KR20190107148A - 포토마스크 및 레티클 검사 및 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 멀티-컬럼 간격 - Google Patents

포토마스크 및 레티클 검사 및 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 멀티-컬럼 간격 Download PDF

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Abstract

스캐닝 전자 현미경(scanning electron microscopy; SEM) 시스템을 위한 멀티-컬럼 조립체가 개시된다. 멀티-컬럼 조립체는 하나 이상의 간격들에 의해 정의되는 어레이에 배열되는 복수의 전자-광학 컬럼들을 포함한다. 각각의 전자-광학 컬럼은 하나 이상의 전자-광학 요소들을 포함한다. 복수의 전자-광학 컬럼들은 스테이지 상에 고정된 샘플의 표면 상에 하나 이상의 필드 영역들을 특성화하도록 구성된다. 복수의 전자-광학 컬럼들 내의 전자-광학 컬럼들의 수는 하나 이상의 필드 영역들의 필드 영역 내의 검사 영역들의 정수 개수와 동일하다. 복수의 전자-광학 컬럼들의 하나 이상의 간격들은 검사 영역들의 하나 이상의 치수들에 대응한다.

Description

포토마스크 및 레티클 검사 및 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 멀티-컬럼 간격
본 출원은, 발명자들 Robert Haynes, Frank Chilese 및 Moshe Preil에 의해 2017년 2월 5일에 출원되고 발명의 명칭이 OPTIMUM MULTI-COLUMN PITCH SPACING FOR MASK INSPECTION AND WAFER LAYOUT FOR PRINT CHECK VERIFICATION인 미국 가특허 출원 일련번호 제62/454,807호에 대해 35 U.S.C. § 119(e) 하의 이익을 주장하며, 상기 출원은 그 전체가 참조로 본 명세서에서 통합된다.
본 발명은 일반적으로 포토마스크(photomask)/레티클(reticle) 및 웨이퍼 검사 및 검토에 관한 것이고, 더 상세하게는 포토마스크/레티클 검사 및 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 멀티-컬럼(multi-column) 간격에 관한 것이다.
반도체 디바이스들, 예를 들어, 로직 및 메모리 디바이스들의 제조는 통상적으로, 반도체 디바이스들의 다양한 피처들 및 다수의 층들을 형성하기 위해 많은 수의 반도체 제조 및 측정 프로세스들을 사용하여 반도체 디바이스를 프로세싱하는 것을 포함한다. 선택 제조 프로세스들은 웨이퍼와 같은 반도체 디바이스 상에 피처들을 인쇄하기 위해 포토마스크들/레티클들을 활용한다. 반도체 디바이스들이 측방향으로 점점 더 작아지고 수직으로 연장됨에 따라, 포토마스크/레티클 및 웨이퍼 검사 프로세스들의 감도 및 처리량을 증가시키기 위해 향상된 검사 및 검토 디바이스들 및 절차들을 개발하는 것이 중요해지고 있다.
반도체 디바이스들은 제조 프로세스들 동안 결함들을 전개시킬 수 있다. 검사 프로세스들은 견본 상의 결함들을 검출하기 위해 반도체 제조 프로세스 동안 다양한 단계들에서 수행된다. 검사 프로세스들은 집적 회로들과 같은 반도체 디바이스들을 제조하는 중요한 부분이다. 이러한 검사 프로세스들은, 반도체 디바이스들의 치수들이 감소됨에 따라 허용가능한 반도체 디바이스들을 성공적으로 제조하기 위해 더욱 더 중요해지고 있다. 심지어 비교적 작은 결함들조차도 반도체 디바이스들에 원치않는 수차들을 초래할 수 있기 때문에, 반도체 디바이스들의 치수들이 감소함에 따라 결함들의 검출은 훨씬 바람직하게 되었다.
하나의 검사 기술은 스캐닝 전자 현미경(SEM; scanning electron microscopy)과 같은 전자 빔 기반 검사를 포함한다. 일부 인스턴스들에서, 스캐닝 전자 현미경은 2차 전자 빔 수집(예를 들어, 2차 전자(SE) 이미징 시스템)을 통해 수행된다. 다른 인스턴스들에서, 스캐닝 전자 현미경은, 다수의 빔들을 개별적으로 튜닝 및 스캐닝하기 위해 단일의 전자 빔을 다수의 빔들로 분리하고 단일 전자-광학 컬럼을 활용함으로써 수행된다(예를 들어, 멀티-빔 SEM 시스템). 다른 인스턴스들에서, 스캐닝 전자 현미경은 증가된 수의 전자-광학 컬럼들을 포함하는 SEM 시스템을 통해 수행된다(예를 들어, 멀티-컬럼 SEM 시스템).
멀티-컬럼 SEM 시스템에서, 특정 전자-광학 컬럼에 의해 커버되는 전체 필드 영역의 부분이 작을수록, 각각의 전자-광학 컬럼으로부터 다시 함께 수집되는 이미지들을 스티치(stitch)하기 위해 필요한 전체 중첩은 더 커진다. 또한, 멀티-컬럼 SEM 시스템은 포토마스크/레티클 및 웨이퍼 둘 모두를 스캐닝하기 위한 능력을 포함하지 않을 수 있다. 추가로, 포토마스크/레티클 또는 웨이퍼의 높은 분해능 특성화를 위해 멀티-컬럼 SEM 시스템이 요구하는 전체 시간은 다수의 전자-광학 컬럼들의 수 및 이들 사이의 간격에 의존한다. 예를 들어, 모든 컬럼들의 전체 검사 영역이 포토마스크/레티클의 전체 필드 영역보다 크도록 다수의 전자-광학 컬럼들이 이격되면, 전체 필드 영역의 검사를 위해 요구되는 시간양은 증가되는데, 이는, 필드 영역 내의 컬럼들은 필드 영역 외부의 비-검사 컬럼들에 대해 구성할 더 많은 표면적을 검사해야 하기 때문이다. 다른 예로서, SEM 시스템의 주변 재료에 따라, 포토마스크/레티클 또는 웨이퍼의 표면은 포토마스크/레티클 또는 웨이퍼 전체 필드의 외부에 전자-광학 컬럼들의 노출로 인해 충전될 수 있고, 이는 결국 인접한 필드내 전자-광학 컬럼들과 간섭할 수 있다.
따라서, 전술된 단점들을 해결하는 시스템 및 방법을 제공하는 것이 유리할 것이다.
본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따라, 스캐닝 전자 현미경(SEM) 시스템을 위한 멀티-컬럼 조립체가 개시된다. 일 실시예에서, 멀티-컬럼 조립체는 하나 이상의 간격들에 의해 정의되는 어레이에 배열되는 복수의 전자-광학 컬럼들을 포함한다. 다른 실시예에서, 각각의 전자-광학 컬럼은 하나 이상의 전자-광학 요소들을 포함한다. 다른 실시예에서, 복수의 전자-광학 컬럼들은 스테이지 상에 고정된 샘플의 표면 상에 하나 이상의 필드 영역들을 특성화하도록 구성된다. 다른 실시예에서, 복수의 전자-광학 컬럼들 내의 전자-광학 컬럼들의 수는 하나 이상의 필드 영역들의 필드 영역 내의 검사 영역들의 정수 개수와 동일하다. 다른 실시예에서, 복수의 전자-광학 컬럼들의 하나 이상의 간격들은 검사 영역들의 하나 이상의 치수들에 대응한다.
본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따라, 스캐닝 전자 현미경(SEM) 시스템을 위한 멀티-컬럼 조립체가 개시된다. 일 실시예에서, 멀티-컬럼 조립체는 하나 이상의 간격들에 의해 정의되는 어레이에 배열되는 복수의 전자-광학 컬럼들을 포함한다. 다른 실시예에서, 각각의 전자-광학 컬럼은 하나 이상의 전자-광학 요소들을 포함한다. 다른 실시예에서, 특정 필드의 둘 이상의 인스턴스들은 스테이지 상에 고정된 샘플의 표면 상에 인쇄된다. 다른 실시예에서, 복수의 전자-광학 컬럼들 중 제1 전자-광학 컬럼은 특정 필드의 제1 인스턴스 내의 제1 검사 영역을 특성화하도록 구성된다. 다른 실시예에서, 복수의 전자-광학 컬럼들 중 적어도 추가적인 전자-광학 컬럼은 특정 필드의 적어도 추가적인 인스턴스 내의 적어도 추가적인 검사 영역을 특성화하도록 구성된다. 다른 실시예에서, 적어도 추가적인 검사 영역은 제1 검사 영역과 상이한 특정 필드 부분이다.
본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따라, 멀티-컬럼 스캐닝 전자 현미경(SEM) 시스템이 개시된다. 일 실시예에서, 멀티-컬럼 SEM 시스템은 복수의 전자 빔들을 생성하도록 구성된 복수의 전자 빔 소스들을 포함하는 전자 빔 소스 조립체를 포함한다. 다른 실시예에서, 멀티-컬럼 SEM 시스템은 샘플을 고정하도록 구성된 스테이지를 포함한다. 다른 실시예에서, 멀티-컬럼 SEM 시스템은 멀티-컬럼 조립체를 포함한다. 다른 실시예에서, 멀티-컬럼 조립체는 하나 이상의 간격들에 의해 정의되는 어레이에 배열되는 복수의 전자-광학 컬럼들을 포함한다. 다른 실시예에서, 각각의 전자-광학 컬럼은 하나 이상의 전자-광학 요소들을 포함한다. 다른 실시예에서, 복수의 전자-광학 컬럼들은 스테이지 상에 고정된 샘플의 표면 상에 하나 이상의 필드 영역들을 특성화하도록 구성된다. 다른 실시예에서, 복수의 전자-광학 컬럼들 내의 전자-광학 컬럼들의 수는 하나 이상의 필드 영역들의 필드 영역 내의 검사 영역들의 정수 개수와 동일하다. 다른 실시예에서, 복수의 전자-광학 컬럼들의 하나 이상의 간격들은 검사 영역들의 하나 이상의 치수들에 대응한다. 다른 실시예에서, 복수의 전자-광학 컬럼들의 각각의 전자-광학 컬럼은 복수의 전자 빔들의 전자 빔을 수신한다. 다른 실시예에서, 복수의 전자-광학 컬럼들은 복수의 전자 빔들을 샘플의 표면에 지향시킨다. 다른 실시예에서, 샘플은 복수의 전자 빔들 중 적어도 하나의 전자 빔에 응답하여 전자들을 방출 또는 산란시킨다. 다른 실시예에서, 복수의 전자-광학 컬럼들 중 적어도 하나의 전자-광학 컬럼은 방출된 또는 산란된 전자들 중 적어도 일부를 검출한다.
본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따라, 멀티-컬럼 스캐닝 전자 현미경(SEM) 시스템이 개시된다. 일 실시예에서, 멀티-컬럼 SEM 시스템은 복수의 전자 빔들을 생성하도록 구성된 복수의 전자 빔 소스들을 포함하는 전자 빔 소스 조립체를 포함한다. 다른 실시예에서, 멀티-컬럼 SEM 시스템은 샘플을 고정하도록 구성된 스테이지를 포함한다. 다른 실시예에서, 멀티-컬럼 SEM 시스템은 멀티-컬럼 조립체를 포함한다. 다른 실시예에서, 멀티-컬럼 조립체는 하나 이상의 간격들에 의해 정의되는 어레이에 배열되는 복수의 전자-광학 컬럼들을 포함한다. 다른 실시예에서, 각각의 전자-광학 컬럼은 하나 이상의 전자-광학 요소들을 포함한다. 다른 실시예에서, 특정 필드의 둘 이상의 인스턴스들은 스테이지 상에 고정된 샘플의 표면 상에 인쇄된다. 다른 실시예에서, 복수의 전자-광학 컬럼들 중 제1 전자-광학 컬럼은 특정 필드의 제1 인스턴스 내의 제1 검사 영역을 특성화하도록 구성된다. 다른 실시예에서, 복수의 전자-광학 컬럼들 중 적어도 추가적인 전자-광학 컬럼은 특정 필드의 적어도 추가적인 인스턴스 내의 적어도 추가적인 검사 영역을 특성화하도록 구성된다. 다른 실시예에서, 적어도 추가적인 검사 영역은 제1 검사 영역과 상이한 특정 필드 부분이다. 다른 실시예에서, 복수의 전자-광학 컬럼들의 각각의 전자-광학 컬럼은 복수의 전자 빔들의 전자 빔을 수신한다. 다른 실시예에서, 복수의 전자-광학 컬럼들은 복수의 전자 빔들을 샘플의 표면에 지향시킨다. 다른 실시예에서, 샘플은 복수의 전자 빔들 중 적어도 하나의 전자 빔에 응답하여 전자들을 방출 또는 산란시킨다. 다른 실시예에서, 복수의 전자-광학 컬럼들 중 적어도 하나의 전자-광학 컬럼은 방출된 또는 산란된 전자들 중 적어도 일부를 검출한다.
본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 방법이 개시된다. 일 실시예에서, 방법은, 하나 이상의 간격들에 의해 정의되는 어레이에 배열된 멀티-컬럼 스캐닝 전자 현미경(SEM) 검토 툴의 복수의 전자-광학 컬럼들을 통해 샘플의 표면 상의 하나 이상의 필드 영역들을 특성화하는 단계를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 실시예에서, 각각의 전자-광학 컬럼은 하나 이상의 전자-광학 요소들을 포함한다. 다른 실시예에서, 복수의 전자-광학 컬럼들 내의 전자-광학 컬럼들의 수는 하나 이상의 필드 영역들의 필드 영역 내의 검사 영역들의 정수 개수와 동일하다. 다른 실시예에서, 복수의 전자-광학 컬럼들의 하나 이상의 간격들은 검사 영역들의 하나 이상의 치수들에 대응한다.
본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 방법이 개시된다. 일 실시예에서, 방법은, 하나 이상의 간격들에 의해 정의되는 어레이에 배열된 멀티-컬럼 스캐닝 전자 현미경(SEM) 검토 툴의 복수의 전자-광학 컬럼들을 통해 샘플의 표면 상에 인쇄된 특정 영역의 둘 이상의 인스턴스들을 특성화하는 단계를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 실시예에서, 각각의 전자-광학 컬럼은 하나 이상의 전자-광학 요소들을 포함한다. 다른 실시예에서, 복수의 전자-광학 컬럼들 중 제1 전자-광학 컬럼은 특정 필드의 제1 인스턴스 내의 제1 검사 영역을 특성화하도록 구성된다. 다른 실시예에서, 복수의 전자-광학 컬럼들 중 적어도 추가적인 전자-광학 컬럼은 특정 필드의 적어도 추가적인 인스턴스 내의 적어도 추가적인 검사 영역을 특성화하도록 구성된다. 다른 실시예에서, 적어도 추가적인 검사 영역은 제1 검사 영역과 상이한 특정 필드 부분이다.
본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 방법이 개시된다. 일 실시예에서, 방법은 샘플의 표면 상의 하나 이상의 필드 영역들의 하나 이상의 치수들을 결정하는 단계를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 실시예에서, 방법은 하나 이상의 필드 영역들의 하나 이상의 치수들에 기초하여 멀티-컬럼 스캐닝 전자 현미경(SEM) 검토 툴의 복수의 전자-광학 컬럼들에 대한 하나 이상의 간격들을 결정하는 단계를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 실시예에서, 방법은 하나 이상의 필드 영역들에서 검사 영역들의 정수 개수를 정의하는 단계를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 실시예에서, 복수의 전자-광학 컬럼들 내의 전자-광학 컬럼들의 수는 하나 이상의 필드 영역들의 필드 영역 내의 검사 영역들의 정수 개수와 동일하다. 다른 실시예에서, 복수의 전자-광학 컬럼들의 하나 이상의 간격들은 검사 영역들의 하나 이상의 치수들에 대응한다.
본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 방법이 개시된다. 일 실시예에서, 방법은 샘플의 표면 상에 인쇄된 특정 영역의 둘 이상의 인스턴스들의 하나 이상의 치수들을 결정하는 단계를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 실시예에서, 방법은 샘플의 표면 상에 인쇄된 하나 이상의 필드들의 하나 이상의 치수들에 기초하여 멀티-컬럼 스캐닝 전자 현미경(SEM) 검토 툴의 복수의 전자-광학 컬럼들에 대한 하나 이상의 간격들을 결정하는 단계를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 실시예에서, 방법은 샘플의 표면 상에 인쇄된 특정 영역의 둘 이상의 인스턴스들에서 복수의 검사 영역들을 정의하는 단계를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 실시예에서, 복수의 전자-광학 컬럼들 중 제1 전자-광학 컬럼은 특정 필드의 제1 인스턴스 내의 제1 검사 영역을 특성화하도록 구성된다. 다른 실시예에서, 복수의 전자-광학 컬럼들 중 적어도 추가적인 전자-광학 컬럼은 특정 필드의 적어도 추가적인 인스턴스 내의 적어도 추가적인 검사 영역을 특성화하도록 구성된다. 다른 실시예에서, 적어도 추가적인 검사 영역은 제1 검사 영역과 상이한 특정 필드 부분이다.
