JP2020514996A - フォトマスク及びレチクル検査並びにウェハプリントチェック検証のためのマルチカラム間隔 - Google Patents

フォトマスク及びレチクル検査並びにウェハプリントチェック検証のためのマルチカラム間隔 Download PDF

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Abstract

走査電子顕微鏡法(SEM)システムのためのマルチカラムアセンブリが開示される。マルチカラムアセンブリは、1つ又は複数の間隔によって画定されたアレイ内に配列された複数の電子光学カラムを含む。それぞれの電子光学カラムは、1つ又は複数の電子光学要素を含む。複数の電子光学カラムは、ステージ上に固定された試料の表面上の1つ又は複数のフィールド領域を特徴付けるように構成されている。複数の電子光学カラム内の電子光学カラムの数は、1つ又は複数のフィールド領域のうちの1つのフィールド領域内の検査領域の整数の数に等しい。複数の電子光学カラムの1つ又は複数の間隔は、検査領域の1つ又は複数の寸法に対応する。

Description

本発明は、概して、フォトマスク/レチクル及びウェハ検査及び精査に関し、より具体的には、フォトマスク/レチクル検査及びウェハプリントチェック検証のためのマルチカラム間隔に関する。
本出願は、発明者がRobert Haynes、Frank Chilese及びMoshe Preilであり、名称が「OPTIMUM MULTI−COLUMN PITCH SPACING FOR MASK INSPECTION AND WAFER LAYOUT FOR PRINT CHECK VERIFICATION」である、2017年2月5日に出願された米国仮特許出願第62/454,807号の米国特許法119条(e)の下の利益を主張し、この出願はその全体が参照によって本明細書に組み込まれる。
論理及びメモリ素子等の半導体素子の製造は、半導体素子の様々な特徴及び複数の層を形成するために、多数の半導体製造及び計測プロセスを用いて半導体素子を処理することを典型的に含む。選択製作プロセスは、フォトマスク/レチクルを利用して、ウェハ等の半導体素子上に特徴をプリントする。半導体素子が、横方向により小さくなり、そして鉛直方向に拡張するにつれて、向上された検査及び精査デバイス及び手順を開発して、フォトマスク/レチクル及びウェハ検査プロセスの感度及び処理能力を増大させることが重要になる。
半導体素子は、製作プロセス中に欠陥を生じさせることがある。検査プロセスが、半導体製造プロセス中の様々なステップにおいて実行されて、標本における欠陥を検出する。検査プロセスは、集積回路等の半導体素子の製作の重要な部分である。これらの検査プロセスは、半導体素子の寸法が減少するにつれて、許容可能な半導体素子をうまく製造するのに更に一層重要になる。比較的小さい欠陥でさえ、半導体素子内に不必要な収差を生じさせることがあるので、半導体素子の寸法が減少するにつれて、欠陥の検出が強く望まれるようになった。
1つの検査技術が、走査電子顕微鏡法(SEM)等の電子ビームに基づく検査を含む。いくつかの例では、走査電子顕微鏡法は、2次電子ビーム集光(例えば、2次電子(SE)撮像システム)を介して実行される。別の例では、走査電子顕微鏡法は、単一の電子ビームを多数のビームに分割し、単一の電子光学カラムを利用することによって実行されることにより、多数のビームを個々に調整及び走査する(例えば、マルチビームSEMシステム)。別の例では、走査電子顕微鏡法は、増加した数の電子光学カラム(例えば、マルチカラムSEMシステム)を含むSEMシステムを介して実行される。
米国特許出願公開第2014/0158886号
マルチカラムSEMシステムにおいて、特定の電子光学カラムによって覆われた全体フィールド領域の部分が小さい程、それぞれの電子光学カラムから戻して集められた画像を継ぎ合せるのに必要である全重複がより大きくなる。それに加えて、マルチカラムSEMシステムは、フォトマスク/レチクル及びウェハの両方を走査する能力を含まないことがある。更に、マルチカラムSEMシステムがフォトマスク/レチクル又はウェハの高分解能特性評価のために必要とする全時間は、複数の電子光学カラムの数、及びそれらの間の間隔に依存する。例えば、全体フィールド領域の検査に必要とされる時間長は、複数の電子光学カラムが、全てのカラムの全検査領域がフォトマスク/レチクルの全体フィールド領域よりも大きいように間隔をあけられる場合に増加するが、その理由は、フィールド領域内部のカラムが、フィールド領域の外側の非検査カラムを補うためにより多くの表面領域を検査しなければならないからである。別の一例として、SEMシステムの周囲材料に基づいて、フォトマスク/レチクル又はウェハの表面は、フォトマスク/レチクル又はウェハ全体フィールドの外側の電子光学カラムの暴露によって帯電されることがあり、それは、順に、隣接するインフィールド電子光学カラムを妨害することがある。
そのため、上記の欠点を解決するシステム及び方法を提供することが有利である。
本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、走査電子顕微鏡法(SEM)システムのためのマルチカラムアセンブリが開示される。一実施形態では、マルチカラムアセンブリは、1つ又は複数の間隔によって画定されたアレイ内に配列された複数の電子光学カラムを含む。別の一実施形態では、それぞれの電子光学カラムは、1つ又は複数の電子光学要素を含む。別の一実施形態では、複数の電子光学カラムは、ステージ上に固定された試料の表面上の1つ又は複数のフィールド領域を特徴付けるように構成されている。別の一実施形態では、複数の電子光学カラム内の電子光学カラムの数は、1つ又は複数のフィールド領域のうちの1つのフィールド領域内の検査領域の整数の数に等しい。別の一実施形態では、複数の電子光学カラムの1つ又は複数の間隔は、検査領域の1つ又は複数の寸法に対応する。
本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、走査電子顕微鏡法(SEM)システムのためのマルチカラムアセンブリが開示される。一実施形態では、マルチカラムアセンブリは、1つ又は複数の間隔によって画定されたアレイ内に配列された複数の電子光学カラムを含む。別の一実施形態では、それぞれの電子光学カラムは、1つ又は複数の電子光学要素を含む。別の一実施形態では、特定のフィールドの2つ以上のインスタンスが、ステージ上に固定された試料の表面上にプリントされる。別の一実施形態では、複数の電子光学カラムの第1電子光学カラムは、特定のフィールドの第1インスタンス内部の第1検査領域を特徴付けるように構成されている。別の一実施形態では、複数の電子光学カラムの少なくとも1つの追加の電子光学カラムが、特定のフィールドの少なくとも1つの追加のインスタンス内部の少なくとも1つの追加の検査領域を特徴付けるように構成されている。別の一実施形態では、少なくともその追加の検査領域は、第1検査領域とは異なる特定フィールドの部分である。
本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、マルチカラム走査電子顕微鏡法(SEM)システムが開示される。一実施形態では、マルチカラムSEMシステムは、複数の電子ビームを生成するように構成された複数の電子ビームソースを含む電子ビームソースアセンブリを含む。別の一実施形態では、マルチカラムSEMシステムは、試料を固定するように構成されたステージを含む。別の一実施形態では、マルチカラムSEMシステムは、マルチカラムアセンブリを含む。別の一実施形態では、マルチカラムアセンブリは、1つ又は複数の間隔によって画定されたアレイ内に配列された複数の電子光学カラムを含む。別の一実施形態では、それぞれの電子光学カラムは、1つ又は複数の電子光学要素を含む。別の一実施形態では、複数の電子光学カラムは、ステージ上に固定された試料の表面上の1つ又は複数のフィールド領域を特徴付けるように構成されている。別の一実施形態では、複数の電子光学カラム内の電子光学カラムの数は、1つ又は複数のフィールド領域のうちの1つのフィールド領域内の検査領域の整数の数に等しい。別の一実施形態では、複数の電子光学カラムの1つ又は複数の間隔は、検査領域の1つ又は複数の寸法に対応する。別の一実施形態では、複数の電子光学カラムのそれぞれの電子光学カラムは、複数の電子ビームの1つの電子ビームを受け取る。別の一実施形態では、複数の電子光学カラムは、複数の電子ビームを試料の表面まで導く。別の一実施形態では、試料は、複数の電子ビームのうちの少なくとも1つの電子ビームに応じて電子を放出する又は散乱させる。別の一実施形態では、複数の電子光学カラムのうちの少なくとも1つの電子光学カラムは、放出された又は散乱させられた電子のうちの少なくとも一部分を検出する。
本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、マルチカラム走査電子顕微鏡法(SEM)システムが開示される。一実施形態では、マルチカラムSEMシステムは、複数の電子ビームを生成するように構成された複数の電子ビームソースを含む電子ビームソースアセンブリを含む。別の一実施形態では、マルチカラムSEMシステムは、試料を固定するように構成されたステージを含む。別の一実施形態では、マルチカラムSEMシステムは、マルチカラムアセンブリを含む。別の一実施形態では、マルチカラムアセンブリは、1つ又は複数の間隔によって画定されたアレイ内に配列された複数の電子光学カラムを含む。別の一実施形態では、それぞれの電子光学カラムは、1つ又は複数の電子光学要素を含む。別の一実施形態では、特定のフィールドの2つ以上のインスタンスは、ステージ上に固定された試料の表面上にプリントされる。別の一実施形態では、複数の電子光学カラムのうちの第1電子光学カラムは、特定のフィールドの第1インスタンス内部の第1検査領域を特徴付けるように構成されている。別の一実施形態では、複数の電子光学カラムのうちの少なくとも1つの追加の電子光学カラムは、特定のフィールドの少なくとも1つの追加のインスタンス内部の少なくとも1つの追加の検査領域を特徴付けるように構成されている。別の一実施形態では、少なくともその追加の検査領域は、第1検査領域とは異なる特定のフィールドの部分である。別の一実施形態では、複数の電子光学カラムのそれぞれの電子光学カラムは、複数の電子ビームのうちの1つの電子ビームを受け取る。別の一実施形態では、複数の電子光学カラムは、複数の電子ビームを試料の表面まで導く。別の一実施形態では、試料は、複数の電子ビームのうちの少なくとも1つの電子ビームに応じて電子を放出する又は散乱させる。別の一実施形態では、複数の電子光学カラムのうちの少なくとも1つの電子光学カラムは、放出された又は散乱させられた電子のうちの少なくとも一部分を検出する。
本開示の1つ又は複数の実施形態に従う方法が開示される。一実施形態では、方法は、1つ又は複数の間隔によって画定されたアレイ内に配列されたマルチカラム走査電子顕微鏡法(SEM)精査ツールの複数の電子光学カラムを介して、試料の表面上の1つ又は複数のフィールド領域を特徴付けることを含んでもよいが、これに限定されない。別の一実施形態では、それぞれの電子光学カラムは、1つ又は複数の電子光学要素を含む。別の一実施形態では、複数の電子光学カラム内の電子光学カラムの数は、1つ又は複数のフィールド領域内の1つのフィールド領域内の検査領域の整数の数に等しい。別の一実施形態では、複数の電子光学カラムの1つ又は複数の間隔は、検査領域の1つ又は複数の寸法に対応する。
本開示の1つ又は複数の実施形態に従う方法が開示される。一実施形態では、方法は、1つ又は複数の間隔によって画定されたアレイ内に配列されたマルチカラム走査電子顕微鏡法(SEM)精査ツールの複数の電子光学カラムを介して、試料の表面上にプリントされる特定のフィールドの2つ以上のインスタンスを特徴付けることを含んでもよいが、これに限定されない。別の一実施形態では、それぞれの電子光学カラムは、1つ又は複数の電子光学要素を含む。別の一実施形態では、複数の電子光学カラムの第1電子光学カラムは、特定のフィールドの第1インスタンス内部の第1検査領域を特徴付けるように構成されている。別の一実施形態では、複数の電子光学カラムのうちの少なくとも1つの追加の電子光学カラムは、特定のフィールドの少なくとも1つの追加のインスタンス内部の少なくとも1つの追加の検査領域を特徴付けるように構成されている。別の一実施形態では、少なくともその追加の検査領域は、第1検査領域とは異なる特定のフィールドの部分である。
本開示の1つ又は複数の実施形態に従う方法が開示される。一実施形態では、方法は、試料の表面上の1つ又は複数のフィールド領域の1つ又は複数の寸法を決定することを含んでもよいが、これに限定されない。別の一実施形態では、方法は、1つ又は複数のフィールド領域の1つ又は複数の寸法に基づいて、マルチカラム走査電子顕微鏡法(SEM)精査ツールの複数の電子光学カラムのための1つ又は複数の間隔を決定することを含んでもよいが、これに限定されない。別の一実施形態では、方法は、1つ又は複数のフィールド領域内の検査領域の整数の数を画定することを含んでもよいが、これに限定されない。別の一実施形態では、複数の電子光学カラムの数は、1つ又は複数のフィールド領域の1つのフィールド領域内の検査領域の整数の数に等しい。別の一実施形態では、複数の電子光学カラムの1つ又は複数の間隔は、検査領域の1つ又は複数の寸法に対応する。
本開示の1つ又は複数の実施形態に従う方法が開示される。一実施形態では、方法は、試料の表面上にプリントされる特定フィールドの2つ以上のインスタンスの1つ又は複数の寸法を決定することを含んでもよいが、これに限定されない。別の一実施形態では、方法は、試料の表面上にプリントされる1つ又は複数のフィールドの1つ又は複数の寸法に基づいて、マルチカラム走査電子顕微鏡法(SEM)精査ツールの複数の電子光学カラムのための1つ又は複数の間隔を決定することを含んでもよいが、これに限定されない。別の一実施形態では、方法は、試料の表面上にプリントされる特定のフィールドの2つ以上のインスタンスの複数の検査領域を画定することを含んでもよいが、これに限定されない。別の一実施形態では、複数の電子光学カラムの第1電子光学カラムは、特定のフィールドの第1インスタンス内部の第1検査領域を特徴付けるように構成されている。別の一実施形態では、複数の電子光学カラムのうちの少なくとも1つの追加の電子光学カラムは、特定のフィールドの少なくとも1つの追加のインスタンス内部の少なくとも1つの追加の検査領域を特徴付けるように構成されている。別の一実施形態では、少なくともその追加の検査領域は、第1検査領域とは異なる特定のフィールドの部分である。
本開示についての多数の利点が、以下の添付図面を参照することによって当業者によりよく理解されるであろう。
