JP2020526022A - ハイサイドゲートドライバ - Google Patents
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Abstract
Description
上述の問題に鑑み、本発明は、ハイサイドゲートドライバのゲート端子と、駆動されるパワートランジスタのゲート端との間に電流制限抵抗を付加的に設ける必要なく、通電しているとき及び通電していないときのパワートランジスタのゲート端子の負電圧要件を満たすことができるハイサイドゲートドライバを提供する。
下記の添付の図面の参照によって、本開示の内容の実体及び利点のさらなる理解が可能になる。図中、類似の構成要素又は特徴には同一の参照符号が付されている。
以下においては、添付の図面を参照しながら、本発明に係るハイサイドゲートドライバを説明する。
Claims (11)
- ハイサイドゲートドライバにおいて、
前記ドライバは、第1のカレントミラー(Ip1)、第2のカレントミラー(In1)、第1のNチャネルトランジスタ(Mn1)、第1のスイッチ回路、第2のスイッチ回路、第1のタイプの第1のダイオード(d1)、第1のタイプの第2のダイオード(d2)、及び、第2のタイプの第1のダイオード(d3)を備えており、
前記第1のスイッチ回路は、前記第1のカレントミラー(Ip1)の出力端と前記第1のNチャネルトランジスタ(Mn1)のソースとの間に配置されており、
前記第2のスイッチ回路は、前記第1のNチャネルトランジスタ(Mn1)のドレインと、前記第2のカレントミラー(In1)の入力端との間に配置されており、
前記第1のタイプの第1のダイオード(d1)のアノード及びカソードは、前記第1のNチャネルトランジスタ(Mn1)のソース及び前記第1のタイプの第2のダイオード(d2)のカソードにそれぞれ接続されるように配置されており、
前記第1のタイプの第2のダイオード(d2)のアノードは、前記第2のカレントミラー(In1)の出力端に接続されるように配置されており、
前記第2のタイプの第1のダイオード(d3)のアノード及びカソードは、グラウンド及び前記第1のタイプの第2のダイオード(d2)の前記カソードにそれぞれ接続されるように配置されており、
前記第1のカレントミラー(Ip1)の入力端、前記第1のNチャネルトランジスタ(Mn1)のソース及び前記第2のカレントミラー(In1)の出力端は、前記ハイサイドゲートドライバのゲート端子、ソース端子及び電圧端子にそれぞれ接続されており、
前記第1のNチャネルトランジスタ(Mn1)、前記第2のスイッチ回路及び前記第2のカレントミラー(In1)は、基板から電気的に絶縁された構造を有している、
ことを特徴とするハイサイドゲートドライバ。 - 前記基板から電気的に絶縁された構造は、Nリング構造を備えている、
ことを特徴とする請求項1に記載のハイサイドゲートドライバ。 - 前記ドライバは、さらに、第1のタイプの第3のダイオード(d4)を備えており、前記第1のタイプの第3のダイオード(d4)のアノード及びカソードは、前記第1のタイプの第2のダイオード(d2)のカソード及び前記第1のタイプの第1のダイオード(d1)のカソードにそれぞれ接続されるように配置されている、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のハイサイドゲートドライバ。 - 前記第1のスイッチ回路は、Pチャネルトランジスタ(Mp1)によって実現されており、前記Pチャネルトランジスタ(Mp1)のソース及びドレインは、前記第1のカレントミラー(Ip1)の出力端及び前記第1のNチャネルトランジスタ(Mn1)のソースにそれぞれ接続されるように配置されている、
ことを特徴とする請求項1乃至3のいずれか一項に記載のハイサイドゲートドライバ。 - 前記第2のスイッチ回路は、基板から電気的に絶縁された構造を有している第2のNチャネルトランジスタ(Mn2)によって実現されており、前記Nチャネルトランジスタ(Mn2)のドレイン及びソースは、前記第1のNチャネルトランジスタ(Mn1)のドレイン及び前記第2のカレントミラー(In1)の入力端にそれぞれ接続されるように配置されている、
ことを特徴とする請求項1乃至4のいずれか一項に記載のハイサイドゲートドライバ。 - 前記ドライバは、さらに、前記第2のカレントミラー(In1)の出力端とグラウンドとの間に配置されている電圧制限回路を備えている、
ことを特徴とする請求項1又は2に記載のハイサイドゲートドライバ。 - 前記電圧制限回路は、第2のタイプの第2のダイオード及びクランプ回路によって実現されている、
ことを特徴とする請求項6に記載のハイサイドゲートドライバ。 - 前記第1のタイプのダイオードは、双方向に導通するダイオードであり、前記第2のタイプのダイオードは、単方向に導通するダイオードである、
ことを特徴とする請求項1乃至7のいずれか一項に記載のハイサイドゲートドライバ。 - 前記第1のタイプのダイオードは、スナップバックESDダイオードであり、前記第2のタイプのダイオードは、ESDダイオードである、
ことを特徴とする請求項8に記載のハイサイドゲートドライバ。 - 前記第1のNチャネルトランジスタ(Mn1)は、抵抗に置換されている、
ことを特徴とする請求項1に記載のハイサイドゲートドライバ。 - 請求項1乃至10のいずれか一項に記載のハイサイドゲートドライバを備えていることを特徴とする集積回路。
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