본 개시의 다수의 이점들은 첨부된 도면들을 참조하여 당업자들에 의해 더 양호하게 이해될 수 있다.
도 1a는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 멀티-컬럼 간격 패턴을 도시하는 단순화된 블록도를 예시한다.
도 1b는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 멀티-컬럼 간격을 도시하는 단순화된 블록도를 예시한다. 도 1c는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 멀티-컬럼 간격을 도시하는 단순화된 블록도를 예시한다. 도 2는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 포토마스크/레티클 검사를 위한 멀티-컬럼 간격을 도시하는 단순화된 블록도를 예시한다.
도 3은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 포토마스크/레티클 검사를 위한 멀티-컬럼 간격을 도시하는 단순화된 블록도를 예시한다.
도 4a는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 멀티-컬럼 간격을 도시하는 단순화된 블록도를 예시한다.
도 4b는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 멀티-컬럼 간격으로부터 생성된 합성 필드의 단순화된 블록도를 예시한다.
도 5a는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 포토마스크/레티클 검사를 위한 멀티-컬럼 간격을 결정하기 위한 방법을 도시하는 프로세스 흐름도를 예시한다.
도 5b는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 포토마스크/레티클 검사를 위한 멀티-컬럼 간격을 결정하기 위한 방법을 도시하는 프로세스 흐름도를 예시한다.
도 5c는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 멀티-컬럼 간격을 결정하기 위한 방법을 도시하는 프로세스 흐름도를 예시한다.
도 5d는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 포토마스크/레티클 검사를 위한 선택 멀티-컬럼 간격을 포함하는 스캐닝 전자 현미경(SEM) 검토 툴로 포토마스크/레티클 필드를 검사하기 위한 방법을 도시하는 프로세스 흐름도를 예시한다.
도 5e는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 포토마스크/레티클 검사를 위한 선택 멀티-컬럼 간격을 포함하는 스캐닝 전자 현미경(SEM) 검토 툴로 포토마스크/레티클 필드를 검사하기 위한 방법을 도시하는 프로세스 흐름도를 예시한다.
도 5f는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 선택 멀티-컬럼 간격을 포함하는 스캐닝 전자 현미경(SEM) 검토 툴을 통해 획득된 하나 이상의 검사 이미지들로부터 합성 필드를 생성하기 위한 방법을 도시하는 프로세스 흐름도를 예시한다.
도 6a는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 포토마스크/레티클 검사를 위한 선택 멀티-컬럼 간격을 포함하는 멀티-컬럼 스캐닝 전자 현미경(SEM) 검토 툴을 생성하기 위한 방법을 도시하는 프로세스 흐름도를 예시한다.
도 6b는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 선택 멀티-컬럼 간격을 포함하는 멀티-컬럼 스캐닝 전자 현미경(SEM) 검토 툴을 생성하기 위한 방법을 도시하는 프로세스 흐름도를 예시한다.
도 6c는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 선택 멀티-컬럼 간격을 포함하는 멀티-컬럼 스캐닝 전자 현미경(SEM) 검토 툴을 생성하기 위한 방법을 도시하는 프로세스 흐름도를 예시한다.
도 7a는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 포토마스크/레티클 검사 또는 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 멀티-컬럼 간격으로 구성된 특성화 툴의 전자-광학 컬럼의 단순화된 블록도를 예시한다.
도 7b는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 포토마스크/레티클 검사 또는 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 멀티-컬럼 간격으로 구성된 특성화 툴의 단순화된 블록도를 예시한다.
도 7c는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 포토마스크/레티클 검사 또는 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 멀티-컬럼 간격으로 구성된 특성화 툴의 단순화된 블록도를 예시한다.
도 7d는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 포토마스크/레티클 검사 또는 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 멀티-컬럼 간격으로 구성된 특성화 툴의 단순화된 블록도를 예시한다.
도 7e는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 포토마스크/레티클 검사 또는 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 멀티-컬럼 간격으로 구성된 제어기 및 특성화 툴을 포함하는 특성화 시스템의 단순화된 블록도를 예시한다.
이제 첨부된 도면들에서 예시되는 개시된 요지에 대해 상세히 참조할 것이다.
도 1a 내지 도 7e를 일반적으로 참조하면, 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 포토마스크/레티클 검사 및 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 멀티-컬럼 간격이 설명된다.
본 개시의 실시예들은 포토마스크/레티클 검사 및 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 멀티-컬럼 간격에 관한 것이다. 본 개시의 실시예들은 또한 포토마스크/레티클 검사 및 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 멀티-컬럼 간격을 결정하는 방법에 관한 것이다. 본 개시의 실시예들은 또한 포토마스크/레티클 검사 및 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 멀티-컬럼 간격으로 구성된 특성화 툴 및 특성화 시스템에 관한 것이다.
도 1a 내지 도 1c는 일반적으로 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 멀티-컬럼 간격을 도시하는 단순화된 블록도를 예시한다.
일 실시예에서, 포토마스크/레티클 또는 웨이퍼의 필드는 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(102)의 어레이를 통해 검사된다. 예를 들어, 도 1a에 예시된 바와 같이, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(102)의 어레이(100)는 m x 1 패턴을 포함할 수 있다. 다른 예를 들어, 도 1b에 예시된 바와 같이, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(102)의 어레이(110)는 1 x n 패턴을 포함할 수 있다. 다른 예를 들어, 도 1c에 예시된 바와 같이, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(102)의 어레이(120)는 m x n 패턴을 포함할 수 있다. 본 명세서에서, "전자-광학 컬럼" 및 "전자 빔 컬럼"은 본 개시의 목적들을 위해 동의어로 고려될 수 있음에 유의한다.
다른 실시예에서, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(102)은 선택된 간격에 의해 분리된다. 예를 들어, 인접한 전자-광학 컬럼들(102) 사이의 선택된 간격은 제1 방향 및/또는 제1 방향과 상이한 제2 방향에서 동일할 수 있다. 다른 예를 들어, 인접한 전자-광학 컬럼들(102) 사이의 선택된 간격은 제1 방향 및/또는 제1 방향과 상이한 제2 방향에서 실질적으로 동일할 수 있다. 다른 예를 들어, 인접한 전자-광학 컬럼들(102)의 적어도 하나의 세트 사이의 선택된 간격은 제1 방향 및/또는 제1 방향과 상이한 제2 방향에서 인접한 전자-광학 컬럼들(102)의 적어도 제2 세트 사이의 간격과 상이할 수 있다. 본 명세서에서, "간격" 및 "피치 간격"은 본 개시의 목적들을 위해 동의어로 고려될 수 있음에 유의한다.
다른 예에서, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(102)의 어레이는 포토마스크/레티클 또는 웨이퍼의 필드를 둘 이상의 검사 영역들(104)로 분리한다. 다른 실시예에서, 둘 이상의 검사 영역들(104)은 y-성분 및 x-성분을 갖는 하나 이상의 치수들의 세트를 포함한다. 예를 들어, 둘 이상의 검사 영역들(104)은 크기에서 동일할 수 있다. 다른 예를 들어, 둘 이상의 검사 영역들(104)은 크기에서 실질적으로 동일할 수 있다. 다른 예를 들어, 제1 검사 영역(104)은 제2 검사 영역(104)과 크기에서 상이할 수 있다. 일반적으로, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(102)의 어레이는 포토마스크/레티클 또는 웨이퍼의 필드를 임의의 수의 검사 영역들(104)로 분리하는 임의의 수의 전자-광학 컬럼들(102)을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 설명은 본 개시의 범주에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
다른 실시예에서, 제1 방향 및/또는 제2 방향에서 선택된 간격은 둘 이상의 검사 영역들(104)의 치수들의 세트에 대응한다. 예를 들어, 제1 방향 및/또는 제2 방향에서 선택된 간격은 둘 이상의 검사 영역들(104)의 하나 이상의 치수들의 세트와 동일하거나 실질적으로 동일할 수 있다. 그러나, 본 명세서에서, 제1 방향 및/또는 제2 방향에서 선택된 간격은 둘 이상의 검사 영역들(104)의 치수들의 세트에 대응함(예를 들어, 상이함)에 유의한다. 따라서, 상기 설명은 본 개시의 범주에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
본 명세서에서, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(102)의 행들 및/또는 컬럼들은, 둘 이상의 검사 영역들(104)이 특정한 행-컬럼 교차점에 기초하여 매핑 및/또는 배열될 수 있도록 라벨링될 수 있음에 유의한다. 또한, 본 개시의 실시예들은 특정한 검사 영역들(104)에 관한 것이고, 전자-광학 컬럼들(102)에 각각 주어진 라벨들에 기초하여 라벨링되며, 본 명세서에서, 특정 검사 영역들(104)은 당업계에 공지된 임의의 라벨링 방식을 통해 라벨링될 수 있음에 유의한다. 따라서, 상기 설명은 본 개시의 범주에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
다른 실시예에서, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(102) 각각은 둘 이상의 검사 영역들(104) 중 특정 검사 영역(104)을 검사한다. 예를 들어, 둘 이상의 검사 영역들(104)은, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(102) 각각이 특정 영역을 단독으로 검사하도록, 어떠한 중첩도 포함하지 않을 수 있다. 다른 예를 들어, 둘 이상의 검사 영역들(104)은, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(102) 중 적어도 2개가 포토마스크/레티클의 필드의 일부분을 리스캐닝(re-scan)할 수 있도록 선택된 양의 중첩을 포함할 수 있다. 이와 관련하여, 검사 영역들(104)은 이미지들의 후처리 동안 다시 함께 스티치될 수 있다. 본 명세서에서, 중첩 양은 검사의 이미지 수집 단계 및/또는 검사의 이미지 후처리 단계 동안 검사 시간을 최소화하도록 선택될 수 있음에 유의한다.
본 명세서에서, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(102)은 둘 이상의 검사 영역들(104)을 동시에, 실질적으로 동시에, 또는 순차적인 순서로 검사할 수 있음에 유의한다. 또한, 본 명세서에서, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(102)은 당업계에 공지된 임의의 패턴을 통해 특정 검사 영역(104)을 검사할 수 있음에 유의한다. 추가로, 본 개시의 실시예들은 특정 검사 영역(104)의 최상부-좌측에서 각각 시작하는 전자-광학 컬럼들(102)에 관한 것이지만, 본 명세서에서, 전자-광학 컬럼들(102)은 특정 검사 영역(104) 내의 임의의 위치에서 시작할 수 있음에 유의한다. 따라서, 상기 설명은 본 개시의 범주에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
도 2는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 포토마스크/레티클 검사를 위한 멀티-컬럼 간격을 도시하는 단순화된 블록도를 예시한다. 일 실시예에서, 포토마스크/레티클의 전체 필드(200)는 y-성분(202) 및 x-성분(204)을 갖는 하나 이상의 치수들의 세트를 포함한다. 다른 실시예에서, 전체 필드(200)는 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(206)의 어레이에 의해 단일 필드로서 검사된다. 다른 예에서, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(206)의 어레이는 포토마스크/레티클의 전체 필드(200)를 둘 이상의 검사 영역들(208)로 분리한다. 다른 실시예에서, 둘 이상의 검사 영역들(208)은 y-성분(210) 및 x-성분(212)을 갖는 하나 이상의 치수들의 세트를 포함하고, 여기서 y-성분(210) 및 x-성분(212)은 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(206) 사이의 간격에 의존한다. 예를 들어, 둘 이상의 검사 영역들(208)은 크기에서 동일할 수 있다. 다른 예를 들어, 둘 이상의 검사 영역들(208)은 크기에서 실질적으로 동일할 수 있다. 다른 예를 들어, 제1 검사 영역(208)은 제2 검사 영역(208)과 크기에서 상이할 수 있다.
다른 실시예에서, 제1 방향 및/또는 제2 방향에서 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(206) 사이의 간격은 둘 이상의 검사 영역들(208)의 치수들의 세트에 대응한다. 예를 들어, 제1 방향 및/또는 제2 방향에서 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(206) 사이의 간격은 둘 이상의 검사 영역들(208)의 하나 이상의 치수들의 세트와 동일하거나 실질적으로 동일할 수 있다. 그러나, 본 명세서에서, 제1 방향 및/또는 제2 방향에서 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(206) 사이의 간격은 둘 이상의 검사 영역들(208)의 치수들의 세트에 대응함(예를 들어, 상이함)에 유의한다. 따라서, 상기 설명은 본 개시의 범주에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
일 인스턴스에서, 포토마스크/레티클의 전체 필드(200)는 104.0 mm의 y-성분(202) 및 132.0 mm의 x-성분(204)을 갖는 하나 이상의 치수들의 세트를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 어레이는 포토마스크/레티클의 전체 필드(200)를 30개의 검사 영역들(208)로 분리하는 30개의 전자-광학 컬럼들(206)의 5 x 6 그리드를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 30개의 검사 영역들(208)은 20.8 mm(예를 들어, 104.0 mm/5의 전자-광학 컬럼들(206))의 y-성분(210) 및 22.0 mm(예를 들어, 132.0 mm/6의 전자-광학 컬럼들(206))의 x-성분(212)을 갖는 하나 이상의 치수들의 세트를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 본 명세서에서, 30개의 전자-광학 컬럼들(206)의 5개의 행들은 A-E로 라벨링될 수 있고, 30개의 전자-광학 컬럼들(206)의 6개의 컬럼들은 1-6으로 라벨링될 수 있어서, 30개의 검사 영역들(208)은 A1-E6으로 라벨링될 수 있음에 유의한다.
본 개시의 실시예들은, 각각의 전자-광학 컬럼(206)에 의해 검사되는 검사 영역(208)이 어떠한 중첩도 포함하지 않도록 전자-광학 컬럼들(206)의 어레이 내의 간격이 선택되는 것을 예시하지만, 본 명세서에서, 검사 영역들(208)의 이미지들을 함께 스티치하기 위해 일부 중첩이 구현될 수 있음에 유의한다. 예를 들어, 20-mm 간격을 갖는 각각의 전자-광학 컬럼(206)은 20.1 mm 제곱의 영역을 검사할 수 있고, 여기서 여분의 0.1 mm 제곱의 영역은 섹션화되고 최대 4개의 인접 검사 영역들(208)에 의해 중첩된다. 그러나, 중첩하는 섹션들의 사용 없이 검사 영역들(208)의 이미지들을 함께 스티치하는 것이 가능할 수 있다고 고려된다. 따라서, 상기 설명은 본 개시의 범주에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
도 3은 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 포토마스크/레티클 검사를 위한 멀티-컬럼 간격을 도시하는 단순화된 블록도를 예시한다. 일 실시예에서, 포토마스크/레티클의 전체 필드(200)는 둘 이상의 필드 영역들로 분리되고, 여기서 둘 이상의 필드 영역들은 순차적으로 검사된다. 예를 들어, 둘 이상의 필드 영역들은 크기에서 동일할 수 있다. 다른 예를 들어, 둘 이상의 필드 영역들은 크기에서 실질적으로 동일할 수 있다. 다른 예를 들어, 제1 필드 영역은 제2 필드 영역과 크기에서 상이할 수 있다. 일 인스턴스에서, 전체 필드(200)는 4개의 필드 영역들(또는 사분면들)(300, 320, 340, 360)로 세그먼트화될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 본 명세서에서, 전체 필드(200)의 필드 영역(300)으로 의도된 하기 실시예들은 전체 필드(200)의 필드 영역들(320, 340, 360) 중 임의의 것에 관한 것일 수 있음에 유의한다.
다른 실시예에서, 전체 필드(200)의 필드 영역(300)은 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(306)의 어레이에 의해 검사된다. 다른 예에서, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(306)의 어레이는 포토마스크/레티클의 필드 영역(300)을 둘 이상의 검사 영역들(308)로 분리한다. 다른 실시예에서, 둘 이상의 검사 영역들(308)은 y-성분(310) 및 x-성분(312)을 갖는 하나 이상의 치수들의 세트를 포함하고, 여기서 y-성분(310) 및 x-성분(312)은 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(306) 사이의 간격에 의존한다. 예를 들어, 둘 이상의 검사 영역들(308)은 크기에서 동일할 수 있다. 다른 예를 들어, 둘 이상의 검사 영역들(308)은 크기에서 실질적으로 동일할 수 있다. 다른 예를 들어, 제1 검사 영역(308)은 제2 검사 영역(308)과 크기에서 상이할 수 있다.