本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、マルチカラム間隔パターンを表す簡略ブロック図である。 本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、マルチカラム間隔を表す簡略ブロック図である。 本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、マルチカラム間隔を表す簡略ブロック図である。 本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、フォトマスク/レチクル検査のためのマルチカラム間隔を表す簡略ブロック図である。 本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、フォトマスク/レチクル検査のためのマルチカラム間隔を表す簡略ブロック図である。 本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、ウェハプリントチェック検証のためのマルチカラム間隔を表す簡略ブロック図である。 本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、ウェハプリントチェック検証のためのマルチカラム間隔から発生させられた合成フィールドの簡略ブロック図である。 本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、フォトマスク/レチクル検査のためのマルチカラム間隔を決定する方法を表すプロセスフロー図である。 本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、フォトマスク/レチクル検査のためのマルチカラム間隔を決定する方法を表すプロセスフロー図である。 本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、ウェハプリントチェック検証のためのマルチカラム間隔を決定する方法を表すプロセスフロー図である。 本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、フォトマスク/レチクル検査のための選択マルチカラム間隔を含む走査電子顕微鏡法(SEM)精査ツールによってフォトマスク/レチクルフィールドを検査する方法を表すプロセスフロー図である。 本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、フォトマスク/レチクル検査のための選択マルチカラム間隔を含む走査電子顕微鏡法(SEM)精査ツールによってフォトマスク/レチクルフィールドを検査する方法を表すプロセスフロー図である。 本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、ウェハプリントチェック検証のための選択マルチカラム間隔を含む走査電子顕微鏡法(SEM)精査ツールを介して取得された1つ又は複数の検査画像から合成フィールドを生成する方法を表すプロセスフロー図である。 本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、フォトマスク/レチクル検査のための選択マルチカラム間隔を含むマルチカラム走査電子顕微鏡法(SEM)精査ツールを作成するための方法を表すプロセスフロー図である。 本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、ウェハプリントチェック検証のための選択マルチカラム間隔を含むマルチカラム走査電子顕微鏡法(SEM)精査ツールを作成する方法を表すプロセスフロー図である。 本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、ウェハプリントチェック検証のための選択マルチカラム間隔を含むマルチカラム走査電子顕微鏡法(SEM)精査ツールを作成する方法を表すプロセスフロー図である。 本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、フォトマスク/レチクル検査又はウェハプリントチェック検証のためのマルチカラム間隔によって構成された特性評価ツールの電子光学カラムの簡略ブロック図である。 本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、フォトマスク/レチクル検査又はウェハプリントチェック検証のためのマルチカラム間隔によって構成された特性評価ツールの簡略ブロック図である。 本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、フォトマスク/レチクル検査又はウェハプリントチェック検証のためのマルチカラム間隔によって構成された特性評価ツールの簡略ブロック図である。 本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、フォトマスク/レチクル検査又はウェハプリントチェック検証のためのマルチカラム間隔によって構成された特性評価ツールの簡略ブロック図である。 本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、フォトマスク/レチクル検査又はウェハプリントチェック検証のためのマルチカラム間隔によって構成された制御装置及び特性評価ツールを含む特性評価システムの簡略ブロック図である。
ここで、添付図面に示されている開示された主題に詳細に言及する。
図1A〜7Eを概して参照すると、本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、フォトマスク/レチクル検査及びウェハプリントチェック検証のためのマルチカラム間隔が、説明される。
本開示の実施形態は、フォトマスク/レチクル検査及びウェハプリントチェック検証のためのマルチカラム間隔を対象とする。本開示の実施形態は、また、フォトマスク/レチクル検査及びウェハプリントチェック検証のためのマルチカラム間隔を決定する方法を対象とする。本開示の実施形態は、また、フォトマスク/レチクル検査及びウェハプリントチェック検証のためのマルチカラム間隔によって構成された特性評価ツール及び特性評価システムを対象とする。
図1A〜1Cは、概して、本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、マルチカラム間隔を表す簡略ブロック図である。
一実施形態では、フォトマスク/レチクル又はウェハのフィールドは、2つ以上の電子光学カラム102のアレイを介して検査される。例えば、図1Aに示すように、2つ以上の電子光学カラム102のアレイ100は、m×1のパターンを含んでもよい。別の一例として、図1Bに示すように、2つ以上の電子光学カラム102のアレイ110は、1×nのパターンを含んでもよい。別の一例として、図1Cに示すように、2つ以上の電子光学カラム102のアレイ120は、m×nのパターンを含んでもよい。ここで留意するのは、「電子光学カラム」及び「電子ビームカラム」は、本開示の目的に対して同義であるとみなされもよいことである。
別の一実施形態では、2つ以上の電子光学カラム102は、選択された間隔によって分割されている。例えば、隣接する電子光学カラム102の間の選択された間隔が、第1方向において、及び/又は第1方向と異なる第2方向において等しくてもよい。別の一例として、隣接する電子光学カラム102の間の選択された間隔が、第1方向において、及び/又は第1方向と異なる第2方向において実質的に等しくてもよい。別の一例として、少なくとも1つの組の隣接する電子光学カラム102の間の選択された間隔が、第1方向において、及び/又は第1方向と異なる第2方向において、少なくとも第2組の隣接する電子光学カラム102の間の間隔と異なってもよい。ここで留意するのは、「間隔」及び「ピッチ間隔」とは、本開示の目的に対して同義であるとみなされもよいことである。
別の一実施形態では、2つ以上の電子光学カラム102のアレイは、フォトマスク/レチクル又はウェハのフィールドを2つ以上の検査領域104に分割する。別の一実施形態では、2つ以上の検査領域104は、y成分及びx成分を有する1つ又は複数の寸法の組を含む。例えば、2つ以上の検査領域104は、サイズが等しくてもよい。別の一例として、2つ以上の検査領域104は、サイズが実質的に等しくてもよい。別の一例として、第1検査領域104は、第2検査領域104とサイズが異なってもよい。一般に、2つ以上の電子光学カラム102のアレイは、フォトマスク/レチクル又はウェハのフィールドを任意の数の検査領域104に分割する任意の数の電子光学カラム102を含んでもよい。そのため、上記の説明は、本開示の範囲についての限定としてではなく、単に例示として解釈されなければならない。
別の一実施形態では、第1方向及び/又は第2方向の選択された間隔は、2つ以上の検査領域104の寸法の組に対応する。例えば、第1方向及び/又は第2方向の選択された間隔は、2つ以上の検査領域104の1つ又は複数の寸法の組に等しくても又は実質的に等しくてもよい。しかし、ここで留意するのは、第1方向及び/又は第2方向の選択された間隔が、(例えば、異なる)2つ以上の検査領域104の寸法の組に対応することである。そのため、上記の説明は、本開示の範囲に対する限定としてではなく、単に例示として解釈されなければならない。
ここで留意するのは、2つ以上の電子光学カラム102の行及び/又は列が、2つ以上の検査領域104が特定の行−列の交点に基づいてマッピング及び/又は配列されるようにラベル付けされてもよいことである。更に、本開示の実施形態は、それぞれ電子光学カラム102に付与されたラベルに基づいてラベル付けされる特定の検査領域104を対象にするけれども、ここで留意するのは、特定の検査領域104が当該技術分野で公知のいずれかのラベル付けスキームを介してラベル付けされてもよいことである。そのため、上記の説明は、本開示の範囲についての限定としてではなく、単に例示として解釈されなければならない。
別の一実施形態では、2つ以上の電子光学カラム102のそれぞれは、2つ以上の検査領域104の特定の検査領域104を検査する。例えば、2つ以上の検査領域104が重複を含まないことにより、2つ以上の電子光学カラム102のそれぞれが、特定の領域を単独で検査してもよい。別の一例として、2つ以上の検査領域104が選択された量の重複を含むことにより、2つ以上の電子光学カラム102うちの少なくとも2つが、フォトマスク/レチクルのフィールドの一部分を再走査してもよい。これに関連して、検査領域104は、画像の後処理中に継ぎ合されてもよい。ここで留意するのは、重複の量は、検査の画像収集段階及び/又は検査の画像後処理段階中の検査時間を最小化するように選ばれてもよいことである。
ここで留意するのは、2つ以上の電子光学カラム102は、2つ以上の検査領域104を同時に、実質的に同時に、又は順番に検査してもよいことである。それに加えて、ここで留意するのは、2つ以上の電子光学カラム102が、当該技術分野で公知のいずれかのパターンを介して特定の検査領域104を検査してもよいことである。更に、本開示の実施形態は、それぞれ、特定の検査領域104の左上から開始する電子光学カラム102を対象にしているけれども、ここで留意するのは、電子光学カラム102が特定の検査領域104内部のいずれかの位置から開始してもよいことである。そのため、上記の説明は、本開示の範囲についての限定としてではなく、単に例示として解釈されなければならない。
図2は、本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、フォトマスク/レチクル検査のためのマルチカラム間隔を表す簡略ブロック図である。一実施形態では、フォトマスク/レチクルの全体フィールド200は、y成分202及びx成分204を有する1つ又は複数の寸法の組を含む。別の一実施形態では、全体フィールド200は、2つ以上の電子光学カラム206のアレイによって単一フィールドとして検査される。別の一実施形態では、2つ以上の電子光学カラム206のアレイは、フォトマスク/レチクルの全体フィールド200を2つ以上の検査領域208に分割する。別の一実施形態では、2つ以上の検査領域208が、y成分210及びx成分212を有する1つ又は複数の寸法の組を含み、この場合、y成分210及びx成分212は、2つ以上の電子光学カラム206の間の間隔に依存している。例えば、2つ以上の検査領域208は、サイズが等しくてもよい。別の一例として、2つ以上の検査領域208は、サイズが実質的に等しくてもよい。別の一例として、第1検査領域208が、第2検査領域208とサイズが異なってもよい。
別の一実施形態では、第1方向及び/又は第2方向の2つ以上の電子光学カラム206の間の間隔は、2つ以上の検査領域208の寸法の組に対応する。例えば、第1方向及び/又は第2方向の2つ以上の電子光学カラム206の間の間隔は、2つ以上の検査領域208の1つ又は複数の寸法の組に等しくてもよく又は実質的に等しくてもよい。しかし、ここで留意するのは、第1方向及び/又は第2方向の2つ以上の電子光学カラム206の間の間隔は、(例えば、異なる)2つ以上の検査領域208の寸法の組に対応することである。そのため、上記の説明は、本開示の範囲についての限定としてではなく、単に例示として解釈されなければならない。
一例では、フォトマスク/レチクルの全体フィールド200は、104.0mmのy成分202及び132.0mmのx成分204を有する1つ又は複数の寸法の組を含んでもよいが、これに限定されない。アレイは、フォトマスク/レチクルの全体フィールド200を30個の検査領域208に分割する30個の電子光学カラム206の5×6のグリッドを含んでもよいが、これに限定されない。30個の検査領域208は、20.8mmのy成分210(例えば、104.0mm/5個の電子光学カラム206)及び22.0mmのx成分212(例えば、132.0mm/6個の電子光学カラム206)を有する1つ又は複数の寸法の組を含んでもよいが、これに限定されない。ここで留意するのは、30個の電子光学カラム206の5個の行は、A〜Eとしてラベル付けされてもよく、30個の電子光学カラム206の6個の列は、1〜6としてラベル付けされてもよく、それにより、30個の検査領域208がA1〜E6にラベル付けされてもよいことである。
本開示の実施形態は、電子光学カラム206のアレイ内部の間隔が、それぞれの電子光学カラム206によって検査される検査領域208が重複を含まないように選択されていることを示しているけれども、ここで留意すべきは、いくらかの重複が、検査領域208の画像を継ぎ合すために実装されてもよいことである。例えば、20mmの間隔を有するそれぞれの電子光学カラム206は、20.1mm平方の領域を検査してもよく、この場合、過剰な0.1mm平方の領域が、区画化されて、最大4個の隣接する検査領域208によって重複される。しかし、重複する区画を用いずに、検査領域208の画像を継ぎ合すことが可能であってもよいと考えられる。そのため、上記の説明は、本開示の範囲についての限定としてではなく、単に例示として解釈されなければならない。
図3は、本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、フォトマスク/レチクル検査のためのマルチカラム間隔を表す簡略ブロック図である。一実施形態では、フォトマスク/レチクルの全体フィールド200が、2つ以上のフィールド領域に分割され、この場合、2つ以上のフィールド領域が、順番に検査される。例えば、2つ以上のフィールド領域は、サイズが等しくてもよい。別の一例として、2つ以上のフィールド領域は、サイズが実質的に等しくてもよい。別の一例として、第1フィールド領域が、第2フィールド領域とサイズが異なってもよい。一例では、全体フィールド200が、4個のフィールド領域(又は、四分円)300、320、340、360に分割されていてもよいが、これに限定されない。ここで留意するのは、全体フィールド200のうちのフィールド領域300を対象とした以下の実施形態は、全体フィールド200のうちのフィールド領域320、340、360のうちの任意のものを対象としてもよいことである。
別の一実施形態では、全体フィールド200のうちのフィールド領域300は、2つ以上の電子光学カラム306のアレイによって検査される。別の一実施形態では、2つ以上の電子光学カラム306のアレイは、フォトマスク/レチクルのフィールド領域300を2つ以上の検査領域308に分割する。別の一実施形態では、2つ以上の検査領域308は、y成分310及びx成分312を有する1つ又は複数の寸法の組を含み、この場合、y成分310及びx成分312は、2つ以上の電子光学カラム306の間の間隔に依存している。例えば、2つ以上の検査領域308は、サイズが等しくてもよい。別の一例として、2つ以上の検査領域308は、サイズが実質的に等しくてもよい。別の一例として、第1検査領域308が、第2検査領域308とサイズが異なってもよい。
別の一実施形態では、第1方向及び/又は第2方向の2つ以上の電子光学カラム306の間の間隔は、2つ以上の検査領域308の寸法の組に対応する。例えば、第1方向及び/又は第2方向の2つ以上の電子光学カラム306の間の間隔は、2つ以上の検査領域308の1つ又は複数の寸法の組に等しくてもよく又は実質的に等しくてもよい。しかし、ここで留意するのは、第1方向及び/又は第2方向の2つ以上の電子光学カラム306の間の間隔が、(例えば、異なる)2つ以上の検査領域308の寸法の組に対応することである。そのため、上記の説明は、本開示の範囲についての限定としてではなく、単に例示として解釈されなければならない。
