JP2020519025A - バイパス・ゲート式トランジスタを備える高出力mmicデバイス - Google Patents
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Abstract
Description
ゲート信号分配バーは基板上で第1のソース接点セグメントと第2のソース接点セグメントとの間隙からゲート・フィンガへ延出する。ゲート信号分配バーは、第1の方向にゲート・バスから間隔を空けて配置されたゲート信号分配箇所でゲート・フィンガに接触し、ゲート信号分配バーは、ゲート・ジャンパに導電的に接続される。
Claims (71)
- 第1の軸に沿って延在するドレイン接点と、
前記第1の軸に並列な第2の軸に沿って延在するソース接点と、
前記ソース接点と前記ドレイン接点との間に延在するゲート・フィンガと、
前記ゲート・フィンガに電気的に接続され、間隔を空けて配置された複数の損失性要素と
を備え、前記損失性要素のうちの少なくとも1つは、トランジスタを上から見たときに、前記ゲート・フィンガの第1の端部と第2の端部との間にある、前記第1の軸と前記第2の軸との間の領域の一部に配置される、トランジスタ。 - 前記損失性要素はそれぞれ、ゲート抵抗器である、請求項1に記載のトランジスタ。
- 前記ゲート・フィンガは、互いに電気的に接続された、物理的に不連続な複数のゲート・フィンガ・セグメントを備える、請求項2に記載のトランジスタ。
- 前記不連続なゲート・フィンガ・セグメントは、同一直線上にある、請求項3に記載のトランジスタ。
- 前記ゲート・フィンガに電気的に接続されるゲート・バスをさらに備える、請求項4に記載のトランジスタ。
- 前記ゲート・バスに電気的に接続されるゲート・ジャンパをさらに備え、前記ゲート・ジャンパは前記ゲート・フィンガ・セグメントのうちの少なくとも1つと前記ゲート・バスとの間の電気経路に沿って挿置される、請求項5に記載のトランジスタ。
- 第1の前記ゲート抵抗器は、前記ゲート・ジャンパと第1の前記ゲート・フィンガ・セグメントとの間の電気経路に沿って挿置される、請求項2から6までのいずれか一項に記載のトランジスタ。
- 前記ゲート・フィンガと結合された少なくとも1つを除くすべての前記ゲート抵抗器が、前記ゲート・ジャンパと前記ゲート・フィンガ・セグメントのうちのそれぞれ1つとの間のそれぞれの電気経路に沿って挿置される、請求項1から6までのいずれか一項に記載のトランジスタ。
- それぞれの前記ゲート・フィンガ・セグメントは、それぞれのゲート分割の一部であり、前記トランジスタは、2つの隣接する前記ゲート分割間に配置される奇モード抵抗器をさらに備える、請求項1から6までのいずれか一項に記載のトランジスタ。
- 前記ソース接点は、互いに電気的に接続された、不連続な複数のソース接点セグメントを備える、請求項1から6までのいずれか一項に記載のトランジスタ。
- 同一直線上にある不連続な複数の前記ソース接点セグメントを備える第2のソース接点と、
前記第2のソース接点の前記ソース接点セグメントのうちの、2つの隣接するものの間に配置される前記奇モード抵抗器と
をさらに備える、請求項1から10までのいずれか一項に記載のトランジスタ。 - 前記第2のソース接点を覆って前記ゲート・ジャンパが延在しない、請求項1から11までのいずれか一項に記載のトランジスタ。
- 前記ゲート・ジャンパは、前記ソース接点を覆って延在し、前記ソース接点から電気的に絶縁される、請求項1から12までのいずれか一項に記載のトランジスタ。
- 前記ゲート・ジャンパは、前記ゲート・バスから最も遠い前記ソース接点セグメントの1つを覆って延在しない、請求項1から13までのいずれか一項に記載のトランジスタ。
- 前記ゲート・フィンガは、第1の材料で形成され、前記ゲート抵抗器のそれぞれは、前記第1の材料より高い電気抵抗を有する第2の材料で形成される、請求項2から6までのいずれか一項に記載のトランジスタ。
