JP2020529702A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2020529702A5
JP2020529702A5 JP2020503802A JP2020503802A JP2020529702A5 JP 2020529702 A5 JP2020529702 A5 JP 2020529702A5 JP 2020503802 A JP2020503802 A JP 2020503802A JP 2020503802 A JP2020503802 A JP 2020503802A JP 2020529702 A5 JP2020529702 A5 JP 2020529702A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
electron beam
lens
electrostatic
electron
source
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2020503802A
Other languages
English (en)
Other versions
JP7116154B2 (ja
JP2020529702A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from US15/666,666 external-priority patent/US10096447B1/en
Application filed filed Critical
Publication of JP2020529702A publication Critical patent/JP2020529702A/ja
Publication of JP2020529702A5 publication Critical patent/JP2020529702A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP7116154B2 publication Critical patent/JP7116154B2/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (18)

  1. 電子ビーム装置であって、
    電子を放出するように構成されたチップと、サプレッサと、エクストラクタとを含む電子ソースと、
    接地された第1の静電アノードと、
    前記静電アノードと前記電子ソースの間に配置されたビーム制限アパーチャと、
    複数の磁極片とコイルを含む磁気銃レンズであって、前記電子ソース、前記第1の静電アノードおよび前記ビーム制限アパーチャの両側に配置された磁気銃レンズと、
    前記第1の静電アノードから前記ビーム制限アパーチャの反対側に配置された静電銃レンズと、
    接地された第2の静電アノードであって、前記第1の静電アノードから前記静電銃レンズの反対側に配置された第2の静電アノートと、を備える電子ビーム装置。
  2. ウェハを保持するように構成されたチャックと、
    集束レンズと、
    前記チャックと前記収束レンズの間に配置された対物レンズと、
    前記第2の静電アノードと前記集束レンズの間に配置されたコラムアパーチャと、
    をさらに備えた請求項1に記載の電子ビーム装置。
  3. 前記電子ビーム装置は、前記電子ビームを、前記静電銃レンズと前記コラムアパーチャの間の第1のクロスオーバと、前記集束レンズと前記対物レンズの間の第2のクロスオーバを有するように整形するよう構成されている請求項2に記載の電子ビーム装置。
  4. 前記電子ソースは冷電界放出ソースである請求項1に記載の電子ビーム装置
  5. 前記電子ソースは熱電界放出ソースである請求項1に記載の電子ビーム装置
  6. 請求項1に記載の電子ビーム装置を含む走査電子顕微鏡。
  7. 電子ソースで電子ビームを生成し、
    エクストラクタで前記電子ビームを抽出し、
    複数の磁極片およびコイルを含み前記ビーム制限アパーチャの両側に配置された磁気銃レンズを用いて、ビーム制限アパーチャを通してウェハに電子ビームを向け、
    前記電子ビームがビーム制限アパーチャを通過した後で前記電子ビームを静電銃レンズを通して通過させることを含む方法。
  8. 前記電子ビームを用いて前記ウェハの画像を生成することをさらに含む請求項7に記載の方法。
  9. 前記磁気銃レンズが作動され、前記静電銃レンズは作動されないことを含む請求項7に記載の方法。
  10. 前記磁気銃レンズはビーム電流スイッチング速度でビーム電流を選択するように構成されている請求項7に記載の方法。
  11. 前記電子ビームがウェハに到達する前に前記電子ビームをコラムアパーチャ、集束レンズおよび対物レンズを通って通過させることをさらに含む請求項7に記載の方法。
  12. 前記電子ビームは前記ビーム制限アパーチャと前記コラムアパーチャの間の第1のクロスオーバと、前記集束レンズと前記対物レンズの間の第2のクロスオーバを有するように構成される請求項11に記載の方法。
  13. 前記静電銃レンズはビーム電流をビーム電流スイッチング速度で選択するように構成されている請求項7に記載の方法。
  14. 前記磁気銃レンズと前記静電銃レンズはビーム電流スイッチング速度でビーム電流を選択するように構成されている請求項7に記載の方法。
  15. 前記電子ソースは冷電界放出ソースである請求項14に記載の方法。
  16. 前記電子ビームのビーム電流は0.001nA〜500nAである請求項7に記載の方法。
  17. 前記電子ビームの分解能は20nm〜80nmである請求項16に記載の方法。
  18. 前記スイッチングビーム電流は1秒以下で発生する請求項7に記載の方法。
JP2020503802A 2017-08-02 2018-07-24 高解像度の電子ビーム装置 Active JP7116154B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US15/666,666 2017-08-02
US15/666,666 US10096447B1 (en) 2017-08-02 2017-08-02 Electron beam apparatus with high resolutions
PCT/US2018/043353 WO2019027714A1 (en) 2017-08-02 2018-07-24 HIGH RESOLUTION ELECTRON BEAM APPARATUS