一例では、全体フィールド200のうちのフィールド領域300は、52.0mmのy成分302(例えば、全体フィールド200のy成分202の半分)を有する1つ又は複数の寸法の組、及び66.0mmのx成分304(例えば、全体フィールド200のx成分204の半分)を含んでもよいが、これに限定されない。アレイは、全体フィールド200のうちのフィールド領域300を30個の検査領域308に分割する30個の電子光学カラム306の5×6のグリッドを含んでもよいが、これに限定されない。30個の検査領域308は、10.4mmのy成分310(例えば、52.0mm/5個の電子光学カラム306)及び11.0mmのx成分312(例えば、66.0mm/6個の電子光学カラム306)を有する1つ又は複数の寸法の組を含んでもよいが、これに限定されない。ここで留意するのは、30個の電子光学カラム306の5個の行が、A〜Eとしてラベル付けされてもよく、30個の電子光学カラム306の6個の列が、1〜6としてラベル付けされてもよく、それにより、30個の検査領域308が、A1〜E6にラベル付けされてもよいことである。
本開示の実施形態は、電子光学カラム306のアレイ内部の間隔が、それぞれのカラム306によって検査される検査領域308が重複を含まないように選択されていることを示すけれども、ここで留意すべきは、なんらかの重複が、検査領域308の画像を継ぎ合せるために実装されてもよいことである。例えば、20mmの間隔を有する電子光学カラム306は、20.1mm平方の領域を検査してもよく、この場合、過剰な0.1mm平方の領域が、最大4個の隣接する検査領域308によって区画化されて重複される。しかし、重複する区画を用いずに、検査領域308の画像を継ぎ合すことが可能であってもよいと考えられる。そのため、上記の説明は、本開示の範囲についての限定としてではなく、単に例示として解釈されなければならない。
別の一実施形態では、一旦フィールド領域300が、電子光学カラム306のアレイによって検査されると、電子光学カラム306のアレイは、別のフィールド領域を順番に検査する。例えば、電子光学カラム306のアレイは、フィールド領域300を検査し、次いでフィールド領域320を検査し、次いでフィールド領域340を検査し、次いでフィールド領域360を検査してもよい。別の一例として、電子光学カラム306のアレイは、代わりの順序でフィールド領域300、320、340、及び360を検査してもよい。
図4A及び4Bは、概して、本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、ウェハプリントチェック検証のためのマルチカラム間隔を表す簡略ブロック図を示す。
一実施形態では、ウェハのプリント領域400は、y成分402及びx成分404を有する1つ又は複数の寸法の組を含む。別の一実施形態では、フォトマスク/レチクルフィールドが、縮小率に基づいてプリント領域400内で1又は複数回だけプリントされる。例えば、縮小率は、1:1、2:1、4:1等を含んでもよいが、これに限定されない。例えば、フォトマスク/レチクルフィールドは、4:1の縮小率でプリント領域400内において16回だけプリントされてもよい。別の一実施形態では、フォトマスク/レチクルフィールドをプリント領域400中にプリントして、2つ以上のフィールド領域406を生成する。別の一実施形態では、2つ以上のフィールド領域406は、y成分408及びx成分410を有する1つ又は複数の寸法の組を含む。例えば、2つ以上のフィールド領域406は、サイズが等しくてもよい。別の一例として、2つ以上のフィールド領域406は、サイズが実質的に等しくてもよい。別の一例として、第1フィールド領域406は、第2フィールド領域406とサイズが異なってもよい。ここで留意するのは、2つ以上のフィールド領域406が、実質的に同一であっても又は類似してもよいことである。
別の一実施形態では、プリント領域400は、2つ以上の電子光学カラム412のアレイによって検査される。別の一実施形態では、2つ以上の電子光学カラム412のアレイは、プリント領域400を2つ以上の検査領域414に分割する。別の一実施形態では、2つ以上の検査領域414は、y成分416及びx成分418を有する1つ又は複数の寸法の組を含み、この場合、y成分416及びx成分418は、2つ以上の電子光学カラム412の間の間隔に依存している。例えば、2つ以上の検査領域414は、サイズが等しくてもよい。別の一例として、2つ以上の検査領域414は、サイズが実質的に等しくてもよい。別の一例として、第1検査領域414は、第2検査領域414とサイズが異なってもよい。
別の一実施形態において、第1方向及び/又は第2方向の2つ以上の電子光学カラム412の間の間隔は、2つ以上の検査領域414の寸法の組に対応する。例えば、第1方向及び/又は第2方向の2つ以上の電子光学カラム412の間の間隔は、2つ以上の検査領域414の1つ又は複数の寸法の組に等しくても又は実質的に等しくてもよい。しかし、ここで留意するのは、第1方向の及び/又は第2方向の2つ以上の電子光学カラム412の間の間隔が、(例えば、異なる)2つ以上の検査領域414の寸法の組に対応することである。そのため、上記の説明は、本開示の範囲についての限定としてではなく、単に例示として解釈されなければならない。
別の一実施形態において、2つ以上の電子光学カラム412のアレイは、第1プリント領域406内部の2つ以上の検査領域414の選択検査領域と、少なくとも第2フィールド領域406内部の2つ以上の検査領域414の選択検査領域と、を実質的に同時に特徴付ける。別の一実施形態では、2つ以上の検査領域414のそれぞれの検査領域414は、特定のプリント領域406の境界内部にある(例えば、隣接するプリント領域406の間の境界線を横切らない)。しかし、ここで留意するのは、2つ以上の検査領域414のうちの少なくとも1つの検査領域414は、隣接するプリント領域406の間の境界を横切ってもよいことである。そのため、上記の説明は、本開示の範囲についての限定としてではなく、単に例示として解釈されなければならない。
図4Bは、本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、2つ以上の電子光学カラム412によって走査され、ウェハのプリント領域400内部の2つ以上のフィールド領域406を横切って広がった2つ以上の検査領域414が配置された合成全体フィールド420を示す。一実施形態では、合成全体フィールド420は、検査領域414の全領域が単一フィールド領域406の寸法に等しいとき、y成分408及びx成分410を有する1つ又は複数の寸法の組を含む。別の一実施形態では、30個の検査される領域414が、y成分408及びx成分410を有する1つ又は複数の寸法の組を含むそれぞれの検査領域414によって、フィールド領域406内部のそれらの位置に基づいて合成全体フィールド420内に編成される。
本開示の実施形態は、電子光学カラム412のアレイ内部の間隔が、それぞれの電子光学カラム412によって検査される検査領域414が重複を含まないように選択されるけれども、ここで留意するのは、いくらかの重複が、検査領域414の画像を継ぎ合すために実装されてもよいことである。例えば、20mmの間隔を有する電子光学カラム412は、20.1mm平方の領域を検査してもよく、この場合、過剰な0.1mm平方の領域が、最大4個の隣接する検査領域208によって区画化されて重複される。しかし、考えられるのは、重複する区画を用いずに検査領域414の画像を継ぎ合せることが可能である場合があることである。そのため、上記の説明は、本開示の範囲についての限定としてではなく、単に例示として解釈されなければならない。
一例では、プリント領域400は、104.0mmのy成分402及び132.0mmのx成分404を有する1つ又は複数の寸法の組を含んでもよいが、これに限定されない。104.0mmのy成分及び132.0mmのx成分を有するフォトマスク/レチクルフィールド領域が、4:1の縮小率でプリント領域400上にプリントされることにより、フォトマスク/レチクルフィールド領域は、プリント領域400内に16個のフィールド領域406としてプリントされる。それぞれのフィールド領域406は、26.0mmのy成分408及び32.0mmのx成分410を含んでもよい。アレイは、30個の電子光学カラム412の5×6のグリッドを含んでもよいが、これに限定されない。16個のフィールド領域406は、それぞれ30個の検査領域414に分割されてもよく、この場合、それぞれの検査領域414は、5.2mmのy成分416(例えば、26.0mm/5個の電子光学カラム)及び5.3mmのx成分418(例えば、32.0mm/6個の電子光学カラム)を有する1つ又は複数の寸法の組を含んでもよいが、これに限定されない。
30個の検査領域414は、16個のフィールド領域406全体にわたって広がっていてもよい。30個の電子光学カラム412のそれぞれは、複数の検査画像を単一画像に継ぎ合せるのに必要な重複を含まない30個の検査領域414のうちの異なる検査領域414を検査してもよい。ここで留意するのは、30個の電子光学カラム412の5個の行が、A〜Eとしてラベル付けされてもよく、30個の電子光学カラム412の6個の列が、1〜6としてラベル付けされてもよく、それにより、30個の領域414が、A1〜E6にラベル付けされてもよいことである。
30個の検査領域414は、プリントされるパターン内のそれらの位置に基づいて合成全体フィールド420に編成されてもよい。例えば、図4Aに示すように、16個のフィールド領域406内部に30個の電子光学カラム412を配列するために、検査領域B4は、図4Bの合成全体フィールド420の左上隅にある(図2及び図3に示すように、比較される検査領域A1が検査されるフィールドの左上隅であるので)。
図5Aは、本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、フォトマスク/レチクル検査のためのマルチカラム間隔を決定する方法500を示す。
ステップ502において、フォトマスク/レチクルフィールドの1つ又は複数の寸法が決定される。一実施形態では、1つ又は複数の寸法は、x成分及びy成分を含む。別の一実施形態では、1つ又は複数の寸法は、フォトマスク/レチクルについての設計データから取得される。別の一実施形態では、1つ又は複数の寸法は、1つ又は複数の測定を介して取得される。
ステップ504において、電子光学カラムの数が選択される。一実施形態では、その数の電子光学カラムは、2つ以上の電子光学カラムを含む。別の一実施形態では、2つ以上の電子光学カラムに対するパターンが選択される。例えば、パターンは、1×mのアレイ、n×1のアレイ又はm×nのアレイを含んでもよいが、これに限定されない。別の一実施形態では、パターンは、フォトマスク/レチクルフィールドを検査するのに必要な時間長を最小化するように選択される。別の一実施形態では、パターンは、フォトマスク/レチクルフィールドの1つ又は複数の寸法の範囲内の2つ以上の電子光学カラムに適合するよう選択される。
ステップ506において、フォトマスク/レチクルフィールドの1つ又は複数の寸法に基づいて電子光学カラムの数に対する間隔が決定される。一実施形態では、隣接する電子光学カラムの間の間隔は、第1方向及び/又は第2方向において等しいか又は実質的に等しい。別の一実施形態では、第1セットの隣接する電子光学カラム同士の間の間隔は、第2セットの隣接する電子光学カラム同士の間の間隔に等しくない。別の一実施形態では、第1方向の間隔は、第2方向の間隔に等しいか、実質的に等しいか又は等しくない。別の一実施形態では、間隔は、1つ又は複数の測定を介して決定される。別の一実施形態では、間隔は、1つ又は複数の計算を介して決定される。
ステップ508において、2つ以上の検査領域が、フォトマスク/レチクルフィールド内に画定される。一実施形態では、2つ以上の検査領域のそれぞれは、2つ以上の電子光学カラムのうちの特定の電子光学カラムに対応する。別の一実施形態では、2つ以上の検査領域は、第1方向及び/又は第2方向の間隔に基づいて画定される。例えば、第1方向及び/又は第2方向の2つ以上の電子光学カラムの間の間隔は、2つ以上の検査領域の寸法の組に対応してもよい。例えば、第1方向及び/又は第2方向の2つ以上の電子光学カラムの間の間隔は、2つ以上の検査領域の1つ又は複数の寸法の組に等しいか又は実質的に等しくてもよい。しかし、ここで留意するのは、第1方向及び/又は第2方向の2つ以上の電子光学カラムの間の間隔が、(例えば、異なる)2つ以上の検査領域の寸法の組に対応することである。そのため、上記の説明は、本開示の範囲についての限定としてではなく、単に例示として解釈されなければならない。
ステップ510において、2つ以上の検査領域の1つ又は複数の寸法が決定される。一実施形態では、1つ又は複数の寸法は、x成分及びy成分を含む。別の一実施形態では、2つ以上の検査領域は、サイズが等しく及び/又は形状が類似している。別の一実施形態では、2つ以上の検査領域は、サイズが実質的に等しく及び/又は形状が実質的に類似している。別の一実施形態では、第1検査領域は、第2検査領域とサイズが等しくなく及び/又は形状が等しくない。別の一実施形態では、1つ又は複数の寸法が、フォトマスク/レチクルについての設計データから決定される。別の一実施形態では、1つ又は複数の寸法は、1つ又は複数の測定を介して決定される。別の一実施形態では、1つ又は複数の寸法は、1つ又は複数の計算を介して決定される。
図5Bは、本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、フォトマスク/レチクル検査のためのマルチカラム間隔を決定する方法520を示す。
ステップ522において、フォトマスク/レチクルフィールドの1つ又は複数の寸法が決定される。一実施形態では、1つ又は複数の寸法は、x成分及びy成分を含む。別の一実施形態では、1つ又は複数の寸法は、フォトマスク/レチクルのための設計データから取得される。別の一実施形態では、1つ又は複数の寸法は、1つ又は複数の測定を介して取得される。
ステップ524において、フォトマスク/レチクルフィールドの2つ以上のフィールド領域が画定される。ステップ526において、フォトマスク/レチクルフィールドの2つ以上のフィールド領域のうちの1つのフィールド領域の1つ又は複数の寸法が、決定される。一実施形態では、1つ又は複数の寸法は、それぞれx成分及びy成分を含む。別の一実施形態では、2つ以上のフィールド領域は、サイズが等しく及び/又は形状が類似している。別の一実施形態では、2つ以上のフィールド領域は、サイズが実質的に等しく及び/又は形状が実質的に類似している。例えば、フォトマスク/レチクルフィールドは、実質的に等しいフィールド領域(例えば、四分円)に分割されてもよい。別の一実施形態では、第1フィールド領域は、第2フィールド領域とサイズが等しくなく及び/又は形状が等しくない。別の一実施形態では、1つ又は複数の寸法は、フォトマスク/レチクルのための設計データから決定される。別の一実施形態では、1つ又は複数の寸法は、1つ又は複数の測定を介して決定される。別の一実施形態では、1つ又は複数の寸法は、1つ又は複数の計算を介して決定される。
ステップ528において、電子光学カラムの数が選択される。一実施形態では、その数の電子光学カラムは、2つ以上の電子光学カラムを含む。別の一実施形態では、2つ以上の電子光学カラムのためのパターンが選択される。例えば、パターンは、1×mのアレイ、n×1のアレイ又はm×nのアレイを含んでもよいが、これに限定されない。別の一実施形態では、パターンは、フォトマスク/レチクルフィールドのフィールド領域を検査するのに必要な時間長を最小化するように選択される。別の一実施形態では、パターンは、フォトマスク/レチクルフィールドのフィールド領域の1つ又は複数の寸法の範囲内の2つ以上の電子光学カラムに適合するように選択される。