- 前記第1の前記ゲート抵抗器は、前記第1の前記ゲート・フィンガ・セグメントと、前記ゲート・ジャンパ及び前記第1の前記ゲート・フィンガ・セグメントの間に延在する第1のゲート信号分配バーとの間の電気経路に沿って挿置される、請求項7から15までのいずれか一項に記載のトランジスタ。
- 前記奇モード抵抗器は、前記第1のゲート信号分配バーと、前記第1のゲート信号分配バーと同一直線上にある第2のゲート信号分配バーとの間に挿置される、請求項1から16までのいずれか一項に記載のトランジスタ。
- 前記ソース接点は、互いに電気的に接続された、不連続な複数の前記ソース接点セグメントを備え、前記ゲート・ジャンパは、前記ソース接点を覆って延在し、前記第1のゲート信号分配バーは、2つの隣接する前記ソース接点セグメントの間隙内にある、請求項1から17までのいずれか一項に記載のトランジスタ。
- 前記ゲート・ジャンパを前記第1のゲート信号分配バーに接続する導電性のプラグをさらに備える、請求項1から18までのいずれか一項に記載のトランジスタ。
- 第1の方向に延在するソース接点と、
前記第1の方向に延在するゲート・ジャンパと、
不連続な複数のゲート・フィンガ・セグメントを備えるゲート・フィンガと
間隔を空けて配置され、そのそれぞれが前記ゲート・ジャンパに電気的に接続された複数の損失性要素と
を備え、第1の前記ゲート・フィンガ・セグメントは、第1の前記損失性要素を介して前記ゲート・ジャンパに接続される、トランジスタ。 - 前記損失性要素はそれぞれ、ゲート抵抗器である、請求項20に記載のトランジスタ。
- 前記第1の前記損失性要素は、2つの隣接する前記ゲート・フィンガ・セグメントの間隙内にある、請求項20又は21に記載のトランジスタ。
- 前記不連続なゲート・フィンガ・セグメントは、同一直線上にある、請求項20から22までのいずれか一項に記載のトランジスタ。
- 前記ソース接点は、互いに電気的に接続された、不連続な複数のソース接点セグメントを備え、前記ゲート・ジャンパは、前記ソース接点を覆って延在し、前記ソース接点から電気的に絶縁された、請求項20から23までのいずれか一項に記載のトランジスタ。
- 前記ゲート・ジャンパ及び複数のさらなるゲート・ジャンパに接続するゲート・バスをさらに備え、前記ソース接点は、前記ゲート・バスから離れて、前記ゲート・ジャンパが延出する位置より遠くへ延出する、請求項20から24までのいずれか一項に記載のトランジスタ。
- 前記第1の方向に、前記ゲート・フィンガに隣接して延在するドレイン接点であって、前記ゲート・フィンガは従って、前記ソース接点と前記ドレイン接点との間に延在する、ドレイン接点と、
互いに電気的に接続され、前記第1の方向に延在する、不連続な複数の前記ゲート・フィンガ・セグメントを備える第2のゲート・フィンガであって、前記ドレイン接点は従って、前記ゲート・フィンガと前記第2のゲート・フィンガとの間に延在する、第2のゲート・フィンガと、
互いに電気的に接続され、前記第1の方向に延在し、前記第2のゲート・フィンガに隣接する、不連続な複数の前記ソース接点セグメントを備える第2のソース接点と
をさらに備える、請求項20から25までのいずれか一項に記載のトランジスタ。 - 前記第2のソース接点の、2つの隣接する前記ソース接点セグメントの間隙内にある奇モード抵抗器をさらに備える、請求項26に記載のトランジスタ。
- 前記ゲート・ジャンパと前記ゲート・フィンガの第1の前記ゲート・フィンガ・セグメントとの間、並びに前記ゲート・ジャンパと前記第2のゲート・フィンガの第1の前記ゲート・フィンガ・セグメントとの間に延在するゲート信号分配バーをさらに備える、請求項26又は27に記載のトランジスタ。
- 前記ゲート信号分配バーは、前記ソース接点の、2つの隣接する前記ソース接点セグメントの間隙内にある、請求項26から28までのいずれか一項に記載のトランジスタ。
