JP2020521177A - 走査駆動回路、走査ドライバー及び表示装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本開示は、ディスプレイ技術分野に属し、特に走査駆動回路、走査ドライバー及び表示装置に関するものである。
第1の様態において、本開示の一実施例は走査駆動回路を提供する。該走査駆動回路は、第1制御モジュール、第2制御モジュール及び出力モジュールを備える。出力モジュールは、第1スイッチユニット、第2スイッチユニット及び走査駆動信号出力端を含み、なお、第1スイッチユニットと第2スイッチユニットは並列接続され、かつ共に走査駆動信号出力端に接続される。第1スイッチユニットの走査駆動信号出力端から離れたポートは第2クロック信号を受信し、第2スイッチユニットの走査駆動信号出力端から離れたポートは第1基準信号を受信する。第1制御モジュールは、第1クロック信号及び開始信号を受信し、かつ第1クロック信号及び開始信号に基づいて第1スイッチユニットの作動状態を制御する。第2制御モジュールは、第2基準信号を受信し、かつ第1制御モジュールの作動状態及び第2基準信号に基づいて第2スイッチユニットの作動状態を制御する。
さらに、出力モジュールは、第1導通強化素子をさらに含み、第1導通強化素子を介して第4スイッチング素子の第7経路端が第4制御端に接続される。第1導通強化素子は、第4スイッチング素子の導通難度を低減する。
さらに、出力モジュールは、第2導通強化素子を更に含み、第2導通強化素子を介して第5スイッチング素子の第9経路端が第5スイッチング素子の第5制御端に接続される。第2導通強化素子は、第5スイッチング素子の導通難度を低減する。
さらに、第2導通強化素子は、第5スイッチング素子の寄生容量である。
さらに、開始信号は、所定段数離れた走査駆動回路から出力された走査駆動信号である。
さらに、所定段数は1段であり、n段目の開始信号はn−1段目の走査駆動信号であり、nは0より大きい整数である。
さらに、第1スイッチング素子は、デュアルゲートPMOSトランジスタである。
さらに、第1クロック信号と第2クロック信号は、同じデューティ比及び周期を有し、かつ第1クロック信号と第2クロック信号のローレベルは互い違いになっている。
第1実施例:
図1は、本開示の第1実施例の走査駆動回路の回路構成を示す模式図であり、図2は、本開示の第1実施例の走査駆動回路により受信される信号及び出力される走査駆動信号の波形を示す模式図である。本開示に係る走査駆動回路を明確に説明するために、図1及び図2を同時に参照する。
第1フェイズにおいて、第1クロック信号SCK1はローレベルである。第1スイッチング素子M1の第1制御端がローレベルの第1クロック信号SCK1を受信するため、第1スイッチング素子M1及び第3スイッチング素子M3はオンになる。さらに、この時第1スイッチング素子M1の第2経路端により受信される開始信号SINもローレベルであるため、第1スイッチング素子M1の第1経路端はプルダウンされ、したがって第2スイッチング素子M2がオンになる。第2スイッチング素子M2の第4経路端はローレベルの第1クロック信号SCK1を受信し、第3スイッチング素子M3の第6経路端は基準低電圧VGLを受けるため、第5スイッチング素子M5の第5制御端は、オンになっている第2スイッチング素子M2及びオンになっている第3スイッチング素子M3によりプルダウンされ、したがって第5スイッチング素子M5がオンになり、第5スイッチング素子M5の第10経路端がオンになった第5スイッチング素子M5を介して基準高電圧VGHによってハイレベルに維持され、よってこの時に出力されるn段目の走査駆動信号SCANnもハイレベルである。また、第4スイッチング素子M4の第4制御端が第1スイッチング素子M1の第1経路端と接続されるため、第4スイッチング素子M4の第4制御端は、オンになっている第1スイッチング素子M1を介して開始信号SINによってプルダウンされ、したがって第4スイッチング素子M4がオンになる。さらに、この時の第2クロック信号SCK2がハイレベルであるため、この時に出力されるn段目の走査駆動信号SCANnは、同時に第2クロック信号SCK2によってもハイレベルに維持される。
図3は、本開示の第2実施例による走査駆動回路の回路構成を示す模式図である。本開示の第2実施例の走査駆動回路を明確に説明するために、図2及び図3を同時に参照する。本実施例の走査駆動回路は、図1に示す走査駆動回路とほぼ同じであり、相違点は、第1制御モジュール101が第6スイッチング素子M6をさらに含み、かつ出力モジュール103が第1コンデンサC1及び第2コンデンサC2をさらに含むことのみである。
