JP2021008002A - 研磨液供給装置 - Google Patents
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- 239000007788 liquid Substances 0.000 title claims abstract description 242
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 155
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 156
- 239000002002 slurry Substances 0.000 claims description 44
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 39
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 22
- 238000013329 compounding Methods 0.000 claims description 18
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 abstract description 7
- MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N Hydrogen peroxide Chemical compound OO MHAJPDPJQMAIIY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 148
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 30
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 27
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 27
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 19
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 15
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 11
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 11
- 230000009471 action Effects 0.000 description 8
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 8
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 8
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 6
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 6
- 101100316752 Arabidopsis thaliana VAL1 gene Proteins 0.000 description 5
- 230000008859 change Effects 0.000 description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000011261 inert gas Substances 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 4
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 4
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 4
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 3
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 3
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 3
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015271 coagulation Effects 0.000 description 2
- 238000005345 coagulation Methods 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000010992 reflux Methods 0.000 description 2
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- 238000007711 solidification Methods 0.000 description 2
- 230000008023 solidification Effects 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 101100316753 Arabidopsis thaliana VAL2 gene Proteins 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000002378 acidificating effect Effects 0.000 description 1
- 239000004480 active ingredient Substances 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 1
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 1
- 230000007935 neutral effect Effects 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 230000010349 pulsation Effects 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
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- Grinding-Machine Dressing And Accessory Apparatuses (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Description
<第1実施形態>
図1は、本発明の第1実施形態である研磨液供給装置2を含むCMPシステム1の全体構成を示す図である。図1における要素間を結ぶ実線は配管を示しており、実線上の矢印は、配管内の液の進行方向を示している。CMPシステム1は、半導体製造プロセスのポリッシング工程で使用するものである。CMPシステム1は、CMP研磨装置8と、研磨液供給装置2とを有する。CMP研磨装置8の液体送入口89は、研磨液供給装置2の液体送出口79と接続されている。CMP研磨装置8は、研磨対象であるウエーハ88を研磨する。研磨液供給装置2は、CMP研磨装置8に研磨液を供給する。
図7は、本発明の第2実施形態である研磨液供給装置2を含むCMPシステム1の全体構成を示す図である。図7において、上記第1実施形態の研磨液供給装置2のものと同じ要素には、同じ符号を付してある。上記第1実施形態の研磨液供給装置2のミキシングユニット50CHM、50SLR、50H2O2は、流路10CHM、10SLR、10H2O2と略同じか僅かに太い直径をもった円筒体を有する構造となっており、このミキシングユニット50CHM、50SLR、50H2O2内において、複数の液体がインライン調合された。これに対し、本実施形態の研磨液供給装置2のミキシングユニット50Aは、調合タンク52Aと、攪拌装置59Aとを有し、このタンク52A内において複数の液体が攪拌調合される、という構成になっている。
第1に、本実施形態では、ミキシングユニット50Aの調合タンク52A内の液体の調合により得られた研磨液が、加圧タンク53Aに充填され、ガス加圧部54Aが加圧タンク53A内に不活性ガスを送出して、加圧タンク53A内の研磨液をCMP研磨装置8に至る経路に押し出すようになっている。よって、脈動のない超高精度な研磨液をCMP研磨装置8に安定的に供給することができる。
以上本発明の第1及び第2実施形態について説明したが、これらの実施形態に以下の変形を加えてもよい。
2 研磨液供給装置
3 ドラム
8 研磨装置
11 ドラム
14 ガス加圧部
17A 分岐点
21 低圧弁
26 流量調整バルブ
29 超純水送入口
31 天板
32 底板
33 側板
38 エアシリンダー
40 調合流路
40A 流路
50 ミキシングユニット
50A ミキシングユニット
51A 筐体
52A タンク
52A 調合タンク
53A 加圧タンク
54A ガス加圧部
55A フローコントローラ
56A 充填量センサ
59A 攪拌装置
70 PLC
79 送出口
81 ヘッド
83 定盤
84 研磨パッド
85 ノズル
88 ウエーハ
89 液体送入口
91 タンク
92 ポンプ
311 312 321 322 板
Claims (4)
- 研磨液をCMP研磨装置に供給する研磨液供給装置であって、
スラリー、及び前記スラリーと調合する他の液体を含む複数の液体をそれぞれ移送する複数の液体移送流路と、
前記CMP研磨装置に至る液体の送出口に対応して配置された調合流路であって、前記複数の液体移送流路と連通し、前記複数の液体を調合した液を前記研磨液として前記CMP研磨装置に供給する調合流路と、
前記調合流路に設けられた濃度センサであって、当該調合流路内の液体の濁度を液体の濃度として検出する濃度センサと、
前記液体移送流路内における液体の流量を調整する流量調整手段と、
前記調合流路内の液体の濃度と目標値との関係に基づいて、前記流量調整手段の動作を制御する制御手段と
を具備することを特徴とする研磨液供給装置。 - 前記調合流路には、2つの流入口と1つの流出口とを有する複数のミキシングユニットを複数段に渡って繋げたものが設けられており、
前記複数の液体移送流路は、複数のミキシングユニットの一方の流入口に繋がっており、
前記流量調整手段は、
前記複数の液体移送流路に応じて設けられたフローコントローラであって、流量センサと流量調整バルブが一体となっているユニットであるフローコントローラである
ことを特徴とする請求項1に記載の研磨液供給装置。 - 前記複数のミキシングユニットの各々の前記流出口の後段に前記濃度センサが設けられており、
前記制御手段は、
前記複数のミキシングユニットの各々について、当該ミキシングユニットの流出口の後段の前記濃度センサの検出値と目標値の関係に基づいて、当該ミキシングユニットの流入口と繋がっている前記フローコントローラの動作を制御する
ことを特徴とする請求項2に記載の研磨液供給装置。 - 前記CMP研磨装置には、前記液体の濃度の目標値を設定する操作子が設けられており、
前記CMP研磨装置において、前記液体の濃度の目標値が設定された場合、前記研磨装置から濃度を示す設定信号が送信され、
前記制御手段は、
前記複数のミキシングユニットの各々について、前記濃度センサの検出信号と前記CMP研磨装置から与えられる設定信号との関係に基づいて、当該ミキシングユニットの流入口と繋がっている前記フローコントローラの動作を制御する
ことを特徴とする請求項2に記載の研磨液供給装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019122588A JP6698921B1 (ja) | 2019-06-30 | 2019-06-30 | 研磨液供給装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019122588A JP6698921B1 (ja) | 2019-06-30 | 2019-06-30 | 研磨液供給装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP6698921B1 JP6698921B1 (ja) | 2020-05-27 |
JP2021008002A true JP2021008002A (ja) | 2021-01-28 |
Family
ID=70776104
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019122588A Active JP6698921B1 (ja) | 2019-06-30 | 2019-06-30 | 研磨液供給装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP6698921B1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN115781521B (zh) * | 2022-11-08 | 2023-06-13 | 广东睿华光电科技有限公司 | 一种用于防眩光玻璃生产抛光剂喷管结构 |
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-
2019
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JP2012101190A (ja) * | 2010-11-11 | 2012-05-31 | Fujikin Inc | 静止型分散システム |
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---|---|
JP6698921B1 (ja) | 2020-05-27 |
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