック基板の上面側の構成を示す平面図である。 図１に示す多数個取りセラミック基板の下面側の構成を示す平面図である。 第１の実施形態にかかる多数個取りセラミック基板の断面構成を示す断面模式図である。 図１に示す多数個取りセラミック基板を分割してセラミック基板を製造する工程を説明するための模式図である。 （ａ）は、第２の実施形態にかかる多数個取りセラミック基板の一部分の上面側の構成を示す平面図である。（ｂ）は、第２の実施形態にかかる多数個取りセラミック基板の基板要素部の上面側の構成を示す平面図である。（ｃ）は、第２の実施形態にかかる多数個取りセラミック基板の外周パターン単位部の上面側の構成を示す平面図である。

以下、図面を参照しつつ、本発明の実施の形態について説明する。以下の説明では、同一の部品には同一の符号を付してある。それらの名称および機能も同じである。したがって、それらについての詳細な説明は繰り返さない。

〔第１の実施形態〕
本実施形態では、多数個取りセラミック基板１を例に挙げて説明する。多数個取りセラミック基板１から得られるセラミック基板５０は、電子機器などの配線基板、回路基板などとして利用される。

（多数個取りセラミック基板の構成）
図１には、多数個取りセラミック基板１の上面１ｂを示す。図１では、左側に多数個取りセラミック基板１全体の平面構成を示し、右側にこの多数個取りセラミック基板１の一部分（具体的には、破線枠の部分）の拡大図を示す。

図２には、多数個取りセラミック基板１の下面１ａを示す。図２では、中央に多数個取りセラミック基板１全体の平面構成を示し、左右両側にこの多数個取りセラミック基板１の一部分（具体的には、破線枠の部分）の拡大図を示す。

多数個取りセラミック基板１は、略平板状の外形を有している。多数個取りセラミック基板１は、複数の基板要素部１１を含む製品エリア（基板領域）２と、この製品エリア２の外側に位置する外周エリア（外周領域）３とを有している。

図３には、多数個取りセラミック基板１の一部分の断面構成を示す。図３では、多数個取りセラミック基板１の製品エリア２と外周エリア３との境界を含む部分の断面構成を示す。

製品エリア２は、基板の中央部分を構成している。製品エリア２には、分割されて個々のセラミック基板５０となる複数の基板要素部１１が縦横に並んで配置されている。各基板要素部１１には、各種金属層などからなる導体パターンによって内部回路素子が形成されている。

外周エリア３は、基板の外周部分を構成している。外周エリア３は、製品エリア２を取り囲むように設けられている。外周エリア３はセラミック基板５０の要素とはならないため、外周エリア３には、内部回路素子は形成されていない。但し、外周エリア３には、焼成工程によって起こり得る基板の反りなどの変形を抑止するためのダミー導体パターン２３ｂ（変形抑止用導体パターン）などを含む外周パターン単位部１２が縦横に並んで配置されている。

基板要素部１１は、長方形、正方形などの矩形状を有しており、その一辺の径は約２ｍｍ程度となっている。製品エリア２において、隣接する各基板要素部１１の間には、基板要素部１１を個々に区画するために縦横に延びるスリット（図示せず）が形成されている。図４では、多数個取りセラミック基板１においてスリットが形成されている箇所を破線で示している。

図４に示すように、スリットは、外周エリア３と最外周の基板要素部１１との間にも形成されている。多数個取りセラミック基板１が製造されると、その後、多数個取りセラミック基板１は各スリットにおいて切断され、個々の基板要素部１１に分割される。これにより、セラミック基板５０が得られる。

多数個取りセラミック基板１の表面（上面１ｂおよび下面１ａの少なくとも何れか）には、スリットに対応する位置に溝または切込みが形成されていることが好ましい。これにより、多数個取りセラミック基板１を個々に分割する工程を容易に実施することができる。

図１に示すように、多数個取りセラミック基板１の上面１ｂは、中央部分の製品エリア２と、この製品エリア２の外側に位置する外周エリア３とで構成されている。図１では、製品エリア２に網掛けを付している。製品エリア２には、複数の基板要素部１１が縦横に並んで配置されている。外周エリア３には、外周パターン単位部１２が縦横に並んで配置されている。図１の右側には、基板要素部１１の一つ、および外周パターン単位部１２の一つを拡大して示す。