ステップ530において、フォトマスク/レチクルフィールドの2つ以上のフィールド領域のうちの1つのフィールド領域の寸法に基づいて、間隔が決定される。一実施形態では、隣接する電子光学カラムの間の間隔が、第1方向及び/又は第2方向において等しく又は実質的に等しい。別の一実施形態では、第1組の隣接する電子光学カラムの間の間隔は、第2組の隣接する電子光学カラムの間の間隔と等しくない。別の一実施形態では、第1方向の間隔は、第2方向の間隔と等しいか、実質的に等しいか又は等しくない。別の一実施形態では、間隔は、1つ又は複数の測定を介して決定される。別の一実施形態では、間隔は、1つ又は複数の計算を介して決定される。
ステップ532において、2つ以上の検査領域が、2つ以上の電子光学カラムのためにフォトマスク/レチクルフィールドの2つ以上のフィールド領域内に画定される。一実施形態では、2つ以上の検査領域のそれぞれは、2つ以上の電子光学カラムの特定の電子光学カラムに対応する。別の一実施形態では、2つ以上の検査領域は、第1方向及び/又は第2方向の間隔に基づいて画定される。例えば、第1方向及び/又は第2方向の2つ以上の電子光学カラムの間の間隔は、2つ以上の検査領域の寸法の組に対応してもよい。例えば、第1方向及び/又は第2方向の2つ以上の電子光学カラムの間の間隔は、2つ以上の検査領域の1つ又は複数の寸法の組に等しいか又は実質的に等しくてもよい。しかし、ここで留意するのは、第1方向及び/又は第2方向の2つ以上の電子光学カラムの間の間隔が、(例えば、異なる)2つ以上の検査領域の寸法の組に対応することである。そのため、上記の説明は、本開示の範囲についての限定としてではなく、単に例示として解釈されなければならない。
ステップ534において、2つ以上の検査領域の1つ又は複数の寸法が決定される。一実施形態では、1つ又は複数の寸法は、それぞれ、x成分及びy成分を含む。別の一実施形態では、2つ以上の検査領域は、サイズが等しい及び/又は形状が類似している。別の一実施形態では、2つ以上の検査領域は、サイズが実質的に等しい及び/又は形状が実質的に等しい。別の一実施形態では、第1検査領域は、第2検査領域とサイズが等しくなく及び/又は形状が等しくない。別の一実施形態では、1つ又は複数の寸法は、フォトマスク/レチクルについての設計データから決定される。別の一実施形態では、1つ又は複数の寸法は、1つ又は複数の測定を介して決定される。別の一実施形態では、1つ又は複数の寸法は、1つ又は複数の計算を介して決定されている。
図5Cは、本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、ウェハプリントチェック検証のためのマルチカラム間隔を決定する方法540を示す。
ステップ542において、1つ又は複数のフォトマスク/レチクルフィールドによってプリントされるウェハの1つ又は複数の寸法が、決定されている。一実施形態では、1つ又は複数のフォトマスク/レチクルフィールドによって予めプリントされたウェハが、受け取られる。別の一実施形態では、ブランクウェハが、受け取られてプリントされる。例えば、ブランクウェハは、プリント領域を含んでもよい。別の一例として、フォトマスク/レチクルパターンについてのプリント縮小率が、選択されてもよい。例えば、縮小率は、1:1、2:1、4:1等を含んでもよいが、これに限定されない。別の一例として、フォトマスク/レチクルパターンが、縮小率に基づいてウェハのプリント領域内で2回以上プリントされてもよい。別の一実施形態では、1つ又は複数の寸法が、ウェハについての設計データから取得される。別の一実施形態では、1つ又は複数の寸法が、1つ又は複数の測定を介して取得される。
ステップ544において、ウェハ上にプリントされる1つ又は複数のフォトマスク/レチクルフィールドの1つ又は複数の寸法が、決定される。一実施形態では、1つ又は複数の寸法は、x成分及びy成分を含む。例えば、ウェハ上にプリントされる1つ又は複数のフォトマスク/レチクルフィールドは、サイズが等しくてもよい。別の一例として、ウェハ上にプリントされる1つ又は複数のフォトマスク/レチクルフィールドは、サイズが実質的に等しくてもよい。更に、ウェハ上にプリントされる第1フォトマスク/レチクルフィールドは、ウェハ上にプリントされる第2フォトマスク/レチクルフィールドとサイズが異なってもよい。別の一実施形態では、1つ又は複数の寸法は、x成分及びy成分を含む。別の一実施形態では、1つ又は複数の寸法は、ウェハについての設計データから取得される。別の一実施形態では、1つ又は複数の寸法は、1つ又は複数の測定を介して取得される。
ステップ546において、電子光学カラムの数が選択される。一実施形態では、その数の電子光学カラムは、2つ以上の電子光学カラムを含む。別の一実施形態では、2つ以上の電子光学カラムについてのパターンが選択される。例えば、パターンは、1×mのアレイ、n×1のアレイ又はm×nのアレイを含んでもよいが、これに限定されない。別の一実施形態では、パターンは、ウェハを検査するのに必要な時間長を最小化するように選択される。別の一実施形態では、パターンは、ウェハの1つ又は複数の寸法の範囲内の2つ以上の電子光学カラムに適合するように選択される。
ステップ548において、ウェハ上にプリントされるフォトマスク/レチクルフィールドの寸法に基づいて、間隔が決定される。一実施形態では、隣接する電子光学カラムの間の間隔が、第1方向及び/又は第2方向において等しく又は実質的に等しい。別の一実施形態では、第1組の隣接する電子光学カラムの間の間隔は、第2組の隣接する電子光学カラムの間の間隔に等しくない。別の一実施形態では、第1方向の間隔は、第2方向の間隔に等しく、実質的に等しく又は等しくない。別の一実施形態では、間隔は、1つ又は複数の測定を介して決定される。別の一実施形態では、間隔は、1つ又は複数の計算を介して決定される。
ステップ550において、ウェハ上にプリントされるフォトマスク/レチクルフィールド内に2つ以上の電子光学カラムについての2つ以上の検査領域が画定される。一実施形態では、2つ以上の検査領域のそれぞれは、2つ以上の電子光学カラムの特定の電子光学カラムに対応する。別の一実施形態では、2つ以上の検査領域は、第1方向及び/又は第2方向の間隔に基づいて画定される。例えば、第1方向及び/又は第2方向の2つ以上の電子光学カラムの間の間隔は、2つ以上の検査領域の寸法の組に対応してもよい。例えば、第1方向及び/又は第2方向の2つ以上の電子光学カラムの間の間隔は、2つ以上の検査領域の1つ又は複数の寸法の組に等しいか又は実質的に等しくてもよい。しかし、ここで留意するのは、第1方向及び/又は第2方向の2つ以上の電子光学カラムの間の間隔が、(例えば、異なる)2つ以上の検査領域の寸法の組に対応することである。そのため、上記の説明は、本開示の範囲についての限定としてではなく、単に例示として解釈されなければならない。
ステップ552において、2つ以上の検査領域の1つ又は複数の寸法が、決定される。一実施形態では、1つ又は複数の寸法は、それぞれx成分及びy成分を含む。別の一実施形態では、2つ以上の検査領域は、サイズが等しく及び/又は形状が類似している。別の一実施形態では、2つ以上の検査領域は、サイズが実質的に等しく及び/又は形状が実質的に類似している。別の一実施形態では、第1検査領域は、第2検査領域とサイズが等しくなく及び/又は形状が等しくない。別の一実施形態では、1つ又は複数の寸法は、フォトマスク/レチクルについての設計データから決定される。別の一実施形態では、1つ又は複数の寸法は、1つ又は複数の測定を介して決定される。別の一実施形態では、1つ又は複数の寸法は、1つ又は複数の計算を介して決定される。
図5Dは、本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、フォトマスク/レチクル検査のための選択マルチカラム間隔を含むSEM精査ツールによってフォトマスク/レチクルフィールドを検査するための方法560を示す。
ステップ562において、2つ以上の検査画像が、フォトマスク/レチクルフィールドの2つ以上の検査領域から取得される。一実施形態では、2つ以上の検査画像は、2つ以上の電子光学カラムを含むSEM精査ツールを介して取得される。別の一実施形態では、SEM精査ツールは、2つ以上の電子光学カラムの間の選択間隔によって構成され、この場合、選択間隔は、方法500のステップのうちの一部又は全部を介して決定される。
ステップ564において、全体画像が、フォトマスク/レチクルフィールドの2つ以上の検査画像から生成される。一実施形態では、2つ以上の検査画像は、1つ又は複数の重複領域に基づいて整列させられて結合されている。別の一実施形態では、2つ以上の検査画像は、重複領域に基づいて整列させられて結合されていることがない。
図5Eは、本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、フォトマスク/レチクル検査のための選択マルチカラム間隔を含むSEM精査ツールによってフォトマスク/レチクルフィールドを検査する方法570を示す。
ステップ572において、フォトマスク/レチクルフィールドのフィールド領域が、選択される。一実施形態では、フォトマスク/レチクルフィールドは、2つ以上のフィールド領域に分割される。ステップ574において、2つ以上の検査画像は、2つ以上の電子光学カラムを含むSEM精査ツールによってフィールド領域内の2つ以上の検査領域から取得される。一実施形態では、2つ以上の検査画像は、2つ以上の電子光学カラムを含むSEM精査ツールを介して取得される。別の一実施形態では、SEM精査ツールは、2つ以上の電子光学カラムの間の選択間隔によって構成され、この場合、選択間隔は、方法520のステップのうちの一部又は全部を介して決定される。
ステップ576において、フィールド領域の2つ以上の検査画像が結合される。一実施形態では、2つ以上の検査画像は、1つ又は複数の重複領域に基づいて整列させられて結合される。別の一実施形態では、2つ以上の検査画像は、重複領域に基づいて整列させられない。
ステップ578において、フォトマスク/レチクルフィールドの少なくとも第2フィールド領域が、選択される。ステップ580において、2つ以上の検査画像が、SEM精査ツールによって少なくとも第2フィールド領域内の2つ以上の検査領域から取得される。ステップ582において、少なくとも第2フィールド領域の2つ以上の検査画像が結合される。一実施形態では、2つ以上の検査画像は、1つ又は複数の重複領域に基づいて整列させられて結合される。別の一実施形態では、2つ以上の検査画像は、重複領域に基づいて整列させられない。
ステップ584において、全体画像が、フィールド領域の結合された検査画像及び少なくとも第2フィールド領域の結合された検査画像から生成される。一実施形態では、フィールド領域の結合された検査画像及び少なくとも第2フィールド領域の結合された検査画像は、重複領域に基づいて整列させられない。
図5Fは、本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、ウェハプリントチェック検証のための選択マルチカラム間隔を含むSEM精査ツールを介して取得された1つ又は複数の検査画像から合成フィールドを生成する方法590を示す。
ステップ592において、ウェハ上にプリントされる1つ又は複数のフォトマスク/レチクルフィールド内の2つ以上の検査領域の2つ以上の検査画像が取得される。一実施形態では、2つ以上の検査画像は、2つ以上の電子光学カラムを含むSEM精査ツールを介して取得される。別の一実施形態では、SEM精査ツールは、2つ以上の電子光学カラムの間の選択間隔によって構成され、この場合、選択間隔は、方法540のステップのうちの一部又は全部を介して決定されている。
ステップ594において、合成フィールドが、ウェハ上にプリントされる1つ又は複数のフォトマスク/レチクルフィールド内の2つ以上の検査領域の2つ以上の検査画像から生成される。一実施形態では、2つ以上の検査画像は、プリントされるパターン内でのそれらの位置に基づいて合成フィールド内に編成される。
図6Aは、本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、フォトマスク/レチクル検査のための選択マルチカラム間隔を含むマルチカラムSEM精査ツールを作成する方法600を示す。
ステップ602において、フォトマスク/レチクルフィールド内の2つ以上の検査領域を特徴付けるためのマルチカラム走査電子顕微鏡法(SEM)精査ツールの2つ以上の電子光学カラムについての間隔が、決定される。一実施形態では、間隔は、方法500の1つ又は複数のステップを介して決定される。
ステップ604において、2つ以上の電子光学カラムが、マルチカラムSEM精査ツールの製作中に決定された間隔に基づいて設置される。
図6Bは、本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、フォトマスク/レチクル検査のための選択マルチカラム間隔を含むマルチカラムSEM精査ツールを作成する方法610を示す。
ステップ612において、マルチカラム走査電子顕微鏡法(SEM)精査ツールの2つ以上の電子光学カラムについての間隔が決定されることにより、フォトマスク/レチクルフィールドの1つ又は複数のフィールド領域内の2つ以上の検査領域を特徴付ける。一実施形態では、間隔は、方法520の1つ又は複数のステップを介して決定される。
ステップ614において、2つ以上の電子光学カラムが、マルチカラムSEM精査ツールの製作中に決定された間隔に基づいて設置される。
図6Cは、本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、ウェハプリントチェック検証のための選択マルチカラム間隔を含むマルチカラムSEM精査ツールを作成する方法620を示す。
ステップ622において、ウェハプリントチェック検証のためのマルチカラム走査電子顕微鏡法(SEM)精査ツールの2つ以上の電子光学カラムについての間隔が、決定される。一実施形態では、間隔は、方法540の1つ又は複数のステップを介して決定されている。
ステップ624において、2つ以上の電子光学カラムが、マルチカラムSEM精査ツールの製作中に決定された間隔に基づいて設置される。
一実施形態では、フォトマスク/レチクルフィールド及びウェハプリントチェック検証を検査することは、独立したSEM精査ツールにおいて完了されるプロセスである。例えば、同一の真空システム内部で、フォトマスク/レチクルを検査することと、ウェハプリントチェック検証を実行することが好ましくないことがある。しかし、ここで留意するのは、単一のSEM精査ツールは、フォトマスク/レチクルフィールドを検査すること及びウェハプリントチェック検証の両方のために実装されてもよいことである。例えば、フォトマスク/レチクル検査のために構成されたマルチカラムSEM精査ツールは、マルチカラムSEM精査ツールの1つ又は複数の構成要素を調整すること、付加すること又は除去することによって、ウェハプリントチェック検証に再構成されてもよい。別の一例として、ウェハプリントチェック検証のために構成されたマルチカラムSEM精査ツールは、マルチカラムSEM精査ツールの1つ又は複数の構成要素を調整すること、付加すること又は除去することによって、フォトマスク/レチクル検査のために再構成されてもよい。そのため、上記の説明は、本開示の範囲についての限定としてではなく、単に例示として解釈されなければならない。
ここで留意するのは、方法500、520、540、560、570、590、600、610、620は、提供されたステップに限定されないことである。例えば、方法500、520、540、560、570、590、600、610、620は、その代わりに、より多い又はより少ないステップを含んでもよい。別の一例として、方法500、520、540、560、570、590、600、610、620は、提供されたものと異なる順序でステップを実行してもよい。そのため、上記の説明は、本開示の範囲についての限定としてではなく、単に例示として解釈されなければならない。
図7A〜7Eは、概して、本開示の1つ又は複数の実施形態に従う特性評価ツール700を示す。特性評価ツール700は、当該技術分野で公知のいずれかの適切な特性評価ツールを含んでもよい。一般的に、特性評価ツール700は、1つ又は複数のフォトマスク/レチクル又はウェハを特徴付けるのに適したいずれかの特性評価ツールを含んでもよい。
