DE102020103339A1 - Verfahren zum Betrieb eines Teilchenstrahlgeräts, Computerprogrammprodukt und Teilchenstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens - Google Patents

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Abstract

Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betrieb eines Teilchenstrahlgeräts zur Abbildung und/oder Analyse eines Objekts, ein Computerprogrammprodukt und ein Teilchenstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens. Das Teilchenstrahlgerät ist beispielsweise als Elektronenstrahlgerät und/oder lonenstrahlgerät ausgebildet. Das Verfahren umfasst: Erzeugen eines Teilchenstrahls; Fokussieren des Teilchenstrahls auf einen Rasterbereich (601) des Objekts, wobei der Rasterbereich (601) als eine erste Fläche ausgebildet ist; Rastern des Teilchenstrahls über ein Rasterfeld (602) am Objekt, wobei das Rasterfeld (602) bei einer maximalen Auslenkung durch eine Rastereinrichtung als eine zweite Fläche ausgebildet ist, wobei die erste Fläche des Rasterbereichs (601) und die zweite Fläche des Rasterfelds (602) einen ersten, sich überlappenden Bereich (603) aufweisen und wobei die zweite Fläche des Rasterfelds (602) einen zweiten, sich nicht mit der ersten Fläche des Rasterbereichs (601) überlappenden Bereich (604) aufweist; sowie Erzeugen eines Bilds und/oder Durchführen einer Analyse mit Detektionssignalen, die ausschließlich aufgrund von dem ersten, sich überlappenden Bereich (603) stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder stammender Wechselwirkungsstrahlung erzeugt wurden.

Description

  • Die Erfindung betrifft ein Verfahren zum Betrieb eines Teilchenstrahlgeräts zur Abbildung und/oder Analyse eines Objekts, ein Computerprogrammprodukt und ein Teilchenstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens. Das Teilchenstrahlgerät ist beispielsweise als Elektronenstrahlgerät und/oder lonenstrahlgerät ausgebildet.
  • Elektronenstrahlgeräte, insbesondere ein Rasterelektronenmikroskop (nachfolgend auch SEM genannt) und/oder ein Transmissionselektronenmikroskop (nachfolgend auch TEM genannt), werden zur Untersuchung von Objekten (Proben) verwendet, um Kenntnisse hinsichtlich der Eigenschaften und des Verhaltens unter bestimmten Bedingungen zu erhalten.
  • Bei einem SEM wird ein Elektronenstrahl (nachfolgend auch Primärelektronenstrahl genannt) mittels eines Strahlerzeugers erzeugt und durch ein Strahlführungssystem auf ein zu untersuchendes Objekt fokussiert. Mittels einer Ablenkeinrichtung in Form einer Rastereinrichtung wird der Primärelektronenstrahl rasterförmig über eine Oberfläche des zu untersuchenden Objekts geführt. Die Elektronen des Primärelektronenstrahls treten dabei in Wechselwirkung mit dem zu untersuchenden Objekt. Als Folge der Wechselwirkung werden insbesondere Elektronen vom Objekt emittiert (sogenannte Sekundärelektronen) und Elektronen des Primärelektronenstrahls zurückgestreut (sogenannte Rückstreuelektronen). Die Sekundärelektronen und Rückstreuelektronen werden detektiert und zur Bilderzeugung verwendet. Man erhält somit eine Abbildung des zu untersuchenden Objekts.
  • Bei einem TEM wird ebenfalls ein Primärelektronenstrahl mittels eines Strahlerzeugers erzeugt und mittels eines Strahlführungssystems auf ein zu untersuchendes Objekt fokussiert. Der Primärelektronenstrahl durchstrahlt das zu untersuchende Objekt. Beim Durchtritt des Primärelektronenstrahls durch das zu untersuchende Objekt treten die Elektronen des Primärelektronenstrahls mit dem Material des zu untersuchenden Objekts in Wechselwirkung. Die durch das zu untersuchende Objekt hindurchtretenden Elektronen werden durch ein System bestehend aus einem Objektiv und einem Projektiv auf einen Leuchtschirm oder auf einen Detektor (beispielsweise eine Kamera) abgebildet. Die Abbildung kann dabei auch im Scan-Modus eines TEM erfolgen. Ein derartiges TEM wird in der Regel als STEM bezeichnet. Zusätzlich kann es vorgesehen sein, an dem zu untersuchenden Objekt zurückgestreute Elektronen und/oder von dem zu untersuchenden Objekt emittierte Sekundärelektronen mittels eines weiteren Detektors zu detektieren, um ein zu untersuchendes Objekt abzubilden.
  • Ferner ist es aus dem Stand der Technik bekannt, Kombinationsgeräte zur Untersuchung von Objekten zu verwenden, bei denen sowohl Elektronen als auch Ionen auf ein zu untersuchendes Objekt geführt werden können. Beispielsweise ist es bekannt, ein SEM zusätzlich mit einer lonenstrahlsäule auszustatten. Mittels eines in der lonenstrahlsäule angeordneten lonenstrahlerzeugers werden Ionen erzeugt, die zur Präparation eines Objekts (beispielsweise Abtragen von Material des Objekts oder Aufbringen von Material auf das Objekt) oder auch zur Bildgebung verwendet werden. Hierzu werden die Ionen mit einer Ablenkeinrichtung in Form einer Rastereinrichtung über das Objekt gerastert. Das SEM dient hierbei insbesondere zur Beobachtung der Präparation, aber auch zur weiteren Untersuchung des präparierten oder unpräparierten Objekts.
  • Es ist bekannt, dass ein abzubildender Bereich eines Objekts, der mit einem Teilchenstrahl abgerastert wird, aufgrund einer technischen Ausgestaltung der Objektivlinse und aufgrund einer technischen Ausgestaltung der Rastereinrichtung begrenzt ist, und zwar aus den folgenden Gründen.
  • Zum einen ist es bekannt, bei den oben genannten Teilchenstrahlgeräten eine Rundlinse als Objektivlinse zu verwenden, welche den Teilchenstrahl derart auf das Objekt fokussiert, dass ein runder Bereich des Objekts abgebildet wird. Dieser runde Bereich ist im Grunde genommen ein runder Rasterbereich. Werden Bereiche des Objekts abgebildet, die außerhalb des vorgenannten runden Rasterbereichs liegen, kommt es bei der Abbildung dieser Bereiche des Objekts zu großen Bildfehlern, die unerwünscht sind.
  • Zum anderen weist die oben genannte Rastereinrichtung in der Regel eine erste Ablenkeinrichtung für eine Ablenkung in eine x-Richtung und eine zweite Ablenkeinrichtung für eine Ablenkung in eine y-Richtung auf. Die erste Ablenkeinrichtung wird durch eine erste Ablenkverstärkereinheit mit einer ersten Spannung oder einem ersten Strom angesteuert. Die zweite Ablenkeinrichtung wird durch eine zweite Ablenkverstärkereinheit mit einer zweiten Spannung oder mit einem zweiten Strom angesteuert. Der Bereich des Objekts, auf welchen die Rastereinrichtung den Teilchenstrahl lenken kann, wird vorstehend und auch nachstehend als Rasterfeld bezeichnet. Aufgrund ihrer elektronischen Bauweise können die erste Ablenkeinrichtung und die zweite Ablenkeinrichtung Spannungen oder Ströme mit einer Amplitude bis zu einer Maximalamplitude bereitstellen. Diese Maximalamplitude ermöglicht es der ersten Ablenkeinrichtung und der zweiten Ablenkeinrichtung, den Teilchenstrahl maximal abzulenken. Bei Zuführung der Spannung oder des Stroms mit der Maximalamplitude wird demnach ein maximales Rasterfeld erzielt. In der Regel weist das maximale Rasterfeld eine quadratische oder rechteckige Form auf. Es sind aber auch maximale Rasterfelder bekannt, welche durch Ablenkeinrichtungen, die elektrostatische Multipole aufweisen, ein annähernd rundes maximales Rasterfeld zur Verfügung stellen. In der Regel werden aber quadratische oder rechteckige Formen des maximalen Rasterfeldes gewählt, um ein Bild eines Objekts leichter auf einem Monitor oder auf einem Blatt Papier darzustellen.
  • Wie oben hinsichtlich der Objektivlinse erwähnt, kommt es bei der Abbildung von Bereichen des Objekts, die außerhalb des runden maximalen Rasterbereichs angeordnet sind, zu großen Bildfehlern, die unerwünscht sind. Um diese Bildfehler zu vermeiden, ist es bekannt, das maximale Rasterfeld der Rastereinrichtung derart zu wählen, dass es vollständig in dem maximalen runden Rasterbereich aufgenommen wird. Dies ist in 1 dargestellt. In einem maximalen runden Rasterbereich 601, welcher durch die Objektivlinse bedingt ist, ist ein maximales Rasterfeld 602, welches durch die Rastereinrichtung bedingt ist, vollständig aufgenommen. Bei der Erzeugung eines Bildes und/oder zur Analyse des Objekts werden bei dem bekannten Stand der Technik ausschließlich Detektionssignale verwendet, welche durch Detektion von Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung erzeugt werden, die durch eine Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit den sich im maximalen Rasterfeld 602 befindenden Bereichen des Objekts generiert werden. Die in 1 schraffierten Bereiche des maximalen runden Rasterbereichs 601 werden zur Erzeugung des Bilds des Objekts und/oder zur Analyse des Objekts nicht verwendet, auch wenn Bilder und/oder Analysen von Bereichen des Objekts, welche sich im schraffierten Bereich des maximalen runden Rasterbereichs 601 befinden, wenig fehlerbehaftet sind. Es geht also Information über das Objekt verloren.
  • Um das vorgenannte Problem zu vermeiden, kann man die Ablenkverstärkereinheiten der Rastereinrichtung derart dimensionieren, dass ein größeres maximales Rasterfeld 602A erzielt werden kann, welches den maximalen runden Rasterbereich 601 vollständig umfasst (in 1 mit gestrichelten Linien dargestellt). Der Bereich des Objekts im maximalen runden Rasterbereich 601 würde dann vollständig und ohne größere Fehler abgebildet und/oder analysiert. Allerdings werden Bereiche des Objekts, die außerhalb des maximalen runden Rasterbereichs 601 liegen, fehlerbehaftet dargestellt oder analysiert. Wenn man die Dimension und die Position des maximalen runden Rasterbereichs 601 nicht kennt, weiß man nicht, welche Bereiche des Objekts im dargestellten Bild oder der dargestellten Analyse fehlerbehaftet sind oder nicht. Dies ist unerwünscht.
  • Hinsichtlich des Standes der Technik wird beispielhaft auf die US 8,304,750 A1 verwiesen.
  • Der Erfindung liegt daher die Aufgabe zugrunde, ein Verfahren zum Betrieb eines Teilchenstrahlgeräts zur Abbildung und/oder Analyse eines Objekts, ein Computerprogrammprodukt sowie ein Teilchenstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens anzugeben, mit denen sich in einem maximalen Rasterbereich befindende Bereiche des Objekts zuverlässig abbildbar oder analysierbar sind.
  • Erfindungsgemäß wird diese Aufgabe mit einem Verfahren mit den Merkmalen des Anspruchs 1, 2 oder 3 gelöst. Ein Computerprogrammprodukt mit einem Programmcode, das ein Teilchenstrahlgerät zur Durchführung des Verfahrens steuert, ist durch die Merkmale des Anspruchs 16 gegeben. Ferner ist ein Teilchenstrahlgerät zur Erzeugung eines Bildes und/oder zur Analyse eines Objekts mit den Merkmalen des Anspruchs 17 gegeben. Weitere Merkmale der Erfindung ergeben sich aus der nachfolgenden Beschreibung, den beigefügten Ansprüchen und/oder den beigefügten Zeichnungen.
  • Ein erfindungsgemäßes Verfahren ist zum Betrieb eines Teilchenstrahlgeräts zur Abbildung (also zur Erzeugung eines Bilds) und/oder Analyse eines Objekts ausgelegt. Das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät ist beispielsweise als ein Elektronenstrahlgerät und/oder als ein lonenstrahlgerät ausgebildet. Das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät dient insbesondere zur Abbildung, zur Bearbeitung und/oder zur Analyse eines Objekts.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es vorgesehen, dass ein Teilchenstrahl mit geladenen Teilchen durch mindestens einen Strahlerzeuger erzeugt wird. Hierzu weist das Teilchenstrahlgerät mindestens einen Strahlerzeuger zur Erzeugung eines Teilchenstrahls mit geladenen Teilchen auf. Die vorgenannten Teilchen werden nachfolgend auch Primärteilchen genannt. Beispielsweise sind die Primärteilchen Elektronen oder Ionen.
  • Ferner ist es bei dem erfindungsgemäßen Verfahren vorgesehen, dass der Teilchenstrahl auf einen Rasterbereich an einem Objekt mit mindestens einer Objektivlinse fokussiert wird. Hierzu weist das Teilchenstrahlgerät mindestens eine Objektivlinse zur Fokussierung des Teilchenstrahls auf das Objekt auf. Der Rasterbereich ist aufgrund einer optischen Ausbildung der Objektivlinse als eine erste Fläche ausgebildet. Die erste Fläche kann jegliche Form aufweisen. Wenn die Objektivlinse beispielsweise als Rundlinse ausgebildet ist, dann ist der vorgenannte Rasterbereich ebenfalls rund ausgebildet. Es wird aber explizit darauf hingewiesen, dass die Erfindung nicht auf eine runde Form der ersten Fläche eingeschränkt ist. Vielmehr sind jegliche Formen der ersten Fläche bei dem erfindungsgemäßen Verfahren verwendbar, welche für die Erfindung geeignet sind. Die maximale Größe und die Form der ersten Fläche des Rasterbereichs sind beispielsweise von einer eingestellten Vergrößerung des Teilchenstrahlgeräts abhängig. Hierauf wird weiter unten näher eingegangen.