図１に示すように、多数個取りセラミック基板１の上面１ｂにおいて、基板要素部１１に含まれる導体パターン２５ｂ（具体的には、導体金属層２２ｂおよび金属メッキ層２４ｂの積層構造）の形状と、外周パターン単位部１２に含まれるダミー導体パターン２３ｂの形状とは、同じである。

なお、多数個取りセラミック基板１の外周エリア３には、基板の位置合わせ用の開口部３１および切り欠き３２（位置決め部とも呼ばれる）が設けられている。開口部３１および切り欠き３２は、基板の製造時に各セラミックシートを重ねたり、基板を切断したりするときの位置合わせの目印（指標）として利用される。

図１に示すように、多数個取りセラミック基板１の上面１ｂにおいて、開口部３１および切り欠き３２の形成領域には、外周パターン単位部１２は設けられていない。すなわち、多数個取りセラミック基板１の上面１ｂにおいて、外周パターン単位部１２を構成するダミー導体パターン２３ｂは、位置決め部の形成領域を除いて設けられている。これにより、位置決め部の周辺にはダミー導体パターンが存在しないため、位置決め部の視認性を高めることができる。

また、図２に示すように、多数個取りセラミック基板１の下面１ａは、中央部分の製品エリア２と、この製品エリア２の外側に位置する外周エリア３とで構成されている。図２では、製品エリア２に網掛けを付している。下面１ａにおける製品エリア２の領域は、上面１ｂにおける製品エリア２の領域と平面視で重なっている。製品エリア２には、複数の基板要素部１１が縦横に並んで配置されている。外周エリア３には、外周パターン単位部１２が縦横に並んで配置されている。

図２の右側には、基板要素部１１の一つ、および外周パターン単位部１２の一つを拡大して示す。また、図２の左側には、基板の位置合わせ用の切り欠き３２（位置決め部）に隣接する位置における不完全な外周パターン１２ｂを示す。また、図２の左側には、基板の位置合わせ用の開口部３１（位置決め部）に隣接する位置における不完全な外周パターン１２ａを示す。

図２に示すように、多数個取りセラミック基板１の下面１ａにおいて、位置決め部に隣接していない位置では、基板要素部１１に含まれる導体パターン２５ａと同じ形状を有するダミー導体パターン２３ａ（変形抑止用導体パターン）が形成されている。

具体的には、多数個取りセラミック基板１の下面１ａにおいて、基板要素部１１には、４つの導体パターン（すなわち、第１導体パターン２５ａ−１、第２導体パターン２５ａ−２、第３導体パターン２５ａ−３、第４導体パターン２５ａ−４）が形成されている（図２の右下の図参照）。また、多数個取りセラミック基板１の下面１ａにおいて、外周パターン単位部１２には、導体パターン２５ａと同じ形状の４つのダミー導体パターン（すなわち、第１ダミー導体パターン２３ａ−１、第２ダミー導体パターン２３ａ−２、第３ダミー導体パターン２３ａ−３、第４ダミー導体パターン２３ａ−４）が形成されている（図２の右上の図参照）。

また、図２に示すように、多数個取りセラミック基板１の下面１ａにおいて、外周エリア３における位置決め部（すなわち、開口部３１または切り欠き３２）に隣接する位置には、基板要素部１１に含まれる導体パターン２５ａの一部と同じ形状を有するダミー導体パターン２３ａ（変形抑止用導体パターン）が形成されている。

具体的には、多数個取りセラミック基板１の下面１ａにおいて、開口部３１に隣接する位置に形成されている外周パターン１２ａは、第１導体パターン２５ａ−１と同じ形状の第１ダミー導体パターン２３ａ−１と、第２導体パターン２５ａ−２と同じ形状の第２ダミー導体パターン２３ａ−２とを含んでいる。また、多数個取りセラミック基板１の下面１ａにおいて、切り欠き３２に隣接する位置に形成されている外周パターン１２ｂは、第４導体パターン２５ａ−４と同じ形状の第４ダミー導体パターン２３ａ−４のみを含んでいる。

このように、開口部３１または切り欠き３２に隣接する位置では、導体パターン２５ａおよび２５ｂの一部と同じ形状を有するダミー導体パターン２３ａおよび２３ｂを配置することで、外周エリア３のより多くの領域に変形抑止用の導体パターンを設けることができる。これにより、焼結時の基板の変形抑止効果を高めることができる。