一実施形態では、特性評価ツール700は、1つ又は複数のフォトマスク/レチクル又はウェハを特徴付けるように、並びに選択された及び/又は決定された間隔に基づいて選択された及び/又は決定されたパターン内に配列されるように構成された1つ又は複数の特性評価構成要素を含む。別の一実施形態では、概して図7A〜7Eに示すように、特性評価ツール700は、走査電子顕微鏡法(SEM)精査ツールである。例えば、SEM精査ツールは、2次電子(SE)精査ツール700、マルチビームSEM精査ツール700、マルチカラムSEM精査ツール700等を含んでもよいが、これに限定されない。
別の一実施形態では、マルチカラムSEM精査ツール700は、2つ以上の電子光学カラム702のアレイを含む。別の一実施形態では、2つ以上の電子光学カラム702は、それぞれ、1つ又は複数の電子光学要素704を含む。別の一実施形態では、1つ又は複数の電子光学要素704は、1つ又は複数の開口706を含む。別の一実施形態では、1つ又は複数の電子光学要素704は、1つ又は複数の集光レンズ708を含む。別の一実施形態では、1つ又は複数の電子光学要素704は、1つ又は複数のビーム偏向器710又は走査コイル710を含む。別の一実施形態では、1つ又は複数の電子光学要素704は、1つ又は複数の対物レンズ712を含む。別の一実施形態では、1つ又は複数の電子光学要素は、概して、1つ又は複数の磁界レンズ及び/又は1つ又は複数の電界レンズを含む。
ここで留意するのは、マルチカラムSEM精査ツール700内部の2つ以上の電子光学カラム702の配列が、設計、製作及び/又は製造段階中に決定されることである。例えば、2つ以上の電子光学カラム702の配列は、マルチカラムSEM精査ツール700の構成要素の寸法(例えば、電子光学カラム702の寸法)によって設定された製作制約に基づく代わりに、ウェハのフォトマスク/レチクル及び/又はプリント領域の特定のサイズに基づいてもよい。
別の一実施形態では、1つ又は複数の電子光学要素704は、1つ又は複数の後方散乱電子検出器714を含む。ここで留意するのは、マルチカラムSEM精査ツール700が、電子光学カラム702の外側に設置された1つ又は複数の2次電子検出器(例えば、少なくとも1つの外側リング電子光学カラム702の外側に設置されており、この場合、2つ以上の電子光学カラム702が、1つの外側リング及び少なくとも1つの内側リング内に配列されている)を含んでもよいことである。
一実施形態では、マルチカラムSEM精査ツール700は、2個以上の電子ビームソース716を含む。別の一実施形態では、2個以上の電子ビームソース716は、それぞれ、エミッタ718を含む。例えば、2個以上の電子ビームソース716は、ショットキーエミッタデバイス、炭素ナノチューブ(CNT)エミッタ、ナノ構造化炭素膜エミッタ、ミュラー型エミッタ等を含んでもよいが、これらに限定されない。
別の一実施形態では、2つ以上の電子ビームソース716は、それぞれ1つ又は複数のソース電子光学要素を含む。例えば、1つ又は複数のソース電子光学要素は、エミッタ718によって生成された電子ビームの少なくとも一部分を電子光学カラム702まで導いてもよい。
別の一実施形態では、2つ以上の電子ビームソース716は、2つ以上の電子ビームソース716を1つ又は複数の方向に作動させるように構成された設置装置の組に結合されている。例えば、設置装置の組は、2つ以上の電子ビームソース716をx方向、y方向及び/又はz方向のうちの1つ又は複数の方向に並進させてもよい。ここで留意されるのは、設置装置の組は、個々に、2つ以上の電子ビームソース716のうちの少なくとも一部を一緒にグループ化する部分ユニットとして、又は、2つ以上の電子ビームソース716の全てを一緒にグループ化する完全ユニットとしてのいずれかで、2つ以上の電子ビームソース716を作動させるように構成されてもよいことである。
別の一実施形態では、2つ以上の電子ビームソース716は、2つ以上の電子ビーム720を生成する。例えば、2つ以上の電子ビームソース716は、特定の電子光学カラム702に特有の電子ビーム720を生成してもよい。別の一例として、2つ以上の電子ビームソース716は、分割され及び/又は2つ以上の電子ビームソース716と2つ以上の電子光学カラム702との間にある1つ又は複数の電子光学要素を介して2つ以上の電子光学カラム702まで導かれる電子ビーム720を生成してもよい。
別の一実施形態では、2つ以上の電子光学カラム702は、2つ以上の電子ビーム720を試料ステージ724上に固定された試料722上まで導く。別の一実施形態では、試料722は、1つ又は複数の電子726を2つ以上の電子ビーム720に応じて後方散乱、放出、放射及び/又は偏向させてもよい。別の一実施形態では、1つ又は複数の後方散乱電子検出器714は、試料722の表面から後方散乱させられ、放射され、及び/又は偏向させられた1つ又は複数の電子726を検出してもよい。
試料722は、検査及び/又は精査に適したいずれかの試料を含んでもよい。一実施形態では、試料722は、フォトマスク、レチクル、半導体ウェハ等を含む。本開示を通して用いられるように、用語「ウェハ」は、半導体及び/又は非半導体材料から形成された基板を指す。例えば、半導体材料の場合、ウェハは、単結晶シリコン、ヒ化ガリウム及び/又はリン化インジウムから形成されてもよいが、これに限定されない。このように、用語「ウェハ」及び用語「試料」は、本開示において交換可能に用いられてもよい。そのため、上記の説明は、本開示の範囲についての限定としてではなく、単に例示として解釈されなければならない。
試料722がウェハである別の一実施形態では、ウェハ722は、ウェハ設計データについての1つ又は複数の組を用いて製造される。別の実施形態では、ウェハ設計データについての組は、層についての1つ又は複数の組を含む。例えば、そのような層は、レジスト、誘電材料、導電性材料及び半導電材料を含んでもよいが、これに限定されない。多くの異なるタイプのそのような層は、当該技術分野で公知であり、本明細書で用いられるような用語ウェハは、全てのタイプのそのような層が形成されてもよいウェハを含むことを意図している。別の一例として、ウェハ上に形成される層は、ウェハ内部で1又は複数回だけ反復されてもよい。そのような材料の層の形成及び処理が、最終的に完成デバイスをもたらしてもよい。多くの異なるタイプのデバイスが、ウェハ上に形成されてもよく、そして、本明細書で用いられるような用語ウェハは、当該技術分野で公知の任意のタイプのデバイスがその上に製作されるウェハを含むことを意図している。
本明細書に記載された製作、測定及び整列技術が、概して、半導体ウェハである試料722に対応するけれども、理解すべきは、その技術が、また、別の種類の薄い磨き板に適用可能であることである。例えば、1つ又は複数の薄い磨き板は、1つ又は複数の磁気ディスク基板、1つ又は複数のゲージブロック等を含んでもよいが、これらに限定されない。このように、用語「ウェハ」及び用語「薄い磨き板」は、本開示において交換可能に用いられてもよい。そのため、上記の説明は、本開示の範囲についての限定としてではなく、単に例示として解釈されなければならない。
試料ステージ724は、電子ビーム顕微鏡法の技術分野で公知のいずれかの好適な機械式及び/又はロボット式アセンブリを含んでもよい。一実施形態では、試料ステージ724は、作動可能なステージである。例えば、試料ステージ724は、試料722を1つ又は複数の直線方向(例えば、x方向、y方向及び/又はz方向)に沿って選択的に並進させるのに適した1つ又は複数の並進ステージを含んでもよいが、これに限定されない。別の一例として、試料ステージ724は、試料722を回転方向に沿って選択的に回転させるのに適した1つ又は複数の回転ステージを含んでもよいが、これに限定されない。別の一例として、試料ステージ724は、選択的に試料722を直線方向に沿って並進させること及び/又は試料722を回転方向に沿って回転させることに適した回転ステージ及び並進ステージを含んでもよいが、これに限定されない。別の一例として、試料ステージ724は、当業者に公知である選択された検査又は計測アルゴリズムに従って、設置、集束及び/又は走査のために試料722を並進又は回転させるように構成されてもよい。
ここで留意するのは、マルチカラムSEM精査ツール700は、フォトマスク/レチクルを検査する及びウェハプリントチェック検証を実行するように構成されてもよいことである。例えば、マルチカラムSEM精査ツール700の1つ又は複数の構成要素は、フォトマスク/レチクルを検査すること及びウェハプリントチェック検証を実行することから切り替えるときに、調整され、付加され又は除去されてもよい。例えば、2つ以上の電子光学カラム702のアレイは、フォトマスク/レチクルを検査すること及びウェハプリントチェック検証を実行することから切り替えるときに、未調整のままであってもよい。その代替として、ここで留意すべきは、独立したマルチカラムSEM精査ツール700は、ウェハプリントチェック検証を実行することとの対比で、フォトマスク/レチクルを検査することに利用されてもよいことである。例えば、同一の真空システム内部において、フォトマスク/レチクルを検査すること及びウェハプリントチェック検証を実行することが好ましくない場合がある。そのため、上記の説明は、本開示の範囲についての限定としてではなく、単に例示として解釈されなければならない。
一実施形態では、図7Bに示すように、2つ以上の電子光学カラム702は、試料722の表面全体が検査されるように間隔をあけられる(例えば、図2に示すように、2つ以上の電子光学カラム702は、全体フィールド200の2つ以上の検査領域208を検査してもよい)。例えば、2つ以上の検査領域208は、画像を単一の結合された画像に継ぎ合せるために画像重複の有無に関わらず、間隔をあけられてもよい。別の一例として、2つ以上の電子光学カラム702は、電子光学カラム702が試料722の表面境界の外側に設置されないように間隔をあけられてもよい。
別の一実施形態では、図7Cに示すように、2つ以上の電子光学カラム702は、試料722の表面のフィールド領域が検査されるように間隔をあけられている(例えば、図3に示すように、2つ以上の電子光学カラム702が、試料722の表面のフィールド領域(又は、四分円)300内部の2つ以上の検査領域308を検査してもよい)。例えば、2つ以上の検査領域308は、画像を単一の結合された画像に継ぎ合せるために画像重複の有無に関わらずに間隔をあけられてもよい。別の一例として、2つ以上の電子光学カラム702は、電子光学カラム702がフィールド領域300の境界の外側に設置されないように間隔をあけられてもよい。別の一実施形態では、試料722(例えば、図3に示すようなフィールド領域(又は四分円)320、340、360)の表面の残りの部分が、フィールド領域300の検査に続いて検査される。例えば、フィールド領域300、320、340、360は、画像を単一の結合された画像に継ぎ合せるために画像重複の有無に関わらずに間隔をあけられてもよい。
別の一実施形態では、図7Dに示すように、2つ以上の電子光学カラム702は、それらが、試料722の表面上の2つ以上のフィールド領域406の間の分割された2つ以上の検査領域414を検査するために用いられてもよいように間隔をあけられている(例えば、図4Aに示すように)。例えば、パターンは、試料722の表面上の2つ以上のフィールド領域406内部に2回以上プリントされてもよい。別の一例では、2つ以上のフィールド領域406は、画像を単一の結合された画像に継ぎ合せるために画像重複の有無に関わらずに間隔をあけられてもよい。別の一例として、2つ以上の電子光学カラム702は、電子光学カラム702が試料722の表面境界の外側に設置されないように間隔をあけられてもよい。
図7Eは、本開示の1つ又は複数の実施形態に従う、特性評価ツール700及び制御装置732を含む特性評価システム730を示す。一実施形態では、制御装置732は、特性評価ツール700の1つ又は複数の構成要素に動作可能に結合されている。例えば、制御装置732は、2つ以上の電子光学カラム702及び/又は2つ以上の電子光学カラム702の構成要素(例えば、検出器714)、2つ以上の電子ビームソース716及び/又は2つ以上の電子ビームソース716の構成要素、並びに/或いは試料ステージ724に動作可能に結合されてもよい。この点に関して、制御装置732は、特性評価ツール700の構成要素のうちの任意のものに指示して、本開示全体を通して説明された様々な機能のうちの任意の1つ又は複数のものを実行してもよい。
別の一実施形態では、制御装置732は、1つ又は複数のプロセッサ734と、メモリ736とを含む。別の一実施形態では、メモリ736は、プログラム命令738の組を記憶する。別の一実施形態では、プログラム命令738の組は、1つ又は複数のプロセッサ734に本開示全体を通して説明した1つ又は複数のプロセス段階のうちの任意のもの(例えば、試料722を検査すること等)を実行させるように構成されている。
制御装置732は、有線及び/又は無線部分を含んでもよい伝送媒体によって、特性評価ツール700の別のシステム又はツール(例えば、2つ以上の電子光学カラム702及び/又は2つ以上の電子光学カラム702(例えば、検出器714)の構成要素、2つ以上の電子ビームソース716及び/又は2つ以上の電子ビームソース716の構成要素、並びに/或いは試料ステージ724からの情報の1つ又は複数の組)からデータ又は情報を受け取る及び/又は取得するように構成されてもよい。それに加えて、制御装置732は、データ又は情報(例えば、本明細書で開示された発明概念の1つ又は複数の手順の出力)を特性評価ツール700の1つ又は複数のシステム又はツール(例えば、2つ以上の電子光学カラム702及び/又は2つ以上の電子光学カラム702の構成要素(例えば、検出器714)、2つ以上の電子ビームソース716及び/又は2つ以上の電子ビームソース716の構成要素、並びに/或いは試料ステージ724からの情報の1つ又は複数の組)に、有線及び/又は無線部分を含んでもよい伝送媒体によって伝送するように構成されてもよい。この点に関して、伝送媒体は、制御装置732と特性評価ツール700の別のサブシステムとの間のデータリンクとして機能してもよい。それに加えて、制御装置732は、伝送媒体(例えば、ネットワーク接続)を介して、データを外部システムまで送信するように形成されてもよい。
1つ又は複数のプロセッサ734は、当該技術分野で公知の任意の1つ又は複数の演算処理装置を含んでもよい。この意味で、1つ又は複数のプロセッサ734は、アルゴリズム及び/又はプログラム命令を実行するように構成された任意のマイクロプロセッサデバイスを含んでもよい。例えば、1つ又は複数のプロセッサ734は、デスクトップコンピュータ、メインフレームコンピュータシステム、ワークステーション、イメージコンピュータ、パラレルプロセッサ、ハンドヘルドコンピュータ(例えば、タブレット、スマートフォン若しくはファブレット)又は別のコンピュータシステム(例えば、ネットワーク化コンピュータ)から構成されてもよい。一般に、用語「プロセッサ」は、非一過性の記憶媒体(例えば、メモリ736)からのプログラム命令738の組を実行する1つ又は複数の演算処理装置を有する任意のデバイスを含むように広く規定されてもよい。更に、特性評価ツール700の異なるサブシステム(例えば、2つ以上の電子光学カラム702及び/又は2つ以上の電子光学カラム702の構成要素(例えば、検出器714)、2つ以上の電子ビームソース706及び/又は2つ以上の電子ビームソース706の構成要素、並びに/或いは試料ステージ724からの情報の1つ又は複数の組)は、本開示全体を通して説明したステップの少なくとも一部分を実行する(例えば、試料722を検査する等)のに適したプロセッサ又は論理素子を含んでもよい。そのため、上記の説明は、本開示の範囲についての限定としてではなく、単に例示として解釈されなければならない。