  • Darüber hinaus ist es bei dem erfindungsgemäßen Verfahren vorgesehen, dass der Teilchenstrahl über ein Rasterfeld des Objekts mit mindestens einer Rastereinrichtung gerastert wird. Der Bereich des Objekts, auf welchen die Rastereinrichtung den Teilchenstrahl lenken kann, wird vorstehend und auch nachstehend als Rasterfeld bezeichnet. Beispielsweise weist die Rastereinrichtung eine erste Ablenkeinrichtung für eine Ablenkung des Teilchenstrahls in eine x-Richtung und eine zweite Ablenkeinrichtung für eine Ablenkung des Teilchenstrahls in eine y-Richtung auf. Die erste Ablenkeinrichtung wird beispielsweise durch eine erste Ablenkverstärkereinheit mit einer ersten Spannung angesteuert. Die zweite Ablenkeinrichtung wird beispielsweise durch eine zweite Ablenkverstärkereinheit mit einer zweiten Spannung angesteuert. Aufgrund ihrer elektronischen Bauweise können die erste Ablenkeinrichtung und die zweite Ablenkeinrichtung beispielsweise Spannungen bis zu einer Spannung mit einer Maximalamplitude bereitstellen. Die Spannung mit der Maximalamplitude ermöglicht es der ersten Ablenkeinrichtung und der zweiten Ablenkeinrichtung, den Teilchenstrahl maximal abzulenken. Bei Zuführung der Spannung mit der Maximalamplitude wird demnach ein maximales Rasterfeld erzielt. Beispielsweise weist das maximale Rasterfeld eine quadratische oder rechteckige Form auf. Bei einer weiteren Ausführungsform wird die erste Ablenkeinrichtung beispielsweise durch eine erste Ablenkverstärkereinheit mit einem ersten Strom angesteuert. Die zweite Ablenkeinrichtung wird beispielsweise durch eine zweite Ablenkverstärkereinheit mit einem zweiten Strom angesteuert. Aufgrund ihrer elektronischen Bauweise können die erste Ablenkeinrichtung und die zweite Ablenkeinrichtung beispielsweise Ströme bis zu einem Strom mit einer Maximalamplitude bereitstellen. Der Strom mit der Maximalamplitude ermöglicht es der ersten Ablenkeinrichtung und der zweiten Ablenkeinrichtung, den Teilchenstrahl maximal abzulenken. Bei Zuführung des Stroms mit der Maximalamplitude wird demnach ein maximales Rasterfeld erzielt. Beispielsweise weist das maximale Rasterfeld eine quadratische oder rechteckige Form auf.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es vorgesehen, dass das Rasterfeld bei einer maximalen Auslenkung des Teilchenstrahls durch die Rastereinrichtung als eine zweite Fläche ausgebildet ist. Die erste Fläche des Rasterbereichs und die zweite Fläche des Rasterfelds weisen einen ersten, sich überlappenden Bereich auf. Mit anderen Worten ausgedrückt, weisen die erste Fläche des Rasterbereichs und die zweite Fläche des Rasterfelds einen gemeinsamen Bereich auf, nämlich den ersten, sich überlappenden Bereich. Mit wiederum anderen Worten ausgedrückt, ist der erste, sich überlappende Bereich ein gemeinsamer Bereich sowohl der ersten Fläche des Rasterbereichs als auch der zweiten Fläche des Rasterfelds. Der Bereich der zweiten Fläche des Rasterfelds, der nicht mit der ersten Fläche des Rasterbereichs überlappt, wird nachfolgend auch als zweiter, sich nicht überlappender Bereich der zweiten Fläche des Rasterfelds bezeichnet.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren erfolgt ferner ein Detektieren von Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung mit mindestens einem Detektor. Beim Zuführen des Teilchenstrahls zu dem Objekt kommt es zu einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt. Hierbei entstehen/entsteht die Wechselwirkungsteilchen und/oder die Wechselwirkungsstrahlung. Die Wechselwirkungsteilchen sind beispielsweise Sekundärteilchen, insbesondere Sekundärelektronen, und/oder rückgestreute Teilchen, beispielsweise Rückstreuelektronen. Die Wechselwirkungsstrahlung ist beispielsweise Röntgenstrahlung oder Kathodolumineszenzlicht.
  • Darüber hinaus erfolgt bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ein Erzeugen von Detektionssignalen mit dem Detektor, wobei die Detektionssignale aufgrund der detektierten Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung generiert werden.
  • Bei dem erfindungsgemäßen Verfahren ist es auch vorgesehen, dass ein Bild des Objekts erzeugt wird und/oder dass das Objekt analysiert wird, wobei hierzu diejenigen Detektionssignale verwendet werden, die ausschließlich aufgrund der detektierten sowie durch die von dem ersten, sich überlappenden Bereich stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung erzeugt wurden. Es werden demnach nur die Detektionssignale zur Erzeugung des Bilds und/oder zur Analyse des Objekts verwendet, welche aufgrund einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit demjenigen Bereich des Objekts generiert werden, der vom ersten, sich überlappenden Bereich der ersten Fläche des Rasterbereichs und der zweiten Fläche des Rasterfelds umfasst wird. Diejenigen Detektionssignale, die aufgrund der detektierten sowie durch die von dem zweiten, sich nicht überlappenden Bereich der zweiten Fläche des Rasterfelds stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung erzeugt wurden, werden beim Erzeugen des Bildes des Objekts und/oder beim Analysieren des Objekts nicht verwendet, aus dem Bild des Objekts ausgeblendet und/oder aus der angezeigten Analyse des Objekts ausgeblendet.
  • Darüber hinaus ist es bei dem erfindungsgemäßen Verfahren vorgesehen, dass das Bild des Objekts und/oder eines Ergebnisses der Analyse auf einer Anzeigeeinrichtung angezeigt wird, beispielsweise eine Anzeigeeinrichtung des Teilchenstrahlgeräts.
  • Ein weiteres erfindungsgemäßes Verfahren ist ebenfalls zum Betrieb eines Teilchenstrahlgeräts zur Abbildung (also zur Erzeugung eines Bilds) und/oder Analyse eines Objekts ausgelegt. Das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät ist beispielsweise als ein Elektronenstrahlgerät und/oder als ein lonenstrahlgerät ausgebildet. Das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät dient insbesondere zur Abbildung, zur Bearbeitung und/oder zur Analyse eines Objekts.
  • Auch bei dem weiteren erfindungsgemäßen Verfahren ist es vorgesehen, dass ein Teilchenstrahl mit geladenen Teilchen durch mindestens einen Strahlerzeuger erzeugt wird. Hierzu weist das Teilchenstrahlgerät mindestens einen Strahlerzeuger zur Erzeugung eines Teilchenstrahls mit geladenen Teilchen auf. Die vorgenannten Teilchen werden nachfolgend auch Primärteilchen genannt. Beispielsweise sind die Primärteilchen Elektronen oder Ionen.
  • Darüber hinaus ist es bei dem weiteren erfindungsgemäßen Verfahren vorgesehen, einen Rasterbereich auf dem Objekt zu bestimmen, wobei der Rasterbereich aufgrund einer optischen Ausbildung der Objektivlinse als eine erste Fläche ausgebildet ist und wobei der Rasterbereich mit dem Teilchenstrahl abbildbar und/oder analysierbar ist. Die erste Fläche kann jegliche Form aufweisen. Wenn die Objektivlinse beispielsweise als Rundlinse ausgebildet ist, dann ist der vorgenannte Rasterbereich ebenfalls rund ausgebildet. Es wird aber explizit darauf hingewiesen, dass die Erfindung nicht auf eine runde Form der ersten Fläche eingeschränkt ist. Vielmehr sind jegliche Formen der ersten Fläche bei dem erfindungsgemäßen Verfahren verwendbar, welche für die Erfindung geeignet sind. Die maximale Größe und die Form der ersten Fläche des Rasterbereichs sind beispielsweise von einer eingestellten Vergrößerung des Teilchenstrahlgeräts abhängig. Hierauf wird weiter unten näher eingegangen.
  • Ferner ist es bei dem weiteren erfindungsgemäßen Verfahren vorgesehen, ein mit einer Rastereinrichtung erzeugtes Rasterfeld des Objekts zu bestimmen, wobei das Rasterfeld bei einer maximalen Auslenkung durch die Rastereinrichtung als eine zweite Fläche ausgebildet ist. Die Rastereinrichtung ist beispielsweise wie bereits weiter oben erläutert ausgebildet. Beispielsweise weist das maximale Rasterfeld eine quadratische oder rechteckige Form auf.
  • Bei dem weiteren erfindungsgemäßen Verfahren ist es vorgesehen, dass das Rasterfeld bei einer maximalen Auslenkung des Teilchenstrahls durch die Rastereinrichtung als eine zweite Fläche ausgebildet ist. Die erste Fläche des Rasterbereichs und die zweite Fläche des Rasterfelds weisen einen ersten, sich überlappenden Bereich auf. Mit anderen Worten ausgedrückt, weisen die erste Fläche des Rasterbereichs und die zweite Fläche des Rasterfelds einen gemeinsamen Bereich auf, nämlich den ersten, sich überlappenden Bereich. Mit wiederum anderen Worten ausgedrückt, ist der erste, sich überlappende Bereich ein gemeinsamer Bereich sowohl der ersten Fläche des Rasterbereichs als auch der zweiten Fläche des Rasterfelds. Der Bereich der zweiten Fläche des Rasterfelds, der nicht mit der ersten Fläche des Rasterbereichs überlappt, wird nachfolgend auch als zweiter, sich nicht überlappender Bereich der zweiten Fläche des Rasterfelds bezeichnet.
  • Ferner umfasst das weitere erfindungsgemäße Verfahren ein Fokussieren des Teilchenstrahls ausschließlich auf den ersten, sich überlappenden Bereich. Der Teilchenstrahl wird ausschließlich über den ersten, sich überlappenden Bereich gerastert.
  • Bei dem weiteren erfindungsgemäßen Verfahren erfolgt ferner ein Detektieren von Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung mit mindestens einem Detektor. Beim Zuführen des Teilchenstrahls zu dem ersten, sich überlappenden Bereich kommt es zu einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Teil des Objekts, der am ersten, sich überlappenden Bereich angeordnet ist. Hierbei entstehen/entsteht die Wechselwirkungsteilchen und/oder die Wechselwirkungsstrahlung. Die Wechselwirkungsteilchen sind beispielsweise Sekundärteilchen, insbesondere Sekundärelektronen, und/oder rückgestreute Teilchen, beispielsweise Rückstreuelektronen. Die Wechselwirkungsstrahlung ist beispielsweise Röntgenstrahlung oder Kathodolumineszenzlicht.
  • Darüber hinaus erfolgt bei dem weiteren erfindungsgemäßen Verfahren ein Erzeugen von Detektionssignalen mit dem Detektor, wobei die Detektionssignale aufgrund der detektierten Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung generiert werden. Bei dem weiteren erfindungsgemäßen Verfahren ist es auch vorgesehen, dass ein Bild des Objekts erzeugt wird und/oder dass das Objekt analysiert wird, wobei hierzu diejenigen Detektionssignale verwendet werden, die aufgrund der detektierten sowie durch die von dem ersten, sich überlappenden Bereich stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung erzeugt wurden.
  • Darüber hinaus ist es bei dem weiteren erfindungsgemäßen Verfahren vorgesehen, dass das Bild des Objekts auf einer Anzeigeeinrichtung angezeigt wird, beispielsweise eine Anzeigeeinrichtung des Teilchenstrahlgeräts.
  • Ein noch weiteres erfindungsgemäßes Verfahren ist ebenfalls zum Betrieb eines Teilchenstrahlgeräts zur Abbildung (also zur Erzeugung eines Bilds) und/oder Analyse eines Objekts ausgelegt. Das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät ist beispielsweise als ein Elektronenstrahlgerät und/oder als ein lonenstrahlgerät ausgebildet. Das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät dient insbesondere zur Abbildung, zur Bearbeitung und/oder zur Analyse eines Objekts.
  • Bei dem noch weiteren erfindungsgemäßen Verfahren ist es vorgesehen, dass ein Teilchenstrahl mit geladenen Teilchen durch mindestens einen Strahlerzeuger erzeugt wird. Hierzu weist das Teilchenstrahlgerät mindestens einen Strahlerzeuger zur Erzeugung eines Teilchenstrahls mit geladenen Teilchen auf. Die vorgenannten Teilchen werden nachfolgend auch Primärteilchen genannt. Beispielsweise sind die Primärteilchen Elektronen oder Ionen.
  • Ferner ist es bei dem noch weiteren erfindungsgemäßen Verfahren vorgesehen, dass der Teilchenstrahl auf einen Rasterbereich an einem Objekt mit mindestens einer Objektivlinse fokussiert wird. Hierzu weist das Teilchenstrahlgerät mindestens eine Objektivlinse zur Fokussierung des Teilchenstrahls auf das Objekt auf. Der Rasterbereich ist aufgrund einer optischen Ausbildung der Objektivlinse als eine erste Fläche ausgebildet. Die erste Fläche kann jegliche Form aufweisen. Wenn die Objektivlinse beispielsweise als Rundlinse ausgebildet ist, dann ist der vorgenannte Rasterbereich ebenfalls rund ausgebildet. Es wird aber explizit darauf hingewiesen, dass die Erfindung nicht auf eine runde Form der ersten Fläche eingeschränkt ist. Vielmehr sind jegliche Formen der ersten Fläche bei dem erfindungsgemäßen Verfahren verwendbar, welche für die Erfindung geeignet sind. Die maximale Größe und die Form der ersten Fläche des Rasterbereichs sind beispielsweise von einer eingestellten Vergrößerung des Teilchenstrahlgeräts abhängig. Hierauf wird weiter unten näher eingegangen.