다른 실시예에서, 제1 방향 및/또는 제2 방향에서 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(306) 사이의 간격은 둘 이상의 검사 영역들(308)의 치수들의 세트에 대응한다. 예를 들어, 제1 방향 및/또는 제2 방향에서 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(306) 사이의 간격은 둘 이상의 검사 영역들(308)의 하나 이상의 치수들의 세트와 동일하거나 실질적으로 동일할 수 있다. 그러나, 본 명세서에서, 제1 방향 및/또는 제2 방향에서 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(306) 사이의 간격은 둘 이상의 검사 영역들(308)의 치수들의 세트에 대응함(예를 들어, 상이함)에 유의한다. 따라서, 상기 설명은 본 개시의 범주에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
일 인스턴스에서, 전체 필드(200)의 필드 영역(300)은 52.0 mm의 y-성분(302)(예를 들어, 전체 필드(200)의 y-성분(202)의 절반) 및 66.0 mm의 x-성분(304)(예를 들어, 전체 필드(200)의 x-성분(204)의 절반)을 갖는 하나 이상의 치수들의 세트를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 어레이는 전체 필드(200)의 필드 영역(300)을 30개의 검사 영역들(308)로 분리하는 30개의 전자-광학 컬럼들(306)의 5 x 6 그리드를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 30개의 검사 영역들(308)은 10.4 mm(예를 들어, 52.0 mm/5의 전자-광학 컬럼들(306))의 y-성분(310) 및 11.0 mm(예를 들어, 66.0 mm/6의 전자-광학 컬럼들(306))의 x-성분(312)을 갖는 하나 이상의 치수들의 세트를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 본 명세서에서, 30개의 전자-광학 컬럼들(306)의 5개의 행들은 A-E로 라벨링될 수 있고, 30개의 전자-광학 컬럼들(306)의 6개의 컬럼들은 1-6으로 라벨링될 수 있어서, 30개의 검사 영역들(308)은 A1-E6으로 라벨링될 수 있음에 유의한다.
본 개시의 실시예들은, 각각의 컬럼(306)에 의해 검사되는 검사 영역(308)이 어떠한 중첩도 포함하지 않도록 전자-광학 컬럼들(306)의 어레이 내의 간격이 선택되는 것을 예시하지만, 본 명세서에서, 검사 영역들(308)의 이미지들을 함께 스티치하기 위해 일부 중첩이 구현될 수 있음에 유의한다. 예를 들어, 20-mm 간격을 갖는 전자-광학 컬럼(306)은 20.1 mm 제곱의 영역을 검사할 수 있고, 여기서 여분의 0.1 mm 제곱의 영역은 섹션화되고 최대 4개의 인접 검사 영역들(308)에 의해 중첩된다. 그러나, 중첩하는 섹션들의 사용 없이 검사 영역들(308)의 이미지들을 함께 스티치하는 것이 가능할 수 있다고 고려된다. 따라서, 상기 설명은 본 개시의 범주에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
다른 실시예에서, 필드 영역(300)이 전자-광학 컬럼들(306)의 어레이에 의해 검사되면, 전자-광학 컬럼들(306)의 어레이는 순차적으로 다른 필드 영역들을 검사한다. 예를 들어, 전자-광학 컬럼들(306)의 어레이는 필드 영역(300)을 검사할 수 있고, 그 다음 필드 영역(320)을 검사할 수 있고, 그 다음 필드 영역(340)을 검사할 수 있고, 그 다음, 필드 영역(360)을 검사할 수 있다. 다른 예를 들어, 전자-광학 컬럼들(306)의 어레이는 필드 영역들(300, 320, 340 및 360)을 대안적인 순서로 검사할 수 있다.
도 4a 및 도 4b는 일반적으로 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 멀티-컬럼 간격을 도시하는 단순화된 블록도를 예시한다.
일 실시예에서, 웨이퍼의 인쇄 영역(400)은 y-성분(402) 및 x-성분(404)을 갖는 하나 이상의 치수들의 세트를 포함한다. 다른 실시예에서, 포토마스크/레티클 필드는 감소비에 기초하여 인쇄 영역(400)에서 1회 이상 인쇄된다. 예를 들어, 감소비는 1:1 , 2:1 , 4:1 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 예를 들어, 포토마스크/레티클 필드는 4:1 감소비로 인쇄 영역(400)에서 16회 인쇄될 수 있다. 다른 실시예에서, 포토마스크/레티클 필드를 인쇄 영역(400)에 인쇄하는 것은 둘 이상의 필드 영역들(406)을 생성한다. 다른 실시예에서, 둘 이상의 필드 영역들(406)은 y-성분(408) 및 x-성분(410)을 갖는 하나 이상의 치수들의 세트를 포함한다. 예를 들어, 둘 이상의 필드 영역들(406)은 크기에서 동일할 수 있다. 다른 예를 들어, 둘 이상의 필드 영역들(406)은 크기에서 실질적으로 동일할 수 있다. 다른 예를 들어, 제1 필드 영역(406)은 제2 필드 영역(406)과 크기에서 상이할 수 있다. 본 명세서에서, 둘 이상의 필드 영역들(506)은 동일하거나 실질적으로 유사할 수 있음에 유의한다.
다른 실시예에서, 인쇄 영역(400)은 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(412)의 어레이에 의해 검사된다. 다른 예에서, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(412)의 어레이는 인쇄 영역(400)을 둘 이상의 검사 영역들(414)로 분리한다. 다른 실시예에서, 둘 이상의 검사 영역들(414)은 y-성분(416) 및 x-성분(418)을 갖는 하나 이상의 치수들의 세트를 포함하고, 여기서 y-성분(416) 및 x-성분(418)은 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(412) 사이의 간격에 의존한다. 예를 들어, 둘 이상의 검사 영역들(414)은 크기에서 동일할 수 있다. 다른 예를 들어, 둘 이상의 검사 영역들(414)은 크기에서 실질적으로 동일할 수 있다. 다른 예를 들어, 제1 검사 영역(414)은 제2 검사 영역(414)과 크기에서 상이할 수 있다.
다른 실시예에서, 제1 방향 및/또는 제2 방향에서 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(412) 사이의 간격은 둘 이상의 검사 영역들(414)의 치수들의 세트에 대응한다. 예를 들어, 제1 방향 및/또는 제2 방향에서 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(412) 사이의 간격은 둘 이상의 검사 영역들(414)의 하나 이상의 치수들의 세트와 동일하거나 실질적으로 동일할 수 있다. 그러나, 본 명세서에서, 제1 방향 및/또는 제2 방향에서 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(412) 사이의 간격은 둘 이상의 검사 영역들(414)의 치수들의 세트에 대응함(예를 들어, 상이함)에 유의한다. 따라서, 상기 설명은 본 개시의 범주에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
다른 실시예에서, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(412)의 어레이는 제1 인쇄 영역(406) 내의 둘 이상의 검사 영역들(414)의 선택 검사 영역들 및 적어도 제2 선택 필드 영역(406) 내의 둘 이상의 검사 영역들(414)의 선택 검사 영역들을 실질적으로 동시에 특성화한다. 다른 실시예에서, 둘 이상의 검사 영역들(414)의 각각의 검사 영역(414)은 특정 인쇄 영역(406)의 경계들 내에 위치된다(예를 들어, 인접 인쇄 영역들(406) 사이의 경계선을 가로지르지 않는다). 그러나, 둘 이상의 검사 영역들(414) 중 적어도 하나의 검사 영역(414)은 인접한 인쇄 영역들(406) 사이의 경계를 가로지를 수 있음에 유의한다. 따라서, 상기 설명은 본 개시의 범주에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
도 4b는, 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따라, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(412)에 의해 스캐닝되고 웨이퍼의 인쇄 영역(400) 내의 둘 이상의 필드 영역들(406)에 걸쳐 확산되는 둘 이상의 검사 영역들(414)로 파퓰레이트된 합성 전체 필드(420)를 예시한다. 일 실시예에서, 합성 전체 필드(420)는, 검사 영역들(414)의 전체 영역이 단일 필드 영역(406)의 치수들과 동일하기 때문에, y-성분(408) 및 x-성분(410)을 갖는 하나 이상의 치수들의 세트를 포함한다. 다른 실시예에서, 30개의 검사된 영역들(414)은 필드 영역들(406) 내의 자신들의 위치에 기초하여 합성 전체 필드(420)에서 조직화되고, 각각의 검사 영역(414)은 y-성분(408) 및 x-성분(410)을 갖는 하나 이상의 치수들의 세트를 포함한다.
본 개시의 실시예들은, 각각의 전자-광학 컬럼(412)에 의해 검사되는 검사 영역(414)이 어떠한 중첩도 포함하지 않도록 전자-광학 컬럼들(412)의 어레이 내의 간격이 선택되는 것을 예시하지만, 본 명세서에서, 검사 영역들(414)의 이미지들을 함께 스티치하기 위해 일부 중첩이 구현될 수 있음에 유의한다. 예를 들어, 20-mm 간격을 갖는 전자-광학 컬럼(412)은 20.1 mm 제곱의 영역을 검사할 수 있고, 여기서 여분의 0.1 mm 제곱의 영역은 섹션화되고 최대 4개의 인접 검사 영역들(208)에 의해 중첩된다. 그러나, 중첩하는 섹션들의 사용 없이 검사 영역들(414)의 이미지들을 함께 스티치하는 것이 가능할 수 있다고 고려된다. 따라서, 상기 설명은 본 개시의 범주에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
일 인스턴스에서, 인쇄 영역(400)은 104.0 mm의 y-성분(402) 및 132.0 mm의 x-성분(404)을 갖는 하나 이상의 치수들의 세트를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 104.0 mm의 y-성분 및 132.0 mm의 x-성분을 갖는 포토마스크/레티클 필드 영역은 4:1 감소비로 인쇄 영역(400) 상에 인쇄될 수 있어서, 포토마스크/레티클 필드는 인쇄 영역(400)에서 16개의 필드 영역들(406)로서 인쇄된다. 각각의 필드 영역(406)은 26.0 mm의 y-성분(408) 및 32.0 mm의 x-성분(410)을 포함할 수 있다. 어레이는 30개의 전자-광학 컬럼들(412)의 5 x 6 그리드를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 16개의 필드 영역들(406) 각각은 30개의 검사 영역들(414)로 분리될 수 있고, 여기서 각각의 검사 영역(414)은 5.2 mm(예를 들어, 26.0 mm/5의 전자-광학 컬럼들)의 y-성분(416) 및 5.3 mm(예를 들어, 32.0 mm/6의 전자-광학 컬럼들)의 x-성분(418)을 갖는 하나 이상의 치수들의 세트를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
30개의 검사 영역들(414)은 16개의 필드 영역들(406) 전반에 걸쳐 확산될 수 있다. 30개의 전자-광학 컬럼들(412) 각각은 다수의 검사 이미지들을 단일 이미지로 함께 스티치하기 위해 필요한 중첩을 포함하지 않는 30개의 검사 영역들(414)의 상이한 검사 영역(414)을 검사할 수 있다. 본 명세서에서, 30개의 전자-광학 컬럼들(412)의 5개의 행들은 A-E로 라벨링될 수 있고, 30개의 전자-광학 컬럼들(412)의 6개의 컬럼들은 1-6으로 라벨링될 수 있어서, 30개의 영역들(414)은 A1-E6으로 라벨링될 수 있음에 유의한다.
30개의 검사 영역들(414)은 인쇄된 패턴에서 이들의 위치에 기초하여 합성 전체 필드(420)로 조직화될 수 있다. 예를 들어, 도 4a에 예시된 바와 같이 16개의 필드 영역들(406) 내의 30개의 전자-광학 컬럼들(412)의 배열로 인해, 검사 영역(B4)은 (도 2 및 도 3에 예시된 바와 같이 검사 영역 A1이 검사된 필드의 최상부 좌측 코너에 있는 것에 비해) 도 4b의 합성 전체 필드(420)의 최상부 좌측 코너에 있다.
도 5a는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 포토마스크/레티클 검사를 위한 멀티-컬럼 간격을 결정하기 위한 방법(500)을 예시한다.
단계(502)에서, 포토마스크/레티클 필드의 하나 이상의 치수들이 결정된다. 일 실시예에서, 하나 이상의 치수들은 x-성분 및 y-성분을 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 치수들은 포토마스크/레티클에 대한 설계 데이터로부터 포착된다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 치수들은 하나 이상의 측정들을 통해 포착된다.
단계(504)에서, 다수의 전자-광학 컬럼들이 선택된다. 일 실시예에서, 전자-광학 컬럼들의 수는 둘 이상의 전자-광학 컬럼들을 포함한다. 다른 실시예에서, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들에 대한 패턴이 선택된다. 예를 들어, 패턴은 1 x m 어레이, n x 1 어레이 또는 m x n 어레이를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 실시예에서, 패턴은 포토마스크/레티클 필드를 검사하기 위해 필요한 시간양을 최소화하도록 선택된다. 다른 실시예에서, 패턴은 포토마스크/레티클 필드의 하나 이상의 치수들 내에 둘 이상의 전자-광학 컬럼들을 끼워 맞추도록 선택된다.
단계(506)에서, 포토마스크/레티클 필드의 하나 이상의 치수들에 기초한 전자-광학 컬럼들의 수에 대한 간격이 결정된다. 일 실시예에서, 인접한 전자-광학 컬럼들 사이의 간격은 제1 방향 및/또는 제2 방향에서 동일하거나 실질적으로 동일하다. 다른 실시예에서, 인접한 전자-광학 컬럼들의 제1 세트 사이의 간격은 인접한 전자-광학 컬럼들의 제2 세트 사이의 간격과 동일하지 않다. 다른 실시예에서, 제1 방향에서의 간격은 제2 방향에서의 간격과 동일하거나, 실질적으로 동일하거나 또는 동일하지 않다. 다른 실시예에서, 간격은 하나 이상의 측정들을 통해 결정된다. 다른 실시예에서, 간격은 하나 이상의 계산들을 통해 결정된다.
단계(508)에서, 둘 이상의 검사 영역들이 포토마스크/레티클 필드에서 정의된다. 일 실시예에서, 둘 이상의 검사 영역들 각각은 둘 이상의 전자-광학 컬럼들 중 특정 전자-광학 컬럼에 대응한다. 다른 실시예에서, 둘 이상의 검사 영역들은 제1 방향 및/또는 제2 방향에서의 간격에 기초하여 정의된다. 예를 들어, 제1 방향 및/또는 제2 방향에서 둘 이상의 전자-광학 컬럼들 사이의 간격은 둘 이상의 검사 영역들의 치수들의 세트에 대응할 수 있다. 예를 들어, 제1 방향 및/또는 제2 방향에서 둘 이상의 전자-광학 컬럼들 사이의 간격은 둘 이상의 검사 영역들의 하나 이상의 치수들의 세트와 동일하거나 실질적으로 동일할 수 있다. 그러나, 본 명세서에서, 제1 방향 및/또는 제2 방향에서 둘 이상의 전자-광학 컬럼들 사이의 간격은 둘 이상의 검사 영역들의 치수들의 세트에 대응함(예를 들어, 상이함)에 유의한다. 따라서, 상기 설명은 본 개시의 범주에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
단계(510)에서, 둘 이상의 검사 영역들의 하나 이상의 치수들이 결정된다. 일 실시예에서, 하나 이상의 치수들은 x-성분 및 y-성분을 포함한다. 다른 실시예에서, 둘 이상의 검사 영역들은 크기에서 동일하고 그리고/또는 형상에서 유사하다. 다른 실시예에서, 둘 이상의 검사 영역들은 크기에서 실질적으로 동일하고 그리고/또는 형상에서 실질적으로 유사하다. 다른 실시예에서, 제1 검사 영역은 제2 검사 영역과 크기에서 동일하지 않고 그리고/또는 형상에서 동일하지 않다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 치수들은 포토마스크/레티클에 대한 설계 데이터로부터 결정된다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 치수들은 하나 이상의 측정들을 통해 결정된다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 치수들은 하나 이상의 계산들을 통해 결정된다.
도 5b는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 포토마스크/레티클 검사를 위한 멀티-컬럼 간격을 결정하기 위한 방법(520)을 예시한다.
단계(522)에서, 포토마스크/레티클 필드의 하나 이상의 치수들이 결정된다. 일 실시예에서, 하나 이상의 치수들은 x-성분 및 y-성분을 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 치수들은 포토마스크/레티클에 대한 설계 데이터로부터 포착된다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 치수들은 하나 이상의 측정들을 통해 포착된다.
단계(524)에서, 포토마스크/레티클 필드 내의 둘 이상의 필드 영역들이 정의된다. 단계(526)에서, 포토마스크/레티클 필드 내의 둘 이상의 필드 영역들의 필드 영역의 하나 이상의 치수들이 결정된다. 일 실시예에서, 하나 이상의 치수들 각각은 x-성분 및 y-성분을 포함한다. 다른 실시예에서, 둘 이상의 필드 영역들은 크기에서 동일하고 그리고/또는 형상에서 유사하다. 다른 실시예에서, 둘 이상의 필드 영역들은 크기에서 실질적으로 동일하고 그리고/또는 형상에서 실질적으로 유사하다. 예를 들어, 포토마스크/레티클 필드는 실질적으로 동일한 필드 영역들(예를 들어, 사분면들)로 분리될 수 있다. 다른 실시예에서, 제1 필드 영역은 제2 필드 영역과 크기에서 동일하지 않고 그리고/또는 형상에서 동일하지 않다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 치수들은 포토마스크/레티클에 대한 설계 데이터로부터 결정된다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 치수들은 하나 이상의 측정들을 통해 결정된다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 치수들은 하나 이상의 계산들을 통해 결정된다.