続いて、多数個取りセラミック基板１の層構成について図３を参照しながら説明する。多数個取りセラミック基板１は、積層された複数のセラミック層を有している。例えば、図３に示すように、多数個取りセラミック基板１は、第１のセラミック層２１ａおよび第２のセラミック層２１ｂの二層構造を有している。但し、これは一例であり、本発明にかかる多数個取りセラミック基板１における複数のセラミック層の積層構造は二層に限定されない。

各セラミック層２１ａおよび２１ｂは、例えばアルミナ（Ａｌ_２Ｏ_３）を主成分とする高温焼成セラミックで形成することができる。

図３では図示していないが、各セラミック層の間には、導体パターンとなる金属層が形成されている。この金属層は、最終的に得られるセラミック基板５０に所望される回路構成に応じて任意の形状（パターン）となるようにセラミックシート上に印刷される。

また、第１のセラミック層２１ａの上面１ｂには、導体パターン２５ｂおよびダミー導体パターン２３ｂが形成されている。導体パターン２５ｂは、製品エリア２に形成されている。ダミー導体パターン２３ｂは、外周エリア３に形成されている。

製品エリア２に形成されている導体パターン２５ｂは、導体金属層２２ｂと金属メッキ層２４ｂとの積層構造を有している。導体金属層２２ｂの表面にメッキ処理が施され、金属メッキ層２４ｂが形成される。一方、外周エリア３に形成されているダミー導体パターン２３ｂは、金属層のみで形成されており、金属メッキ層は設けられていない。

また、第２のセラミック層２１ｂの下面１ａには、導体パターン２５ａおよびダミー導体パターン２３ａが形成されている。導体パターン２５ａは、製品エリア２に形成されている。ダミー導体パターン２３ａは、外周エリア３に形成されている。

導体パターン２５ａおよび２５ｂ、並びに、ダミー導体パターン２３ａおよび２３ｂは、導電性を有する金属材料で形成されている。このような金属材料としては、例えば、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、および銀（Ａｇ）などが挙げられる。

また、製品エリア２に形成されている導体パターン２５ａは、導体金属層２２ａと金属メッキ層２４ａとの積層構造を有している。導体金属層２２ａの表面にメッキ処理が施され、金属メッキ層２４ａが形成される。一方、外周エリア３に形成されているダミー導体パターン２３ａは、金属層のみで形成されており、金属メッキ層は設けられていない。

金属メッキ層２４ａおよび２４ｂは、ロウ材、半田などの接合材を介して他の部品と接続される。すなわち、金属メッキ層２４ａおよび２４ｂは、他の部品との接合部としての役割を果たす。金属メッキ層２４ａおよび２４ｂは、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、銅（Ｃｕ）、および銀（Ａｇ）などで形成された金属層の表面に、ニッケル（Ｎｉ）メッキおよび金（Ａｕ）メッキなどを施すことによって形成される。

このように、外周エリア３に形成されているダミー導体パターン２３ａには、金属メッキ層を設けないことで、外周エリア３を容易に識別することができる。

（多数個取りセラミック基板の製造方法）
続いて多数個取りセラミック基板１の製造方法を説明する。

多数個取りセラミック基板１の製造方法は、少なくとも以下の各工程を含む。
（１）導体パターン形成工程
（２）積層体形成工程
（３）メッキ処理工程

（１）の導体パターン形成工程では、少なくとも一つのセラミックシート上における製品エリア２に、所定の形状を有する製品用導体パターン（例えば、導体金属層２２ａおよび２２ｂ）を形成する。また、少なくとも一つのセラミックシート上における外周エリア３に、製品用導体パターンと少なくとも部分的に同じ形状を有する変形抑止用導体パターン（例えば、ダミー導体パターン２３ａおよび２３ｂ）を形成する。

導体パターン形成工程において使用されるセラミックシートは、例えば、セラミック成分の粉末を主成分とする原料粉末を適当な有機溶剤およびバインダとともに混練してスラリーを作製し、このスラリーをドクターブレード法やリップコータ法などの成形方法でシート状に成形することによって形成される。このセラミックシートは、後の焼成工程において焼結され、セラミック層となる。