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2020529702A JP2020529702A (ja) 2020-10-08
JP2020529702A5 true JP2020529702A5 (ja) 2021-08-26
JP7116154B2 JP7116154B2 (ja) 2022-08-09

Family

ID=63685156

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2020503802A Active JP7116154B2 (ja) 2017-08-02 2018-07-24 高解像度の電子ビーム装置

Country Status (9)

Country Link
US (1) US10096447B1 (ja)
EP (1) EP3662326A4 (ja)
JP (1) JP7116154B2 (ja)
KR (1) KR102363263B1 (ja)
CN (1) CN111051985B (ja)
IL (1) IL272051A (ja)
SG (1) SG11202000608VA (ja)
TW (1) TWI751362B (ja)
WO (1) WO2019027714A1 (ja)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20200194223A1 (en) * 2018-12-14 2020-06-18 Kla Corporation Joint Electron-Optical Columns for Flood-Charging and Image-Forming in Voltage Contrast Wafer Inspections
US11664186B1 (en) * 2022-08-07 2023-05-30 Borries Pte. Ltd. Apparatus of electron beam comprising pinnacle limiting plate and method of reducing electron-electron interaction

Family Cites Families (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4426583A (en) * 1982-05-10 1984-01-17 International Business Machines Corporation Electron beam potential switching apparatus
GB8401578D0 (en) 1984-01-19 1984-02-22 Cleaver J R A Ion and electron beam electrostatic and magnetic lens systems
US5493116A (en) * 1993-10-26 1996-02-20 Metrologix, Inc. Detection system for precision measurements and high resolution inspection of high aspect ratio structures using particle beam devices
EP0821393B1 (en) * 1996-07-25 1999-06-16 ACT Advanced Circuit Testing Gesellschaft für Testsystementwicklung mbH Detector objective lens
US6664546B1 (en) 2000-02-10 2003-12-16 Kla-Tencor In-situ probe for optimizing electron beam inspection and metrology based on surface potential
WO2001060456A1 (en) 2000-02-19 2001-08-23 Ion Diagnostics, Inc. Multi-beam multi-column electron beam inspection system
EP1296351A4 (en) 2000-06-27 2009-09-23 Ebara Corp INVESTIGATION DEVICE FOR LOADED PARTICLE RAYS AND METHOD FOR PRODUCING A COMPONENT ELEVATED WITH THIS INSPECTION DEVICE
JPWO2002056332A1 (ja) 2001-01-10 2004-05-20 株式会社荏原製作所 電子線による検査装置、検査方法、及びその検査装置を用いたデバイス製造方法
US6897442B2 (en) 2003-04-25 2005-05-24 Applied Materials Israel, Ltd. Objective lens arrangement for use in a charged particle beam column
US7462848B2 (en) * 2003-10-07 2008-12-09 Multibeam Systems, Inc. Optics for generation of high current density patterned charged particle beams
JP2006216396A (ja) 2005-02-04 2006-08-17 Hitachi High-Technologies Corp 荷電粒子線装置
JP4751635B2 (ja) * 2005-04-13 2011-08-17 株式会社日立ハイテクノロジーズ 磁界重畳型電子銃
WO2007055154A1 (ja) * 2005-11-08 2007-05-18 Advantest Corporation 電子銃、電子ビーム露光装置及び露光方法
JP4616180B2 (ja) * 2006-01-20 2011-01-19 株式会社日立ハイテクノロジーズ 走査電子顕微鏡
US7825386B2 (en) * 2006-10-25 2010-11-02 Hermes-Microvision, Inc. System and method for a charged particle beam
DE112007000045T5 (de) * 2007-02-20 2010-04-22 Advantest Corporation Elektronenkanone, Elektronenstrahl-Bestrahlungsgerät und Bestrahlungsverfahren
KR101118698B1 (ko) * 2007-05-29 2012-03-12 전자빔기술센터 주식회사 시엔티 팁을 이용한 전자 칼럼 및 시엔티 팁을 정렬하는방법
US7821187B1 (en) * 2007-09-07 2010-10-26 Kla-Tencor Corporation Immersion gun equipped electron beam column
KR100962243B1 (ko) * 2008-06-09 2010-06-11 한국기계연구원 포컬 렌스를 활용한 전자빔 전류 제어 장치 및 방법
DE112009003724B4 (de) * 2008-12-16 2017-07-13 Hitachi High-Technologies Corporation Verwendung eines Elektronenstrahlgeräts
WO2010132265A2 (en) * 2009-05-12 2010-11-18 Carl Zeiss Nts, Llc. Gas delivery in a microscope system
JP5063715B2 (ja) * 2010-02-04 2012-10-31 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子源,電子銃、それを用いた電子顕微鏡装置及び電子線描画装置
EP2492950B1 (en) * 2011-02-25 2018-04-11 FEI Company Method for rapid switching between a high current mode and a low current mode in a charged particle beam system
US8664594B1 (en) 2011-04-18 2014-03-04 Kla-Tencor Corporation Electron-optical system for high-speed and high-sensitivity inspections
TWI472751B (zh) * 2011-05-03 2015-02-11 Hermes Microvision Inc 用於檢查與複檢光罩/晶圓缺陷的帶電粒子系統
US8455838B2 (en) 2011-06-29 2013-06-04 Kla-Tencor Corporation Multiple-column electron beam apparatus and methods
JP5687157B2 (ja) * 2011-08-22 2015-03-18 株式会社日立ハイテクノロジーズ 電子銃、電界放出電子銃、荷電粒子線装置および透過型電子顕微鏡
US9053900B2 (en) * 2012-04-03 2015-06-09 Kla-Tencor Corporation Apparatus and methods for high-resolution electron beam imaging
US8859982B2 (en) * 2012-09-14 2014-10-14 Kla-Tencor Corporation Dual-lens-gun electron beam apparatus and methods for high-resolution imaging with both high and low beam currents
EP2779201A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-17 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH High brightness electron gun, system using the same, and method of operating the same
EP2779204A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-17 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Electron gun arrangement
EP2801997B1 (en) 2013-05-06 2016-03-09 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH Electron beam wafer inspection system and method for operation thereof
US9105440B2 (en) 2013-08-30 2015-08-11 Hermes Microvision, Inc. Apparatus of plural charged particle beams with multi-axis magnetic lens
US10056228B2 (en) * 2014-07-29 2018-08-21 Applied Materials Israel Ltd. Charged particle beam specimen inspection system and method for operation thereof
US9437395B2 (en) 2014-12-09 2016-09-06 Hermes Microvision Inc. Method and compound system for inspecting and reviewing defects
US9595417B2 (en) 2014-12-22 2017-03-14 ICT Integrated Circuit Testing Gesellschaft für Halbleiterprüftechnik mbH High resolution charged particle beam device and method of operating the same