단계(528)에서, 다수의 전자-광학 컬럼들이 선택된다. 일 실시예에서, 전자-광학 컬럼들의 수는 둘 이상의 전자-광학 컬럼들을 포함한다. 다른 실시예에서, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들에 대한 패턴이 선택된다. 예를 들어, 패턴은 1 x m 어레이, n x 1 어레이 또는 m x n 어레이를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 실시예에서, 패턴은 포토마스크/레티클 필드의 필드 영역을 검사하기 위해 필요한 시간양을 최소화하도록 선택된다. 다른 실시예에서, 패턴은 포토마스크/레티클 필드의 필드 영역의 하나 이상의 치수들 내에 둘 이상의 전자-광학 컬럼들을 끼워 맞추도록 선택된다.
단계(530)에서, 포토마스크/레티클 필드의 둘 이상의 필드 영역들의 필드 영역의 치수들에 기초한 간격이 결정된다. 일 실시예에서, 인접한 전자-광학 컬럼들 사이의 간격은 제1 방향 및/또는 제2 방향에서 동일하거나 실질적으로 동일하다. 다른 실시예에서, 인접한 전자-광학 컬럼들의 제1 세트 사이의 간격은 인접한 전자-광학 컬럼들의 제2 세트 사이의 간격과 동일하지 않다. 다른 실시예에서, 제1 방향에서의 간격은 제2 방향에서의 간격과 동일하거나, 실질적으로 동일하거나 또는 동일하지 않다. 다른 실시예에서, 간격은 하나 이상의 측정들을 통해 결정된다. 다른 실시예에서, 간격은 하나 이상의 계산들을 통해 결정된다.
단계(532)에서, 둘 이상의 검사 영역들은 둘 이상의 전자-광학 컬럼들에 대한 포토마스크/레티클 필드의 둘 이상의 필드 영역들에서 정의된다. 일 실시예에서, 둘 이상의 검사 영역들 각각은 둘 이상의 전자-광학 컬럼들 중 특정 전자-광학 컬럼에 대응한다. 다른 실시예에서, 둘 이상의 검사 영역들은 제1 방향 및/또는 제2 방향에서의 간격에 기초하여 정의된다. 예를 들어, 제1 방향 및/또는 제2 방향에서 둘 이상의 전자-광학 컬럼들 사이의 간격은 둘 이상의 검사 영역들의 치수들의 세트에 대응할 수 있다. 예를 들어, 제1 방향 및/또는 제2 방향에서 둘 이상의 전자-광학 컬럼들 사이의 간격은 둘 이상의 검사 영역들의 하나 이상의 치수들의 세트와 동일하거나 실질적으로 동일할 수 있다. 그러나, 본 명세서에서, 제1 방향 및/또는 제2 방향에서 둘 이상의 전자-광학 컬럼들 사이의 간격은 둘 이상의 검사 영역들의 치수들의 세트에 대응함(예를 들어, 상이함)에 유의한다. 따라서, 상기 설명은 본 개시의 범주에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
단계(534)에서, 둘 이상의 검사 영역들의 하나 이상의 치수들이 결정된다. 일 실시예에서, 하나 이상의 치수들 각각은 x-성분 및 y-성분을 포함한다. 다른 실시예에서, 둘 이상의 검사 영역들은 크기에서 동일하고 그리고/또는 형상에서 유사하다. 다른 실시예에서, 둘 이상의 검사 영역들은 크기에서 실질적으로 동일하고 그리고/또는 형상에서 실질적으로 유사하다. 다른 실시예에서, 제1 검사 영역은 제2 검사 영역과 크기에서 동일하지 않고 그리고/또는 형상에서 동일하지 않다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 치수들은 포토마스크/레티클에 대한 설계 데이터로부터 결정된다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 치수들은 하나 이상의 측정들을 통해 결정된다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 치수들은 하나 이상의 계산들을 통해 결정된다.
도 5c는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 멀티-컬럼 간격을 결정하기 위한 방법(540)을 예시한다.
단계(542)에서, 하나 이상의 포토마스크/레티클 필드들로 인쇄된 웨이퍼의 하나 이상의 치수들이 결정된다. 일 실시예에서, 하나 이상의 포토마스크/레티클 필드들로 미리 인쇄된 웨이퍼가 수용된다. 다른 실시예에서, 블랭크 웨이퍼가 수용되고 인쇄된다. 예를 들어, 블랭크 웨이퍼는 인쇄 영역을 포함할 수 있다. 다른 예를 들어, 포토마스크/레티클 패턴에 대한 인쇄 감소비가 선택될 수 있다. 예를 들어, 감소비는 1:1 , 2:1 , 4:1 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 예를 들어, 포토마스크/레티클 패턴은 감소비에 기초하여 웨이퍼의 인쇄 영역에서 2회 이상 인쇄될 수 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 치수들은 웨이퍼에 대한 설계 데이터로부터 포착된다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 치수들은 하나 이상의 측정들을 통해 포착된다.
단계(544)에서, 웨이퍼 상에 인쇄된 하나 이상의 포토마스크/레티클 필드들의 하나 이상의 치수들이 결정된다. 일 실시예에서, 하나 이상의 치수들은 x-성분 및 y-성분을 포함한다. 예를 들어, 웨이퍼 상에 인쇄된 하나 이상의 포토마스크/레티클 필드들은 크기에서 동일할 수 있다. 다른 예를 들어, 웨이퍼 상에 인쇄된 하나 이상의 포토마스크/레티클 필드들은 크기에서 실질적으로 동일할 수 있다. 추가로, 웨이퍼 상에 인쇄된 제1 포토마스크/레티클 필드는 웨이퍼 상에 인쇄된 제2 포토마스크/레티클 필드와 크기에서 상이할 수 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 치수들은 x-성분 및 y-성분을 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 치수들은 웨이퍼에 대한 설계 데이터로부터 포착된다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 치수들은 하나 이상의 측정들을 통해 포착된다.
단계(546)에서, 다수의 전자-광학 컬럼들이 선택된다. 일 실시예에서, 전자-광학 컬럼들의 수는 둘 이상의 전자-광학 컬럼들을 포함한다. 다른 실시예에서, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들에 대한 패턴이 선택된다. 예를 들어, 패턴은 1 x m 어레이, n x 1 어레이 또는 m x n 어레이를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 실시예에서, 패턴은 웨이퍼를 검사하기 위해 필요한 시간양을 최소화하도록 선택된다. 다른 실시예에서, 패턴은 웨이퍼의 하나 이상의 치수들 내에 둘 이상의 전자-광학 컬럼들을 끼워 맞추도록 선택된다.
단계(548)에서, 웨이퍼 상에 인쇄된 포토마스크/레티클 필드들의 치수들에 기초한 간격이 결정된다. 일 실시예에서, 인접한 전자-광학 컬럼들 사이의 간격은 제1 방향 및/또는 제2 방향에서 동일하거나 실질적으로 동일하다. 다른 실시예에서, 인접한 전자-광학 컬럼들의 제1 세트 사이의 간격은 인접한 전자-광학 컬럼들의 제2 세트 사이의 간격과 동일하지 않다. 다른 실시예에서, 제1 방향에서의 간격은 제2 방향에서의 간격과 동일하거나, 실질적으로 동일하거나 또는 동일하지 않다. 다른 실시예에서, 간격은 하나 이상의 측정들을 통해 결정된다. 다른 실시예에서, 간격은 하나 이상의 계산들을 통해 결정된다.
단계(550)에서, 둘 이상의 검사 영역들은 둘 이상의 전자-광학 컬럼들에 대해 웨이퍼 상에 인쇄된 포토마스크/레티클 필드에서 정의된다. 일 실시예에서, 둘 이상의 검사 영역들 각각은 둘 이상의 전자-광학 컬럼들 중 특정 전자-광학 컬럼에 대응한다. 다른 실시예에서, 둘 이상의 검사 영역들은 제1 방향 및/또는 제2 방향에서의 간격에 기초하여 정의된다. 예를 들어, 제1 방향 및/또는 제2 방향에서 둘 이상의 전자-광학 컬럼들 사이의 간격은 둘 이상의 검사 영역들의 치수들의 세트에 대응할 수 있다. 예를 들어, 제1 방향 및/또는 제2 방향에서 둘 이상의 전자-광학 컬럼들 사이의 간격은 둘 이상의 검사 영역들의 하나 이상의 치수들의 세트와 동일하거나 실질적으로 동일할 수 있다. 그러나, 본 명세서에서, 제1 방향 및/또는 제2 방향에서 둘 이상의 전자-광학 컬럼들 사이의 간격은 둘 이상의 검사 영역들의 치수들의 세트에 대응함(예를 들어, 상이함)에 유의한다. 따라서, 상기 설명은 본 개시의 범주에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
단계(552)에서, 둘 이상의 검사 영역들의 하나 이상의 치수들이 결정된다. 일 실시예에서, 하나 이상의 치수들 각각은 x-성분 및 y-성분을 포함한다. 다른 실시예에서, 둘 이상의 검사 영역들은 크기에서 동일하고 그리고/또는 형상에서 유사하다. 다른 실시예에서, 둘 이상의 검사 영역들은 크기에서 실질적으로 동일하고 그리고/또는 형상에서 실질적으로 유사하다. 다른 실시예에서, 제1 검사 영역은 제2 검사 영역과 크기에서 동일하지 않고 그리고/또는 형상에서 동일하지 않다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 치수들은 포토마스크/레티클에 대한 설계 데이터로부터 결정된다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 치수들은 하나 이상의 측정들을 통해 결정된다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 치수들은 하나 이상의 계산들을 통해 결정된다.
도 5d는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 포토마스크/레티클 검사를 위한 선택 멀티-컬럼 간격을 포함하는 SEM 검토 툴로 포토마스크/레티클 필드를 검사하기 위한 방법(560)을 예시한다.
단계(562)에서, 포토마스크/레티클 필드의 둘 이상의 검사 영역들 중 둘 이상의 검사 이미지들이 획득된다. 일 실시예에서, 둘 이상의 검사 이미지들이 둘 이상의 전자-광학 컬럼들을 포함하는 SEM 검토 툴을 통해 획득된다. 다른 실시예에서, SEM 검토 툴은 둘 이상의 전자-광학 컬럼들 사이의 간격을 선택하는 것으로 구성되고, 여기서 선택 간격은 방법(500)의 단계들 중 일부 또는 전부를 통해 결정된다.
단계(564)에서, 전체 이미지는 포토마스크/레티클 필드의 둘 이상의 검사 이미지들로부터 생성된다. 일 실시예에서, 둘 이상의 검사 이미지들은 하나 이상의 중첩하는 영역들에 기초하여 정렬 및 조합된다. 다른 실시예에서, 둘 이상의 검사 이미지들은 중첩하는 영역들에 기초하여 정렬 및 조합되지 않는다.
도 5e는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 포토마스크/레티클 검사를 위한 선택 멀티-컬럼 간격을 포함하는 SEM 검토 툴로 포토마스크/레티클 필드를 검사하기 위한 방법(570)을 예시한다.
단계(572)에서, 포토마스크/레티클 필드의 필드 영역이 선택된다. 일 실시예에서, 포토마스크/레티클 필드는 둘 이상의 필드 영역들로 분리된다. 단계(574)에서, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들을 포함하는 SEM 검토 툴로 필드 영역의 둘 이상의 검사 영역들의 둘 이상의 검사 이미지들이 획득된다. 일 실시예에서, 둘 이상의 검사 이미지들이 둘 이상의 전자-광학 컬럼들을 포함하는 SEM 검토 툴을 통해 획득된다. 다른 실시예에서, SEM 검토 툴은 둘 이상의 전자-광학 컬럼들 사이의 간격을 선택하는 것으로 구성되고, 여기서 선택 간격은 방법(520)의 단계들 중 일부 또는 전부를 통해 결정된다.
단계(576)에서, 필드 영역의 둘 이상의 검사 이미지들이 조합된다. 일 실시예에서, 둘 이상의 검사 이미지들은 하나 이상의 중첩하는 영역들에 기초하여 정렬 및 조합된다. 다른 실시예에서, 둘 이상의 검사 이미지들은 중첩하는 영역들에 기초하여 정렬되지 않는다.
단계(578)에서, 포토마스크/레티클 필드의 적어도 제2 필드 영역이 선택된다. 단계(580)에서, SEM 검토 툴로 적어도 제2 필드 영역 내의 둘 이상의 검사 영역들의 둘 이상의 검사 이미지들이 획득된다. 단계(582)에서, 적어도 제2 필드 영역의 둘 이상의 검사 이미지들이 조합된다. 일 실시예에서, 둘 이상의 검사 이미지들은 하나 이상의 중첩하는 영역들에 기초하여 정렬 및 조합된다. 다른 실시예에서, 둘 이상의 검사 이미지들은 중첩하는 영역들에 기초하여 정렬되지 않는다.
단계(584)에서, 필드 영역의 조합된 검사 이미지들 및 적어도 제2 필드 영역의 조합된 검사 이미지들로부터 전체 이미지가 생성된다. 일 실시예에서, 필드 영역의 조합된 검사 이미지들 및 적어도 제2 필드 영역의 조합된 검사 이미지들은 중첩하는 영역들에 기초하여 정렬되지 않는다.
도 5f는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 선택 멀티-컬럼 간격을 포함하는 SEM 검토 툴을 통해 획득된 하나 이상의 검사 이미지들로부터 합성 필드를 생성하기 위한 방법(590)을 예시한다.
단계(592)에서, 웨이퍼 상에 인쇄된 하나 이상의 포토마스크/레티클 필드들의 둘 이상의 검사 영역들의 둘 이상의 검사 이미지들이 획득된다. 일 실시예에서, 둘 이상의 검사 이미지들이 둘 이상의 전자-광학 컬럼들을 포함하는 SEM 검토 툴을 통해 획득된다. 다른 실시예에서, SEM 검토 툴은 둘 이상의 전자-광학 컬럼들 사이의 간격을 선택하는 것으로 구성되고, 여기서 선택 간격은 방법(540)의 단계들 중 일부 또는 전부를 통해 결정된다.
단계(594)에서, 웨이퍼 상에 인쇄된 하나 이상의 포토마스크/레티클 필드들의 둘 이상의 검사 영역들의 둘 이상의 검사 이미지들로부터 합성 필드가 생성된다. 일 실시예에서, 둘 이상의 검사 이미지들은 인쇄된 패턴에서 자신들의 위치에 기초하여 합성 필드에서 조직화된다.
도 6a는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 포토마스크/레티클 검사를 위한 선택 멀티-컬럼 간격을 포함하는 멀티-컬럼 SEM 검토 툴을 생성하기 위한 방법(600)을 예시한다.
단계(602)에서, 포토마스크/레티클 필드에서 둘 이상의 검사 영역들을 특성화하기 위해 멀티-컬럼 스캐닝 전자 현미경(SEM) 검토 툴의 둘 이상의 전자-광학 컬럼들에 대한 간격이 결정된다. 일 실시예에서, 간격은 방법(500)의 하나 이상의 단계들을 통해 결정된다.
단계(604)에서, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들은 멀티-컬럼 SEM 검토 툴의 제조 동안 결정된 간격에 기초하여 위치설정된다.
도 6b는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 포토마스크/레티클 검사를 위한 선택 멀티-컬럼 간격을 포함하는 멀티-컬럼 SEM 검토 툴을 생성하기 위한 방법(610)을 예시한다.
단계(612)에서, 포토마스크/레티클 필드의 하나 이상의 필드 영역들에서 둘 이상의 검사 영역들을 특성화하기 위해 멀티-컬럼 스캐닝 전자 현미경(SEM) 검토 툴의 둘 이상의 전자-광학 컬럼들에 대한 간격이 결정된다. 일 실시예에서, 간격은 방법(520)의 하나 이상의 단계들을 통해 결정된다.
단계(614)에서, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들은 멀티-컬럼 SEM 검토 툴의 제조 동안 결정된 간격에 기초하여 위치설정된다.
도 6c는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 선택 멀티-컬럼 간격을 포함하는 멀티-컬럼 SEM 검토 툴을 생성하기 위한 방법(620)을 예시한다.
단계(622)에서, 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 멀티-컬럼 스캐닝 전자 현미경(SEM) 검토 툴의 둘 이상의 전자-광학 컬럼들에 대한 간격이 결정된다. 일 실시예에서, 간격은 방법(540)의 하나 이상의 단계들을 통해 결정된다.
단계(624)에서, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들은 멀티-컬럼 SEM 검토 툴의 제조 동안 결정된 간격에 기초하여 위치설정된다.