具体的に、複数段の走査駆動回路における各段の走査駆動回路から出力される走査駆動信号SCANn、第1クロック信号SCK1及び第2クロック信号SCK2の具体的な実施形態は、第1実施例を参照すればよく、ここでは省略する。
第1フェイズにおいて、第1クロック信号SCK1はローレベルである。第1スイッチング素子M1の第1制御端がローレベルの第1クロック信号SCK1を受信するため、第1スイッチング素子M1及び第3スイッチング素子M3はオンになる。また、この時第1スイッチング素子M1の第2経路端が受信する開始信号SINもローレベルであるため、第1スイッチング素子M1の第1経路端はプルダウンされ、したがって第2スイッチング素子M2がオンになる。第2スイッチング素子M2の第4経路端はローレベルの第1クロック信号SCK1を受信し、第3スイッチング素子M3の第6経路端は基準低電圧VGLを受けるため、第5スイッチング素子M5の第5制御端は、オンになっている第2スイッチング素子M2及びオンになっている第3スイッチング素子M3によりプルダウンされ、したがって第5スイッチング素子M5はオンになる。第5スイッチング素子M5の第10経路端はオンになっている第5スイッチング素子M5を介して基準高電圧VGHによってハイレベルに維持され、よってこの時に出力されるn段目の走査駆動信号SCANnはハイレベルである。また、第6スイッチング素子M6の第6制御端が基準低電圧VGLを受けてプルダウンされるため、第6スイッチング素子M6はオンになる。第6スイッチング素子M6の第11経路端が第1スイッチング素子M1の第1経路端に接続されるため、第6スイッチング素子M6の第12経路端がプルダウンされて、第6スイッチング素子M6の第12経路端に接続された第4スイッチング素子M4の第4制御端はプルダウンされる。したがって、第4スイッチング素子M4はオンになる。さらに、この時の第2クロック信号SCK2がハイレベルであるため、この時に出力されるn段目の走査駆動信号SCANnは同時に第2クロック信号SCK2によってもハイレベルに維持される。
図4は本開示の第3実施例の走査ドライバーのモジュールを示す模式図である。本開示の第3実施例による走査ドライバーを明確に説明するために、図4を参照する。
本開示の第3実施例は、図1又は図3に示された走査駆動回路を少なくとも1段備える走査ドライバーを提供する。なお、走査駆動回路の具体的な実施の形態及び有利な効果については第1実施例及び第2実施例を参照すればよく、ここでは省略する。
図5は本開示の第4実施例に係る表示装置の構成を示す模式図である。
図5を参照すると、本開示の第4実施例は表示装置を提供する。該表示装置の内部には、本開示に係る走査ドライバー1、データドライバー2、発光制御ドライバー3及び画素パネル4が取り付けられている。なお、走査ドライバー1の具体的な実施の形態及び有利な効果については第3実施例を参照すればよく、ここでは省略する。
Claims (17)
- 走査駆動回路であって、
第1制御モジュール、第2制御モジュール及び出力モジュールを備え、
前記出力モジュールは、第1スイッチユニット、第2スイッチユニット及び走査駆動信号出力端を含み、
前記第1スイッチユニットと前記第2スイッチユニットは並列接続され、かつ共に前記走査駆動信号出力端に接続され、
前記第1スイッチユニットの前記走査駆動信号出力端から離れたポートは、第2クロック信号を受信し、
前記第2スイッチユニットの前記走査駆動信号出力端から離れたポートは、第1基準信号を受信し、
前記第1制御モジュールは、第1クロック信号及び開始信号を受信し、かつ前記第1クロック信号及び前記開始信号に基づいて前記第1スイッチユニットの作動状態を制御し、
前記第2制御モジュールは、第2基準信号を受信し、かつ前記第1制御モジュールの作動状態及び前記第2基準信号に基づいて前記第2スイッチユニットの作動状態を制御する
走査駆動回路。 - 前記第1制御モジュールは、第1スイッチング素子を含み、
前記第1スイッチング素子は、第1制御端、第1経路端及び第2経路端を含み、
前記第1スイッチング素子の前記第1制御端は、前記第1クロック信号を受信し、
前記第1スイッチング素子の前記第2経路端は、前記開始信号を受信し、
前記第2制御モジュールは、第2スイッチング素子及び第3スイッチング素子を含み、