メモリ736は、関連する1つ又は複数のプロセッサ734によって実行可能なプログラム命令738の組を記憶するのに適した当該技術分野で公知の任意の記憶媒体を含んでもよい。例えば、メモリ736は、非一過性の記憶媒体を含んでもよい。例えば、メモリ736は、読取り専用メモリ(ROM)、ランダムアクセスメモリ(RAM)、磁気又は光学メモリ素子(例えば、ディスク)、磁気テープ、ソリッドステートドライブ等含んでもよいが、これに限定されない。メモリ736は、表示情報をユーザインタフェースのディスプレイ装置に提供するように構成されてもよい。それに加えて、メモリ736は、ユーザインタフェースのユーザ入力装置からのユーザ入力情報を記憶するように構成されてもよい。メモリ736は、1つ又は複数のプロセッサ734と共に収容する共通の制御装置732内に収容されてもよい。メモリ736は、それの代替として又はそれに付加して、プロセッサ734及び/又は制御装置732の空間位置に関して離れていてもよい。例えば、1つ又は複数のプロセッサ734及び/又は制御装置732は、ネットワーク(例えば、インターネット、イントラネット等)を通してアクセス可能な遠隔メモリ736(例えば、サーバ)にアクセスしてもよい。
一実施形態では、特性評価ツール700は、ユーザインタフェースを含む。別の一実施形態では、ユーザインタフェースは、制御装置732に結合されている(例えば、物理的に結合されている、通信可能に結合されている、又は物理的に及び通信可能にの両方で結合されている)。別の一実施形態では、ユーザインタフェースは、ディスプレイを含む。別の一実施形態では、ユーザインタフェースは、ユーザ入力装置を含む。別の一実施形態では、ディスプレイ装置は、ユーザ入力装置に結合されている。例えば、ディスプレイ装置は、有線及び/又は無線部分を含んでもよい伝送媒体によってユーザ入力装置に結合されていてもよい。
ディスプレイ装置は、当該技術分野で公知のいずれかのディスプレイ装置を含んでもよい。例えば、ディスプレイ装置は、液晶ディスプレイ(LCD)を含んでもよいが、これに限定されない。別の一例として、ディスプレイ装置は、有機発光ダイオード(OLED)ベースのディスプレイを含んでもよいが、これに限定されない。別の一例として、ディスプレイ装置は、CRTディスプレイを含んでもよいが、これに限定されない。当業者は、様々なディスプレイ装置が、本発明における実装に好適である場合があること、及び、ディスプレイ装置の特定の選択が、形状因子、コスト等を含むが、これらに限定されない様々な因子に依存する場合があることを認識しなければならない。一般的な意味において、ユーザ入力装置と統合可能な任意のディスプレイ装置(例えば、タッチスクリーン、ベゼル取付けインタフェース、キーボード、マウス、トラックパッド等)は、本発明における実装に適している。
ユーザ入力装置は、当該技術分野で公知の任意のユーザ入力装置を含んでもよい。例えば、ユーザ入力装置は、キーボード、キーパッド、タッチスクリーン、レバー、ノブ、スクロールホイール、トラックボール、スイッチ、ダイヤル、スライドバー、スクロールバー、スライド、ハンドル、タッチパッド、パドル、ステアリングホイール、ジョイスティック、ベゼル入力装置等を含んでもよいが、これに限定されない。タッチスクリーンインタフェースの場合、当業者であれば、多数のタッチスクリーンインタフェースが本発明の実装に適する場合があることを認識するはずである。例えば、ディスプレイ装置は、容量タッチスクリーン、抵抗タッチスクリーン、表面音響ベースタッチスクリーン、赤外線ベースタッチスクリーン等のタッチスクリーンインタフェースと統合されてもよいが、これらに限定されない。一般的な意味において、ディスプレイ装置のディスプレイ部分と統合可能な任意のタッチスクリーンインタフェースが、本発明における実装に適している。別の一実施形態では、ユーザ入力装置は、ベゼル取付けインタフェースを含んでもよいが、これに限定されない。
本開示の実施形態は、制御装置732が特性評価ツール700に結合されているか、又は構成要素としての特性評価ツール700に統合されていてもよいことを示すけれども、制御装置732は、特性評価システム730又は特性評価ツール700の統合化の又は必要な構成要素ではない。それに加えて、本開示の実施形態は、ユーザインタフェースが、制御装置732に結合されているか又は構成要素としての制御装置732に統合されていてもよいけれども、ユーザインタフェースは、制御装置732、特性評価システム730又は特性評価ツール700の統合化の又は必要な構成要素ではない。そのため、上記の説明は、本開示の範囲についての限定としてではなく、単に例示として解釈されなければならない。
一実施形態では、示されていないけれども、特性評価ツール700は、試料722の全体フィールドを2つ以上の検査領域に分割する2つ以上の照明経路を含む光学検査ツールである。例えば、光学検査ツールは、試料722の電気的意義を表現する1つ又は複数の高解像度画像を生成することができる光学検査ツールを含んでもよい。別の一例として、光学検査ツールは、レーザ維持プラズマ(LSP)ベース検査ツールを含むがこれに限定されない広帯域検査ツールを含んでもよい。別の一例として、光学検査ツールは、レーザ走査検査ツールを含むがこれに限定されない狭帯域検査ツールを含んでもよい。別の一例として、光学検査ツールは、明視野検査ツール又は暗視野検査ツールを含んでもよいが、これに限定されない。ここで留意すべきは、特性評価ツール700は、試料722から反射され、散乱させられ、回析され、及び/又は放射された照明を集光及び分析するように構成されたいずれかの光学ツールを含んでもよいことである。
一実施形態では、光学検査ツールは、1つ又は複数の照明源を含む。1つ又は複数の照明源は、放射を生成するように構成された、当該技術分野で公知の任意の照明源を含んでもよい。例えば、照明源は、広帯域照明源(例えば、キセノンランプ)又は狭帯域照明源(例えば、レーザ)を含んでもよいが、これに限定されない。別の一例として、照明源は、DUV、UV、VUV及び/又はEUV照明を生成するように構成されてもよい。例えば、EUV照明源は、EUV範囲内の照明を生成するように構成された放電生成プラズマ(DPP)照明源又はレーザ生成プラズマ(LPP)照明源を含んでもよい。別の一例として、照明源は、X線放射を生成するように構成されてもよい。別の一実施形態では、照明源は、1つ又は複数の方向に照明源を作動させるように構成された設置装置の組に動作可能に結合されていてもよい。
別の一実施形態では、1つ又は複数の照明源は、照明(例えば、照明のビーム)を生成して、試料722の表面まで導く。例えば、照明源は、1つ又は複数の組の光学要素を介して、照明を試料ステージ上に配設された試料722の表面まで導くように構成されてもよい。ここで留意するのは、1つ又は複数の組の光学要素が、照明を集束、抑制、抽出及び/又は誘導するのに適した当該技術分野で公知の任意の光学要素を含んでもよいことである。それに加えて、ここで留意するのは、1つ又は複数の組の光学要素が、本開示の目的のための集束光学部品の組であると考えられてもよいことである。
別の一実施形態では、試料は、照明源からの照明に応じて、照明(例えば、照明のビーム)を反射し、散乱させ、回析し及び/又は放射する。別の一実施形態では、試料からの照明は、1つ又は複数の光学検出器に導かれる。1つ又は複数の光学検出器は、当該技術分野で公知の任意の光学検出器を含んでもよい。例えば、1つ又は複数の検出器は、光電子増倍管(PMT)、電荷結合素子(CCD)、時間遅延積分(TDI)カメラ等を含んでもよいが、これらに限定されない。
別の一実施形態では、試料からの照明は、1つ又は複数の組の光学要素を介して1つ又は複数の光学検出器に導かれる。ここで留意するのは、1つ又は複数の組の光学要素は、照明を集束、抑制、抽出及び/又は誘導するのに適した当該技術分野で公知の任意の光学要素を含んでもよいことである。それに加えて、ここで留意するは、1つ又は複数の組の光学要素は、本開示の目的のための1組の集光光学部品であると考えられてもよいことである。更に、ここで留意するのは、1組の集束光学部品と1組の集光光学部品とが、1つ又は複数の組の光学要素のうちの少なくとも一部を共有してもよいことである。
別の一実施形態では、光学検査ツールの1つ又は複数の構成要素(例えば、1つ又は複数の照明源、ステージ、1つ又は複数の検出器等)は、制御装置732に結合されている。
本開示の利点は、フォトマスク/レチクル検査及びウェハプリントチェック検証のためのマルチカラム間隔を対象とする。本開示の利点は、また、フォトマスク/レチクル検査及びウェハプリントチェック検証のためのマルチカラム間隔を決定する方法を対象とする。本開示の利点は、また、フォトマスク/レチクル検査及びウェハプリントチェック検証のためのマルチカラム間隔によって構成された特性評価ツール及び特性評価システムを対象とする。
当業者であれば、技術水準が、システムの側面のハードウェア、ソフトウェア及び/又はファームウェア実装の間にほとんど相違が残されていない段階まで進歩したこと、すなわち、ハードウェア、ソフトウェア及び/又はファームウェアの使用が、概して(しかし、必ずしも、特定の文脈において、ハードウェアとソフトウェアとの間の選択が意味を有するわけではないので)、コスト対効率トレードオフを表す設計選択であることを理解するであろう。当業者であれば、本明細書に記載されたプロセス及び/又はシステム及び/又は別の技術がそれによって達成されてもよい様々な手段(例えば、ハードウェア、ソフトウェア及び/又はファームウェア)が存在することと、プロセス及び/又はシステム及び/又は別の技術が配備される文脈によって好ましい手段が異なることと、を認識するであろう。例えば、実装者が、速度及び正確度が重要であると決定する場合、実装者は、主にハードウェア及び/又はファームウェア手段を選んでもよく、その代替として、柔軟性が重要である場合、実装者は、主にソフトウェア実装を選択してもよく、又は、更なる代替として、実装者は、ハードウェア、ソフトウェア及び/又はファームウェアのなんらかの結合を選んでもよい。それ故に、本明細書に記載されたプロセス及び/又はデバイス及び/又は別の技術がそれによって達成されてもよいいくつかの可能な手段が存在し、そのいずれもが、利用されるべきいずれかの手段が、手段が配備されることになる文脈、及びそのうちのいずれかが変化してもよい実装者の特定の関心(例えば、速度、柔軟性又は予測性)に基づいた選択であるという点で、別のものよりも本質的に優れていない。当業者であれば、実装の光学側面が、光学指向のハードウェア、ソフトウェア及び/又はファームウェアを典型的に用いることになると認めるであろう。
本明細書に記載されたいくつかの実装において、論理及び類似の実装は、ソフトウェア又は別の制御構造を含んでもよい。電子回路は、例えば、本明細書に記載するような様々な機能を実装するように構成及び配列された1つ又は複数の電流経路を有してもよい。いくつかの実装において、1つ又は複数の媒体は、そのような媒体が本明細書に記載するように実行するように動作可能であるデバイス検出可能命令を保持又は伝送するとき、デバイス検出可能実装を有するように構成されてもよい。いくつかの変形において、例えば、実装は、本明細書に記載した1つ又は複数の動作に関する1つ又は複数の命令の受信又は伝送を実行すること等による、既存のソフトウェア若しくはファームウェアの、又はゲートアレイ若しくはプログラム可能ハードウェアの更新又は修正を含んでもよい。その代替として又は追加として、いくつかの変形では、実装が、特殊目的のハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア構成要素、及び/又は特殊目的構成要素を実行するか又は別途起動する汎用構成要素を含んでもよい。仕様又は別の実装は、様々な時点で、本明細書に記載するような有形伝送媒体の1つ又は複数の例によって、選択的にパケット送信によって、又は別様に分布媒体を介して送信されてもよい。
その代替として又は付加として、実装は、本明細書に記載された仮想的ないずれかの機能的動作のうちの1つ又は複数の発生を可能にする、始動させる、調整する、要求する、又は別の態様で生じさせるために、特殊目的の命令シーケンスを実行すること又は回路を起動することを含んでもよい。いくつかの変形において、本明細書における動作的又は別の論理的な記載は、ソースコードとして表されてコンパイルされるか、又は別途実行可能な命令シーケンスとして表わされてもよい。いくつかの文脈において、例えば、実装は、C++又は別のコードシーケンス等のソースコードによって全体的に又は部分的に提供されてもよい。別の実施形態では、市販の及び/又は現水準の技術を用いるソース又は別のコード実装は、高水準ディスクリプタ言語にコンパイル//実装/翻訳/変換されてもよい(例えば、最初にC、C++、python(登録商標)、Ruby on Rails(登録商標)、Java(登録商標)、PHP、.NET又はNode.js(登録商標)プログラム言語で記述された技術を実装し、その後にプログラム言語実装を論理合成可能言語実装、ハードウェア記述言語実装、ハードウェアデザインシミュレーション実装及び/又は別のそのような類似の表現モードに変換する)。例えば、論理式(例えば、コンピュータプログラム言語実装)のうちの一部又は全部は、Verilogタイプハードウェア記述(例えば、ハードウェア記述言語(HDL)及び/又は超高速集積回路ハードウェア記述言語(VHDL)を介して)又は、次いでハードウェアを有する物理実装(例えば、特定用途向け集積回路)を形成するために用いられてもよい別の回路モデルとして明示されてもよい。当業者であれば、これらの教示を考慮した好適な伝送若しくは計算要素、材料供給、アクチュエータ、又は別の構造を取得する、構成する及び最適化する方法を認識するであろう。
前述の詳細な説明は、ブロック図、流れ図及び/又は例の使用を介してデバイス及び/又はプロセスについての様々な実施形態を述べてきた。ブロック図、流れ図及び/又は例が、1つ又は複数の機能及び/又は動作を具備する範囲において、そのようなブロック図、流れ図又は例の範囲内のそれぞれの機能及び/又は動作は、広範囲のハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア又は仮想的なそれらの任意の組合せによって、個々に及び/又は集合的に実装されてもよいことが当業者によって理解されるであろう。一実施形態では、本明細書に記載した主題のいくつかの部分は、特定用途向け集積回路(ASIC)、フィールドプログラマブルゲートアレイ(FPGA)、デジタルシグナルプロセッサ(DSP)又は別の統合フォーマットを介して実装されてもよい。しかし、当業者であれば、本明細書で開示した実施形態のうちのいくつかの態様が、全体的又は部分的に、1つ又は複数のコンピュータ上で動作する1つ又は複数のコンピュータプログラムとして(例えば、1つ又は複数のコンピュータシステム上で動作する1つ又は複数のプログラムとして)、1つ又は複数のプロセッサ上で動作する1つ又は複数のプログラムとして(例えば、1つ又は複数のマイクロプロセッサ上で動作する1つ又は複数のプログラムとして)、ファームウェアとして、或いは仮想的にそれらの任意の組合せとして、集積回路内に等しく実装されてもよいことと、ソフトウェア及び/又はファームウェアのために回路を設計すること及び/又はコードを書くことは、本開示を考慮すれば当該技術分野の当業者の技術の範囲内にあることと、を認識するであろう。更に、当業者であれば、本明細書に記載した主題の機構が、様々な形式のプログラム製品として配布されることができることと、本明細書に記載された主題の例示的実施形態が、実際に配布を実行するために用いられる特定のタイプの信号保持媒体に無関係に適用されることと、を認識するであろう。信号保持媒体の例としては、以下の、フロッピー(登録商標)ディスク、ハードディスクドライブ、コンパクトディスク(CD)、デジタルビデオディスク(DVD)、デジタルテープ、コンピュータメモリ等のレコード可能タイプ媒体と、(例えば、光ファイバケーブル、導波管、有線通信リンク、無線通信リンク(例えば、送信器、受信器、送信論理、受信論理等)のデジタル及び/又はアナログ通信媒体等の伝送型媒体と、を含むが、これらに限定されない。