일 실시예에서, 포토마스크/레티클 필드를 검사하는 것 및 웨이퍼 인쇄 체크 검증은 별개의 SEM 검토 툴들 상에서 완료되는 프로세스들이다. 예를 들어, 동일한 진공 시스템 내에서 포토마스크/레티클을 검사하고 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 수행하는 것은 바람직하지 않을 수 있다. 그러나, 본 명세서에서 포토마스크/레티클 필드를 검사하는 것 및 웨이퍼 인쇄 체크 검증 둘 모두를 위한 단일 SEM 검토 툴이 구현될 수 있음에 유의한다. 예를 들어, 포토마스크/레티클 검사를 위해 구성된 멀티-컬럼 SEM 검토 툴은 멀티-컬럼 SEM 검토 툴의 하나 이상의 컴포넌트들을 조절, 추가 또는 제거함으로써 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위해 재구성될 수 있다. 다른 예를 들어, 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위해 구성된 멀티-컬럼 SEM 검토 툴은 멀티-컬럼 SEM 검토 툴의 하나 이상의 컴포넌트들을 조절, 추가 또는 제거함으로써 포토마스크/레티클 검사를 위해 재구성될 수 있다. 따라서, 상기 설명은 본 개시의 범주에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
본 명세서에서, 방법들(500, 520, 540, 560, 570, 590, 600, 610, 620)은 제공된 단계들로 제한되지 않음에 유의한다. 예를 들어, 방법들(500, 520, 540, 560, 570, 590, 600, 610, 620)은 그 대신 더 많거나 더 적은 단계들을 포함할 수 있다. 다른 예를 들어, 방법들(500, 520, 540, 560, 570, 590, 600, 610, 620)은 제공된 것과 상이한 순서로 단계들을 수행할 수 있다. 따라서, 상기 설명은 본 개시의 범주에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
도 7a 내지 도 7e는 일반적으로 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따른 특성화 툴(700)을 예시한다. 특성화 툴(700)은 당업계에 공지된 임의의 적절한 특성화 툴을 포함할 수 있다. 일반적인 관점에서, 특성화 툴(700)은 하나 이상의 포토마스크들/레티클들 또는 웨이퍼들을 특성화하기에 적합한 임의의 특성화 툴을 포함할 수 있다.
일 실시예에서, 특성화 툴(700)은 하나 이상의 포토마스크들/레티클들 또는 웨이퍼들을 특성화하도록 구성되고 선택된 및/또는 결정된 간격에 기초하여 선택된 및/또는 결정된 패턴으로 배열되는 하나 이상의 특성화 컴포넌트들을 포함한다. 다른 실시예에서, 일반적으로 도 7a 내지 도 7e에 예시된 바와 같이, 특성화 툴(700)은 스캐닝 전자 현미경(SEM) 검토 툴이다. 예를 들어, SEM 검토 툴은 2차 전자(SE) 검토 툴(700), 멀티-빔 SEM 검토 툴(700), 멀티-컬럼 SEM 검토 툴(700) 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
다른 실시예에서, 멀티-컬럼 SEM 검토 툴(700)은 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(702)의 어레이를 포함한다. 다른 실시예에서, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(702) 각각은 하나 이상의 전자-광학 요소들(704)을 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 전자-광학 요소들(704)은 하나 이상의 애퍼처들(706)을 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 전자-광학 요소들(704)은 하나 이상의 응축기 렌즈들(708)을 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 전자-광학 요소들(704)은 하나 이상의 빔 디플렉터들(710) 또는 스캐닝 코일들(710)을 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 전자-광학 요소들(704)은 하나 이상의 대물 렌즈들(712)을 포함한다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 전자-광학 요소들은 일반적으로 하나 이상의 정전 렌즈들 및/또는 하나 이상의 전자기 렌즈들을 포함한다.
본 명세서에서, 멀티-컬럼 SEM 검토 툴(700) 내의 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(702)의 배열은 설계, 제작 및/또는 제조 단계 동안 결정됨에 유의한다. 예를 들어, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(702)의 배열은 멀티-컬럼 SEM 검토 툴(700)의 컴포넌트들의 치수들(예를 들어, 전자-광학 컬럼들(702)의 치수들)에 의해 설정되는 제조 제약들에 기초하는 대신, 포토마스크/레티클의 특정 크기 및/또는 웨이퍼의 인쇄 영역에 기초할 수 있다.
다른 실시예에서, 하나 이상의 전자-광학 요소들(704)은 하나 이상의 후방산란된 전자 검출기들(714)을 포함한다. 본 명세서에서, 멀티-컬럼 SEM 검토 툴(700)은 전자-광학 컬럼(702) 외부에 위치설정된(예를 들어, 적어도 하나의 외측-링 전자-광학 컬럼(702) 외부에 위치설정되고, 여기서 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(702)은 외측 링 및 적어도 하나의 내측 링에 배열됨) 하나 이상의 2차 전자 검출기들을 포함할 수 있음에 유의한다.
일 실시예에서, 멀티-컬럼 SEM 검토 툴(700)은 둘 이상의 전자 빔 소스들(716)을 포함한다. 다른 실시예에서, 둘 이상의 전자 빔 소스들(716) 각각은 방출기(718)를 포함한다. 예를 들어, 둘 이상의 전자 빔 소스들(716)은 쇼트키(Schottky) 방출기 디바이스, 탄소 나노튜브(CNT) 방출기, 나노구조 탄소 필름 방출기, 뮬러(Muller)-형 방출기 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
다른 실시예에서, 둘 이상의 전자 빔 소스들(716) 각각은 하나 이상의 소스 전자-광학 요소들을 포함한다. 예를 들어, 하나 이상의 소스 전자-광학 요소들은 방출기(718)에 의해 생성된 전자 빔의 적어도 일부를 전자-광학 컬럼(702)으로 지향시킬 수 있다.
다른 실시예에서, 둘 이상의 전자 빔 소스들(716)은 하나 이상의 방향들에서 둘 이상의 전자 빔 소스들(716)을 작동시키도록 구성된 포지셔너(positioner)들의 세트에 결합된다. 예를 들어, 포지셔너들의 세트는 x-방향, y-방향 및/또는 z-방향 중 하나 이상에서 둘 이상의 전자 빔 소스들(716)을 병진운동시킬 수 있다. 본 명세서에서, 포지셔너들의 세트는 둘 이상의 전자 빔 소스들(716) 중 적어도 일부를 함께 그룹화하는 부분적 유닛으로서 또는 둘 이상의 전자 빔 소스들(716) 모두를 함께 그룹화하는 완전한 유닛으로서 둘 이상의 전자 빔 소스들(716)을 개별적으로 작동시키도록 구성될 수 있음에 유의한다.
다른 실시예에서, 둘 이상의 전자 빔 소스들(716)은 둘 이상의 전자 빔들(720)을 생성한다. 예를 들어, 둘 이상의 전자 빔 소스들(716)은 특정 전자-광학 컬럼(702)에 특정된 전자 빔(720)을 생성할 수 있다. 다른 예를 들어, 둘 이상의 전자 빔 소스들(716)은, 둘 이상의 전자 빔 소스들(716) 및 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(702) 사이에 위치된 하나 이상의 전자-광학 요소들을 통해 분리되고 그리고/또는 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(702)로 지향되는 전자 빔(720)을 생성할 수 있다.
다른 실시예에서, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(702)은 둘 이상의 전자 빔들(720)을 동일한 스테이지(724) 상에 고정된 샘플(722) 상으로 지향시킨다. 다른 실시예에서, 샘플(722)은 둘 이상의 전자 빔들(720)에 응답하여 하나 이상의 전자들(726)을 후방산란, 방출, 방사 및/또는 편향시킬 수 있다. 다른 실시예에서, 하나 이상의 후방산란된 전자 검출기들(714)은 샘플(722)의 표면으로부터 후방산란된, 방사된 및/또는 편향된 하나 이상의 전자들(726)을 검출할 수 있다.
샘플(722)은 검사 및/또는 검토에 적합한 임의의 샘플을 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 샘플(722)은 포토마스크, 레티클, 반도체 웨이퍼 등을 포함한다. 본 개시를 통해 사용되는 바와 같이, 용어 "웨이퍼"는 반도체 및/또는 비-반도체 재료로 형성된 기판을 지칭한다. 예를 들어, 반도체 재료의 경우, 웨이퍼는 단결정 실리콘, 갈륨 비소 및/또는 인화 인듐으로부터 형성될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 이와 같이, 용어 "웨이퍼" 및 용어 "샘플"은 본 개시에서 교환가능하게 사용될 수 있다. 따라서, 상기 설명은 본 개시의 범주에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
다른 실시예에서, 샘플(722)이 웨이퍼인 경우, 웨이퍼(722)는 웨이퍼 설계 데이터의 하나 이상의 세트들을 사용하여 제조된다. 다른 실시예에서, 웨이퍼 설계 데이터의 세트들은 층들의 하나 이상의 세트들을 포함한다. 예를 들어, 이러한 층들은 레지스트, 유전체 재료, 전도성 재료 및 반-전도성 재료를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 많은 상이한 유형들의 이러한 층들이 당업계에 공지되어 있고, 본 명세서에서 사용되는 바와 같은 용어 웨이퍼는 모든 유형들의 이러한 층들이 형성될 수 있는 웨이퍼를 포함하도록 의도된다. 다른 예를 들어, 웨이퍼 상에 형성된 층들은 웨이퍼 내에서 1회 이상 반복될 수 있다. 재료의 이러한 층들의 형성 및 프로세싱은 궁극적으로 완성된 디바이스들을 도출할 수 있다. 많은 상이한 유형들의 디바이스들은 웨이퍼 상에 형성될 수 있고, 본 명세서에서 사용되는 바와 같은 용어 웨이퍼는 당업계에 공지된 임의의 유형의 디바이스가 제조되고 있는 웨이퍼를 포함하도록 의도된다.
본 명세서에 설명된 제조, 측정 및 정렬 기술들은 일반적으로 반도체 웨이퍼인 샘플(722)에 대응하지만, 기술들은 또한 다른 유형들의 얇은 연마된 플레이트들에 또한 적용가능함을 이해해야 한다. 예를 들어, 하나 이상의 얇은 연마된 플레이트들은 하나 이상의 자기 디스크 기판들, 하나 이상의 게이지 블록들 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 이와 같이, 용어 "웨이퍼" 및 용어 "얇은 연마된 플레이트"는 본 개시에서 교환가능하게 사용될 수 있다. 따라서, 상기 설명은 본 개시의 범주에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
샘플 스테이지(724)는 전자 빔 현미경의 분야에서 공지된 임의의 적절한 기계적 및/또는 로봇 조립체를 포함할 수 있다. 일 실시예에서, 샘플 스테이지(724)는 작동가능한 스테이지이다. 예를 들어, 샘플 스테이지(724)는 하나 이상의 선형 방향들(예를 들어, x-방향, y-방향 및/또는 z-방향)을 따라 샘플(722)을 선택적으로 병진운동시키기에 적합한 하나 이상의 병진운동 스테이지들을 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 예를 들어, 샘플 스테이지(724)는 회전 방향을 따라 샘플(722)을 선택적으로 회전시키기에 적합한 하나 이상의 회전 스테이지들을 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 예를 들어, 샘플 스테이지(724)는 선형 방향을 따라 샘플(722)을 선택적으로 병진운동시키고 그리고/또는 회전 방향을 따라 샘플(722)을 회전시키기에 적합한 회전 스테이지 및 병진운동 스테이지를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 예를 들어, 샘플 스테이지(724)는 선택된 검사 또는 측정 알고리즘에 따른 위치설정, 포커싱 및/또는 스캐닝을 위해 샘플(722)을 병진운동 또는 회전시키도록 구성될 수 있고, 이들 중 몇몇은 당업계에 공지되어 있다.
본 명세서에서, 멀티-컬럼 SEM 검토 툴(700)은 포토마스크/레티클을 검사하는 것 및 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 수행하는 것 둘 모두를 위해 구성될 수 있음에 유의한다. 예를 들어, 멀티-컬럼 SEM 검토 툴(700)의 하나 이상의 컴포넌트들은, 포토마스크/레티클을 검사하는 것 및 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 수행하는 것으로부터 스위칭되는 경우 조절, 추가 또는 제거될 수 있다. 예를 들어, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(702)의 어레이는 포토마스크/레티클을 검사하는 것 및 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 수행하는 것으로부터 스위칭되는 경우 조절되지 않고 유지될 수 있다. 대안적으로, 본 명세서에서, 포토마스크/레티클을 검사하는 것 대 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 수행하는 것을 위해 별개의 멀티-컬럼 SEM 검토 툴(700)이 활용될 수 있음에 유의한다. 예를 들어, 동일한 진공 시스템 내에서 포토마스크/레티클을 검사하고 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 수행하는 것은 바람직하지 않을 수 있다. 따라서, 상기 설명은 본 개시의 범주에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
일 실시예에서, 도 7b에 예시된 바와 같이, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(702)은 샘플(722)의 전체 표면이 검사되도록 이격된다(예를 들어, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(702)은 도 2에 예시된 바와 같이, 전체 필드(200)의 둘 이상의 검사 영역들(208)을 검사할 수 있다). 예를 들어, 둘 이상의 검사 영역들(208)은, 이미지들을 단일의 조합된 이미지로 함께 스티치하기 위한 이미지 중첩으로 또는 중첩 없이 이격될 수 있다. 다른 예를 들어, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(702)은, 샘플(722)의 표면의 경계들 외부에 어떠한 전자-광학 컬럼들(702)도 위치되지 않도록 이격될 수 있다.
다른 실시예에서, 도 7c에 예시된 바와 같이, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(702)은 샘플(722)의 표면의 필드 영역이 검사되도록 이격된다(예를 들어, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(702)은 도 3에 예시된 바와 같이, 샘플(722)의 표면의 전체 필드(또는 사분면)(300) 내의 둘 이상의 검사 영역들(308)을 검사할 수 있다). 예를 들어, 둘 이상의 검사 영역들(308)은, 이미지들을 단일의 조합된 이미지로 함께 스티치하기 위한 이미지 중첩으로 또는 중첩 없이 이격될 수 있다. 다른 예를 들어, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(702)은, 필드 영역(300)의 경계들 외부에 어떠한 전자-광학 컬럼들(702)도 위치되지 않도록 이격될 수 있다. 다른 실시예에서, 샘플(722)의 표면의 나머지(예를 들어, 도 3에 예시된 바와 같은 필드 영역들(또는 사분면들)(320, 340, 360))는 필드 영역(300)의 검사에 후속하여 검사된다. 예를 들어, 필드 영역들(300, 320, 340, 360)은, 이미지들을 단일의 조합된 이미지로 함께 스티치하기 위한 이미지 중첩으로 또는 중첩 없이 이격될 수 있다.
다른 실시예에서, 도 7d에 예시된 바와 같이, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(702)은 (예를 들어, 도 4a에 예시된 바와 같이) 샘플(722)의 표면 상의 둘 이상의 필드 영역들(406) 사이에서 분리된 둘 이상의 검사 영역들(414)을 검사하기 위해 사용될 수 있도록 이격된다. 예를 들어, 샘플(722)의 표면 상의 둘 이상의 필드 영역들(406) 내에서 패턴이 2회 이상 인쇄될 수 있다. 다른 예를 들어, 둘 이상의 필드 영역들(406)은, 이미지들을 단일의 조합된 이미지로 함께 스티치하기 위한 이미지 중첩으로 또는 중첩 없이 이격될 수 있다. 다른 예를 들어, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(702)은, 샘플(722)의 표면의 경계들 외부에 어떠한 전자-광학 컬럼들(702)도 위치되지 않도록 이격될 수 있다.
도 7e는 본 개시의 하나 이상의 실시예들에 따라 특성화 툴(700) 및 제어기(732)를 포함하는 특성화 시스템(730)을 예시한다. 일 실시예에서, 제어기(732)는 특성화 툴(700)의 하나 이상의 컴포넌트들에 동작가능하게 결합된다. 예를 들어, 제어기(732)는 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(702) 및/또는 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(702)의 컴포넌트들(예를 들어, 검출기들(714)), 둘 이상의 전자 빔 소스들(716) 및/또는 둘 이상의 전자 빔 소스들(706)의 컴포넌트들 및/또는 샘플 스테이지(724)에 동작가능하게 결합될 수 있다. 이와 관련하여, 제어기(732)는 본 개시 전반에 걸쳐 설명되는 다양한 기능들 중 임의의 하나 이상을 수행하도록 특성화 툴(700)의 컴포넌트들 중 임의의 것에 지시할 수 있다.
다른 실시예에서, 제어기(732)는 하나 이상의 프로세서들(734) 및 메모리(736)를 포함한다. 다른 실시예에서, 메모리(736)는 프로그램 명령들(738)의 세트를 저장한다. 다른 실시예에서, 프로그램 명령들(738)의 세트는 하나 이상의 프로세서들(734)로 하여금 본 개시 전반에 걸쳐 설명되는 하나 이상의 프로세스 단계들(예를 들어, 샘플(722)을 검사하는 것 등) 중 임의의 것을 수행하게 하도록 구성된다.
제어기(732)는, 유선 및/또는 무선 부분들을 포함할 수 있는 송신 매체에 의해 특성화 툴(700)의 다른 시스템들 또는 툴들로부터 데이터 또는 정보(예를 들어, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(702) 및/또는 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(702)의 컴포넌트들(예를 들어, 검출기들(714)), 둘 이상의 전자 빔 소스들(706) 및/또는 둘 이상의 전자 빔 소스들(706)의 컴포넌트들 및/또는 샘플 스테이지(724)로부터의 정보의 하나 이상의 세트들)를 수신 및/또는 포착하도록 구성될 수 있다. 또한, 제어기(732)는, 유선 및/또는 무선 부분들을 포함할 수 있는 송신 매체에 의해 특성화 툴(700)의 하나 이상의 시스템들 또는 툴들(예를 들어, 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(702) 및/또는 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(702)의 컴포넌트들(예를 들어, 검출기들(714)), 둘 이상의 전자 빔 소스들(706) 및/또는 둘 이상의 전자 빔 소스들(706)의 컴포넌트들 및/또는 샘플 스테이지(724)로부터의 정보의 하나 이상의 세트들)에 데이터 또는 정보(예를 들어, 본 명세서에 개시된 본 발명의 개념들의 하나 이상의 절차들의 출력)를 송신하도록 구성될 수 있다. 이와 관련하여, 송신 매체는 특성화 툴(700)의 다른 서브시스템들과 제어기(732) 사이의 데이터 링크로서의 역할을 할 수 있다. 또한, 제어기(732)는 송신 매체(예를 들어, 네트워크 접속)를 통해 외부 시스템들에 데이터를 전송하도록 구성될 수 있다.