導体パターン形成工程では、上記のようにして形成されたセラミックシート上に、所定の導体パターン（すなわち、製品用導体パターンおよび変形抑止用導体パターン）を形成する。導体パターンの形成は、スクリーン印刷法などの公知の印刷方法を用いて行われる。これにより、製品エリア２におけるセラミックシートの表面の所望の箇所に、回路素子および配線などを構成する製品用導体パターンが印刷形成される。また、外周エリア３におけるセラミックシートの表面の所望の箇所に、基板の反りなどの変形を抑止するための変形抑止用導体パターンが印刷形成される。製品用導体パターンは、図示しない導通ビアを介して、他のセラミックシート上に形成されている製品用導体パターンと電気的に接続される。一方、変形抑止用導体パターンは、製品用導体パターンおよび他の変形抑止用導体パターンとは接続されていない。

（２）の積層体形成工程では、複数のセラミックシートのそれぞれを積層する。具体的には、（１）の導体パターン形成工程で所定形状の導体パターンが印刷された各セラミックシートを、所定の順序で積層し、圧着する。

これにより、厚さが０．１５〜１．０ｍｍ程度の平板状積層体が得られる。各セラミックシートにはビアホール（図示せず）が形成されている。このビアホールに充填される導通ビア（図示せず）を介して、各セラミックシート上に形成された金属層（例えば、導体金属層２２ａおよび２２ｂなど）は適宜接続され、後に回路素子として機能するように構成される。

なお、積層体形成工程の後に、平板状積層体の表面の各基板要素部１１の境界線上にスリットまたは溝などを形成してもよい。

（２）の積層体形成工程によって形成された平板状積層体は、その後、焼成される。焼成工程によって平板状積層体を構成するセラミックシートは焼結され、セラミック層となる。

その後、（３）のメッキ処理工程が行われる。メッキ処理工程では、最上層に位置するセラミック層（例えば、第２のセラミック層２１ｂ）の上面１ｂおよび最下層に位置するセラミック層（例えば、第１のセラミック層２１ａ）の下面１ａに配置された製品用導体パターン（例えば、導体金属層２２ａおよび２２ｂ）の表面に、金属メッキを施す。メッキ処理は、電解メッキなどの従来公知の方法を用いて実施することができる。これにより、例えば、導体金属層２２ａの表面には金属メッキ層２４ａが形成され、導体金属層２２ｂの表面には金属メッキ層２４ｂが形成される。金属メッキ層２４ａおよび２４ｂは、導体金属層２２ａおよび２２ｂの表面に形成されたＮｉメッキ被覆と、Ｎｉメッキ被覆上に形成されたＡｕメッキ被覆とで構成されていてもよい。

一方、（３）のメッキ処理工程において、変形抑止用導体パターン（例えば、ダミー導体パターン２３ａおよび２３ｂ）の表面には、メッキ処理は行わない。すなわち、変形抑止用導体パターンには導通ビアを形成しない。これにより、電解メッキ方法を用いてメッキ処理を実施したときに、多数個取りセラミック基板１の外周エリア３の上面１ｂおよび下面１ａの変形抑止用導体パターンの表面には金属メッキ層が形成されないようにすることができる。

以上のような工程によって、多数個取りセラミック基板１は製造される。

さらに、多数個取りセラミック基板１からセラミック基板５０を製造する場合には、多数個取りセラミック基板１を個々の基板要素部１１に分割する工程を行う。図４では、多数個取りセラミック基板１における分割位置を破線で示している。このとき、多数個取りセラミック基板１の表面にスリットまたは分割溝が形成されていると、基板の裁断を容易かつ正確に行うことができる。これにより、セラミック基板５０が得られる（図４参照）。

（第１の実施形態のまとめ）
以上のように、本実施形態にかかる多数個取りセラミック基板１は、複数の基板要素部１１が並んで配置されている製品エリア２と、製品エリア２の外側に位置する外周エリア３とを有する。基板要素部１１の上面１ｂおよび下面１ａには、金属メッキ層２４ａおよび２４ｂが設けられている導体パターン２５ａおよび２５ｂ（製品用導体パターン）が形成されている。また、外周エリア３の上面１ｂおよび下面１ａには、導体パターン２３ａおよび２３ｂ（変形抑止用導体パターン）が形成されている。外周エリア３に設けられた導体パターン２３ａおよび２３ｂには、金属メッキが施されていない。