  • Darüber hinaus ist es bei dem noch weiteren erfindungsgemäßen Verfahren vorgesehen, dass der Teilchenstrahl über ein Rasterfeld des Objekts mit mindestens einer Rastereinrichtung gerastert wird. Beispielsweise weist die Rastereinrichtung eine erste Ablenkeinrichtung für eine Ablenkung des Teilchenstrahls in eine x-Richtung und eine zweite Ablenkeinrichtung für eine Ablenkung des Teilchenstrahls in eine y-Richtung auf. Hinsichtlich der Ausbildung der Rastereinrichtung wird auf die Anmerkungen weiter oben verwiesen, die auch hier gelten.
  • Bei dem noch weiteren erfindungsgemäßen Verfahren ist es vorgesehen, dass das Rasterfeld bei einer maximalen Auslenkung des Teilchenstrahls durch die Rastereinrichtung als eine zweite Fläche ausgebildet ist. Die erste Fläche des Rasterbereichs und die zweite Fläche des Rasterfelds weisen einen ersten, sich überlappenden Bereich auf. Mit anderen Worten ausgedrückt, weisen die erste Fläche des Rasterbereichs und die zweite Fläche des Rasterfelds einen gemeinsamen Bereich auf, nämlich den ersten, sich überlappenden Bereich. Mit wiederum anderen Worten ausgedrückt, ist der erste, sich überlappende Bereich ein gemeinsamer Bereich sowohl der ersten Fläche des Rasterbereichs als auch der zweiten Fläche des Rasterfelds. Der Bereich der zweiten Fläche des Rasterfelds, der nicht mit der ersten Fläche des Rasterbereichs überlappt, wird nachfolgend auch als zweiter, sich nicht überlappender Bereich der zweiten Fläche des Rasterfelds bezeichnet.
  • Bei dem noch weiteren erfindungsgemäßen Verfahren erfolgt ferner ein Detektieren von Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung mit mindestens einem Detektor. Beim Zuführen des Teilchenstrahls zu dem Objekt kommt es zu einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt. Hierbei entstehen/entsteht die Wechselwirkungsteilchen und/oder die Wechselwirkungsstrahlung. Die Wechselwirkungsteilchen sind beispielsweise Sekundärteilchen, insbesondere Sekundärelektronen, und/oder rückgestreute Teilchen, beispielsweise Rückstreuelektronen. Die Wechselwirkungsstrahlung ist beispielsweise Röntgenstrahlung oder Kathodolumineszenzlicht.
  • Darüber hinaus erfolgt bei dem noch weiteren erfindungsgemäßen Verfahren ein Erzeugen von Detektionssignalen mit dem Detektor, wobei die Detektionssignale aufgrund der detektierten Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung generiert werden.
  • Bei dem noch weiteren erfindungsgemäßen Verfahren erfolgt ein Erzeugen eines ersten Bilds des Objekts mit den Detektionssignalen, die aufgrund der detektierten sowie von dem ersten, sich überlappenden Bereich stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungstrahlung erzeugt wurden. Ferner wird bei dem noch weiteren erfindungsgemäßen Verfahren ein zweites Bild des Objekts mit den Detektionssignalen erzeugt, die aufgrund der detektierten sowie von dem zweiten, sich nicht überlappenden Bereich der zweiten Fläche des Rasterfelds stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungstrahlung erzeugt wurden.
  • Darüber hinaus wird/werden bei dem noch weiteren erfindungsgemäßen Verfahren das erste Bild des Objekts mit einem ersten Kennzeichnen und/oder das zweite Bild des Objekts mit einem zweiten Kennzeichen gekennzeichnet. Ferner erfolgt ein Anzeigen des mit dem ersten Kennzeichen gekennzeichneten ersten Bilds des Objekts und/oder des mit dem zweiten Kennzeichen gekennzeichneten zweiten Bilds auf einer Anzeigeeinrichtung, beispielsweise einer Anzeigeeinrichtung des Teilchenstrahlgeräts.
  • Insbesondere ist es vorgesehen, als erstes Kennzeichen mindestens eine erste Trennlinie zu verwenden, beispielsweise eine Kreislinie, die entlang einer Außenbegrenzung des sich überlappenden Bereichs verläuft. Zusätzlich oder alternativ hierzu ist es vorgesehen, als erstes Kennzeichen mindestens eine erste Farbe zu verwenden. Bei einer weiteren Ausführungsform ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, als zweites Kennzeichen mindestens eine zweite Trennlinie zu verwenden, beispielsweise eine Kreislinie, die entlang einer Außenbegrenzung des sich nicht überlappenden Bereichs verläuft. Zusätzlich oder alternativ ist es vorgesehen, als zweites Kennzeichen mindestens eine zweite Farbe oder einen einstellbaren Kontrast des zweiten Bildes zu verwenden.
  • Nachfolgend wird auf Vorteile und Ausführungsformen des erfindungsgemäßen Verfahrens, des Weiteren erfindungsgemäßen Verfahrens und des noch weiteren erfindungsgemäßen Verfahrens eingegangen. Wenn sich nachfolgend auf alle Verfahren bezogen wird, werden diese nachfolgend als die erfindungsgemäßen Verfahren bezeichnet.
  • Die erfindungsgemäßen Verfahren weisen den Vorteil auf, dass diejenigen Bereiche des Objekts, welche nur mit einem sehr sichtbaren Fehler abgebildet und/oder analysiert werden können, bei der Erzeugung eines Bilds und/oder bei der Durchführung der Analyse des Objekts nicht berücksichtigt oder derart gekennzeichnet werden, dass sie leicht durch einen Nutzer erkennbar sind. Mit den erfindungsgemäßen Verfahren werden diejenigen Bereiche des Objekts abgebildet und/oder analysiert oder nach Abbildung berücksichtigt, deren Abbildung und/oder Analyse nur gering fehlerbehaftet sind.
  • Bei einer Ausführungsform der erfindungsgemäßen Verfahren ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die erste Fläche des Rasterbereichs und die zweite Fläche des Rasterfelds derart ausgerichtet werden, dass die erste Fläche des Rasterbereichs vollständig in der zweiten Fläche des Rasterfelds angeordnet ist. Mit anderen Worten ausgedrückt, umfasst die zweite Fläche des Rasterfelds die erste Fläche des Rasterbereichs vollständig. Mit wiederum anderen Worten ausgedrückt, liegt die erste Fläche des Rasterbereichs vollständig in der zweiten Fläche des Rasterfelds.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Verfahren ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die erste Fläche des Rasterbereichs derart gewählt wird, dass die erste Fläche eine erste Form aufweist. Ferner ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die zweite Fläche des Rasterfelds derart gewählt wird, dass die zweite Fläche eine zweite Form aufweist, wobei die erste Form zur zweiten Form unterschiedlich ist. Beispielsweise ist es vorgesehen, dass die erste Fläche des Rasterbereichs derart gewählt wird, dass die erste Fläche rund ausgebildet ist. Zusätzlich oder alternativ hierzu ist es vorgesehen, dass die zweite Fläche des Rasterfelds derart gewählt wird, dass die zweite Fläche mehreckig ausgebildet ist. Beispielsweise ist die zweite Fläche des Rasterfelds quadratisch oder rechteckig ausgebildet. Es wird aber explizit darauf hingewiesen, dass die Erfindung nicht auf eine runde Form der ersten Fläche und/oder die mehreckige Form der zweiten Fläche eingeschränkt ist. Vielmehr sind jegliche Formen der ersten Fläche und/oder der zweiten Fläche bei dem erfindungsgemäßen Verfahren verwendbar, welche für die Erfindung geeignet sind.
  • Bei einer wiederum weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass eine Maske über den zweiten, sich nicht überlappenden Bereich der zweiten Fläche des Rasterfelds angeordnet wird. Mit der Maske wird bewirkt, dass die Detektionssignale, die mit den detektierten sowie durch die von dem zweiten, sich nicht überlappenden Bereich der zweiten Fläche des Rasterfelds stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungstrahlung generiert wurden, beim Erzeugen des Bilds des Objekts und/oder beim Analysieren des Objekts nicht verwendet werden. Die Maske kann beispielsweise eine physische Maske sein, wenn die Dimensionen, welche diese physische Maske aufweisen soll, herstellbar sind. Bei einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die Maske als eine elektronische Maske ausgebildet ist. Die elektronische Maske wird beispielsweise durch Bildverarbeitung und/oder Datenverarbeitung erzeugt. Beispielsweise ist es vorgesehen, durch Bildverarbeitung und/oder Datenverarbeitung die Detektionssignale, die aufgrund der detektierten sowie durch die von dem zweiten, sich nicht überlappenden Bereich der zweiten Fläche des Rasterfelds stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungstrahlung erzeugt wurden, beim Erzeugen des Bilds des Objekts und/oder beim Analysieren des Objekts auszublenden und somit im Bild des Objekts und/oder bei der Anzeige des Ergebnisses der Analyse des Objekts nicht mit anzuzeigen. Die elektronische Maske ist insbesondere dann von Vorteil, wenn eine physische Maske sich aufgrund zu kleiner Dimensionen nicht einfach herstellen lässt. Bei einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die Maske den zweiten, sich nicht überlappenden Bereich der der zweiten Fläche des Rasterfeldes überdeckt und ausblendet. Beispielsweise ist es vorgesehen, dass die Maske den zweiten, sich nicht überlappenden Bereich der zweiten Fläche des Rasterfeldes vollständig überdeckt und ausblendet.
  • Bei einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die erste Fläche des Rasterbereichs und die zweite Fläche des Rasterfelds derart gewählt werden, dass sie einen Grenzbereich aufweisen. An den Grenzbereich grenzt die erste Fläche des Rasterbereichs an den zweiten, sich nicht überlappenden Bereich der zweiten Fläche des Rasterfelds an. Um festzulegen, welche Detektionssignale für das Erzeugen des Bilds des Objekts und/oder für die Analyse des Objekts verwendet werden, wird bei dieser Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens mindestens eine Gerade verwendet. Die Gerade ist beispielsweise eine virtuelle Gerade, die bei der Bildverarbeitung und/oder Datenverarbeitung verwendet wird, um Bereiche des Objekts zu identifizieren, die bei dem Erzeugen des Bilds des Objekts und/oder bei der Analyse des Objekts berücksichtigt werden sollen oder nicht berücksichtigt werden sollen. Insbesondere ist es vorgesehen, dass die Gerade entlang des Grenzbereichs ausgerichtet wird, wobei die Gerade eine zur ersten Fläche des Rasterbereichs gerichtete erste Seite aufweist und wobei die Gerade eine zum zweiten, sich nicht überlappenden Bereich der zweiten Fläche des Rasterfelds gerichtete zweite Seite aufweist. Bei der hier beschriebenen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es vorgesehen, dass die Detektionssignale, die aus einem Bereich des Objekts auf der zweiten Seite der Geraden herrühren, beim Erzeugen des Bilds des Objekts und/oder beim Analysieren des Objekts nicht verwendet werden. Mit anderen Worten ausgedrückt, werden die Detektionssignale, die mit den detektierten sowie durch die von dem auf der zweiten Seite der Geraden angeordneten zweiten, sich nicht überlappenden Bereich der zweiten Fläche des Rasterfelds stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungstrahlung erzeugt wurden, beim Erzeugen des Bilds des Objekts und/oder beim Analysieren des Objekts nicht verwendet. Im auf der zweiten Seite der Geraden angeordneten Bereich des Objekts ist derjenige Teil der zweiten Fläche des Rasterfelds angeordnet, welcher sich nicht mit der ersten Fläche des Rasterbereichs überlappt. Hingegen werden die Detektionssignale, die mit den detektierten sowie durch die von dem auf der ersten Seite der Geraden angeordneten Bereich stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungstrahlung erzeugt wurden, beim Erzeugen des Bilds des Objekts und/oder beim Analysieren des Objekts verwendet. Dieser Bereich umfasst zumindest die erste Fläche des Rasterbereichs.
  • Bei einer wiederum weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Verfahren ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die oben genannten Verfahrensschritte bei und/oder nach einer Einstellung einer Vergrößerung des Teilchenstrahlgeräts durchgeführt werden. Mit anderen Worten ausgedrückt, werden die oben genannten und/oder weiter unten genannten Verfahrensschritte beispielsweise durchgeführt, wenn die Vergrößerung des Teilchenstrahlgeräts eingestellt wird oder nachdem die Vergrößerung des Teilchenstrahlgeräts eingestellt wurde. Beispielsweise wird die Vergrößerung des Teilchenstrahlgeräts von einer kleinen Vergrößerung (1:1000) zu einer großen Vergrößerung (beispielsweise 1:500.000) geändert. Dies wird durch eine Reduktion der Amplituden von Spannung und/oder Strom in der Rastereinrichtung erzielt. Bei einer Ausführungsform der erfindungsgemäßen Verfahren ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die Einstellung der Vergrößerung kontinuierlich erfolgt, wobei auch die oben genannten und/oder weiter unten genannten Verfahrensschritte kontinuierlich durchgeführt werden. Bei einer wiederum weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Verfahren ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die Einstellung der Vergrößerung in diskreten Schritten erfolgt, wobei auch die oben genannten oder weiter unten genannten Verfahrensschritte in diskreten Schritten durchgeführt werden. Wenn beispielsweise die oben genannte Maske verwendet wird, dann wird bei Einstellung der Vergrößerung auch die Größe der Maske entsprechend der eingestellten Vergrößerung geändert.