하나 이상의 프로세서들(734)은 당업계에 공지된 임의의 하나 이상의 프로세싱 엘리먼트들을 포함할 수 있다. 이러한 관점에서, 하나 이상의 프로세서들(734)은 알고리즘들 및/또는 프로그램 명령들을 실행하도록 구성된 임의의 마이크로프로세서 디바이스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 프로세서들(734)은 데스크탑 컴퓨터, 메인프레임 컴퓨터 시스템, 워크스테이션, 이미지 컴퓨터, 병렬 프로세서, 핸드헬드 컴퓨터(예를 들어, 태블릿, 스마트폰 또는 팜플렛) 또는 다른 컴퓨터 시스템(예를 들어, 네트워킹된 컴퓨터)로 구성될 수 있다. 일반적으로, 용어 "프로세서"는, 비일시적 메모리 매체(예를 들어, 메모리(736))로부터의 프로그램 명령들(738)의 세트를 실행하는 하나 이상의 프로세싱 요소들을 갖는 임의의 디바이스를 포함하도록 광범위하게 정의될 수 있다. 또한, 특성화 툴(700)의 상이한 서브시스템들(둘 이상의 전자-광학 컬럼들(702) 및/또는 둘 이상의 전자-광학 컬럼들(702)의 컴포넌트들(예를 들어, 검출기들(714)), 둘 이상의 전자 빔 소스들(706) 및/또는 둘 이상의 전자 빔 소스들(706)의 컴포넌트들 및/또는 샘플 스테이지(724)로부터의 정보의 하나 이상의 세트들)은 본 개시 전반에 걸쳐 설명된 단계들(예를 들어, 샘플(722)을 검사하는 것 등) 중 적어도 일부를 수행하기에 적합한 프로세서 또는 로직 요소들을 포함할 수 있다. 따라서, 상기 설명은 본 개시에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
메모리(736)는 연관된 하나 이상의 프로세서들(734)에 의해 실행가능한 프로그램 명령들(738)의 세트를 저장하기에 적합한 당업계에 공지된 임의의 저장 매체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 메모리(736)는 비일시적 메모리 매체를 포함할 수 있다. 예를 들어, 메모리(736)는 판독 전용 메모리(ROM), 랜덤 액세스 메모리(RAM), 자기 또는 광학 메모리 디바이스(예를 들어, 디스크), 자기 테이프, 솔리드 스테이트 드라이브 등을 포함할 수 있지만 이에 제한되는 것은 아니다. 메모리(736)는 사용자 인터페이스의 디스플레이 디바이스에 디스플레이 정보를 제공하도록 구성될 수 있다. 또한 메모리(736)는 사용자 인터페이스의 사용자 입력 디바이스로부터 사용자 입력 정보를 저장하도록 구성될 수 있다. 메모리(736)는 하나 이상의 프로세서들(734)을 수납하는 공통 제어기(732)에 수납될 수 있다. 메모리(736)는 대안적으로 또는 추가적으로, 프로세서들(734) 및/또는 제어기(732)의 공간적 위치에 대해 원격으로 위치될 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 프로세서들(734) 및/또는 제어기(732)는 네트워크(예를 들어, 인터넷, 인트라넷 등)를 통해 액세스가능한 원격 메모리(736)(예를 들어, 서버)에 액세스할 수 있다.
일 실시예에서, 특성화 툴(700)은 사용자 인터페이스를 포함한다. 다른 실시예에서, 사용자 인터페이스는 제어기(732)에 결합(예를 들어, 물리적으로 결합, 또는 물리적으로 및 통신가능하게 결합)된다. 다른 실시예에서, 사용자 인터페이스는 디스플레이를 포함한다. 다른 실시예에서, 사용자 인터페이스는 사용자 입력 디바이스를 포함한다. 다른 실시예에서, 디스플레이 디바이스는 사용자 입력 디바이스에 결합된다. 예를 들어, 디스플레이 디바이스는 유선 및/또는 무선 부분들을 포함할 수 있는 송신 매체에 의해 사용자 입력 디바이스에 결합될 수 있다.
디스플레이 디바이스는 당업계에 공지된 임의의 디스플레이 디바이스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 디스플레이 디바이스는 액정 디스플레이(LCD)를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 예를 들어, 디스플레이 디바이스는 유기 발광 다이오드(OLED) 기반 디스플레이를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 예를 들어, 디스플레이 디바이스는 CRT 디스플레이를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 당업자들은, 다양한 디스플레이 디바이스들이 본 발명의 구현에 적합할 수 있고, 디스플레이 디바이스의 특정 선택은 폼 팩터, 비용 등을 포함하지만 이에 제한되는 것은 아닌 다양한 팩터들에 의존할 수 있음을 인식해야 한다. 일반적인 관점에서, 사용자 입력 디바이스(예를 들어, 터치스크린, 베젤 장착 인터페이스, 키보드, 마우스, 트랙패드 등)와 통합할 수 있는 임의의 디스플레이 디바이스가 본 발명의 구현에 적합하다.
사용자 입력 디바이스는 당업계에 공지된 임의의 사용자 입력 디바이스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 사용자 입력 디바이스는 키보드, 키패드, 터치스크린, 레버, 노브, 스크롤 휠, 트랙 볼, 스위치, 다이얼, 슬라이딩 바, 스크롤 바, 슬라이드, 핸들, 터치 패드, 패들, 스티어링 휠, 조이스틱, 베젤 입력 디바이스 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 터치스크린 인터페이스의 경우, 당업자들은, 많은 수의 터치스크린 인터페이스들이 본 발명의 구현에 적합할 수 있음을 인식해야 한다. 예를 들어, 디스플레이 디바이스는 용량성 터치스크린, 저항성 터치스크린, 표면 탄성 기반 터치스크린, 적외선 기반 터치스크린 등과 같은 터치스크린 인스턴스와 통합될 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 일반적인 관점에서, 디스플레이 디바이스의 디스플레이 부분과 통합할 수 있는 임의의 터치스크린 인터페이스는 본 발명의 구현에 적합하다. 다른 실시예에서, 사용자 입력 디바이스는 베젤 장착 인터페이스를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
본 개시의 실시예들은 제어기(732)가 특성화 툴(700)에 결합되거나 컴포넌트로서 특성화 툴(700)과 통합될 수 있는 것을 예시하지만, 제어기(732)는 특성화 시스템(730) 또는 특성화 툴(700)의 일체형 또는 요구되는 컴포넌트가 아니다. 또한, 본 개시의 실시예들은 사용자 인터페이스가 제어기(732)에 결합되거나 컴포넌트로서 제어기(732)에 통합될 수 있는 것을 예시하지만, 사용자 인터페이스는 제어기(732), 특성화 시스템(730) 또는 특성화 툴(700)의 일체형 또는 요구되는 컴포넌트가 아니다. 따라서, 상기 설명은 본 개시의 범주에 대한 제한으로서 해석되어서는 안 되며, 단지 예시이다.
일 실시예에서, 도시되지 않지만, 특성화 툴(700)은, 샘플(722)의 전체 필드를 둘 이상의 검사 영역들로 분리하는 둘 이상의 조명 경로들을 포함하는 광학 검사 툴이다. 예를 들어, 광학 검사 툴은 샘플(722)의 전기 인텐트(electrical intent)를 표현하는 하나 이상의 고분해능 이미지들을 생성할 수 있는 광학 검사 툴을 포함할 수 있다. 다른 예를 들어, 광학 검사 툴은 LSP(laser sustained plasma) 기반 검사 툴을 포함하지만 이에 제한되는 것은 아닌 광대역 검사 툴을 포함할 수 있다. 다른 예를 들어, 광학 검사 툴은 레이저 스캐닝 검사 툴을 포함하지만 이에 제한되는 것은 아닌 협대역 검사 툴을 포함할 수 있다. 다른 예를 들어, 광학 검사 툴은 명시야 검사 툴 또는 암시야 검사 툴을 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 본 명세서에서 특성화 툴(700)은 샘플(722)로부터 반사된, 산란된, 회절된 및/또는 방사된 조명을 수집 및 분석하도록 구성되는 임의의 광학 툴을 포함할 수 있음에 유의한다.
일 실시예에서, 광학 검사 툴은 하나 이상의 조명 소스들을 포함한다. 하나 이상의 조명 소스들은 방사를 생성하도록 구성된 당업계에 공지된 임의의 조명 소스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 광대역 조명 소스(예를 들어, 크세논 램프) 또는 협대역 조명 소스(예를 들어, 레이저)를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 다른 예를 들어, 조명 소스는 DUV, UV, VUV 및/또는 EUV 조명을 생성하도록 구성될 수 있다. 예를 들어, EUV 조명 소스는 EUV 범위에서 조명을 생성하도록 구성된 DPP(discharge produced plasma) 조명 소스 또는 LPP(laser produced plasma) 조명 소스를 포함할 수 있다. 다른 예를 들어, 조명 소스는 X-선 방사를 생성하도록 구성될 수 있다. 다른 실시예에서, 조명 소스는 하나 이상의 방향들에서 조명 소스를 작동시키도록 구성되는 포지셔너들의 세트에 동작가능하게 결합될 수 있다.
다른 실시예에서, 하나 이상의 조명 소스들은 조명(예를 들어, 조명의 빔)을 생성하여 샘플(722)의 표면으로 지향시킨다. 예를 들어, 조명 소스는 광학 요소들의 하나 이상의 세트들을 통해 샘플 스테이지 상에 배치된 샘플(722)의 표면에 조명을 지향시키도록 구성될 수 있다. 본 명세서에서 광학 요소들의 하나 이상의 세트들은 조명을 포커싱, 억제, 추출 및/또는 지향시키기에 적합한 당업계에 공지된 임의의 광학 요소를 포함할 수 있음에 유의한다. 또한, 본 명세서에서 광학 요소들의 하나 이상의 세트들은 본 개시의 목적들을 위해 포커싱 옵틱스들의 세트인 것으로 고려될 수 있음에 유의한다.
다른 실시예에서, 샘플은 조명 소스로부터의 조명에 응답하여 조명(예를 들어, 조명의 빔)을 반사, 산란, 회절 및/또는 방사한다. 다른 실시예에서, 샘플로부터의 조명은 하나 이상의 광학 검출기들로 지향된다. 하나 이상의 광학 검출기들은 당업계에 공지된 임의의 광학 검출기를 포함할 수 있다. 예를 들어, 하나 이상의 검출기들은 PMT(photo-multiplier tube)들, CCD(charge coupled device)들, TDI(time-delay integration) 카메라들 등을 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
다른 실시예에서, 샘플로부터의 조명은 광학 요소들 중 하나 이상의 세트들을 통해 하나 이상의 광학 검출기들로 지향된다. 본 명세서에서 광학 요소들의 하나 이상의 세트들은 조명을 포커싱, 억제, 추출 및/또는 지향시키기에 적합한 당업계에 공지된 임의의 광학 요소를 포함할 수 있음에 유의한다. 또한, 본 명세서에서 광학 요소들의 하나 이상의 세트들은 본 개시의 목적들을 위해 수집 옵틱스들의 세트인 것으로 고려될 수 있음에 유의한다. 추가로, 본 명세서에서 포커싱 옵틱스의 세트 및 수집 옵틱스의 세트는 광학 요소들의 하나 이상의 세트들 중 적어도 일부를 공유할 수 있음에 유의한다.
다른 실시예에서, 광학 검사 툴(예를 들어, 하나 이상의 조명 소스들, 스테이지, 하나 이상의 검출기들 등)의 하나 이상의 컴포넌트들은 제어기(732)에 결합된다.
본 개시의 이점들은 포토마스크/레티클 검사 및 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 멀티-컬럼 간격에 관한 것이다. 본 개시의 이점들은 또한 포토마스크/레티클 검사 및 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 멀티-컬럼 간격을 결정하는 방법에 관한 것이다. 본 개시의 이점들은 또한 포토마스크/레티클 검사 및 웨이퍼 인쇄 체크 검증을 위한 멀티-컬럼 간격으로 구성된 특성화 툴 및 특성화 시스템에 관한 것이다.
당업자들은, 최신 기술이 시스템들의 양상들의 하드웨어, 소프트웨어 및/또는 펌웨어 구현들 사이에 거의 구별되지 않는 포인트까지 진행되어 왔고; 하드웨어, 소프트웨어 및/또는 펌웨어의 사용은 일반적으로 비용 대 효율 절충점들을 표현하는 설계 선택인 것(그러나, 특정 상황들에서 하드웨어와 소프트웨어 사이의 선택은 중요해질 수 있다는 점에서 항상 그러한 것은 아님)을 인식할 것이다. 당업자들은, 본 명세서에 설명된 프로세스들 및/또는 시스템들 및/또는 다른 기술들(예를 들어, 하드웨어, 소프트웨어 및/또는 펌웨어)이 시행될 수 있게 하는 다양한 차량들이 존재하고, 바람직한 차량은 프로세스들 및/또는 시스템들 및/또는 다른 기술들이 배치되는 상황에 따라 변할 것임을 인식할 것이다. 예를 들어, 속력 및 정확도가 중요하다고 구현자가 결정하면, 구현자는 주로 하드웨어 및/또는 펌웨어 차량을 선택할 수 있거나; 대안적으로 융통성이 중요하면, 구현자는 주로 소프트웨어 구현을 선택할 수 있거나; 또는 또한 대안적으로, 구현자는 하드웨어, 소프트웨어 및/또는 펌웨어의 일부 조합을 선택할 수 있다. 따라서, 본 명세서에 설명된 프로세스들 및/또는 디바이스들 및/또는 다른 기술들이 시행될 수 있게 하는 몇몇 가능한 차량들이 존재하고, 활용될 임의의 차량이 차량이 배치될 상황 및 구현자의 특정 관심사들(예를 들어, 속력, 융통성 또는 예측가능성)에 따른 선택사항이고 이들 중 임의의 것을 변할 수 있다는 점에서, 이들 중 어떠한 것도 다른 것에 비해 본질적으로 우월하지 않다. 당업자들은 구현들의 광학 양상들이 통상적으로 광학적으로 배향된 하드웨어, 소프트웨어 및 펌웨어를 이용할 것임을 인식할 것이다.
본 명세서에 설명된 일부 구현들에서, 로직 및 유사한 구현들은 소프트웨어 또는 다른 제어 구조들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 전자 회로는 본 명세서에서 설명된 바와 같은 다양한 기능들을 구현하도록 구성 및 배열된 전류의 하나 이상의 경로들을 가질 수 있다. 일부 구현들에서, 하나 이상의 매체들은, 이러한 매체들이 본 명세서에서 설명된 바와 같이 수행하도록 동작가능한 디바이스-검출가능한 명령들을 유지 또는 송신하는 경우 디바이스-검출가능한 구현을 지원하도록 구성될 수 있다. 일부 변형들에서, 예를 들어, 구현들은, 예를 들어, 본 명세서에서 설명된 하나 이상의 동작들과 관련하여 하나 이상의 명령들의 송신 또는 수신을 수행함으로써, 기존의 소프트웨어 또는 펌웨어의 또는 게이트 어레이들 또는 프로그래밍가능 하드웨어의 업데이트 또는 수정을 포함할 수 있다. 대안적으로 또는 추가적으로, 일부 변형들에서, 구현은 특수 목적 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어 컴포넌트들, 및/또는 특수 목적 컴포넌트들을 실행하거나 달리 호출하는 범용 컴포넌트들을 포함할 수 있다. 규격들 또는 다른 구현들은 본 명세서에 설명된 바와 같은 유형의 송신 매체들의 하나 이상의 인스턴스들에 의해, 선택적으로는 패킷 송신에 의해 또는 달리 분산된 매체들을 통해 다양한 시간들에 전달함으로써 송신될 수 있다.