上記の構成によれば、外周エリア３に導体パターン２３ａおよび２３ｂが設けられていることで、焼結時に起こり得る基板の反りや変形を抑えることができる。また、外周エリア３の導体パターン２３ａおよび２３ｂにはメッキ処理が施されていないなめ、金属メッキの有無によって、製品エリア２と外周エリア３とを容易に見分けることができる。また、製品エリア２内の導体パターン２５ａおよび２５ｂのみにメッキ処理を施すことで、金属材料の使用量を抑えることができる。

〔第２の実施形態〕
第２の実施形態では、基板の端部に形成される変形抑止用導体パターンの形状が第１の実施形態とは異なる構成について説明する。図５（ａ）には、第２の実施形態にかかる多数個取りセラミック基板１０１の外周エリア３の上面１０１ｂの一部分を示す。

多数個取りセラミック基板１０１は、複数の基板要素部１１を含む製品エリア（基板領域）２と、この製品エリア２の外側に位置する外周エリア（外周領域）３とを有している。多数個取りセラミック基板１０１において、製品エリア２の構成については第１の実施形態と同様の構成が適用できる。

外周エリア３は、製品エリア２を取り囲むように設けられている。外周エリア３には、焼成工程によって起こり得る基板の反りなどの変形を抑止するためのダミー導体パターン２３ｂ（変形抑止用導体パターン）などを含む外周パターン単位部１２が縦横に並んで配置されている。

外周エリア３では、製品エリア２に隣接する位置から基板の端部へむかって、外周パターン単位部１２が配列されている。図５（ｂ）には、基板要素部１１の一つを示す。図５（ｃ）には、外周パターン単位部１２の一つを示す。図５（ｂ）および図５（ｃ）に示すように、基板要素部１１の上面側の構成、および外周パターン単位部１２の上面側の構成は、第１の実施形態と同様である。

ここで、一つの基板要素部１１の横幅をＬ１とし、縦幅をＬ２とする。外周パターン単位部１２に含まれるダミー導体パターン２３ｂの形状は、基板要素部１１に含まれる導体パターン２５ｂの形状と同じである。したがって、一つの外周パターン単位部１２の横幅はＬ１となり、縦幅はＬ２となる。

本実施形態にかかる多数個取りセラミック基板１０１では、外周エリア３における製品エリア２に隣接する位置から端部へむかって、外周パターン単位部１２が配列されている。そして、基板の端部において基板要素部１１の幅（具体的には、横幅Ｌ１または縦幅Ｌ２）の半分以上の幅を有する領域が残された場合には、その領域に、製品用導体パターンの一部と同じ形状を有する変形抑止用導体パターンが配置される。

例えば、図５（ａ）に示す例では、多数個取りセラミック基板１０１の左側端部において、幅Ｓ１に相当する端部領域が、完全な形状の外周パターン単位部１２を配置できない残余領域となる。この残余領域の幅Ｓ１は、横幅Ｌ１の半分以上の長さを有する（すなわち、Ｓ１≧１／２・Ｌ１）。この場合、残余領域には、第２ダミー導体パターン２３ｂ−２を含む不完全な外周パターン１１２ａが配置される。この不完全な外周パターン１１２ａは、図５（ｂ）に示す基板要素部１１の右側部分と同じ形状を有している。

また、図５（ａ）に示す例では、多数個取りセラミック基板１０１の下側端部において、幅Ｓ２に相当する端部領域が、完全な形状の外周パターン単位部１２を配置できない残余領域となる。この残余領域の幅Ｓ２は、縦幅Ｌ２の半分以上の長さを有する（すなわち、Ｓ２≧１／２・Ｌ２）。この場合、残余領域には、第１ダミー導体パターン２３ｂ−１および第２ダミー導体パターン２３ｂ−２を含む不完全な外周パターン１１２ｂが配置される。この不完全な外周パターン１１２ｂは、図５（ｂ）に示す基板要素部１１の上側部分と同じ形状を有している。

さらに、図５（ａ）に示す例では、多数個取りセラミック基板１０１の角部分にも、完全な形状の外周パターン単位部１２を配置できない残余領域が形成される。この残余領域には、第２ダミー導体パターン２３ｂ−２を含む不完全な外周パターン１１２ｃが配置される。この不完全な外周パターン１１２ｃは、図５（ｂ）に示す基板要素部１１の右上部分と同じ形状を有している。

このような構成により、多数個取りセラミック基板１０１では、基板の端部近傍にまで基板の変形を抑止するためのダミー導体パターンを配置することができる。したがって、焼成工程時の基板の変形をより抑えることができる。