  • Bei einer Ausführungsform der erfindungsgemäßen Verfahren ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die Durchführung der Verfahren einem Nutzer des Teilchenstrahlgeräts mit mindestens einer Signaleinrichtung angezeigt wird. Beispielsweise ist die Signaleinrichtung eine Kontrolllampe und/oder eine Anzeige auf der Anzeigeeinrichtung des Teilchenstrahlgeräts. Somit wird dem Nutzer beispielsweise mitgeteilt, dass die Detektionssignale, die aufgrund der detektierten sowie durch die von dem ersten, sich überlappenden Bereich stammenden Wechselwirkungsteilchen oder Wechselwirkungsteilchen erzeugt wurden, bei dem Erzeugen eines Bildes des Objekts und/oder bei der Analyse des Objekts verwendet werden, wohingegen die Detektionssignale, die aufgrund der detektierten sowie durch die von dem zweiten, sich nicht überlappenden Bereich der zweiten Fläche des Rasterfelds stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung generiert wurden, beim Erzeugen des Bilds des Objekts und/oder beim Analysieren des Objekts nicht verwendet werden.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass das vorgenannte Bild ein erstes Bild ist und dass die vorgenannte Analyse eine erste Analyse ist. Bei dieser weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es nun vorgesehen, dass ein zweites Bild des Objekts erzeugt wird und/oder eine zweite Analyse des Objekts mit den Detektionssignalen durchgeführt wird. Dabei werden diejenigen Detektionssignale verwendet, die aufgrund einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt aus dem vollständigen Rasterfeld erzeugt werden. Demnach werden bei dieser Ausführungsform Detektionssignale verwendet, die mit den detektierten sowie durch die von dem ersten, sich überlappenden Bereich stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungstrahlung erzeugt wurden. Zusätzlich werden bei dieser Ausführungsform Detektionssignale verwendet, die mit den detektierten sowie durch die von dem zweiten, sich nicht überlappenden Bereich der zweiten Fläche des Rasterfelds stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungstrahlung erzeugt wurden. Ferner erfolgt ein Abspeichern des ersten Bilds und/oder des zweiten Bilds in einer Speichereinheit. Zusätzlich oder alternativ ist es vorgesehen, die erste Analyse und/oder die zweite Analyse in der Speichereinheit zu speichern. Das erste Bild und die erste Analyse basieren demnach auf Wechselwirkungen aus dem ersten, sich überlappenden Bereich. Hingegen basieren das zweite Bild und die zweite Analyse auf Wechselwirkungen aus dem vollständigen Rasterfeld.
  • Bei einer noch weiteren Ausführungsform der erfindungsgemäßen Verfahren ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass das Rasterfeld durch die Rastereinrichtung auf dem Objekt verschoben wird. Wenn beispielsweise die oben genannte Maske bei dieser noch weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens verwendet wird, dann wird die Maske zusammen mit dem Rasterfeld verschoben, sodass weiterhin stets nur die Detektionssignale zur Erzeugung des Bildes des Objekts und/oder zur Analyse des Objekts verwendet werden, die aus Bereichen des Objekts stammen, die wenig fehlerbehaftet sind. Eine derartige Verschiebung des Rasterfelds lässt sich beispielsweise durch einen Spannungsversatz an einer Endstufe einer Ablenkverstärkereinheit der Rastereinrichtung erzielen, beispielsweise durch Addition eines Gleichspannungssignals für eine Verschiebung und eines Wechselspannungssignals für ein Rastern. Die zweite Fläche des Rasterfelds kann beispielsweise 600 µm × 600 µm groß sein. Eine Verschiebung des Rasterfelds durch einen Spannungsversatz wie zuvor beschrieben beträgt beispielsweise ± 15 µm. Hinsichtlich des erfindungsgemäßen Verfahrens kann die Maske dabei derart gewählt werden, dass sie den Bereich der zweiten Fläche des Rasterfelds, der mit einer Verschiebung des Rasterfelds durch den Teilchenstrahl erreichbar ist, mit abdeckt und somit dieser Bereich im erzeugten Bild des Objekts nicht dargestellt und/oder bei der Analyse des Objekts nicht berücksichtigt wird. Alternativ hierzu kann der Bereich der ersten Fläche des Rasterbereichs, der mit einer Verschiebung des Rasterfeldes durch den Teilchenstrahl erreichbar ist, bei der Erzeugung des Bilds des Objekts und/oder der Analyse des Objekts verwendet werden.
  • Die Erfindung betrifft auch ein Computerprogrammprodukt mit einem Programmcode, der in einen Prozessor eines Teilchenstrahlgeräts ladbar ist oder geladen ist, wobei der Programmcode bei Ausführung in dem Prozessor das Teilchenstrahlgerät derart steuert, dass ein Verfahren mit mindestens einem der vorstehenden oder nachstehenden Merkmale oder mit einer Kombination von mindestens zwei der vorstehenden oder nachstehenden Merkmale ausgeführt wird.
  • Die Erfindung betrifft ferner ein Teilchenstrahlgerät zur Abbildung und/oder Analyse eines Objekts. Das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät weist mindestens einen Strahlerzeuger zur Erzeugung eines Teilchenstrahls mit geladenen Teilchen auf. Die geladenen Teilchen sind beispielsweise Elektronen oder Ionen. Das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät weist mindestens eine Objektivlinse zur Fokussierung des Teilchenstrahls auf das Objekt auf. Darüber hinaus weist das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät mindestens eine Rastereinrichtung zum Rastern des Teilchenstrahls über das Objekt auf. Ferner weist das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät mindestens einen Detektor zur Detektion von Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung auf, die aus einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt beim Auftreffen des Teilchenstrahls auf das Objekt hervorgehen/hervorgeht. Ferner ist das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät mit mindestens einer Anzeigeeinrichtung zum Anzeigen des Bilds und/oder des Ergebnisses der Analyse des Objekts versehen. Darüber hinaus weist das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät eine Steuereinheit mit einem Prozessor auf, in dem ein Computerprogrammprodukt mit mindestens einem der vorstehenden oder nachstehenden Merkmale oder mit einer Kombination von mindestens zwei der vorstehenden oder nachstehenden Merkmale geladen ist.
  • Bei einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Teilchenstrahlgeräts sind der Strahlerzeuger als ein erster Strahlerzeuger und der Teilchenstrahl als ein erster Teilchenstrahl mit ersten geladenen Teilchen ausgebildet. Ferner ist die Objektivlinse als eine erste Objektivlinse zur Fokussierung des ersten Teilchenstrahls auf das Objekt ausgebildet. Darüber hinaus weist das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät mindestens einen zweiten Strahlerzeuger zur Erzeugung eines zweiten Teilchenstrahls mit zweiten geladenen Teilchen auf. Ferner weist das erfindungsgemäße Teilchenstrahlgerät mindestens eine zweite Objektivlinse zur Fokussierung des zweiten Teilchenstrahls auf das Objekt auf.
  • Insbesondere ist es vorgesehen, das Teilchenstrahlgerät als ein Elektronenstrahlgerät und/oder als ein lonenstrahlgerät auszubilden.
  • Weitere praktische Ausführungsformen und Vorteile der Erfindung sind nachfolgend im Zusammenhang mit den Zeichnungen beschrieben. Es zeigen:
    • 1 eine schematische Darstellung eines Rasterbereichs und eines Rasterfelds nach dem Stand der Technik;
    • 2 eine schematische Darstellung eines Teilchenstrahlgeräts;
    • 3 eine schematische Darstellung eines weiteren Teilchenstrahlgeräts;
    • 4 eine schematische Darstellung eines noch weiteren Teilchenstrahlgeräts;
    • 5 eine schematische Darstellung einer Rastereinrichtung eines Teilchenstrahlgeräts;
    • 6 ein Ablaufdiagramm einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens;
    • 7 eine schematische Darstellung eines Rasterbereichs und eines Rasterfelds nach der Erfindung;
    • 8 eine schematische Darstellung eines Rasterbereichs und eines Rasterfelds mit Geraden zur Festlegung von Abbildungsbereichen nach der Erfindung;
    • 9 ein Ablaufdiagramm einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens;
    • 10 ein Ablaufdiagramm einer noch weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens;
    • 11 eine weitere schematische Darstellung eines Rasterbereichs und eines Rasterfelds;
    • 12 eine noch weitere schematische Darstellung eines Rasterbereichs und eines Rasterfelds;
    • 13 eine wiederum weitere schematische Darstellung eines Rasterbereichs und eines Rasterfelds;
    • 14 eine weitere schematische Darstellung eines Rasterbereichs und eines Rasterfelds;
    • 15 ein Ablaufdiagramm einer wiederum weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens; und
    • 16 ein Ablaufdiagramm einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens.
  • Die Erfindung wird nun mittels Teilchenstrahlgeräten in Form eines SEM und in Form eines Kombinationsgeräts, das eine Elektronenstrahlsäule und eine Ionenstrahlsäule aufweist, näher erläutert. Es wird ausdrücklich darauf hingewiesen, dass die Erfindung bei jedem Teilchenstrahlgerät, insbesondere bei jedem Elektronenstrahlgerät und/oder jedem lonenstrahlgerät eingesetzt werden kann.
  • 2 zeigt eine schematische Darstellung eines SEM 100. Das SEM 100 weist einen ersten Strahlerzeuger in Form einer Elektronenquelle 101 auf, welche als Kathode ausgebildet ist. Ferner ist das SEM 100 mit einer Extraktionselektrode 102 sowie mit einer Anode 103 versehen, die auf ein Ende eines Strahlführungsrohrs 104 des SEM 100 aufgesetzt ist. Beispielsweise ist die Elektronenquelle 101 als thermischer Feldemitter ausgebildet. Die Erfindung ist allerdings nicht auf eine derartige Elektronenquelle 101 eingeschränkt. Vielmehr ist jede Elektronenquelle verwendbar.
  • Elektronen, die aus der Elektronenquelle 101 austreten, bilden einen Primärelektronenstrahl. Die Elektronen werden aufgrund einer Potentialdifferenz zwischen der Elektronenquelle 101 und der Anode 103 auf Anodenpotential beschleunigt. Das Anodenpotential beträgt bei der hier dargestellten Ausführungsform 100 V bis 35 kV gegenüber einem Massepotential eines Gehäuses einer Probenkammer 120, beispielsweise 5 kV bis 15 kV, insbesondere 8 kV. Es könnte aber alternativ auch auf Massepotential liegen.
  • An dem Strahlführungsrohr 104 sind zwei Kondensorlinsen angeordnet, nämlich eine erste Kondensorlinse 105 und eine zweite Kondensorlinse 106. Dabei sind ausgehend von der Elektronenquelle 101 in Richtung einer ersten Objektivlinse 107 gesehen zunächst die erste Kondensorlinse 105 und dann die zweite Kondensorlinse 106 angeordnet. Es wird explizit darauf hingewiesen, dass weitere Ausführungsformen des SEM 100 nur eine einzelne Kondensorlinse aufweisen können. Zwischen der Anode 103 und der ersten Kondensorlinse 105 ist eine erste Blendeneinheit 108 angeordnet. Die erste Blendeneinheit 108 liegt zusammen mit der Anode 103 und dem Strahlführungsrohr 104 auf Hochspannungspotential, nämlich dem Potential der Anode 103 oder auf Masse. Die erste Blendeneinheit 108 weist zahlreiche erste Blendenöffnungen 108A auf, von denen eine in 2 dargestellt ist. Beispielsweise sind zwei erste Blendenöffnungen 108A vorhanden. Jede der zahlreichen ersten Blendenöffnungen 108A weist einen unterschiedlichen Öffnungsdurchmesser auf. Mittels eines Verstellmechanismus (nicht dargestellt) ist es möglich, eine gewünschte erste Blendenöffnung 108A auf eine optische Achse OA des SEM 100 einzustellen. Es wird explizit darauf hingewiesen, dass bei weiteren Ausführungsformen die erste Blendeneinheit 108 nur mit einer einzigen ersten Blendenöffnung 108A versehen sein kann. Bei dieser Ausführungsform kann ein Verstellmechanismus nicht vorgesehen sein. Die erste Blendeneinheit 108 ist dann ortsfest ausgebildet. Zwischen der ersten Kondensorlinse 105 und der zweiten Kondensorlinse 106 ist eine ortsfeste zweite Blendeneinheit 109 angeordnet. Alternativ hierzu ist es vorgesehen, die zweite Blendeneinheit 109 beweglich auszubilden.
  • Die erste Objektivlinse 107 weist Polschuhe 110 auf, in denen eine Bohrung ausgebildet ist. Durch diese Bohrung ist das Strahlführungsrohr 104 geführt. In den Polschuhen 110 ist eine Spule 111 angeordnet.
  • In einem unteren Bereich des Strahlführungsrohrs 104 ist eine elektrostatische Verzögerungseinrichtung angeordnet. Diese weist eine einzelne Elektrode 112 und eine Rohrelektrode 113 auf. Die Rohrelektrode 113 ist an einem Ende des Strahlführungsrohrs 104 angeordnet, welches einem Objekt 125 zugewandt ist, das an einem beweglich ausgebildeten Objekthalter 114 angeordnet ist.