대안적으로 또는 추가적으로, 구현들은 본 명세서에 설명된 사실상 임의의 기능적 동작들의 하나 이상의 발생들을 가능하게 하거나, 트리거링, 조정, 요청 또는 달리 초래하기 위한 특수 목적 명령 시퀀스 또는 호출 회로를 실행하는 것을 포함할 수 있다. 일부 변형들에서, 본 명세서에서의 동작 또는 다른 논리적 설명들은 소스 코드로서 표현될 수 있고, 실행가능한 명령 시퀀스로서 컴파일 또는 달리 호출될 수 있다. 일부 상황들에서, 예를 들어, 구현들은 전체적으로 또는 부분적으로 C++과 같은 소스 코드 또는 다른 코드 시퀀스들에 의해 제공될 수 있다. 다른 구현들에서, 본 기술분야에서 상업적으로 이용가능한 및/또는 기술들을 사용하는 소스 또는 다른 코드 구현은 고레벨 디스크립터 언어로 컴파일/구현/전환/변환될 수 있다.(예를 들어, 초기에 C, C++, 파이썬(python), 루비 온 레일즈(Ruby on Rails), 자바(Java), PHP, .NET, or Node.js 프로그래밍 언어로 설명되는 기술들을 구현하고, 그 후 프로그래밍 언어 구현을 로직-합성가능 언어 구현, 하드웨어 설명 언어 구현, 하드웨어 설계 시뮬레이션 구현 및/또는 다른 이러한 유사한 표현 모드(들)로 변환한다). 예를 들어, 로직 표현(예를 들어, 컴퓨터 프로그래밍 언어 구현)의 일부 또는 전부는 (예를 들어, 하드웨어 설명 언어(HDL) 및/또는 초고속 집적 회로 하드웨어 디스크립터 언어((VHDL)를 통해) 베릴로그(Verilog)-형 하드웨어 설명으로서, 또는 그 다음 하드웨어(예를 들어, 주문형 집적 회로)를 갖는 물리적 구현을 생성하기 위해 사용될 수 있는 다른 회로 모델로서 나타날 수 있다. 당업자들은 이러한 교시들에 비추어 적합한 송신 또는 계산 요소들, 재료 공급 장치들, 액추에이터들 또는 다른 구조들을 획득, 구성 및 최적화하는 방법을 인식할 것이다.
전술한 상세한 설명은 블록도들, 흐름도들 및/또는 예시들의 사용을 통해 디바이스들 및/또는 프로세스들의 다양한 실시예들을 기술하였다. 이러한 블록도들, 흐름도들 및/또는 예시들이 하나 이상의 기능들 및/또는 동작들을 포함하는 한, 이러한 블록도들, 흐름도들 또는 예시들 내의 각각의 기능 및/또는 동작은 광범위한 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어 또는 사실상 이들의 임의의 조합에 의해 집합적으로 및/또는 개별적으로 구현될 수 있음이 당업자들에 의해 이해될 것이다. 일 실시예에서, 본 명세서에서 설명된 요지의 몇몇 부분들은 주문형 집적 회로(ASIC)들, 필드 프로그래밍가능 게이트 어레이(FPGA)들, 디지털 신호 프로세서(DSP)들 또는 다른 집적 포맷들을 통해 구현될 수 있다. 그러나, 당업자들은, 본 명세서에 개시된 실시예들의 일부 양상들이 전체적으로 또는 부분적으로, 하나 이상의 컴퓨터들 상에서 실행되는 하나 이상의 컴퓨터 프로그램들로서(예를 들어, 하나 이상의 컴퓨터 시스템들 상에서 실행되는 하나 이상의 프로그램들로서), 하나 이상의 프로세서들 상에서 실행되는 하나 이상의 프로그램들로서(예를 들어, 하나 이상의 마이크로프로세서들 상에서 실행되는 하나 이상의 프로그램들로서), 펌웨어로서, 또는 사실상 이들의 임의의 조합으로서 집적 회로들에서 동등하게 구현될 수 있고, 회로를 설계하고 소프트웨어 및 또는 펌웨어에 대한 코드를 기록하는 것은 본 개시에 비추어 당업자의 기술 내에서 양호할 것임을 인식할 것이다. 또한, 당업자들은, 본 명세서에 설명된 요지의 메커니즘들이 다양한 형태들로 프로그램 제품으로서 분산될 수 있고, 실제로 분배를 수행하기 위해 사용되는 특정 유형의 신호 베어링 매체와 무관하게 본 명세서에 설명된 요지의 예시적인 실시예가 적용됨을 인식할 것이다. 신호 베어링 매체의 예들은, 기록가능한 유형의 매체, 예를 들어, 플로피 디스크, 하드 디스크 드라이브, 컴팩트 디스크(CD), 디지털 비디오 디스크(DVD), 디지털 테이프, 컴퓨터 메모리 등; 및 송신 유형의 매체, 예를 들어, 디지털 및/또는 아날로그 통신 매체(예를 들어, 광섬유 케이블, 도파관, 유선 통신 링크, 무선 통신 링크(예를 들어, 송신기, 수신기, 송신 로직, 수신 로직 등) 등)를 포함할 수 있지만, 이에 제한되는 것은 아니다.
일반적인 의미에서, 당업자들은, 본 명세서에 설명된 다양한 실시예들이 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어 및/또는 사실상 이들의 임의의 조합과 같은 광범위한 전기 컴포넌트들을 갖는 다양한 유형들의 전자-기계적 시스템들; 및 강성 본체들, 스프링 또는 비틀림 본체들, 유압 장치들, 전자-자기적으로 작동되는 디바이스들, 및/또는 사실상 이들의 임의의 조합에 의해 집합적으로 및/또는 개별적으로 구현될 수 있음을 인식할 것이다. 결국, 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, "전자-기계적 시스템"은, 트랜스듀서와 동작가능하게 결합되는 전기 회로(예를 들어, 액추에이터, 모터, 압전 크리스탈, 마이크로 전자 기계적 시스템(MEMS) 등), 적어도 하나의 이산 전기 회로를 갖는 전기 회로, 적어도 하나의 집적 회로를 갖는 전기 회로, 적어도 하나의 주문형 집적 회로를 갖는 전기 회로, 컴퓨터 프로그램에 의해 구현되는 범용 컴퓨팅 디바이스를 형성하는 전기 회로(예를 들어, 본 명세서에 설명된 프로세스들 및/또는 디바이스들을 적어도 부분적으로 수행하는 컴퓨터 프로그램에 의해 구성되는 범용 컴퓨터, 또는 본 명세서에 설명된 프로세스들 및/또는 디바이스들을 적어도 부분적으로 수행하는 컴퓨터 프로그램에 의해 구성되는 마이크로프로세서), 메모리 디바이스를 형성하는 전기 회로(예를 들어, 메모리의 형태들(예를 들어, 랜덤 액세스, 플래시, 판독 전용 등)), 통신 디바이스를 형성하는 전기 회로(예를 들어, 모뎀, 통신 스위치, 광학-전기 장비 등) 및/또는 이에 대한 임의의 비-전기 아날로그, 예를 들어, 광학 또는 다른 아날로그들을 포함하지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 당업자들은 또한, 전자-기계 시스템들의 예들이 다양한 컴퓨터 전자 시스템들, 의료 디바이스들 뿐만 아니라 다른 시스템들, 예를 들어, 전동식 운송 시스템들, 공장 자동화 시스템들, 보안 시스템들 및/또는 통신/컴퓨팅 시스템들을 포함하지만, 이에 제한되는 것은 아님을 인식할 것이다. 당업자들은, 본 명세서에서 사용되는 바와 같은 전자-기계가, 상황이 달리 지정할 수 있는 것을 제외하고는 전기 및 기계적 작동 둘 모두를 갖는 시스템으로 반드시 제한되는 것은 아님을 인식할 것이다.
일반적인 의미에서, 당업자들은, 광범위한 하드웨어, 소프트웨어, 펌웨어 및/또는 이들의 임의의 조합에 의해 집합적으로 및/또는 개별적으로 구현될 수 있는 본 명세서에 설명된 다양한 양상들이 다양한 유형들의 "전기 회로"로 구성되는 것으로 간주될 수 있음을 인식할 것이다. 결국, 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, "전기 회로"는, 적어도 하나의 이산 전기 회로를 갖는 전기 회로, 적어도 하나의 집적 회로를 갖는 전기 회로, 적어도 하나의 주문형 집적 회로를 갖는 전기 회로, 컴퓨터 프로그램에 의해 구현되는 범용 컴퓨팅 디바이스를 형성하는 전기 회로(예를 들어, 본 명세서에 설명된 프로세스들 및/또는 디바이스들을 적어도 부분적으로 수행하는 컴퓨터 프로그램에 의해 구성되는 범용 컴퓨터, 또는 본 명세서에 설명된 프로세스들 및/또는 디바이스들을 적어도 부분적으로 수행하는 컴퓨터 프로그램에 의해 구성되는 마이크로프로세서), 메모리 디바이스를 형성하는 전기 회로(예를 들어, 메모리의 형태들(예를 들어, 랜덤 액세스, 플래시, 판독 전용 등)), 및/또는 통신 디바이스를 형성하는 전기 회로(예를 들어, 모뎀, 통신 스위치, 광학-전기 장비 등)를 포함하지만, 이에 제한되는 것은 아니다. 당업자들은, 본 명세서에 설명된 요지가 아날로그 또는 디지털 방식으로 또는 이들의 일부 조합으로 구현될 수 있음을 인식할 것이다.
당업자들은 본 명세서에 설명된 디바이스들 및/또는 프로세스들의 적어도 일부가 데이터 프로세싱 시스템에 통합될 수 있음을 인식할 것이다. 당업자들은, 데이터 프로세싱 시스템이 일반적으로 시스템 유닛 하우징, 비디오 디스플레이 디바이스, 메모리, 예를 들어, 휘발성 또는 비휘발성 메모리, 프로세서들, 예를 들어, 마이크로프로세서들 또는 디지털 신호 프로세서들, 계산 엔티티들, 예를 들어, 운영 시스템들, 드라이버들, 그래픽 사용자 인터페이스들 및 애플리케이션 프로그램들, 하나 이상의 상호작용 디바이스들(예를 들어, 터치 패드, 터치 스크린, 안테나 등), 및/또는 피드백 루프들 및 제어 모터들을 포함하는 제어 시스템들(예를 들어, 위치 및/또는 속도를 감지하기 위한 피드백; 컴포넌트들 및/또는 수량들을 이동 및/또는 조절하기 위한 제어 모터들) 중 하나 이상을 포함함을 인식할 것이다. 데이터 프로세싱 시스템은, 데이터 컴퓨팅/통신 및/또는 네트워크 컴퓨팅/통신 시스템들에서 통상적으로 발견되는 것들과 같은 적합한 상업적으로 이용가능한 컴포넌트들을 활용하여 구현될 수 있다.
당업자는, 본 명세서에서 설명된 컴포넌트들(예를 들어, 동작들), 디바이스들, 객체들 및 이들을 수반하는 논의들이 개념적인 명확성을 위한 예시들로서 사용되었고 다양한 구성 수정들이 고려됨을 인식할 것이다. 결국, 본 명세서에서 사용되는 바와 같이, 기술된 특정 예시들 및 수반된 논의는 이들의 보다 일반적인 클래스들을 대표하도록 의도된다. 일반적으로, 임의의 특정 예시의 사용은 그 클래스를 대표하는 것으로 의도되며, 특정 컴포넌트들(예를 들어, 동작들), 디바이스들 및 객체들의 비-포함이 제한적인 것으로 간주되지 않아야 한다.
본 명세서에서 사용자는 단일 개체로 설명되었지만, 당업자들은 문맥상 달리 지정되지 않는 한, 사용자가 인간 사용자, 로봇 사용자(예를 들어, 계산 개체) 및/또는 이들의 실질적으로 임의의 조합(예를 들어, 사용자는 하나 이상의 로봇 에이전트들에 의해 보조될 수 있다)을 표현할 수 있음을 인식할 것이다. 당업자들은, 일반적으로 문맥상 달리 지정되지 않는 한, "전송자" 및/또는 다른 개체-지향적 용어들이 본 명세서에서 사용되는 것과 동일한 것을 지칭할 수 있음을 인식할 것이다.
본원에서 실질적으로 임의의 복수 및/또는 단수 용어들의 사용에 있어서, 당업자들은 문맥 및/또는 적용에 적절하도록 복수로부터 단수로 및/또는 단수로부터 복수 변환할 수 있다. 다양한 단수/복수 치환들은 명확성을 위해 본원에서 명시적으로 기재되지 않는다.
본 명세서에서 설명된 요지는 때때로 상이한 다른 컴포넌트들 내에 포함되거나 그에 연결된 상이한 컴포넌트들을 예시한다. 이러한 묘사된 아키텍처들은 단지 예시적이며, 실제로 동일한 기능을 달성하는 많은 다른 아키텍처들이 구현될 수 있음을 이해해야 한다. 개념적 관점에서, 동일한 기능을 달성하는 컴포넌트들의 임의의 배열은, 원하는 기능이 달성되도록 효과적으로 "연관된다". 따라서, 본원에서 특정 기능을 달성하도록 조합된 임의의 2개의 컴포넌트들은, 아키텍처들 또는 중간적 컴포넌트들과 무관하게 원하는 기능이 달성되도록 서로 "연관되는" 것으로 간주될 수 있다. 마찬가지로, 그렇게 연관된 임의의 2개의 컴포넌트들은 또한 원하는 기능성을 달성하기 위해 서로 "동작가능하게 연결된" 또는 "동작가능하게 결합된" 것으로 간주될 수 있으며, 그렇게 연관될 수 있는 임의의 2개의 컴포넌트들은 또한 원하는 기능성을 달성하기 위해 서로 "동작가능하게 결합가능한" 것으로 간주될 수 있다. 동작가능하게 결합가능한 특정 예시들은 물리적으로 정합가능한 및/또는 물리적으로 상호작용하는 컴포넌트들 및/또는 무선으로 상호작용가능한 및/또는 무선으로 상호작용하는 컴포넌트들 및/또는 논리적으로 상호작용하는 및/또는 논리적으로 상호작용가능한 컴포넌트들을 포함하지만 이에 제한되는 것은 아니다.
일부 인스턴스들에서, 하나 이상의 컴포넌트들은 본 명세서에서 "구성된", "구성가능한", "동작가능한/동작하는", "적응형/적응가능한", "할 수 있는", "적합한/준수하는" 등으로 지칭될 수 있다. 당업자들은, 문맥상 달리 요구하지 않는 한, 이러한 용어들(예를 들어, "구성되는")이 일반적으로 활성-상태 컴포넌트들 및/또는 비활성-상태 컴포넌트들 및/또는 대기-상태 컴포넌트들을 포함할 수 있음을 인식할 것이다.
본 명세서에 설명된 요지의 특정 양상들이 도시되고 설명되었지만, 본 명세서의 교시들에 기초하여, 본 명세서에서 설명된 요지 및 이의 더 넓은 양상들을 벗어남이 없이 변화들 및 수정들이 행해질 수 있고, 따라서 첨부된 청구항들은 청구항들의 범위 내에서 모든 이러한 변화들 및 수정들을, 본 명세서에서 설명된 요지의 진정한 사상 및 범주 내에 있는 것으로 포함해야 함은 당업자들에게 자명할 것이다. 일반적으로, 본원 및 특히 첨부된 청구항들(예를 들어, 첨부된 청구항들의 본문들)에서 사용된 용어들은 일반적으로 "열린" 용어들로 의도되는 것이 당업자들에 의해 이해될 것이다(예를 들어, "포함하는"이라는 용어는 "포함하지만 이에 제한되지 않는" 것으로, "갖는"이라는 용어는 "적어도 포함하는" 것으로, "포함한다"는 용어는 "포함하지만 제한되지는 않는다"로 해석되어야 한다. 특정 수의 도입된 청구항 인용이 의도되면, 이러한 의도는 청구항에서 명시적으로 인용될 것이고, 이러한 인용의 부재는 어떠한 이러한 의도도 존재하지 않음이 당업자들에 의해 추가로 이해될 것이다. 예를 들어, 이해를 돕기 위해, 다음의 첨부된 청구항들은 청구항 인용들을 도입하기 위해, "적어도 하나" 및 "하나 이상"의 도입 어구들의 사용을 포함할 수 있다. 그러나, 그러한 어구들의 사용은, 동일한 청구항이 도입 어구들 "하나 이상" 또는 "적어도 하나", 및 "a" 또는 "an"과 같은 부정 관사를 포함하는 경우에도, 부정 관사 "a" 또는 "an"에 의한 청구항 인용의 도입이 이러한 도입된 청구항 인용을 포함하는 임의의 특정 청구항을 오직 하나의 이러한 인용만을 포함하는 청구항들로 제한한다는 것을 의미하는 것으로 해석되어서는 안되며(예를 들어, "a" 및/또는 "an"은 통상적으로 "적어도 하나" 또는 ‘하나 이상"을 의미하는 것으로 해석되어야 함); 이는 청구항 인용들을 도입하기 위해 사용되는 정관사들의 사용에 대해서도 동일하게 적용된다. 또한, 특정 수의 도입된 청구항 인용이 명시적으로 인용되는 경우에도, 본 기술분야의 통상의 기술자들은, 이러한 인용이 통상적으로 적어도 그 인용된 수를 의미하는 것으로 해석되어야 함을 인식할 것이다.(예를 들어, 다른 수정자들 없이 "2 개의 인용들"의 단순한 인용은 통상적으로 적어도 2 개의 인용들 또는 둘 이상의 인용들을 의미한다). 또한, "A, B 및 C 등 중 적어도 하나"와 유사한 관행이 사용되는 그러한 경우들에서, 일반적으로 이러한 구성은 당업자가 관행을 이해할 관점에서 의도된다(예를 들어, "A, B 및 C 중 적어도 하나를 갖는 시스템"은 오직 A, 오직 B, 오직 C, A 및 B를 함께, A 및 C를 함께, B 및 C를 함께, 및/또는 A, B 및 C를 함께 갖는 것 등의 시스템들을 포함할 것이지만 이에 제한되는 것은 아니다). "A, B 또는 C 등 중 적어도 하나"와 유사한 관행이 사용되는 그러한 경우들에서, 일반적으로 이러한 구성은 당업자가 관행을 이해할 관점에서 의도된다(예를 들어, "A, B 또는 C 중 적어도 하나를 갖는 시스템"은 오직 A, 오직 B, 오직 C, A 및 B를 함께, A 및 C를 함께, B 및 C를 함께, 및/또는 A, B 및 C를 함께 갖는 것 등의 시스템들을 포함할 것이지만 이에 제한되는 것은 아니다). 문맥상 달리 지정되지 않는 한, 설명에서든, 청구항들에서든 또는 도면들에서든 둘 이상의 대안적 용어를 제시하는 통상적으로 분리된 단어 및/또는 어구는 용어들 중 하나, 또는 용어들 중 어느 하나 또는 둘 모두의 용어들을 포함할 가능성들을 고려하도록 이해되어야 하는 것이 당업자들에게 추가로 이해될 것이다. 예를 들어, "A 또는 B"라는 문구는 통상적으로 "A" 또는 "B" 또는 "A 및 B"의 가능성들을 포함하는 것으로 이해될 것이다.