一般的な意味において、当業者は、個別に及び/又は集合的に、様々な本明細書に記載された実施形態が、ハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア及び/又はそれらの仮想的な任意の組合せ等の広範囲にわたる電気的構成要素、剛体、ばね又はねじり体、液圧応用機械、電磁作動デバイス等の機械的な力又は動作を付与してもよい広範囲にわたる構成要素、及び/又はその仮想的な任意の結合を有する様々なタイプの電気機械システムによって、実装されてもよいことを認識するであろう。したがって、本明細書で使用されるとき、「電気機械システム」は、変換器(例えば、アクチュエータ、モータ、圧電結晶、微小電気機械システム(MEMS)等)と動作可能に結合された電子回路、少なくとも1つの離散電気回路を有する回路部品、少なくとも1つの集積回路を有する回路部品、少なくとも1つの特定用途向け集積回路を有する回路部品、コンピュータプログラムによって構成された汎用コンピューティング装置を形成する回路部品(例えば、本明細書に記載したプロセス及び/又はデバイスを少なくとも部分的に実行するコンピュータプログラムによって構成された汎用コンピュータ、或いは、本明細書に記載したプロセス及び/又はデバイスを少なくとも部分的に実行するコンピュータプログラムによって構成されたマイクロプロセッサ)、メモリ素子を形成する回路部品(例えば、(例えば、ランダムアクセス、フラッシュ、読出し専用等)の形式のメモリ)、通信装置を形成する回路部品(例えば、モデム、通信スイッチ、光電気設備等)、及び/又は光学又は別の類似物等のそれの非電気的類似物を含むが、これに限定されない。当業者であれば、また、電気機械システムの例が、様々な一般電子機器システム、医療装置、並びに動力付輸送システム、ファクトリーオートメーションシステム、セキュリティーシステム及び/又は通信/コンピューティングシステム等の別のシステムを含むが、これらに限定されないことを認識するであろう。当業者であれば、本明細書で用いられるような電気機械は、文脈が別の態様を示すような場合を除いて、電気式及び機械式両方の駆動部を有するシステムに必ずしも限定されるわけではないことを認識するであろう。
一般的な意味において、当業者であれば、広範囲にわたるハードウェア、ソフトウェア、ファームウェア及び/又はその任意の結合によって個々に及び/又は集合的に実装されてもよい本明細書に記載した様々な態様は、様々なタイプの「回路部品」から構成されてもよいことを認識するであろう。したがって、本明細書で使用されるとき、「回路部品」は、少なくとも1つの離散電気回路を有する回路部品、少なくとも1つの集積回路を有する回路部品、少なくとも1つの特定用途向け集積回路を有する回路部品、コンピュータプログラムによって構成された汎用コンピューティング装置を形成する回路部品(例えば、本明細書に記載したプロセス及び/又はデバイスを少なくとも部分的に実行するコンピュータプログラムによって構成された汎用コンピュータ、或いは、本明細書に記載したプロセス及び/又はデバイスを少なくとも部分的に実行するコンピュータプログラムによって構成されたマイクロプロセッサ)、メモリ素子を形成する回路部品(例えば、(例えば、ランダムアクセス、フラッシュ、読出し専用等)の形式のメモリ)、及び/又は通信装置(例えばモデム、通信スイッチ、光電気設備等)を形成する回路部品を含み、これらに限定されない。当業者であれば、本明細書に記載した主題が、アナログ若しくはデジタル方式又はそのなんらかの結合で実装されてもよいことを認識するであろう。
当業者であれば、本明細書に記載したデバイス及び/又はプロセスの少なくとも一部分が、データ処理システムに統合されてもよいことを認識するであろう。当業者であれば、データ処理システムが、概して、システムユニットハウジング、ビデオディスプレイデバイス、揮発性又は不揮発性メモリ等のメモリ、マイクロプロセッサ又はデジタル信号プロセッサ等のプロセッサ、オペレーティングシステム、ドライバ、グラフィカルユーザインタフェース及びアプリケーションプログラム等の計算エンティティ、1つ又は複数のインタフェースデバイス(例えば、タッチパッド、タッチスクリーン、アンテナ等)のうちの1つ又は複数のもの、及び/又はフィードバックループ及び制御モータを含む制御システム(例えば、位置及び/又は速度を感知するためのフィードバック、成分及び/又は量を動かす及び/又は調整するための制御モータ)のうちの1つ又は複数を含むことを認識するであろう。データ処理システムは、データコンピューティング/通信及び/又はネットワークコンピューティング/通信システムに典型的に見られるもの等の好適な市販の構成要素を利用して実装されてもよい。
当業者であれば、本明細書に記載した構成要素(例えば、動作)、デバイス、対象物及びそれらに付随する議論が概念上の明快さのための例として用いられること、及び、様々な構成修正が考えられることを認識するであろう。したがって、本明細書で用いられるとき、述べられた特定の例及び付随する議論は、それらのより一般的なクラスを表すことを意図している。一般に、いずれかの特定の例を用いることは、それのクラスを表すことを意図しており、特定の構成要素(例えば、動作)、デバイス及び対象物の非包含は、限定を意図していない。
ユーザが単一の人物として本明細書に記載されているけれども、当業者であれば、ユーザは、文脈が異なるように指示しない限り、ヒトのユーザ、ロボットのユーザ(例えば、計算エンティティ)、及び/又は実質的にそのなんらかの結合(例えば、ユーザは1つ又は複数のロボットエージェントによって支援されてもよい)を表してもよいことを認識するであろう。当業者であれば、文脈が異なるように指示しない限り、一般に、同じことが「送信者」についてもいわれてもよく、及び/又は、そのような用語のように、別のエンティティ指向の用語が本明細書で用いられることを認識するであろう。
本明細書でのいずれかの複数及び/又は単数の用語の使用に関して、当業者であれば、文脈及び/又は適用にふさわしいように、複数から単数へ及び/又は単数から複数へ変換することができる。様々な単数/複数の置換は、明確であるために、本明細書では明示的には述べられない。
本明細書に記載した主題は、時には、異なる別の構成要素の内部に含有された又はそれらと接続された異なる構成要素を示す。そのような表示された構成は、単に例示的なものであり、実際、同一の機能を達成する多くの別の構成が実装されてもよいことを理解すべきである。概念上の意味において、同一の機能を達成するための構成要素の任意の配列は、望ましい機能が達成されるように効果的に「関連付けられている」。このため、特定の機能を達成するように結合された本明細書でのいずれか2つの構成要素は、所望の機能が構造又は中間構成要素に関わらず達成されるように、互いに「関連付けられている」と考えられてもよい。同様に、そのように関連付けられたいずれか2つの構成要素は、望ましい機能を達成するように互いに「動作可能には接続された状態」又は「動作可能に結合された状態」にあると考えられてもよく、そのように関連付けられることができるいずれか2つの構成要素は、所望の機能を達成するように互いに「動作可能に結合可能な状態」にあると考えられてもよい。動作可能に結合可能であることについての特定の例は、物理的に嵌合可能であること、及び/又は構成要素を物理的に相互作用させること、及び/又は無線で相互作用可能であること、及び/又は構成要素を無線で相互作用させること、及び/又は論理的に相互作用すること、及び/又は構成要素を論理的に相互作用させること、を含み、これらに限定されない。
いくつかの例では、1つ又は複数の構成要素は、本明細書では、「するように構成されている」、「するように構成可能である」、「するように動作可能である/動作する」、「適応している/適応可能である」、「することができる」、「するように適合可能である/適合している」等と指定されてもよい。当業者であれば、そのような用語(例えば、「するように構成された」)は、文脈が別様に要求しない限り、活性状態構成要素及び/又は不活性状態構成要素及び/又は待機状態構成要素を概して包含してもよいことを認識するであろう。
本明細書に記載した本主題の特定の態様が示され、説明されてきたが、本明細書の教示に基づいて、変更及び修正が、本明細書に記載した主題及びそれのより広い側面から逸脱することなく成されてもよく、したがって、添付クレームは、本明細書に記載した主題の真の趣旨及び範囲の内部にあるような全ての変更及び修正をそれらの範囲内に包含できることが、当業者には明らかであろう。一般に、本明細書で用いられる用語、及び特に添付クレーム(例えば、添付クレームの本文)内で用いられる用語は、「開放」用語(例えば、用語「含む」は、「含むが、それに限定されない」と解釈されなければならず、用語「を有する」は、「を少なくとも有する」と解釈されなければならず、用語「を含む」は、「を含むが、これに限定されない」と解釈されなければならない等)であることが意図されていることが、当業者によって理解されるであろう。導入されたクレーム記載の特定の数が意図される場合、そのような意図は、クレーム内に明示的に記載されることになり、そのような記載がない場合、そのような意図が存在しない。例えば、理解の助けとして、以下の添付クレームは、クレーム記載を導入するために、導入句「少なくとも1つ」及び「1つ又は複数の」を含んでもよい。しかし、そのような句の使用が、不定冠詞「a」又は「an」によるクレーム記載の導入がそのような導入されたクレーム記載を含むいずれかの特定のクレームをただ1つのそのような記載だけを含むクレームに限定し、たとえ、同一のクレームが、導入句「1つ又は複数の」又は「少なくとも1つ」、及び「a」又は「an」等の不定冠詞(例えば、「a」及び/又は「an」は、典型的に「少なくとも1つ」又は「1つ又は複数の」を意味するように解釈されるべきである)を含むときでさえ、同一のことが、クレーム記載を導入するために用いられた定冠詞の用法にあてはまることを意味するように解釈されるべきではない。それに加えて、たとえ導入されたクレーム記載の特定の数が明示的に記載されたとしても、当業者は、そのような記載が少なくとも記載された数を意味するように典型的に解釈されなければならないことを認めるであろう(例えば、「2の記載」のそのままの記載は、典型的には別の修飾語句を伴わずに、少なくとも2の記載又は2以上の記載を意味する)。更に、「A、B及びCのうちの少なくとも1つ等」に類似した記法が用いられる例においては、一般に、そのような構文は、当業者が記法を(例えば、「A、B及びCのうちの少なくとも1つを有するシステム」は、Aだけ、Bだけ、Cだけ、AとBと一緒に、AとCと一緒に、BとCと一緒に、及び/又はAとBとCと一緒に等を有するシステムを含むが、これに限定されない)と理解するような意味に意図されている。「A、B又はCのうちの少なくとも1つ等」に類似した記法が用いられるそれらの例において、一般に、そのような構文は、当業者がその記法を理解するであろう意味(例えば、「A、B又はCのうちの少なくとも1つを有するシステム」は、Aだけ、Bだけ、Cだけ、AとBと一緒に、AとCと一緒に、BとCと一緒に、及び/又はAとBとCと一緒に有するシステム等を含み、これらに限定されない)が意図されている。当業者によって、典型的には、2つ以上の代替用語を示す離接的語及び/又はフレーズは、説明、クレーム又は図のいずれにおけるにせよ、文脈が異なるように指示しない限り、用語のうちの1つ、用語のうちのいずれか、又は用語の両方を含む可能性を意図していることを理解すべきである。例えば、句「A又はB」は、「A」又は「B」又は「A及びB」の可能性を含むことが典型的に理解されるであろう。
添付クレームに関して、当業者であれば、そこに記載された動作は、概して任意の順序で実行されてもよいことを理解するであろう。また、様々な動作の流れが、ある順序で示されているけれども、様々な動作が、示された順序と異なる順序で実行されてもよく、又は並行して実行されてもよいことが理解されなければならない。そのような代替の順序の例は、文脈が異なるように指示しない限り、重複式、介在式、中断式、再順序付け式、増分式、事前式、追加式、同時式、逆式、又は別の変形順位付けを含んでもよい。更に、文脈が異なるように指示しない限り、「に応じて」、「に関して」又は別の過去時制形容詞のような用語は、概してそのような変形を除外するようなことを意図していない。
本発明の特定の実施形態が示されてきたけれども、本発明の様々な修正及び実施形態が、前述の本開示の範囲及び趣旨から逸脱することなく当業者によってなされてもよいことが明らかである。本開示及びそれの付随する利点の多くが、前述の説明によって理解されると考えられ、そして、様々な変化が、開示された主題から逸脱することなく、又はそれの具体的な利点の全てを犠牲にすることなく、構成要素の形式、構成及び配列においてなされてもよいことが明らかであろう。記載した形式は、単に説明的なものに過ぎず、そのような変化を包含する及び含むことが以下のクレームの意図するものである。従って、本発明の範囲は、本明細書に添付されたクレームだけによって限定されなければならない。

Claims (32)

  1. 走査電子顕微鏡法(SEM)システムのためのマルチカラムアセンブリであって、
    1つ又は複数の間隔によって画定されたアレイ内に配列された複数の電子光学カラムであって、それぞれの電子光学カラムは、1つ又は複数の電子光学要素を含む、複数の電子光学カラムを備え、
    前記複数の電子光学カラムは、ステージ上に固定された試料の表面上の1つ又は複数のフィールド領域を特徴付けるように構成され、
    前記複数の電子光学カラム内の電子光学カラムの数は、前記1つ又は複数のフィールド領域のうちの1つのフィールド領域内の検査領域の整数の数に等しく、
    前記複数の電子光学カラムの前記1つ又は複数の間隔は、前記検査領域の1つ又は複数の寸法に対応する、マルチカラムアセンブリ。
  2. 前記1つ又は複数の間隔は、第1方向の第1間隔と、少なくとも第2方向の少なくとも第2間隔と、を含む、請求項1に記載のマルチカラムアセンブリ。
  3. 前記第1方向の第1間隔と前記少なくとも第2方向の少なくとも第2間隔とは、異なる、請求項2に記載のマルチカラムアセンブリ。
  4. 前記第1方向の第1間隔と前記少なくとも第2方向の少なくとも第2間隔とは、等しい、請求項2に記載のマルチカラムアセンブリ。
  5. 前記整数の数の検査領域のうちの隣接する検査領域は、重複しない、請求項1に記載のマルチカラムアセンブリ。
  6. 前記整数の数の検査領域のうちの少なくとも1つの組の隣接する検査領域は、少なくとも部分的に重複する、請求項1に記載のマルチカラムアセンブリ。
  7. 前記整数の数の検査領域は、サイズが実質的に等しい、請求項1に記載のマルチカラムアセンブリ。
  8. 前記整数の数の検査領域の第1検査領域は、前記整数の数の検査領域の第2検査領域とサイズが異なる、請求項1に記載のマルチカラムアセンブリ。
  9. 前記試料の表面上の前記1つ又は複数のフィールド領域は、前記試料の表面上に単一のフィールド領域を含み、前記単一のフィールド領域は、前記整数の数の検査領域に分割される、請求項1に記載のマルチカラムアセンブリ。
  10. 前記試料の表面上の前記1つ又は複数のフィールド領域は、第1フィールド領域と、少なくとも第2フィールド領域と、を含み、前記第1フィールド領域及び前記少なくとも第2フィールド領域は、それぞれ前記整数の数の検査領域を含む、請求項1に記載のマルチカラムアセンブリ。
  11. 前記複数の電子光学カラムは、前記第1フィールド領域及び前記少なくとも第2フィールド領域を順番に特徴付けるように構成されている、請求項10に記載のマルチカラムアセンブリ。
  12. 前記複数の電子光学カラムは、前記第1フィールド領域内の前記整数の数の検査領域を特徴付けた後に、前記少なくとも第2フィールド領域内の前記整数の数の検査領域を特徴付けるように構成されている、請求項11に記載のマルチカラムアセンブリ。
  13. 前記第1フィールド領域と前記少なくとも第2フィールド領域とは、重複しない、請求項10に記載のマルチカラムアセンブリ。
  14. 前記第1フィールド領域と前記少なくとも第2フィールド領域とは、少なくとも部分的に重複する、請求項10に記載のマルチカラムアセンブリ。
  15. 前記第1フィールド領域と前記少なくとも第2フィールド領域とは、サイズが実質的に等しい、請求項10に記載のマルチカラムアセンブリ。
  16. 前記第1フィールド領域は、前記少なくとも第2フィールド領域とサイズが異なる、請求項10に記載のマルチカラムアセンブリ。