  • Die Rohrelektrode 113 liegt gemeinsam mit dem Strahlführungsrohr 104 auf dem Potential der Anode 103, während die einzelne Elektrode 112 sowie das Objekt 125 auf einem gegenüber dem Potential der Anode 103 niedrigeren Potential liegen. Im vorliegenden Fall ist dies das Massepotential des Gehäuses der Probenkammer 120. Auf diese Weise können die Elektronen des Primärelektronenstrahls auf eine gewünschte Energie abgebremst werden, die für die Untersuchung des Objekts 125 erforderlich ist.
  • Das SEM 100 weist ferner eine Rastereinrichtung 115 auf, durch die der Primärelektronenstrahl abgelenkt und über das Objekt 125 gerastert werden kann. Die Elektronen des Primärelektronenstrahls treten dabei in Wechselwirkung mit dem Objekt 125. Als Folge der Wechselwirkung entstehen Wechselwirkungsteilchen, welche detektiert werden. Als Wechselwirkungsteilchen werden insbesondere Elektronen aus der Oberfläche des Objekts 125 emittiert - sogenannte Sekundärelektronen - oder Elektronen des Primärelektronenstrahls zurückgestreut - sogenannte Rückstreuelektronen.
  • Das Objekt 125 und die einzelne Elektrode 112 können auch auf unterschiedlichen und von Masse verschiedenen Potentialen liegen. Hierdurch ist es möglich, den Ort der Verzögerung des Primärelektronenstrahls in Bezug auf das Objekt 125 einzustellen. Wird beispielsweise die Verzögerung recht nahe am Objekt 125 durchgeführt, werden Abbildungsfehler kleiner.
  • Zur Detektion der Sekundärelektronen und/oder der Rückstreuelektronen ist eine Detektoranordnung im Strahlführungsrohr 104 angeordnet, die einen ersten Detektor 116 und einen zweiten Detektor 117 aufweist. Der erste Detektor 116 ist dabei entlang der optischen Achse OA quellenseitig angeordnet, während der zweite Detektor 117 objektseitig entlang der optischen Achse OA im Strahlführungsrohr 104 angeordnet ist. Der erste Detektor 116 und der zweite Detektor 117 sind in Richtung der optischen Achse OA des SEM 100 versetzt zueinander angeordnet. Sowohl der erste Detektor 116 als auch der zweite Detektor 117 weisen jeweils eine Durchgangsöffnung auf, durch welche der Primärelektronenstrahl treten kann. Der erste Detektor 116 und der zweite Detektor 117 liegen annähernd auf dem Potential der Anode 103 und des Strahlführungsrohrs 104. Die optische Achse OA des SEM 100 verläuft durch die jeweiligen Durchgangsöffnungen.
  • Der zweite Detektor 117 dient hauptsächlich der Detektion von Sekundärelektronen. Die Sekundärelektronen weisen beim Austritt aus dem Objekt 125 zunächst eine geringe kinetische Energie und beliebige Bewegungsrichtungen auf. Durch das von der Rohrelektrode 113 ausgehende starke Absaugfeld werden die Sekundärelektronen in Richtung der ersten Objektivlinse 107 beschleunigt. Die Sekundärelektronen treten annähernd parallel in die erste Objektivlinse 107 ein. Der Bündeldurchmesser des Strahls der Sekundärelektronen bleibt auch in der ersten Objektivlinse 107 klein. Die erste Objektivlinse 107 wirkt nun stark auf die Sekundärelektronen und erzeugt einen vergleichsweise kurzen Fokus der Sekundärelektronen mit ausreichend steilen Winkeln zur optischen Achse OA, so dass die Sekundärelektronen nach dem Fokus weit auseinander laufen und den zweiten Detektor 117 auf seiner aktiven Fläche treffen. An dem Objekt 125 zurückgestreute Elektronen - also Rückstreuelektronen, die im Vergleich zu den Sekundärelektronen eine relativ hohe kinetische Energie beim Austritt aus dem Objekt 125 aufweisen - werden dagegen vom zweiten Detektor 117 nur zu einem geringen Anteil erfasst. Die hohe kinetische Energie und die Winkel der Rückstreuelektronen zur optischen Achse OA bei Austritt aus dem Objekt 125 führen dazu, dass eine Strahltaille, also ein Strahlbereich mit minimalem Durchmesser, der Rückstreuelektronen in der Nähe des zweiten Detektors 117 liegt. Ein großer Teil der Rückstreuelektronen tritt durch die Durchgangsöffnung des zweiten Detektors 117 hindurch. Der erste Detektor 116 dient daher im Wesentlichen zur Erfassung der Rückstreuelektronen.
  • Bei einer weiteren Ausführungsform des SEM 100 kann der erste Detektor 116 zusätzlich mit einem Gegenfeldgitter 116A ausgebildet sein. Das Gegenfeldgitter 116A ist an der zum Objekt 125 gerichteten Seite des ersten Detektors 116 angeordnet. Das Gegenfeldgitter 116A weist ein hinsichtlich des Potentials des Strahlführungsrohrs 104 negatives Potential derart auf, dass nur Rückstreuelektronen mit einer hohen Energie durch das Gegenfeldgitter 116A zu dem ersten Detektor 116 gelangen. Zusätzlich oder alternativ weist der zweite Detektor 117 ein weiteres Gegenfeldgitter auf, das analog zum vorgenannten Gegenfeldgitter 116A des ersten Detektors 116 ausgebildet ist und eine analoge Funktion aufweist.
  • Ferner weist das SEM 100 in der Probenkammer 120 einen Kammerdetektor 119 auf, beispielsweise einen Everhart-Thornley-Detektor oder einen Ionendetektor, welcher eine mit Metall beschichtete Detektionsfläche aufweist, welche Licht abschirmt.
  • Die mit dem ersten Detektor 116, dem zweiten Detektor 117 und dem Kammerdetektor 119 erzeugten Detektionssignale werden verwendet, um ein Bild oder Bilder der Oberfläche des Objekts 125 zu erzeugen.
  • Es wird explizit darauf hingewiesen, dass die Blendenöffnungen der ersten Blendeneinheit 108 und der zweiten Blendeneinheit 109 sowie die Durchgangsöffnungen des ersten Detektors 116 und des zweiten Detektors 117 übertrieben dargestellt sind. Die Durchgangsöffnungen des ersten Detektors 116 und des zweiten Detektors 117 haben eine Ausdehnung senkrecht zur optischen Achse OA im Bereich von 0,5 mm bis 5 mm. Beispielsweise sind sie kreisförmig ausgebildet und weisen einen Durchmesser im Bereich von 1 mm bis 3 mm senkrecht zur optischen Achse OA auf.
  • Die zweite Blendeneinheit 109 ist bei der hier dargestellten Ausführungsform als Lochblende ausgestaltet und ist mit einer zweiten Blendenöffnung 118 für den Durchtritt des Primärelektronenstrahls versehen, welche eine Ausdehnung im Bereich vom 5 µm bis 500 µm aufweist, beispielsweise 35 µm. Alternativ hierzu ist es bei einer weiteren Ausführungsform vorgesehen, dass die zweite Blendeneinheit 109 mit mehreren Blendenöffnungen versehen ist, die mechanisch zum Primärelektronenstrahl verschoben werden können oder die unter Verwendung von elektrischen und/oder magnetischen Ablenkelementen vom Primärelektronenstrahl erreicht werden können. Die zweite Blendeneinheit 109 ist als eine Druckstufenblende ausgebildet. Diese trennt einen ersten Bereich, in welchem die Elektronenquelle 101 angeordnet ist und in welchem ein Ultrahochvakuum herrscht (10-7 hPa bis 10-12 hPa), von einem zweiten Bereich, der ein Hochvakuum aufweist (10-3 hPa bis 10-7 hPa). Der zweite Bereich ist der Zwischendruckbereich des Strahlführungsrohrs 104, welcher zur Probenkammer 120 hinführt.
  • Die Probenkammer 120 steht unter Vakuum. Zur Erzeugung des Vakuums ist an der Probenkammer 120 eine Pumpe (nicht dargestellt) angeordnet. Bei der in 2 dargestellten Ausführungsform wird die Probenkammer 120 in einem ersten Druckbereich oder in einem zweiten Druckbereich betrieben. Der erste Druckbereich umfasst nur Drücke kleiner oder gleich 10-3 hPa, und der zweite Druckbereich umfasst nur Drücke größer als 10-3 hPa. Um diese Druckbereiche zu gewährleisten, ist die Probenkammer 120 vakuumtechnisch verschlossen.
  • Der Objekthalter 114 ist an einem Probentisch 122 angeordnet. Der Probentisch 122 ist in drei zueinander senkrecht angeordnete Richtungen beweglich ausgebildet, nämlich in eine x-Richtung (erste Tischachse), in eine y-Richtung (zweite Tischachse) und in eine z-Richtung (dritte Tischachse). Darüber hinaus kann der Probentisch 122 um zwei zueinander senkrecht angeordnete Rotationsachsen (Tischrotationsachsen) gedreht werden. Die Erfindung ist nicht auf den vorbeschriebenen Probentisch 122 eingeschränkt. Vielmehr kann der Probentisch 122 weitere Translationsachsen und Rotationsachsen aufweisen, entlang derer oder um welche sich der Probentisch 122 bewegen kann.
  • Das SEM 100 weist ferner einen dritten Detektor 121 auf, welcher in der Probenkammer 120 angeordnet ist. Genauer gesagt, ist der dritte Detektor 121 von der Elektronenquelle 101 aus gesehen entlang der optischen Achse OA hinter dem Probentisch 122 angeordnet. Der Probentisch 122 und somit der Objekthalter 114 können derart gedreht werden, dass das am Objekthalter 114 angeordnete Objekt 125 vom Primärelektronenstrahl durchstrahlt werden kann. Beim Durchtritt des Primärelektronenstrahls durch das zu untersuchende Objekt 125 treten die Elektronen des Primärelektronenstrahls mit dem Material des zu untersuchenden Objekts 125 in Wechselwirkung. Die durch das zu untersuchende Objekt 125 hindurchtretenden Elektronen werden durch den dritten Detektor 121 detektiert.
  • An der Probenkammer 120 ist ein Strahlungsdetektor 500 angeordnet, mit dem Wechselwirkungsstrahlung, beispielsweise Röntgenstrahlung und/oder Kathodolumineszenzlicht, detektiert wird. Der Strahlungsdetektor 500, der erste Detektor 116, der zweite Detektor 117 und der Kammerdetektor 119 sind mit einer Steuereinheit 123 verbunden, welche einen Monitor 124 aufweist. Der Monitor 124 ist bei der hier dargestellten Ausführungsform mit einer zusätzlichen optischen Signaleinrichtung 127, beispielsweise eine rote LED, und/oder mit einer zusätzlichen akustischen Signaleinrichtung 128, die einen Warnton abgeben kann, versehen. Auch der dritte Detektor 121 ist mit der Steuereinheit 123 verbunden. Dies ist aus Gründen der Übersichtlichkeit nicht dargestellt. Die Steuereinheit 123 verarbeitet Detektionssignale, welche von dem ersten Detektor 116, dem zweiten Detektor 117, dem Kammerdetektor 119, dem dritten Detektor 121 und/oder dem Strahlungsdetektor 500 erzeugt werden und zeigt diese in Form von Bildern auf dem Monitor 124 an.
  • Die Steuereinheit 123 weist ferner eine Datenbank 126 auf, in der Daten gespeichert werden und aus der Daten ausgelesen werden.
  • Der Steuereinheit 123 des SEM 100 weist einen Prozessor auf. In dem Prozessor ist ein Computerprogrammprodukt mit einem Programmcode geladen, der bei Ausführung ein Verfahren zum Betrieb des SEM 100 ausführt. Dies wird weiter unten näher erläutert.
  • 3 zeigt ein Teilchenstrahlgerät in Form eines Kombinationsgeräts 200. Das Kombinationsgerät 200 weist zwei Teilchenstrahlsäulen auf. Zum einen ist das Kombinationsgerät 200 mit dem SEM 100 versehen, wie es in der 2 bereits dargestellt ist, allerdings ohne die Probenkammer 120. Vielmehr ist das SEM 100 an einer Probenkammer 201 angeordnet. Die Probenkammer 201 steht unter Vakuum. Zur Erzeugung des Vakuums ist an der Probenkammer 201 eine Pumpe (nicht dargestellt) angeordnet. Bei der in 3 dargestellten Ausführungsform wird die Probenkammer 201 in einem ersten Druckbereich oder in einem zweiten Druckbereich betrieben. Der erste Druckbereich umfasst nur Drücke kleiner oder gleich 10-3 hPa, und der zweite Druckbereich umfasst nur Drücke größer als 10-3 hPa. Um diese Druckbereiche zu gewährleisten, ist die Probenkammer 201 vakuumtechnisch verschlossen.
  • In der Probenkammer 201 ist der Kammerdetektor 119 angeordnet, der beispielsweise als ein Everhart-Thornley-Detektor oder ein Ionendetektor ausgebildet ist und der eine mit Metall beschichtete Detektionsfläche aufweist, welche Licht abschirmt. Ferner ist in der Probenkammer 201 der dritte Detektor 121 angeordnet.
  • Das SEM 100 dient der Erzeugung eines ersten Teilchenstrahls, nämlich des bereits weiter oben beschriebenen Primärelektronenstrahls und weist die bereits oben genannte optische Achse auf, die in der 3 mit dem Bezugszeichen 709 versehen ist und nachfolgend auch erste Strahlachse genannt wird. Zum anderen ist das Kombinationsgerät 200 mit einem lonenstrahlgerät 300 versehen, das ebenfalls an der Probenkammer 201 angeordnet ist. Das lonenstrahlgerät 300 weist ebenfalls eine optische Achse auf, die in der 3 mit dem Bezugszeichen 710 versehen ist und nachfolgend auch zweite Strahlachse genannt wird.