첨부된 청구항들에 대해, 당업자들은, 청구항에서 인용된 동작들이 일반적으로 임의의 순서로 수행될 수 있음을 인식할 것이다. 또한, 다양한 동작 흐름들이 시퀀스(들)로 제시되지만, 다양한 동작들이 예시된 것들 이외의 순서들로 수행될 수 있거나 동시에 수행될 수 있음을 이해해야 한다. 이러한 대안적인 순서들의 예들은, 문맥상 달리 지정되지 않는 한, 중첩, 인터리브, 중단, 재정렬, 증분, 예비, 보충, 동시, 역 또는 다른 변형 순서들을 포함할 수 있다. 또한, "응답하는", "관련된" 또는 다른 과거형 형용사들과 같은 용어들은 문맥상 달리 지정되지 않는 한 일반적으로 이러한 변형들을 배제하도록 의도되지 않는다.
본 발명의 특정 실시예들이 예시되었지만, 본 발명의 다양한 수정들 및 실시예들은 전술한 개시의 범주 및 사상을 벗어남이 없이 당업자들에 의해 행해질 수 있음이 자명하다. 본 개시 및 그에 수반되는 많은 이점들은 전술한 설명에 의해 이해될 것이며, 개시된 요지를 벗어나지 않으면서 또는 이의 실질적 이점들 모두를 희생하지 않으면서 컴포넌트들의 형태, 구성 및 배열에서 다양한 변화들이 행해질 수 있음은 자명할 것이다. 설명된 형태는 단지 설명적인 것이며, 다음의 청구항들의 의도는 그러한 변화들을 아우르고 포함하는 것이다. 따라서, 본 발명의 범주는 이에 첨부된 청구항들에 의해서만 제한되어야 한다.

Claims (32)

  1. 스캐닝 전자 현미경(scanning electron microscopy; SEM) 시스템을 위한 멀티-컬럼 조립체(multi-column assembly)로서,
    하나 이상의 간격들에 의해 정의되는 어레이에 배열되는 복수의 전자-광학 컬럼들을 포함하고, 각각의 전자-광학 컬럼은 하나 이상의 전자-광학 요소들을 포함하고,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들은 스테이지 상에 고정된 샘플의 표면 상에 하나 이상의 필드 영역들을 특성화하도록 구성되고,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들 내의 상기 전자-광학 컬럼들의 수는 상기 하나 이상의 필드 영역들의 필드 영역 내의 검사 영역들의 정수 개수와 동일하며,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들의 상기 하나 이상의 간격들은 상기 검사 영역들의 하나 이상의 치수들에 대응하는 것인, 멀티-컬럼 조립체.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 하나 이상의 간격들은 제1 방향에서 제1 간격 및 적어도 제2 방향에서 적어도 제2 간격을 포함하는 것인, 멀티-컬럼 조립체.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 제1 방향에서 상기 제1 간격 및 상기 적어도 제2 방향에서 상기 적어도 제2 간격은 상이한 것인, 멀티-컬럼 조립체.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 제1 방향에서 상기 제1 간격 및 상기 적어도 제2 방향에서 상기 적어도 제2 간격은 동일한 것인, 멀티-컬럼 조립체.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 정수 개수의 검사 영역들의 인접한 검사 영역들은 중첩하지 않는 것인, 멀티-컬럼 조립체.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 정수 개수의 검사 영역들의 인접한 검사 영역들의 적어도 하나의 세트는 적어도 부분적으로 중첩하는 것인, 멀티-컬럼 조립체.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 정수 개수의 검사 영역들은 크기에서 실질적으로 동일한 것인, 멀티-컬럼 조립체.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 정수 개수의 검사 영역들 중 제1 검사 영역은 상기 정수 개수의 검사 영역들 중 제2 검사 영역과 크기에서 상이한 것인, 멀티-컬럼 조립체.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 샘플의 표면 상의 상기 하나 이상의 필드 영역들은 상기 샘플의 표면 상에 단일 필드 영역을 포함하고, 상기 단일 필드 영역은 상기 정수 개수의 검사 영역들로 분리되는 것인, 멀티-컬럼 조립체.
  10. 제1항에 있어서,
    상기 샘플의 표면 상의 상기 하나 이상의 필드 영역들은 제1 필드 영역 및 적어도 제2 필드 영역을 포함하고, 상기 제1 필드 영역 및 상기 적어도 제2 필드 영역 각각은 상기 정수 개수의 검사 영역들을 포함하는 것인, 멀티-컬럼 조립체.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들은 상기 제1 필드 영역 및 상기 적어도 제2 필드 영역을 순차적으로 특성화하도록 구성되는 것인, 멀티-컬럼 조립체.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들은, 상기 제1 필드 영역 내의 상기 정수 개수의 검사 영역들을 특성화한 후 상기 적어도 제2 필드 영역 내의 상기 정수 개수의 검사 영역들을 특성화하도록 구성되는 것인, 멀티-컬럼 조립체.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 제1 필드 영역 및 상기 적어도 제2 필드 영역은 중첩하지 않는 것인, 멀티-컬럼 조립체.
  14. 제10항에 있어서,
    상기 제1 필드 영역 및 상기 적어도 제2 필드 영역은 적어도 부분적으로 중첩하는 것인, 멀티-컬럼 조립체.
  15. 제10항에 있어서,
    상기 제1 필드 영역 및 상기 적어도 제2 필드 영역은 크기에서 실질적으로 동일한 것인, 멀티-컬럼 조립체.
  16. 제10항에 있어서,
    상기 제1 필드 영역은 상기 적어도 제2 필드 영역과 크기에서 상이한 것인, 멀티-컬럼 조립체.
  17. 제1항에 있어서,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들은 복수의 전자 빔 소스들에 의해 생성된 복수의 전자 빔들을 수신하는 것인, 멀티-컬럼 조립체.
  18. 제17항에 있어서,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들의 각각의 전자-광학 컬럼은 상기 복수의 전자 빔들의 전자 빔을 수신하는 것인, 멀티-컬럼 조립체.
  19. 제17항에 있어서,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들은 상기 복수의 전자 빔들을 상기 샘플의 표면에 지향시키는 것인, 멀티-컬럼 조립체.
  20. 제19항에 있어서,
    상기 샘플은 상기 복수의 전자 빔들 중 적어도 하나의 전자 빔에 응답하여 전자들을 방출 또는 산란시키는 것인, 멀티-컬럼 조립체.
  21. 제20항에 있어서
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들 중 적어도 하나의 전자-광학 컬럼은 방출된 또는 산란된 전자들 중 적어도 일부를 검출하는 것인, 멀티-컬럼 조립체.
  22. 제1항에 있어서,
    상기 샘플은 포토마스크 또는 레티클 중 적어도 하나를 포함하는 것인, 멀티-컬럼 조립체.
  23. 스캐닝 전자 현미경(SEM) 시스템을 위한 멀티-컬럼 조립체로서,
    하나 이상의 간격들에 의해 정의되는 어레이에 배열되는 복수의 전자-광학 컬럼들을 포함하고, 각각의 전자-광학 컬럼은 하나 이상의 전자-광학 요소들을 포함하고,
    특정 필드의 둘 이상의 인스턴스들은 스테이지 상에 고정된 샘플의 표면 상에 인쇄되고,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들 중 제1 전자-광학 컬럼은 상기 특정 필드의 제1 인스턴스 내의 제1 검사 영역을 특성화하도록 구성되고,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들 중 적어도 추가적인 전자-광학 컬럼은 상기 특정 필드의 적어도 추가적인 인스턴스 내의 적어도 추가적인 검사 영역을 특성화하도록 구성되며,
    상기 적어도 추가적인 검사 영역은 상기 제1 검사 영역과 상이한 특정 필드 부분인 것인, 멀티-컬럼 조립체.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 제1 전자-광학 컬럼에 의해 특성화된 상기 특정 필드의 상기 제1 인스턴스 내의 상기 제1 검사 영역 및 상기 적어도 추가적인 전자-광학 컬럼에 의해 특성화된 상기 특정 필드의 상기 적어도 추가적인 인스턴스 내의 상기 적어도 추가적인 검사 영역을 집성함으로써 합성 필드가 생성되는 것인, 멀티-컬럼 조립체.
  25. 제23항에 있어서,
    상기 특정 필드는,
    포토마스크 필드 또는 레티클 필드 중 적어도 하나를 포함하는 것인, 멀티-컬럼 조립체.
  26. 제23항에 있어서,
    상기 샘플은 웨이퍼를 포함하는 것인, 멀티-컬럼 조립체.
  27. 멀티-컬럼 스캐닝 전자 현미경(SEM) 시스템으로서,
    복수의 전자 빔들을 생성하도록 구성된 복수의 전자 빔 소스들을 포함하는 전자 빔 소스 조립체;
    샘플을 고정시키도록 구성되는 스테이지; 및
    멀티-컬럼 조립체를 포함하고,
    상기 멀티-컬럼 조립체는,
    하나 이상의 간격들에 의해 정의되는 어레이에 배열되는 복수의 전자-광학 컬럼들을 포함하고, 각각의 전자-광학 컬럼은 하나 이상의 전자-광학 요소들을 포함하고,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들은 상기 스테이지 상에 고정된 상기 샘플의 표면 상에 하나 이상의 필드 영역들을 특성화하도록 구성되고,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들 내의 상기 전자-광학 컬럼들의 수는 상기 하나 이상의 필드 영역들의 필드 영역 내의 검사 영역들의 정수 개수와 동일하고,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들의 상기 하나 이상의 간격들은 상기 검사 영역들의 하나 이상의 치수들에 대응하고,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들의 각각의 전자-광학 컬럼은 상기 복수의 전자 빔들의 전자 빔을 수신하고,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들은 상기 복수의 전자 빔들을 상기 샘플의 표면에 지향시키고,
    상기 샘플은 상기 복수의 전자 빔들 중 적어도 하나의 전자 빔에 응답하여 전자들을 방출 또는 산란시키며,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들 중 적어도 하나의 전자-광학 컬럼은 방출된 또는 산란된 전자들 중 적어도 일부를 검출하는 것인, 멀티-컬럼 스캐닝 전자 현미경(SEM) 시스템.
  28. 멀티-컬럼 스캐닝 전자 현미경(SEM) 시스템으로서,
    복수의 전자 빔들을 생성하도록 구성된 복수의 전자 빔 소스들을 포함하는 전자 빔 소스 조립체;
    샘플을 고정시키도록 구성되는 스테이지; 및
    멀티-컬럼 조립체를 포함하고,
    상기 멀티-컬럼 조립체는,
    하나 이상의 간격들에 의해 정의되는 어레이에 배열되는 복수의 전자-광학 컬럼들을 포함하고, 각각의 전자-광학 컬럼은 하나 이상의 전자-광학 요소들을 포함하고,
    특정 필드의 둘 이상의 인스턴스들은 상기 스테이지 상에 고정된 상기 샘플의 표면 상에 인쇄되고,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들 중 제1 전자-광학 컬럼은 상기 특정 필드의 제1 인스턴스 내의 제1 검사 영역을 특성화하도록 구성되고,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들 중 적어도 추가적인 전자-광학 컬럼은 상기 특정 필드의 적어도 추가적인 인스턴스 내의 적어도 추가적인 검사 영역을 특성화하도록 구성되고,
    상기 적어도 추가적인 검사 영역은 상기 제1 검사 영역과 상이한 특정 필드 부분이고,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들의 각각의 전자-광학 컬럼은 상기 복수의 전자 빔들의 전자 빔을 수신하고,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들은 상기 복수의 전자 빔들을 상기 샘플의 표면에 지향시키고,
    상기 샘플은 상기 복수의 전자 빔들 중 적어도 하나의 전자 빔에 응답하여 전자들을 방출 또는 산란시키며,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들 중 적어도 하나의 전자-광학 컬럼은 방출된 또는 산란된 전자들 중 적어도 일부를 검출하는 것인, 멀티-컬럼 스캐닝 전자 현미경(SEM) 시스템.
  29. 방법으로서,
    하나 이상의 간격들에 의해 정의되는 어레이에 배열된 멀티-컬럼 스캐닝 전자 현미경(SEM) 검토 툴의 복수의 전자-광학 컬럼들을 통해 샘플의 표면 상의 하나 이상의 필드 영역들을 특성화하는 단계를 포함하고, 각각의 전자-광학 컬럼은 하나 이상의 전자-광학 요소들을 포함하고,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들 내의 상기 전자-광학 컬럼들의 수는 상기 하나 이상의 필드 영역들의 필드 영역 내의 검사 영역들의 정수 개수와 동일하며,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들의 상기 하나 이상의 간격들은 상기 검사 영역들의 하나 이상의 치수들에 대응하는 것인, 방법.
  30. 방법으로서,
    하나 이상의 간격들에 의해 정의되는 어레이에 배열된 멀티-컬럼 스캐닝 전자 현미경(SEM) 검토 툴의 복수의 전자-광학 컬럼들을 통해 샘플의 표면 상에 인쇄된 특정 영역의 둘 이상의 인스턴스들을 특성화하는 단계를 포함하고, 각각의 전자-광학 컬럼은 하나 이상의 전자-광학 요소들을 포함하고,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들 중 제1 전자-광학 컬럼은 상기 특정 필드의 제1 인스턴스 내의 제1 검사 영역을 특성화하도록 구성되고,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들 중 적어도 추가적인 전자-광학 컬럼은 상기 특정 필드의 적어도 추가적인 인스턴스 내의 적어도 추가적인 검사 영역을 특성화하도록 구성되며,
    상기 적어도 추가적인 검사 영역은 상기 제1 검사 영역과 상이한 특정 필드 부분인 것인, 방법.
  31. 방법으로서,
    샘플의 표면 상의 하나 이상의 필드 영역들의 하나 이상의 치수들을 결정하는 단계;
    상기 하나 이상의 필드 영역들의 상기 하나 이상의 치수들에 기초하여 멀티-컬럼 스캐닝 전자 현미경(SEM) 검토 툴의 복수의 전자-광학 컬럼들에 대한 하나 이상의 간격들을 결정하는 단계;
    상기 하나 이상의 필드 영역에서 정수 개수의 검사 영역들을 정의하는 단계를 포함하고,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들 내의 상기 전자-광학 컬럼들의 수는 상기 하나 이상의 필드 영역들의 필드 영역 내의 검사 영역들의 정수 개수와 동일하고,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들의 상기 하나 이상의 간격들은 상기 검사 영역들의 하나 이상의 치수들에 대응하는 것인, 방법.
  32. 방법으로서,
    샘플의 표면 상에 인쇄된 특정 영역의 둘 이상의 인스턴스들의 하나 이상의 치수들을 결정하는 단계;
    상기 샘플의 표면 상에 인쇄된 상기 하나 이상의 필드들의 상기 하나 이상의 치수들에 기초하여 멀티-컬럼 스캐닝 전자 현미경(SEM) 검토 툴의 복수의 전자-광학 컬럼들에 대한 하나 이상의 간격들을 결정하는 단계; 및
    상기 샘플의 표면 상에 인쇄된 특정 영역의 둘 이상의 인스턴스들에서 복수의 검사 영역들을 정의하는 단계를 포함하고,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들 중 제1 전자-광학 컬럼은 상기 특정 필드의 제1 인스턴스 내의 제1 검사 영역을 특성화하도록 구성되고,
    상기 복수의 전자-광학 컬럼들 중 적어도 추가적인 전자-광학 컬럼은 상기 특정 필드의 적어도 추가적인 인스턴스 내의 적어도 추가적인 검사 영역을 특성화하도록 구성되며,
    상기 적어도 추가적인 검사 영역은 상기 제1 검사 영역과 상이한 특정 필드 부분인 것인, 방법.
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