前記第2スイッチング素子は、第2制御端、第3経路端及び第4経路端を含み、
前記第2スイッチング素子の前記第2制御端は、前記第1スイッチング素子の前記第1経路端に接続され、
前記第2スイッチング素子の前記第4経路端は、前記第1クロック信号を受信し、
前記第3スイッチング素子は、第3制御端、第5経路端及び第6経路端を含み、
前記第3スイッチング素子の前記第3制御端は、前記第1クロック信号を受信し、
前記第3スイッチング素子の前記第5経路端は、前記第2スイッチング素子の前記第3経路端に接続され、
前記第3スイッチング素子の前記第6経路端は、前記第2基準信号を受信し、
前記出力モジュールの前記第1スイッチユニットは、第4スイッチング素子を含み、
前記出力モジュールの前記第2スイッチユニットは、第5スイッチング素子を含み、
前記第4スイッチング素子は、第4制御端、第7経路端及び第8経路端を含み、
前記第4スイッチング素子の前記第4制御端は、前記第2スイッチング素子の前記第2制御端に接続され、
前記第4スイッチング素子の前記第8経路端は、前記第2クロック信号を受信し、
前記第5スイッチング素子は、第5制御端、第9経路端及び第10経路端を含み、
前記第5スイッチング素子の前記第5制御端は、前記第3スイッチング素子の前記第5経路端に接続され、
前記第5スイッチング素子の前記第9経路端は、前記第1基準信号を受信し、
前記第5スイッチング素子の前記第10経路端は、前記第4スイッチング素子の前記第7経路端に接続される
請求項1に記載の走査駆動回路。 - 前記第1制御モジュールは、第6スイッチング素子を更に含み、
前記第6スイッチング素子は、第6制御端、第11経路端及び第12経路端を含み、
前記第6スイッチング素子の前記第6制御端は、前記第2基準信号を受信し、
前記第6スイッチング素子の前記第11経路端は、前記第2スイッチング素子の前記第2制御端に接続され、
前記第6スイッチング素子の前記第12経路端は、前記第4スイッチング素子の前記第4制御端に接続される
請求項2に記載の走査駆動回路。 - 前記第1基準信号は基準高電圧信号であり、前記第2基準信号は基準低電圧信号である
請求項1〜3のいずれか1項に記載の走査駆動回路。 - 前記出力モジュールは、第1導通強化素子を更に含み、
前記第4スイッチング素子の前記第7経路端は、前記第1導通強化素子を介して前記第4制御端に接続され、
前記第1導通強化素子は、前記第4スイッチング素子の導通難度を低減する
請求項2又は3に記載の走査駆動回路。 - 前記第1導通強化素子は、容量素子である
請求項5に記載の走査駆動回路。 - 前記出力モジュールは、第2導通強化素子を更に含み、
前記第5スイッチング素子の前記第9経路端は、前記第2導通強化素子を介して前記第5スイッチング素子の前記第5制御端に接続され、
前記第2導通強化素子は、前記第5スイッチング素子の導通難度を低減する
請求項2又は3に記載の走査駆動回路。 - 前記第2導通強化素子は、容量素子である
請求項7に記載の走査駆動回路。 - 前記第2導通強化素子は、前記第5スイッチング素子の寄生容量である
請求項8に記載の走査駆動回路。 - 前記開始信号は、所定段数離れた前記走査駆動回路から出力された走査駆動信号である
請求項1に記載の走査駆動回路。 - 前記所定段数は1段であり、
n段目の前記開始信号はn−1段目の走査駆動信号であり、
ここで、nは0より大きい整数である
請求項10に記載の走査駆動回路。 - 前記第1スイッチング素子ないし前記第5スイッチング素子のうち、少なくとも1つがPMOSトランジスタである
請求項2に記載の走査駆動回路。 - 前記第1スイッチング素子は、デュアルゲートPMOSトランジスタである
請求項12に記載の走査駆動回路。 - 前記第1クロック信号と前記第2クロック信号は、同じデューティ比及び周期を有し、かつ前記第1クロック信号と前記第2クロック信号のローレベルは互い違いになっている
請求項1〜3のいずれか1項に記載の走査駆動回路。 - 請求項1〜14のいずれか1項に記載の走査駆動回路を備える走査ドライバー。
- 請求項15に記載の走査ドライバーを備える表示装置。
- データドライバー、発光制御ドライバー及び画素パネルを更に備え、
前記画素パネルは、前記走査ドライバーの走査駆動信号、前記発光制御ドライバーの発光制御信号及び前記データドライバーのデータ信号に基づいて、画像の画素を表示する
請求項16に記載の表示装置。
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