  • Das SEM 100 ist hinsichtlich der Probenkammer 201 vertikal angeordnet. Hingegen ist das lonenstrahlgerät 300 um einen Winkel von ca. 0° bis 90° geneigt zum SEM 100 angeordnet. In der 3 ist beispielsweise eine Anordnung von ca. 50° dargestellt. Das lonenstrahlgerät 300 weist einen zweiten Strahlerzeuger in Form eines lonenstrahlerzeugers 301 auf. Mit dem lonenstrahlerzeuger 301 werden Ionen erzeugt, die einen zweiten Teilchenstrahl in Form eines lonenstrahls bilden. Die Ionen werden mittels einer Extraktionselektrode 302, die auf einem vorgebbaren Potential liegt, beschleunigt. Der zweite Teilchenstrahl gelangt dann durch eine Ionenoptik des lonenstrahlgeräts 300, wobei die Ionenoptik eine Kondensorlinse 303 und eine zweite Objektivlinse 304 aufweist. Die zweite Objektivlinse 304 erzeugt schließlich eine Ionensonde, die auf das an einem Objekthalter 114 angeordnete Objekt 125 fokussiert wird. Der Objekthalter 114 ist an einem Probentisch 122 angeordnet.
  • Oberhalb der zweiten Objektivlinse 304 (also in Richtung des lonenstrahlerzeugers 301) sind eine einstellbare oder auswählbare Blende 306, eine erste Elektrodenanordnung 307 und eine zweite Elektrodenanordnung 308 angeordnet, wobei die erste Elektrodenanordnung 307 und die zweite Elektrodenanordnung 308 als Rasterelektroden ausgebildet sind. Mittels der ersten Elektrodenanordnung 307 und der zweiten Elektrodenanordnung 308 wird der zweite Teilchenstrahl über die Oberfläche des Objekts 125 gerastert, wobei die erste Elektrodenanordnung 307 in eine erste Richtung und die zweite Elektrodenanordnung 308 in eine zweite Richtung wirken, die der ersten Richtung entgegengesetzt ist. Damit erfolgt das Rastern zum Beispiel in eine x-Richtung. Das Rastern in einer dazu senkrechten y-Richtung erfolgt durch weitere, um 90° verdrehte Elektroden (nicht dargestellt) an der ersten Elektrodenanordnung 307 und an der zweiten Elektrodenanordnung 308.
  • Wie oben erläutert, ist der Objekthalter 114 an dem Probentisch 122 angeordnet. Auch bei der in 3 gezeigten Ausführungsform ist der Probentisch 122 in drei zueinander senkrecht angeordnete Richtungen beweglich ausgebildet, nämlich in eine x-Richtung (erste Tischachse), in eine y-Richtung (zweite Tischachse) und in eine z-Richtung (dritte Tischachse). Darüber hinaus kann der Probentisch 122 um zwei zueinander senkrecht angeordnete Rotationsachsen (Tischrotationsachsen) gedreht werden.
  • Die in der 3 dargestellten Abstände zwischen den einzelnen Einheiten des Kombinationsgeräts 200 sind übertrieben dargestellt, um die einzelnen Einheiten des Kombinationsgeräts 200 besser darzustellen.
  • An der Probenkammer 201 ist ein Strahlungsdetektor 500 angeordnet, mit dem Wechselwirkungsstrahlung, beispielsweise Röntgenstrahlung und/oder Kathodolumineszenzlicht, detektiert wird. Der Strahlungsdetektor 500 ist mit einer Steuereinheit 123 verbunden, welche einen Monitor 124 aufweist. Der Monitor 124 ist bei der hier dargestellten Ausführungsform mit einer zusätzlichen optischen Signaleinrichtung 127, beispielsweise eine rote LED, und/oder mit einer zusätzlichen akustischen Signaleinrichtung 128 versehen, die einen Warnton abgeben kann.
  • Die Steuereinheit 123 verarbeitet Detektionssignale, welche von dem ersten Detektor 116, dem zweiten Detektor 117 (in 2 nicht dargestellt), dem Kammerdetektor 119, dem dritten Detektor 121 und/oder dem Strahlungsdetektor 500 erzeugt werden und zeigt diese in Form von Bildern auf dem Monitor 124 an.
  • Die Steuereinheit 123 weist ferner eine Datenbank 126 auf, in der Daten gespeichert werden und aus der Daten ausgelesen werden.
  • Der Steuereinheit 123 des Kombinationsgeräts 200 weist einen Prozessor auf. In dem Prozessor ist ein Computerprogrammprodukt mit einem Programmcode geladen, der bei Ausführung ein Verfahren zum Betrieb des Kombinationsgeräts 200 ausführt. Dies wird weiter unten näher erläutert.
  • 4 ist eine schematische Darstellung einer weiteren Ausführungsform eines Teilchenstrahlgeräts nach der Erfindung. Diese Ausführungsform des Teilchenstrahlgeräts ist mit dem Bezugszeichen 400 versehen und umfasst einen Spiegelkorrektor zum Korrigieren beispielsweise von chromatischer und/oder sphärischer Aberration. Das Teilchenstrahlgerät 400 umfasst eine Teilchenstrahlsäule 401, die als Elektronenstrahlsäule ausgebildet ist und im Wesentlichen einer Elektronenstrahlsäule eines korrigierten SEM entspricht. Das Teilchenstrahlgerät 400 ist aber nicht auf ein SEM mit einem Spiegelkorrektor eingeschränkt. Vielmehr kann das Teilchenstrahlgerät jegliche Art von Korrektoreinheiten umfassen.
  • Die Teilchenstrahlsäule 401 umfasst einen Teilchenstrahlerzeuger in Form einer Elektronenquelle 402 (Kathode), eine Extraktionselektrode 403 und eine Anode 404. Beispielsweise ist die Elektronenquelle 402 als ein thermischer Feldemitter ausgebildet. Elektronen, die aus der Elektronenquelle 402 austreten, werden zu der Anode 404 aufgrund einer Potentialdifferenz zwischen der Elektronenquelle 402 und der Anode 404 beschleunigt. Demnach wird ein Teilchenstrahl in Form eines Elektronenstrahls entlang einer ersten optischen Achse OA1 gebildet.
  • Der Teilchenstrahl wird entlang eines Strahlwegs geführt, welcher der ersten optischen Achse OA1 entspricht, nachdem der Teilchenstrahl aus der Elektronenquelle 402 ausgetreten ist. Zur Führung des Teilchenstrahls werden eine erste elektrostatische Linse 405, eine zweite elektrostatische Linse 406 und eine dritte elektrostatische Linse 407 verwendet.
  • Ferner wird der Teilchenstrahl entlang des Strahlwegs unter Verwendung einer Strahlführungseinrichtung eingestellt. Die Strahlführungseinrichtung dieser Ausführungsform umfasst eine Quelleneinstelleinheit mit zwei magnetischen Ablenkeinheiten 408, die entlang der ersten optischen Achse OA1 angeordnet sind. Darüber hinaus umfasst das Teilchenstrahlgerät 400 elektrostatische Strahlablenkeinheiten. Eine erste elektrostatische Strahlablenkeinheit 409, die bei einer weiteren Ausführungsform auch als Quadrupol ausgebildet ist, ist zwischen der zweiten elektrostatischen Linse 406 und der dritten elektrostatischen Linse 407 angeordnet. Die erste elektrostatische Strahlablenkeinheit 409 ist ebenfalls hinter den magnetischen Ablenkeinheiten 408 angeordnet. Eine erste Multipoleinheit 409A in Form einer ersten magnetischen Ablenkeinheit ist an einer Seite der ersten elektrostatischen Strahlablenkeinheit 409 angeordnet. Darüber hinaus ist eine zweite Multipoleinheit 409B in Form einer zweiten magnetischen Ablenkeinheit an der anderen Seite der ersten elektrostatischen Strahlablenkeinheit 409 angeordnet. Die erste elektrostatische Strahlablenkeinheit 409, die erste Multipoleinheit 409A und die zweite Multipoleinheit 409B werden zur Einstellung des Teilchenstrahls hinsichtlich der Achse der dritten elektrostatischen Linse 407 und des Eingangsfensters einer Strahlablenkeinrichtung 410 eingestellt. Die erste elektrostatische Strahlablenkeinheit 409, die erste Multipoleinheit 409A und die zweite Multipoleinheit 409B können wie ein Wienfilter zusammenwirken. Am Eingang der Strahlablenkeinrichtung 410 ist ein weiteres magnetisches Ablenkelement 432 angeordnet.
  • Die Strahlablenkeinrichtung 410 wird als Teilchenstrahlablenker verwendet, welcher den Teilchenstrahl in einer bestimmten Weise ablenkt. Die Strahlablenkeinrichtung 410 umfasst mehrere magnetische Sektoren, nämlich einen ersten magnetischen Sektor 411A, einen zweiten magnetischen Sektor 411B, einen dritten magnetischen Sektor 411C, einen vierten magnetischen Sektor 411D, einen fünften magnetischen Sektor 411E, einen sechsten magnetischen Sektor 411F und einen siebten magnetischen Sektor 411 G. Der Teilchenstrahl tritt in die Strahlablenkeinrichtung 410 entlang der ersten optischen Achse OA1 ein und wird durch die Strahlablenkeinrichtung 410 in die Richtung einer zweiten optischen Achse OA2 abgelenkt. Die Strahlablenkung erfolgt mittels des ersten magnetischen Sektors 411A, mittels des zweiten magnetischen Sektors 411B und mittels des dritten magnetischen Sektors 411C um einen Winkel von 30° bis 120°. Die zweite optische Achse OA2 ist in demselben Winkel zu der ersten optischen Achse OA1 ausgerichtet. Die Strahlablenkeinrichtung 410 lenkt auch den Teilchenstrahl ab, welcher entlang der zweiten optischen Achse OA2 geführt ist, und zwar in die Richtung einer dritten optischen Achse OA3. Die Strahlablenkung wird durch den dritten magnetischen Sektor 411C, den vierten magnetischen Sektor 411D und den fünften magnetischen Sektor 411E bereitgestellt. Bei der Ausführungsform in 4 wird die Ablenkung zu der zweiten optischen Achse OA2 und zu der dritten optischen Achse OA3 durch Ablenkung des Teilchenstrahls in einem Winkel von 90° bereitgestellt. Somit verläuft die dritte optische Achse OA3 koaxial zu der ersten optischen Achse OA1. Es wird aber darauf hingewiesen, dass das Teilchenstrahlgerät 400 nach der hier beschriebenen Erfindung nicht auf Ablenkwinkel von 90° eingeschränkt ist. Vielmehr kann jeder geeignete Ablenkwinkel durch die Strahlablenkeinrichtung 410 gewählt werden, beispielsweise 70° oder 110°, sodass die erste optische Achse OA1 nicht koaxial zu der dritten optischen Achse OA3 verläuft. Hinsichtlich weiterer Details der Strahlablenkeinrichtung 410 wird Bezug auf die WO 2002/067286 A2 genommen.
  • Nachdem der Teilchenstrahl durch den ersten magnetischen Sektor 411A, den zweiten magnetischen Sektor 411B und den dritten magnetischen Sektor 411C abgelenkt wurde, wird der Teilchenstrahl entlang der zweiten optischen Achse OA2 geführt. Der Teilchenstrahl wird zu einem elektrostatischen Spiegel 414 geführt und verläuft auf seinem Weg zu dem elektrostatischen Spiegel 414 entlang einer vierten elektrostatischen Linse 415, einer dritten Multipoleinheit 416A in Form einer magnetischen Ablenkeinheit, einer zweiten elektrostatischen Strahlablenkeinheit 416, einer dritten elektrostatischen Strahlablenkeinheit 417 und einer vierten Multipoleinheit 416B in Form einer magnetischen Ablenkeinheit. Der elektrostatische Spiegel 414 umfasst eine erste Spiegelelektrode 413A, eine zweite Spiegelelektrode 413B und eine dritte Spiegelelektrode 413C. Elektronen des Teilchenstrahls, die an dem elektrostatischen Spiegel 414 zurückreflektiert werden, verlaufen wieder entlang der zweiten optischen Achse OA2 und treten wieder in die Strahlablenkeinrichtung 410 ein. Sie werden dann durch den dritten magnetischen Sektor 411C, den vierten magnetischen Sektor 411D und den fünften magnetischen Sektor 411E zu der dritten optischen Achse OA3 abgelenkt.
  • Die Elektronen des Teilchenstrahls treten aus der Strahlablenkeinrichtung 410 aus und werden entlang der dritten optischen Achse OA3 zu einem Objekt 425 geführt, das untersucht werden soll und in einem Objekthalter 114 angeordnet ist. Auf dem Weg zum Objekt 425 wird der Teilchenstrahl zu einer fünften elektrostatischen Linse 418, einem Strahlführungsrohr 420, einer fünften Multipoleinheit 418A, einer sechsten Multipoleinheit 418B und einer Objektivlinse 421 geführt. Die fünfte elektrostatische Linse 418 ist eine elektrostatische Immersionslinse. Der Teilchenstrahl wird durch die fünfte elektrostatische Linse 418 auf ein elektrisches Potential des Strahlführungsrohrs 420 abgebremst oder beschleunigt.