- 前記奇モード抵抗器は、前記ゲート信号分配バーと、さらなる複数のゲート・フィンガの前記ゲート・フィンガ・セグメントを第2のゲート・ジャンパに接続する、第2のゲート信号分配バーとの間に接続される、請求項26から29までのいずれか一項に記載のトランジスタ。
- 第1の方向に延在し、前記第1の方向と直角をなす第2の方向に互いに間隔を空けて配置される複数のゲート・フィンガであって、前記ゲート・フィンガはそれぞれ、少なくとも間隔を空けてほぼ同一直線上に配置され、互いに電気的に接続される第1及び第2のゲート・フィンガ・セグメントを備え、前記第1のゲート・フィンガ・セグメントは、前記第2のゲート・フィンガ・セグメントから、前記第2の方向に延在する間隙領域によって前記第1の方向に分離されるゲート・フィンガと、
前記間隙領域内に配置される抵抗器と
を備える、トランジスタ。 - 前記第1の方向に延在する複数のソース接点であって、前記ソース接点はそれぞれ、不連続な複数のソース接点セグメントを備え、前記ソース接点はそれぞれ、前記ゲート・フィンガのそれぞれのペア間に延在する、ソース接点と
前記第1の方向に延在する複数のドレイン接点であって、前記ドレイン接点はそれぞれ、前記ゲート・フィンガの前記それぞれのペアの、前記ゲート・フィンガ間に延在する、ドレイン接点と
をさらに備える、請求項31に記載のトランジスタ。 - 前記ゲート・フィンガに電気的に接続されるゲート・バスと、
前記ゲート・バスに電気的に接続されるゲート・ジャンパであって、前記ゲート・ジャンパは、前記ゲート・フィンガ・セグメントの少なくとも一部と前記ゲート・バスとの間の電気経路に沿って挿置される、ゲート・ジャンパと
をさらに備える、請求項31又は32に記載のトランジスタ。 - 前記抵抗器は、前記ソース接点の1つの、前記ソース接点セグメントのうちの2つの隣接するものの間に配置される奇モード抵抗器を含む、請求項31から33までのいずれか一項に記載のトランジスタ。
- 前記抵抗器は、前記ゲート・ジャンパと、第1の前記ゲート・フィンガの前記第1のゲート・フィンガ・セグメントとの間の電気経路上に挿置されるゲート抵抗器を含む、請求項31から34までのいずれか一項に記載のトランジスタ。
- 前記ゲート抵抗器は、前記ゲート・ジャンパと、前記第1の前記ゲート・フィンガの前記第1のゲート・フィンガ・セグメントとの間に延在する第1のゲート信号分配バーに沿って挿置される、請求項35に記載のトランジスタ。
- 前記第1のゲート信号分配バーと、前記第1のゲート信号分配バーと同一直線上にある第2のゲート信号分配バーとの間に挿置される、前記奇モード抵抗器をさらに備える、請求項36に記載のトランジスタ。
- 前記抵抗器は、前記間隙領域内に配置される複数のゲート抵抗器のうちの1つであり、前記抵抗器のそれぞれは、前記第1の方向に延在するゲート・ジャンパと、前記第2のゲート・フィンガ・セグメントのそれぞれ1つとの間の電気経路上に挿置される、請求項31に記載のトランジスタ。
- 前記ゲート・ジャンパが前記ソース接点を覆って延在する、請求項33に記載のトランジスタ。
- 第1の方向に延在する第1のソース接点と、
前記第1の方向に延在する第2のソース接点と、
前記第1の方向に、前記第1のソース接点と前記第2のソース接点との間に延在する第3のソース接点と、
前記第1の方向に、前記第1のソース接点を覆って延在する第1のゲート・ジャンパと、
前記第1の方向に、前記第2のソース接点を覆って延在する第2のゲート・ジャンパと、
前記第1のゲート・ジャンパ及び前記第2のゲート・ジャンパと接続される損失性要素と
を備え、前記第1から第3のソース接点はそれぞれ、電気的に接続された不連続な複数のソース接点セグメントを備え、前記損失性要素は、前記第3のソース接点の前記不連続なソース接点セグメントのうちの、隣接するものの間に配置される、トランジスタ。 - 前記損失性要素は抵抗器である、請求項40に記載のトランジスタ。