今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではないと考えられるべきである。本発明の範囲は上記した説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。また、本明細書で説明した異なる実施形態の構成を互いに組み合わせて得られる構成についても、本発明の範疇に含まれる。

１ ：多数個取りセラミック基板
１ａ ：（多数個取りセラミック基板の）下面
１ｂ ：（多数個取りセラミック基板の）上面
２ ：製品エリア（基板領域）
３ ：外周エリア（外周領域）
１１ ：基板要素部
１２ ：外周パターン単位部
１２ａ ：（不完全な）外周パターン
１２ｂ ：（不完全な）外周パターン
２１ａ ：第１のセラミック層
２１ｂ ：第２のセラミック層
２２ａ ：導体金属層（製品用導体パターン）
２２ｂ ：導体金属層（製品用導体パターン）
２３ａ ：ダミー導体パターン（変形抑止用導体パターン）
２３ｂ ：ダミー導体パターン（変形抑止用導体パターン）
２４ａ ：金属メッキ層
２４ｂ ：金属メッキ層
２５ａ ：導体パターン（製品用導体パターン）
２５ｂ ：導体パターン（製品用導体パターン）
３１ ：開口部（位置決め部）
３２ ：切り欠き（位置決め部）
５０ ：セラミック基板
１０１ ：多数個取りセラミック基板
１１２ａ：（不完全な）外周パターン
１１２ｂ：（不完全な）外周パターン
１１２ｃ：（不完全な）外周パターン

Claims (6)

1. 複数の基板要素部が並んで配置されている基板領域と、該基板領域の外側に位置する外周領域とを有している多数個取りセラミック基板であって、
   積層された複数のセラミック層を有し、
   前記基板要素部のそれぞれは、前記セラミック層上に所定の形状を有する製品用導体パターンを有しており、
   前記外周領域には、前記製品用導体パターンと少なくとも部分的に同じ形状を有する変形抑止用導体パターンが並んで配置されており、
   最上層に位置する前記セラミック層の上面および最下層に位置する前記セラミック層の下面に配置された前記製品用導体パターンの表面には、金属メッキ層が設けられている一方、前記変形抑止用導体パターンの表面には、金属メッキ層が設けられていない、
   多数個取りセラミック基板。
2. 前記外周領域には、製造時に位置合わせの指標となる位置決め部が設けられており、
   前記変形抑止用導体パターンは、前記位置決め部の形成領域を除いて配置されている、
   請求項１に記載の多数個取りセラミック基板。
3. 前記外周領域における前記位置決め部に隣接する位置には、前記製品用導体パターンの一部と同じ形状を有する前記変形抑止用導体パターンが配置されており、それ以外の位置には、前記製品用導体パターンと同じ形状を有する前記変形抑止用導体パターンが配置されている、
   請求項２に記載の多数個取りセラミック基板。
4. 前記外周領域には、前記基板領域に隣接する位置から端部へむかって、前記製品用導体パターンと同じ形状を有する前記変形抑止用導体パターンが配列されており、
   前記端部において前記基板要素部の幅の半分以上の幅を有する領域が残された場合には、当該領域に、前記製品用導体パターンの一部と同じ形状を有する前記変形抑止用導体パターンを配置する、
   請求項１から３の何れか１項に記載の多数個取りセラミック基板。
5. 複数の基板要素部が並んで配置されている基板領域と、該基板領域の外側に位置する外周領域とを有する多数個取りセラミック基板の製造方法であって、
   少なくとも一つのセラミックシート上における前記基板領域に、所定の形状を有する製品用導体パターンを形成するとともに、前記少なくとも一つのシート上における前記外周領域に、前記製品用導体パターンと少なくとも部分的に同じ形状を有する変形抑止用導体パターンを形成する導体パターン形成工程と、
   複数の前記セラミックシートのそれぞれを積層する積層体形成工程と、
   最上層に位置するセラミック層の上面および最下層に位置するセラミック層の下面に配置された前記製品用導体パターンの表面に金属メッキを施す一方、前記変形抑止用導体パターンの表面には金属メッキを施さない、メッキ処理工程と
   を含む、多数個取りセラミック基板の製造方法。
6. 請求項５に記載の製造方法によって多数個取りセラミック基板を製造した後に、前記多数個取りセラミック基板を個々の前記基板要素部に分割する工程を含む、セラミック基板の製造方法。