  17. 前記複数の電子光学カラムは、複数の電子ビームソースによって生成された複数の電子ビームを受け取る、請求項1に記載のマルチカラムアセンブリ。
  18. 前記複数の電子光学カラムのそれぞれの電子光学カラムは、前記複数の電子ビームのうちの1つの電子ビームを受け取る、請求項17に記載のマルチカラムアセンブリ。
  19. 前記複数の電子光学カラムは、前記複数の電子ビームを前記試料の表面まで導く、請求項17に記載のマルチカラムアセンブリ。
  20. 前記試料は、前記複数の電子ビームのうちの少なくとも1つの電子ビームに応じて、電子を放出する又は散乱させる、請求項19に記載のマルチカラムアセンブリ。
  21. 前記複数の電子光学カラムのうちの少なくとも1つの電子光学カラムは、前記放出された又は散乱させられた電子のうちの少なくとも一部分を検出する、請求項20に記載のマルチカラムアセンブリ。
  22. 前記試料は、フォトマスク又はレチクルのうちの少なくとも1つを備える、請求項1に記載のマルチカラムアセンブリ。
  23. 走査電子顕微鏡法(SEM)システムのためのマルチカラムアセンブリであって、
    1つ又は複数の間隔によって画定されたアレイ内に配列された複数の電子光学カラムであって、それぞれの電子光学カラムは、1つ又は複数の電子光学要素を含む、複数の電子光学カラムを備え、
    特定のフィールドの2つ以上のインスタンスが、ステージ上に固定された試料の表面上にプリントされ、
    前記複数の電子光学カラムの第1電子光学カラムが、前記特定のフィールドの第1インスタンス内部の第1検査領域を特徴付けるように構成され、
    前記複数の電子光学カラムのうちの少なくとも1つの追加の電子光学カラムが、前記特定のフィールドの少なくとも1つの追加のインスタンス内部の少なくとも1つの追加の検査領域を特徴付けるように構成され、
    前記少なくとも1つの追加の検査領域は、前記第1検査領域とは異なる前記特定のフィールドの部分である、マルチカラムアセンブリ。
  24. 合成フィールドが、前記第1電子光学カラムによって特徴付けられた前記特定のフィールドの第1インスタンス内の前記第1検査領域と、前記少なくとも1つの追加の電子光学カラムによって特徴付けられた前記特定フィールドの前記少なくとも1つの追加のインスタンス内の前記少なくとも1つの追加の検査領域と、を集合することによって生成される、請求項23に記載のマルチカラムアセンブリ。
  25. 前記特定のフィールドは、フォトマスクフィールド又はレチクルフィールドのうちの少なくとも1つを備える、請求項23に記載のマルチカラムアセンブリ。
  26. 前記試料は、ウェハを備える、請求項23に記載のマルチカラムアセンブリ。
  27. マルチカラム走査電子顕微鏡法(SEM)システムであって、
    複数の電子ビームを生成するように構成された複数の電子ビームソースを備える電子ビームソースアセンブリと、
    試料を固定するように構成されたステージと、
    マルチカラムアセンブリであって、
    1つ又は複数の間隔によって画定されたアレイ内に配列された複数の電子光学カラムであって、それぞれの電子光学カラムは、1つ又は複数の電子光学要素を含む、複数の電子光学カラムを備え、
    前記複数の電子光学カラムは、前記ステージ上に固定された前記試料の表面上の1つ又は複数のフィールド領域を特徴付けるように構成され、
    前記複数の電子光学カラム内の電子光学カラムの数は、前記1つ又は複数のフィールド領域のフィールド領域内の検査領域の整数の数に等しく、
    前記複数の電子光学カラムの前記1つ又は複数の間隔は、前記検査領域の1つ又は複数の寸法に対応するマルチカラムアセンブリと、
    を備えており、
    前記複数の電子光学カラムのそれぞれの電子光学カラムは、前記複数の電子ビームのうちの1つの電子ビームを受け取り、
    前記複数の電子光学カラムは、前記複数の電子ビームを前記試料の表面まで導き、
    前記試料は、前記複数の電子ビームのうちの少なくとも1つの電子ビームに応じて電子を放出し又は散乱させ、
    前記複数の電子光学カラムのうちの少なくとも1つの電子光学カラムは、前記放出された又は散乱させられた電子のうちの少なくとも一部分を検出する、マルチカラム走査電子顕微鏡法(SEM)システム。
  28. マルチカラム走査電子顕微鏡法(SEM)システムであって、
    複数の電子ビームを生成するように構成された複数の電子ビームソースを備える電子ビームソースアセンブリと、
    試料を固定するように構成されたステージと、
    マルチカラムアセンブリであって、
    1つ又は複数の間隔によって画定されたアレイ内に配列された複数の電子光学カラムであって、それぞれの電子光学カラムは、1つ又は複数の電子光学要素を含む、複数の電子光学カラムを備え、
    特定のフィールドの2つ以上のインスタンスが、前記ステージ上に固定された前記試料の表面上にプリントされ、
    前記複数の電子光学カラムの第1電子光学カラムが、前記特定のフィールドの第1インスタンス内部の第1検査領域を特徴付けるように構成され、
    前記複数の電子光学カラムのうちの少なくとも1つの追加の電子光学カラムが、前記特定のフィールドの少なくとも1つの追加のインスタンス内部の少なくとも1つの追加の検査領域を特徴付けるように構成され、
    前記少なくとも1つの追加の検査領域は、前記第1検査領域とは異なる前記特定のフィールドの部分であるマルチカラムアセンブリと、
    を備えており、
    前記複数の電子光学カラムのそれぞれの電子光学カラムは、前記複数の電子ビームのうちの1つの電子ビームを受け取り、
    前記複数の電子光学カラムは、前記複数の電子ビームを前記試料の表面まで導き、
    前記試料は、前記複数の電子ビームのうちの少なくとも1つの電子ビームに応じて電子を放出し又は散乱させ、
    前記複数の電子光学カラムのうちの少なくとも1つの電子光学カラムは、前記放出された又は散乱させられた電子のうちの少なくとも一部分を検出する、マルチカラム走査電子顕微鏡法(SEM)システム。
  29. 1つ又は複数の間隔によって画定されたアレイ内に配列されたマルチカラム走査電子顕微鏡法(SEM)精査ツールの複数の電子光学カラムを介して、試料の表面上の1つ又は複数のフィールド領域を特徴付けるステップであって、それぞれの電子光学カラムは、1つ又は複数の電子光学要素を含む、ステップを含み、
    前記複数の電子光学カラム内の電子光学カラムの数は、前記1つ又は複数のフィールド領域の1つのフィールド領域内の検査領域の整数の数に等しく、
    前記複数の電子光学カラムの前記1つ又は複数の間隔は、前記検査領域の1つ又は複数の寸法に対応する、方法。
  30. 1つ又は複数の間隔によって画定されたアレイ内に配列されたマルチカラム走査電子顕微鏡法(SEM)精査ツールの複数の電子光学カラムを介して、試料の表面上にプリントされる特定のフィールドの2つ以上のインスタンスを特徴付けるステップであって、それぞれの電子光学カラムは、1つ又は複数の電子光学要素を含む、ステップを含み、
    前記複数の電子光学カラムの第1電子光学カラムは、前記特定のフィールドの第1インスタンス内部の第1検査領域を特徴付けるように構成され、
    前記複数の電子光学カラムの少なくとも1つの追加の電子光学カラムは、前記特定のフィールドの少なくとも1つの追加のインスタンス内部の少なくとも1つの追加の検査領域を特徴付けるように構成され、
    前記少なくとも1つの追加の検査領域は、前記第1検査領域とは異なる前記特定のフィールドの部分である、方法。
  31. 前記試料の表面上の1つ又は複数のフィールド領域の1つ又は複数の寸法を決定するステップと、
    前記1つ又は複数のフィールド領域の前記1つ又は複数の寸法に基づいて、マルチカラム走査電子顕微鏡法(SEM)精査ツールの複数の電子光学カラムについての1つ又は複数の間隔を決定するステップと、
    前記1つ又は複数のフィールド領域内の検査領域の整数の数を規定するステップと、を含み、
    前記複数の電子光学カラム内の電子光学カラムの数は、前記1つ又は複数のフィールド領域のうちの1つのフィールド領域内の検査領域の整数の数に等しく、
    前記複数の電子光学カラムの前記1つ又は複数の間隔は、前記検査領域の1つ又は複数の寸法に対応する、方法。
  32. 前記試料の表面上にプリントされる特定のフィールドの2つ以上のインスタンスの1つ又は複数の寸法を決定するステップと、
    前記試料の表面上にプリントされる前記1つ又は複数のフィールドの前記1つ又は複数の寸法に基づいて、マルチカラム走査電子顕微鏡法(SEM)精査ツールの複数の電子光学カラムについての1つ又は複数の間隔を決定するステップと、
    前記試料の表面上にプリントされる特定のフィールドの前記2つ以上のインスタンス内の複数の検査領域を画定するステップと、を含み、
    前記複数の電子光学カラムの第1電子光学カラムは、前記特定のフィールドの第1インスタンス内部の第1検査領域を特徴付けるように構成され、
    前記複数の電子光学カラムの少なくとも1つの追加の電子光学カラムが、前記特定のフィールドの少なくとも1つの追加のインスタンス内部の少なくとも1つの追加の検査領域を特徴付けるように構成され、
    前記少なくとも1つの追加の検査領域は、前記第1検査領域とは異なる前記特定のフィールドの部分である、方法。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7126355B2 (ja) * 2018-02-21 2022-08-26 株式会社ニューフレアテクノロジー 荷電粒子ビーム検査方法
DE102020103339A1 (de) * 2020-02-10 2021-08-12 Carl Zeiss Microscopy Gmbh Verfahren zum Betrieb eines Teilchenstrahlgeräts, Computerprogrammprodukt und Teilchenstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens
US11899375B2 (en) 2020-11-20 2024-02-13 Kla Corporation Massive overlay metrology sampling with multiple measurement columns

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10134757A (ja) * 1996-10-31 1998-05-22 Nikon Corp マルチビーム検査装置
JP2013125652A (ja) * 2011-12-14 2013-06-24 Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd 電子線装置
JP2013128069A (ja) * 2011-12-19 2013-06-27 Hitachi High-Technologies Corp 電子線検査装置、及び検査方法
JP2014110220A (ja) * 2012-12-04 2014-06-12 Samsung R&D Institute Japan Co Ltd 電子線装置
US20140346350A1 (en) * 2013-05-23 2014-11-27 Tao Luo Multi-column Electron Beam Inspection that uses custom printing methods
JP2015038892A (ja) * 2007-02-22 2015-02-26 アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド 高スループットsemツール

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5384463A (en) * 1991-06-10 1995-01-24 Fujisu Limited Pattern inspection apparatus and electron beam apparatus
JP3661592B2 (ja) * 1998-03-27 2005-06-15 株式会社日立製作所 パターン検査装置
AU1926501A (en) 1999-11-23 2001-06-04 Ion Diagnostics, Inc. Electron optics for multi-beam electron beam lithography tool
WO2001060456A1 (en) * 2000-02-19 2001-08-23 Ion Diagnostics, Inc. Multi-beam multi-column electron beam inspection system
JP3943022B2 (ja) * 2000-12-01 2007-07-11 株式会社荏原製作所 基板検査装置
KR20040062609A (ko) * 2001-11-02 2004-07-07 가부시키 가이샤 에바라 세이사꾸쇼 내장형 검사장치를 구비한 반도체 제조장치 및 그것을위한 방법
US9390886B2 (en) * 2005-02-17 2016-07-12 Ebara Corporation Electro-optical inspection apparatus using electron beam
US9153413B2 (en) 2007-02-22 2015-10-06 Applied Materials Israel, Ltd. Multi-beam scanning electron beam device and methods of using the same
US8455838B2 (en) * 2011-06-29 2013-06-04 Kla-Tencor Corporation Multiple-column electron beam apparatus and methods
US8806392B2 (en) * 2012-12-03 2014-08-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Distinguishable IC patterns with encoded information
TWI658543B (zh) * 2013-12-05 2019-05-01 新加坡商史達晶片有限公司 在半導體封裝中使用標準化載體的半導體裝置及方法
WO2016125864A1 (ja) * 2015-02-05 2016-08-11 株式会社荏原製作所 検査装置

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH10134757A (ja) * 1996-10-31 1998-05-22 Nikon Corp マルチビーム検査装置
JP2015038892A (ja) * 2007-02-22 2015-02-26 アプライド マテリアルズ イスラエル リミテッド 高スループットsemツール
JP2013125652A (ja) * 2011-12-14 2013-06-24 Samsung Yokohama Research Institute Co Ltd 電子線装置
JP2013128069A (ja) * 2011-12-19 2013-06-27 Hitachi High-Technologies Corp 電子線検査装置、及び検査方法
JP2014110220A (ja) * 2012-12-04 2014-06-12 Samsung R&D Institute Japan Co Ltd 電子線装置
US20140346350A1 (en) * 2013-05-23 2014-11-27 Tao Luo Multi-column Electron Beam Inspection that uses custom printing methods

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