- 前記第1の方向に延在するゲート・フィンガをさらに備え、前記ゲート・フィンガは、不連続な複数のゲート・フィンガ・セグメントを具備する、請求項41に記載のトランジスタ。
- 前記第1のゲート・ジャンパと第1の前記ゲート・フィンガ・セグメントとの間の電気経路上に挿置されるゲート信号分配バーをさらに備える、請求項42に記載のトランジスタ。
- 前記ゲート信号分配バーは、前記第1のゲート・ジャンパと前記抵抗器との間の電気経路に沿って挿置される、請求項43に記載のトランジスタ。
- 第2の抵抗器は、前記第1の前記ゲート・フィンガ・セグメントと前記ゲート信号分配バーとの間の電気経路に沿って挿置される、請求項43に記載のトランジスタ。
- トランジスタ及び少なくとも1つの追加回路がその上に形成される基板
を備え、前記トランジスタは、
第1の方向に延在するドレイン接点と、
前記第1の方向に、前記ドレイン接点と並列に延在するソース接点であって、前記ソース接点は、前記第1の方向と直角をなす第2の方向に、前記ドレイン接点から間隔を空けて配置されるソース接点と、
前記第1の方向に、前記ソース接点と前記ドレイン接点との間に延在するゲート・フィンガと、
前記第1の方向に延出し、前記第1の方向に沿って互いに間隔を空けて配置される2つ以上の位置で、前記ゲート・フィンガに電気的に接続するゲート・ジャンパと
を備え、前記第2の方向に広がり、前記第1の方向と直角をなす平面内の前記ゲート・ジャンパの断面積は、前記平面内の前記ゲート・フィンガの断面積より少なくとも5倍大きい、モノリシック・マイクロ波集積回路。 - 前記少なくとも1つの追加回路はインピーダンス整合回路であり、前記トランジスタは高電子移動度トランジスタである、請求項46に記載のモノリシック・マイクロ波集積回路。
- 前記ゲート・フィンガは、前記ゲート・ジャンパを介して互いに電気的に接続される、物理的に不連続な複数のゲート・フィンガ・セグメントを備える、請求項46又は47に記載のモノリシック・マイクロ波集積回路。
- 前記不連続なゲート・フィンガ・セグメントは、同一直線上にある、請求項48に記載のモノリシック・マイクロ波集積回路。
- 前記ゲート・ジャンパは、前記基板より上で、前記ゲート・フィンガとは相異なるレベルにある、請求項46から49までのいずれか一項に記載のモノリシック・マイクロ波集積回路。
- 前記ソース接点は、互いに電気的に接続される、不連続な複数のソース接点セグメントを備える、請求項46から50までのいずれか一項に記載のモノリシック・マイクロ波集積回路。
- 前記ゲート・ジャンパは、前記ソース接点セグメントのうちの少なくとも1つを覆って延在し、前記ソース接点から電気的に絶縁される、請求項46から51までのいずれか一項に記載のモノリシック・マイクロ波集積回路。
- 前記ゲート・ジャンパは、前記ソース接点セグメントのすべてを覆っては延在しはない、請求項46から52までのいずれか一項に記載のモノリシック・マイクロ波集積回路。
- 前記モノリシック・マイクロ波集積回路は、少なくとも1つの駆動段及び出力段を具備する増幅器を備え、前記出力段は前記トランジスタを備える、請求項46から53までのいずれか一項に記載のモノリシック・マイクロ波集積回路。
- 前記ゲート・ジャンパは、前記ドレイン接点、前記ソース接点、及び/又は前記ゲート・フィンガのうちの少なくとも1つと垂直に並行する、請求項46から54までのいずれか一項に記載のモノリシック・マイクロ波集積回路。
- 前記ゲート・ジャンパの前記第2の方向の長さは、前記ゲート・フィンガの前記第2の方向の長さの少なくとも2倍である、請求項46から55までのいずれか一項に記載のモノリシック・マイクロ波集積回路。
- 前記平面における前記ゲート・ジャンパの前記断面積は、前記平面における前記ゲート・フィンガの前記断面積より少なくとも20倍大きい、請求項46から56までのいずれか一項に記載のモノリシック・マイクロ波集積回路。