  • Der Teilchenstrahl wird durch die Objektivlinse 421 in eine Fokusebene fokussiert, in welcher das Objekt 425 angeordnet ist. Der Objekthalter 114 ist an einem beweglichen Probentisch 424 angeordnet. Der bewegliche Probentisch 424 ist in einer Probenkammer 426 des Teilchenstrahlgeräts 400 angeordnet. Der Probentisch 424 ist in drei zueinander senkrecht angeordnete Richtungen beweglich ausgebildet, nämlich in eine x-Richtung (erste Tischachse), in eine y-Richtung (zweite Tischachse) und in eine z-Richtung (dritte Tischachse). Darüber hinaus kann der Probentisch 424 um zwei zueinander senkrecht angeordnete Rotationsachsen (Tischrotationsachsen) gedreht werden.
  • Die Probenkammer 426 steht unter Vakuum. Zur Erzeugung des Vakuums ist an der Probenkammer 426 eine Pumpe (nicht dargestellt) angeordnet. Bei der in 4 dargestellten Ausführungsform wird die Probenkammer 426 in einem ersten Druckbereich oder in einem zweiten Druckbereich betrieben. Der erste Druckbereich umfasst nur Drücke kleiner oder gleich 10-3 hPa, und der zweite Druckbereich umfasst nur Drücke größer als 10-3 hPa. Um diese Druckbereiche zu gewährleisten, ist die Probenkammer 426 vakuumtechnisch verschlossen.
  • Die Objektivlinse 421 kann als eine Kombination einer magnetischen Linse 422 und einer sechsten elektrostatischen Linse 423 ausgebildet sein. Das Ende des Strahlführungsrohrs 420 kann ferner eine Elektrode einer elektrostatischen Linse sein. Teilchen des Teilchenstrahlgeräts werden - nachdem sie aus dem Strahlführungsrohr 420 austreten - auf ein Potential des Objekts 425 abgebremst. Die Objektivlinse 421 ist nicht auf eine Kombination der magnetischen Linse 422 und der sechsten elektrostatischen Linse 423 eingeschränkt. Vielmehr kann die Objektivlinse 421 jegliche geeignete Form annehmen. Beispielsweise kann die Objektivlinse 421 auch als rein magnetische Linse oder als rein elektrostatische Linse ausgebildet sein.
  • Der Teilchenstrahl, der auf das Objekt 425 fokussiert wird, wechselwirkt mit dem Objekt 425. Es werden Wechselwirkungsteilchen erzeugt. Insbesondere werden Sekundärelektronen aus dem Objekt 425 emittiert oder Rückstreuelektronen werden an dem Objekt 425 zurückgestreut. Die Sekundärelektronen oder die Rückstreuelektronen werden wieder beschleunigt und in das Strahlführungsrohr 420 entlang der dritten optischen Achse OA3 geführt. Insbesondere verlaufen die Bahnen der Sekundärelektronen und der Rückstreuelektronen auf dem Weg des Strahlverlaufs des Teilchenstrahls in entgegengesetzter Richtung zum Teilchenstrahl.
  • Das Teilchenstrahlgerät 400 umfasst einen ersten Analysedetektor 419, welcher entlang des Strahlwegs zwischen der Strahlablenkeinrichtung 410 und der Objektivlinse 421 angeordnet ist. Sekundärelektronen, welche in Richtungen verlaufen, die hinsichtlich der dritten optischen Achse OA3 in einem großen Winkel ausgerichtet sind, werden durch den ersten Analysedetektor 419 detektiert. Rückstreuelektronen und Sekundärelektronen, welche hinsichtlich der dritten optischen Achse OA3 am Ort des ersten Analysedetektors 419 einen kleinen Achsenabstand haben - d.h. Rückstreuelektronen und Sekundärelektronen, welche am Ort des ersten Analysedetektors 419 einen kleinen Abstand von der dritten optischen Achse OA3 aufweisen - treten in die Strahlablenkeinrichtung 410 ein und werden durch den fünften magnetischen Sektor 411E, den sechsten magnetischen Sektor 411F und den siebten magnetischen Sektor 411G entlang eines Detektionsstrahlwegs 427 zu einem zweiten Analysedetektor 428 abgelenkt. Der Ablenkwinkel beträgt beispielsweise 90° oder 110°.
  • Der erste Analysedetektor 419 erzeugt Detektionssignale, die weitgehend durch emittierte Sekundärelektronen erzeugt werden. Die Detektionssignale, die durch den ersten Analysedetektor 419 erzeugt werden, werden zu einer Steuereinheit 123 geführt und werden verwendet, um Informationen über die Eigenschaften des Wechselwirkungsbereichs des fokussierten Teilchenstrahls mit dem Objekt 425 zu erhalten. Insbesondere wird der fokussierte Teilchenstrahl über das Objekt 425 unter Verwendung einer Rastereinrichtung 429 gerastert. Durch die Detektionssignale, die durch den ersten Analysedetektor 419 erzeugt werden, kann dann ein Bild des gerasterten Bereichs des Objekts 425 erzeugt und auf einer Darstellungseinheit angezeigt werden. Die Darstellungseinheit ist beispielsweise ein Monitor 124, der an der Steuereinheit 123 angeordnet ist. Der Monitor 124 ist bei der hier dargestellten Ausführungsform mit einer zusätzlichen optischen Signaleinrichtung 127, beispielsweise eine rote LED, und/oder mit einer zusätzlichen akustischen Signaleinrichtung 128, die einen Warnton abgeben kann, versehen.
  • Auch der zweite Analysedetektor 428 ist mit der Steuereinheit 123 verbunden. Detektionssignale des zweiten Analysedetektors 428 werden zur Steuereinheit 123 geführt und verwendet, um ein Bild des gerasterten Bereichs des Objekts 425 zu erzeugen und auf einer Darstellungseinheit anzuzeigen. Die Darstellungseinheit ist beispielsweise der Monitor 124, der an der Steuereinheit 123 angeordnet ist.
  • An der Probenkammer 426 ist ein Strahlungsdetektor 500 angeordnet, mit dem Wechselwirkungsstrahlung, beispielsweise Röntgenstrahlung und/oder Kathodolumineszenzlicht, detektiert wird. Der Strahlungsdetektor 500 ist mit der Steuereinheit 123 verbunden, welche den Monitor 124 aufweist. Die Steuereinheit 123 verarbeitet Detektionssignale des Strahlungsdetektors 500 und zeigt diese in Form von Bildern auf dem Monitor 124 an.
  • Die Steuereinheit 123 weist ferner eine Datenbank 126 auf, in der Daten gespeichert werden und aus der Daten ausgelesen werden.
  • Der Steuereinheit 123 des Teilchenstrahlgeräts 400 weist einen Prozessor auf. In dem Prozessor ist ein Computerprogrammprodukt mit einem Programmcode geladen, der bei Ausführung ein Verfahren zum Betrieb des Teilchenstrahlgeräts 400 ausführt.
  • Nachfolgend wird die Erfindung unter Bezug auf das SEM 100 gemäß der 2 näher beschrieben. Hinsichtlich des Kombinationsgeräts 200 und hinsichtlich des Teilchenstrahlgeräts 400 gilt Entsprechendes.
  • Ein abzubildender Bereich des Objekts 125, der mit dem Primärelektronenstrahl abgerastert wird, ist aufgrund einer technischen Ausgestaltung der ersten Objektivlinse 107 und aufgrund einer technischen Ausgestaltung der Rastereinrichtung 115 begrenzt, wie nachfolgend geschildert wird.
  • Die Begrenzung des abzubildenden Bereichs des Objekts 125, der mit dem Primärelektronenstrahl abgerastert wird, ist durch die optische Ausgestaltung der ersten Objektivlinse 107 bedingt. Der Primärelektronenstrahl wird auf das Objekt 125 unter Verwendung der ersten Objektivlinse 107 fokussiert. Dabei wird der Primärelektronenstrahl auf einen Rasterbereich des Objekts 125 fokussiert. Der Rasterbereich ist aufgrund der optischen Ausbildung der ersten Objektivlinse 107 als eine erste Fläche ausgebildet. Die erste Fläche, insbesondere die Form und Größe der Fläche, ist von der optischen Einstellung der ersten Objektivlinse 107 und (wie weiter unten noch erläutert) von der Konfiguration und Ausgestaltung der Rastereinrichtung 115 abhängig. Die erste Fläche kann jegliche Form aufweisen. Wenn die erste Objektivlinse 107 beispielsweise als Rundlinse ausgebildet ist, dann ist der vorgenannte Rasterbereich ebenfalls rund ausgebildet. Es wird aber explizit darauf hingewiesen, dass die Erfindung nicht auf eine runde Form der ersten Fläche eingeschränkt ist. Vielmehr sind jegliche Formen der ersten Fläche bei dem erfindungsgemäßen Verfahren verwendbar, welche für die Erfindung geeignet sind.
  • Die Begrenzung des abzubildenden Bereichs des Objekts 125, der mit dem Primärelektronenstrahl abgerastert wird, ist auch durch die Rastereinrichtung 115 des SEM 100 bedingt. 5 zeigt eine schematische Darstellung der Rastereinrichtung 115 des SEM 100 gemäß der 2. Die Rastereinrichtung in Form der Elektrodenanordnungen 307, 308 des Kombinationsgeräts 200 gemäß der 3 sowie die Rastereinrichtung 429 des Teilchenstrahlgeräts 400 gemäß der 4 weisen einen identischen oder entsprechenden Aufbau wie die Rastereinrichtung 115 des SEM 100 auf. Die Rastereinrichtung 115 weist eine erste Ablenkeinrichtung 800 und eine zweite Ablenkeinrichtung 801 auf. Die erste Ablenkeinrichtung 800 dient der Ablenkung des Primärelektronenstrahls in eine x-Richtung und die zweite Ablenkeinrichtung 801 dient der Ablenkung des Primärelektronenstrahls in eine y-Richtung. Die erste Ablenkeinrichtung 800 ist mit einer ersten Ablenkverstärkereinheit 802 leitungstechnisch verbunden. Die erste Ablenkverstärkereinheit 802 stellt eine erste Spannung oder einen ersten Strom zur Ansteuerung der ersten Ablenkeinrichtung 800 zur Verfügung. Die zweite Ablenkeinrichtung 801 ist mit einer zweiten Ablenkverstärkereinheit 803 leitungstechnisch verbunden. Die zweite Ablenkverstärkereinheit 803 stellt eine zweite Spannung oder einen zweiten Strom zur Ansteuerung der zweiten Ablenkeinrichtung 801 zur Verfügung.
  • Aufgrund ihrer elektronischen Bauweise können die erste Ablenkeinrichtung 800 und die zweite Ablenkeinrichtung 801 beispielsweise Spannungen bis zu einer Spannung mit einer Maximalamplitude oder beispielsweise Ströme bis zu einem Strom mit einer Maximalamplitude bereitstellen. Die Spannung mit der Maximalamplitude oder der Strom mit der Maximalamplitude ermöglicht es der ersten Ablenkeinrichtung 800 und der zweiten Ablenkeinrichtung 801, den Primärelektronenstrahl des SEM 100 maximal abzulenken. Bei Zuführung der Spannung mit der Maximalamplitude wird demnach ein maximales Rasterfeld erzielt. Beispielsweise weist das maximale Rasterfeld eine quadratische oder rechteckige Form auf. Das maximale Rasterfeld ist als eine zweite Fläche ausgebildet. Durch die Reduktion der Amplitude von der Maximalamplitude zu einer kleineren Amplitude erhält man ein kleineres Rasterfeld als das maximale Rasterfeld. Damit kann man die gewünschte Vergrößerung des Objekts 125 gezielt einstellen.
  • Die erste Fläche des Rasterbereichs weist eine erste Form auf, beispielsweise die oben genannte runde Form. Die zweite Fläche des Rasterfelds weist eine zweite Form auf, beispielsweise die quadratische oder rechteckige Form. Somit ist es vorgesehen, dass die erste Form zur zweiten Form unterschiedlich ist. Es wird nochmals explizit darauf hingewiesen, dass die Erfindung nicht auf eine runde Form der ersten Fläche und/oder die quadratische oder rechteckige Form der zweiten Fläche eingeschränkt ist. Vielmehr sind jegliche Formen der ersten Fläche und/oder der zweiten Fläche bei dem erfindungsgemäßen Verfahren verwendbar, welche für die Erfindung geeignet sind.
  • 6 zeigt eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens, das mit dem SEM 100 gemäß der 2 durchgeführt wird. In einem Verfahrensschritt S1 wird ein Teilchenstrahl in Form des Primärelektronenstrahls mittels der Elektronenquelle 101 erzeugt. Der Teilchenstrahl in Form des Primärelektronenstrahls wird dann mit der ersten Objektivlinse 107 auf das Objekt 125 fokussiert. Ferner wird die Rastereinrichtung 115 derart eingestellt, dass die erste Ablenkeinrichtung 800 und die zweiten Ablenkeinrichtung 801 die Spannung mit der Maximalamplitude oder den Strom mit der Maximalamplitude bereitstellen, so dass das maximale Rasterfeld erzielt wird (Verfahrensschritt S2).
  • Der nun aufgrund der Einstellung der ersten Objektivlinse 107 gewählte maximale Rasterbereich und das maximale Rasterfeld werden ausgerichtet, wie dies in 7 dargestellt ist. 7 zeigt eine schematische Darstellung des Rasterbereichs 601 und des Rasterfeldes 602 des SEM 100 gemäß der 2. Die erste Fläche des Rasterbereichs 601 und die zweite Fläche des Rasterfelds 602 sind derart ausgerichtet, dass die erste Fläche des Rasterbereichs 601 vollständig in der zweiten Fläche des Rasterfelds 602 liegt. Mit anderen Worten ausgedrückt, umfasst die zweite Fläche des Rasterfelds 602 die erste Fläche des Rasterbereichs 601 vollständig. Mit wiederum anderen Worten ausgedrückt, liegt die erste Fläche des Rasterbereichs 601 vollständig in der zweiten Fläche des Rasterfelds 602.