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP6114981B2 (ja) X線発生装置
JP6310920B2 (ja) 高ビーム電流および低ビーム電流の両方を用いた、高解像度イメージングのための二重レンズ銃電子ビーム装置
JP2008043762A5 (ja)
JP6117778B2 (ja) マルチコラム電子ビーム装置および方法
US8314404B2 (en) Distributed ion source acceleration column
JP2014183046A5 (ja)
JP2020529702A5 (ja)
US6740895B2 (en) Method and apparatus for emission lithography using patterned emitter
JP2020518990A5 (ja)
US8314401B2 (en) Electron gun with magnetic immersion double condenser lenses
JP2023110072A (ja) 走査型電子顕微鏡および走査型電子顕微鏡の2次電子検出方法
US10319563B2 (en) Electronic beam machining system
CN111051985B (zh) 具有高分辨率的电子束设备
US8063365B1 (en) Non-shot-noise-limited source for electron beam lithography or inspection
JP2017054737A (ja) 質量分析装置および質量分析方法
JP2021082408A (ja) 透過電子顕微鏡および透過電子顕微鏡の制御方法
JP2019511823A (ja) チューナビリティ用非磁性金属部分が組み込まれた永久磁石粒子ビーム装置及び方法
JP6441702B2 (ja) イオン源、イオンビーム装置および試料の加工方法
JP2014041733A (ja) 荷電粒子線装置
JPS63216256A (ja) 荷電粒子線装置
JP2007059297A (ja) 小型高エネルギー集束イオンビーム装置
Big A short history of the electron microscope
TW202205336A (zh) 具有多源系統和多射束粒子顯微鏡的粒子束系統
JP2012129196A (ja) 蒸着用電子銃
JP2004111404A (ja) 荷電粒子線照射装置