- 前記ゲート・ジャンパと前記ゲート・フィンガとの間に挿置されるゲート信号分配バーをさらに備える、請求項46から58までのいずれか一項に記載のモノリシック・マイクロ波集積回路。
- トランジスタ及び少なくとも1つの追加回路がその上に形成される基板
を備え、前記トランジスタは、
第1の方向に延在し、前記第1の方向と直角をなす第2の方向に互いに間隔を空けて配置される複数のゲート・フィンガであって、前記ゲート・フィンガはそれぞれ、間隔を空けてほぼ同一直線上に配置され、電気的に接続された第1及び第2のゲート・フィンガ・セグメントを備え、前記第1のゲート・フィンガ・セグメントは、前記第2のゲート・フィンガ・セグメントから、間隙領域によって前記第1の方向に分離されるゲート・フィンガ
を備える、モノリシック・マイクロ波集積回路。 - 前記トランジスタは、
前記第1の方向に延在する複数のソース接点であって、前記ソース接点はそれぞれ、前記ゲート・フィンガのそれぞれのペア間に延在する、ソース接点と、
前記第1の方向に延在する複数のドレイン接点であって、前記ドレイン接点はそれぞれ、前記ゲート・フィンガの前記それぞれのペアの、前記ゲート・フィンガ間に延在する、ドレイン接点と
をさらに備える、請求項59に記載のモノリシック・マイクロ波集積回路。 - 前記ゲート・フィンガに電気的に接続されるゲート・バスと、
前記ゲート・バスに電気的に接続されるゲート・ジャンパであって、前記ゲート・ジャンパは、前記第2のゲート・フィンガ・セグメントの少なくとも1つと前記ゲート・バスとの間の電気経路に沿って挿置される、ゲート・ジャンパと
をさらに備える、請求項60又は61に記載のモノリシック・マイクロ波集積回路。 - 前記ゲート・ジャンパは、前記ドレイン接点、前記ソース接点、及び/又は前記ゲート・フィンガのうちの少なくとも1つと垂直に並行する、請求項61に記載のモノリシック・マイクロ波集積回路。
- 前記第2の方向に広がり、前記第1の方向と直角をなす平面内の前記ゲート・ジャンパの断面積は、前記平面内の前記ゲート・フィンガの断面積より少なくとも5倍大きい、請求項61又は62に記載のモノリシック・マイクロ波集積回路。
- 前記ゲート・ジャンパの前記第2の方向の長さは、前記ゲート・フィンガの前記第2の方向の長さの少なくとも2倍である、請求項61から63までのいずれか一項に記載のモノリシック・マイクロ波集積回路。
- 前記ゲート・ジャンパは、前記基板より上で、前記ゲート・フィンガとは相異なるレベルにある、請求項61から64までのいずれか一項に記載のモノリシック・マイクロ波集積回路。
- 前記ゲート・ジャンパは、第1の前記ソース接点の少なくとも一部を覆って延在する、請求項61から65までのいずれか一項に記載のモノリシック・マイクロ波集積回路。
- 前記第1の前記ソース接点は、不連続な複数のソース接点セグメントを備える、請求項66に記載のモノリシック・マイクロ波集積回路。
- 前記ゲート・ジャンパは、前記ゲート・バスから最も遠い前記ソース接点セグメントの1つを覆って延在しない、請求項61から67までのいずれか一項に記載のモノリシック・マイクロ波集積回路。
- 前記少なくとも1つの追加回路はインピーダンス整合回路であり、前記トランジスタは多セル高電子移動度トランジスタである、請求項59から68までのいずれか一項に記載のモノリシック・マイクロ波集積回路。
- 前記モノリシック・マイクロ波集積回路は、増幅器を備える、請求項69に記載のモノリシック・マイクロ波集積回路。
- 前記増幅器は、少なくとも1つの駆動段及び出力段を備え、前記出力段は前記トランジスタを具備する、請求項70に記載のモノリシック・マイクロ波集積回路。
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