  • Die erste Fläche des Rasterbereichs 601 und die zweite Fläche des Rasterfelds 602 weisen einen ersten, sich überlappenden Bereich 603 auf. Mit anderen Worten ausgedrückt, weisen die erste Fläche des Rasterbereichs 601 und die zweite Fläche des Rasterfelds 602 einen gemeinsamen Bereich auf, nämlich den ersten, sich überlappenden Bereich 603. Bei der in 7 dargestellten Ausführungsform entspricht der gemeinsame Bereich, also der erste, sich überlappende Bereich 603 der ersten Fläche des Rasterbereichs 601. Ein zweiter, sich nicht überlappender Bereich 604 der zweiten Fläche des Rasterfeldes 602 ist in 7 schraffiert dargestellt. Somit ist der schraffierte Bereich, also der sich nicht überlappende Bereich 604 der zweiten Fläche des Rasterfelds 602 der Bereich, der keine Schnittmengenfläche mit der ersten Fläche des Rasterbereichs 601 aufweist.
  • Wie in 6 dargestellt ist, erfolgt im Verfahrensschritt S3 ein Detektieren von Wechselwirkungsteilchen, beispielsweise in Form von Sekundärelektronen und/oder Rückstreuelektronen mittels mindestens einer der folgenden Detektoren: mit dem ersten Detektor 116, mit dem zweiten Detektor 117, mit dem dritten Detektor 121 und mit dem Kammerdetektor 119. Zusätzlich oder alternativ hierzu erfolgt das Detektieren von Wechselwirkungsstrahlung in Form von Röntgenstrahlen und/oder Kathodolumineszenzlicht mit dem Strahlungsdetektor 500. Bei der Detektion der Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung erzeugen die vorgenannten Detektoren Detektionssignale (Verfahrensschritt S4 gemäß der 6).
  • Im Verfahrensschritt S5 wird nun ein Bild des Objekts 125 erzeugt und/oder das Objekt 125 mit dem Primärelektronenstrahl analysiert. Hierzu werden nur diejenigen Detektionssignale verwendet, die aufgrund der detektierten sowie durch die von dem ersten, sich überlappenden Bereich 603 stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung erzeugt wurden. Es werden demnach die Detektionssignale zur Erzeugung des Bilds und/oder zur Analyse des Objekts 125 verwendet, welche aufgrund einer Wechselwirkung des Primärelektronenstrahls mit demjenigen Bereich des Objekts 125 generiert werden, der vom ersten, sich überlappenden Bereich 603 der ersten Fläche und der zweiten Fläche umfasst wird. Diejenigen Detektionssignale, die aufgrund der detektierten sowie durch die von dem zweiten, sich nicht überlappenden Bereich 604 der zweiten Fläche des Rasterfelds 602 stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung erzeugt wurden, werden beim Erzeugen des Bildes des Objekts 125 und/oder beim Analysieren des Objekts 125 nicht verwendet und/oder ausgeblendet. Im Verfahrensschritt S6 wird dann das erzeugte Bild und/oder das Ergebnis der Analyse des Objekts 125 auf dem Monitor 124 des SEM 100 angezeigt.
  • Damit die Detektionssignale, die aufgrund der detektierten sowie durch die von dem zweiten, sich nicht überlappenden Bereich 604 der zweiten Fläche des Rasterfelds 602 stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung erzeugt wurden, beim Erzeugen des Bildes des Objekts 125 und/oder beim Analysieren des Objekts 125 nicht verwendet und/oder ausgeblendet werden, ist es bei einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens vorgesehen, dass eine Maske über den zweiten, sich nicht überlappenden Bereich 604 der zweiten Fläche des Rasterfelds 602 angeordnet wird. Dies geschieht beispielsweise im Verfahrensschritt S5 gemäß der 6. Mit der Maske wird bewirkt, dass die Detektionssignale, die mit den detektierten sowie durch die von dem zweiten, sich nicht überlappenden Bereich 604 stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungstrahlung generiert wurden, beim Erzeugen des Bilds des Objekts 125 und/oder beim Analysieren des Objekts 125 nicht verwendet werden. Die Maske kann beispielsweise eine physische Maske sein. Alternativ hierzu ist es vorgesehen, dass die Maske als eine elektronische Maske ausgebildet ist. Die elektronische Maske wird beispielsweise durch Bildverarbeitung und/oder Datenverarbeitung erzeugt. Beispielsweise ist es vorgesehen, in der Steuereinheit 123 durch Bildverarbeitung und/oder Datenverarbeitung die Detektionssignale, die aufgrund der detektierten sowie durch die von dem zweiten, sich nicht überlappenden Bereich 604 des Rasterfelds 602 stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungstrahlung erzeugt wurden, beim Erzeugen des Bilds des Objekts 125 und/oder beim Analysieren des Objekts 125 ausgeblendet werden und somit nicht zur Erzeugung des Bilds des Objekts 125 und/oder zur Analyse des Objekts 125 beitragen. Die elektronische Maske ist insbesondere dann von Vorteil, wenn eine physische Maske sich aufgrund zu kleiner Dimensionen nicht einfach herstellen lässt. Insbesondere ist es bei dem erfindungsgemäßen Verfahrens vorgesehen, dass die Maske den zweiten, sich nicht überlappenden Bereich 604 der ersten Fläche des Rasterfelds 602 überdeckt und ausblendet. Beispielsweise ist es vorgesehen, dass die Maske den zweiten, sich nicht überlappenden Bereich 604 der ersten Fläche des Rasterfelds 602 vollständig überdeckt und ausblendet.
  • Damit die Detektionssignale, die aufgrund der detektierten sowie durch die von dem zweiten, sich nicht überlappenden Bereich 604 der zweiten Fläche des Rasterfelds 602 stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung erzeugt wurden, beim Erzeugen des Bildes des Objekts 125 und/oder beim Analysieren des Objekts 125 nicht verwendet und/oder ausgeblendet werden, ist es bei einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens im Verfahrensschritt S5 vorgesehen, dass die erste Fläche des Rasterbereichs 601 und die zweite Fläche des Rasterfelds 602 derart gewählt werden, dass sie einen Grenzbereich aufweisen. Dies ist in 8 schematisch dargestellt. 8 beruht auf der 7. Gleiche Bauteile sind mit gleichen Bezugszeichen versehen. in 8 ist der Grenzbereich durch die Außenform der ersten Fläche des Rasterbereichs 601 gegeben. Die Außenform des Rasterbereichs 601 in 8 ist kreisförmig (also rund) ausgebildet.
  • Im Grenzbereich grenzt die erste Fläche des Rasterbereichs 601 an den zweiten, sich nicht überlappenden Bereich 604 der zweiten Fläche des Rasterfelds 602 an. Um festzulegen, welche Detektionssignale für das Erzeugen des Bilds des Objekts 125 und/oder für die Analyse des Objekts 125 verwendet werden, wird bei dieser Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens mindestens eine Gerade verwendet. Die Gerade ist beispielsweise eine virtuelle Gerade, die bei der Bildverarbeitung und/oder Datenverarbeitung in der Steuereinheit 123 verwendet wird. Bei der in 8 dargestellten Ausführungsform werden vier Geraden entlang des Grenzbereichs ausgerichtet, nämlich eine erste Gerade 605, eine zweite Gerade 606, eine dritte Gerade 607 sowie eine vierte Gerade 608. Jede der vier Geraden 605 bis 608 weist eine erste, zur ersten Fläche des Rasterbereichs 601 gerichtete Seite und eine zweite, zu dem sich nicht überlappenden Bereich 604 der zweiten Fläche des Rasterfelds 602 gerichtete Seite auf. Bei der hier beschriebenen Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es vorgesehen, dass die Detektionssignale, die mit den detektierten sowie von dem zweiten, sich nicht überlappenden Bereich 604 stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungstrahlung erzeugt wurden, beim Erzeugen des Bilds des Objekts 125 und/oder beim Analysieren des Objekts 125 nicht verwendet werden. Die Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungstrahlung stammen demnach von dem auf der zweiten Seite der Geraden 605 bis 608 angeordneten zweiten, sich nicht überlappenden Bereich 604. Diese werden bei der Erzeugung des Bilds des Objekts 125 und/oder der Analyse des Objekts 125 nicht berücksichtigt. Hingegen werden die Detektionssignale, die mit den detektierten sowie durch die von dem ersten, sich überlappenden Bereich 603 stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungstrahlung erzeugt wurden, beim Erzeugen des Bilds des Objekts 125 und/oder beim Analysieren des Objekts 125 verwendet. Der erste, sich überlappende Bereich 603 ist an der ersten Seite der Geraden 605 bis 608 angeordnet. Die hier beschriebene Ausführungsform kann wie folgt zusammengefasst werden: Detektionssignale, die von Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung erzeugt wurden, die aus einem Bereich auf der ersten Seite der Geraden 605 bis 608 stammen, werden beim Erzeugen des Bilds des Objekts 125 und/oder beim Analysieren des Objekts 125 verwendet. Hingegen werden Detektionssignale, die von Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung erzeugt wurden, die aus einem Bereich auf der zweiten Seite der Geraden 605 bis 608 stammen, beim Erzeugen des Bilds des Objekts 125 und/oder beim Analysieren des Objekts 125 nicht verwendet. Die Anzahl der Geraden ist nicht auf 4 begrenzt. Vielmehr kann eine beliebige Anzahl von Geraden verwendet werden.
  • 9 zeigt eine weitere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens, das mit dem SEM 100 gemäß der 2 durchgeführt wird. Die Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß 9 beruht auf der Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß 6. Die Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß der 9 weist den zusätzlichen Schritt S1A auf, der beispielsweise zwischen den Verfahrensschritten S1 und S2 durchgeführt wird. Alternativ hierzu wird der Verfahrensschritt S1A vor dem Verfahrensschritt S1 und/oder nach dem Verfahrensschritt S5 durchgeführt. Wiederum alternativ hierzu wird der Verfahrensschritt S1A während der Durchführung der Verfahrensschritte S1 bis S5 ausgeführt. Im Verfahrensschritt S1A wird die Vergrößerung des SEM 100 eingestellt. Beispielsweise wird die Vergrößerung des SEM 100 von einer kleinen Vergrößerung (1:1000) zu einer großen Vergrößerung (beispielsweise 1:500.000) geändert. Bei einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die Einstellung der Vergrößerung des SEM 100 kontinuierlich erfolgt, wobei auch die oben genannten und/oder weiter unten genannten Verfahrensschritte kontinuierlich durchgeführt werden. Bei einer wiederum weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die Einstellung der Vergrößerung des SEM 100 in diskreten Schritten erfolgt, wobei auch die oben genannten oder weiter unten genannten Verfahrensschritte in diskreten Schritten durchgeführt werden. Wenn beispielsweise die oben genannte Maske verwendet wird, dann wird bei Einstellung der Vergrößerung des SEM 100 auch die Größe der Maske entsprechend der eingestellten Vergrößerung geändert.
  • Wie oben erwähnt, ist der Monitor 124 des SEM 100 mit einer zusätzlichen optischen Signaleinrichtung 127, beispielsweise eine rote LED, und/oder mit einer zusätzlichen akustischen Signaleinrichtung 128 versehen, die einen Warnton abgeben kann. Bei einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass die Durchführung des erfindungsgemäßen Verfahrens einem Nutzer des SEM 100 mit der optischen Signaleinrichtung 127 und/oder der akustischen Signaleinrichtung 128 angezeigt wird. Dies erfolgt beispielsweise im Verfahrensschritt S5 der 6. Somit wird dem Nutzer mitgeteilt, dass die Detektionssignale, die aufgrund der detektierten sowie durch die von dem ersten, sich überlappenden Bereich 603 stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung erzeugt wurden, bei dem Erzeugen des Bildes des Objekts 125 und/oder bei der Analyse des Objekts 125 verwendet werden, wohingegen die Detektionssignale, die aufgrund der detektierten sowie durch die von dem zweiten, sich nicht überlappenden Bereich 604 stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung generiert wurden, beim Erzeugen des Bilds des Objekts 125 und/oder beim Analysieren des Objekts 125 nicht verwendet werden.
  • Wie oben erwähnt, weist die Steuereinheit 123 des SEM 100 die Datenbank 126 auf, in der Daten gespeichert werden und aus der Daten ausgelesen werden. Die Datenbank 126 wird nun bei einer weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens verwendet, welche in 10 dargestellt ist. 10 zeigt eine weitere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens, das mit dem SEM 100 gemäß der 2 durchgeführt wird. Die Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß 10 beruht auf der Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß 6. Die Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß der 10 weist die zusätzlichen Verfahrensschritte S7 und S8 auf, die beispielsweise nach dem Verfahrensschritt S5 durchgeführt werden. Das im Verfahrensschritt S5 erzeugte Bild ist ein erstes Bild des Objekts 125. Ferner ist die im Verfahrensschritt S5 erzeugte Analyse des Objekts 125 eine erste Analyse des Objekts 125. Bei der Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens gemäß der 10 ist vorgesehen, dass ein zweites Bild des Objekts 125 erzeugt wird und/oder eine zweite Analyse des Objekts 125 durchgeführt wird (Verfahrensschritt S7). Zur Durchführung der Erzeugung des zweiten Bilds des Objekts 125 oder zur Durchführung der zweiten Analyse des Objekts 125 werden Detektionssignale verwendet, die aufgrund von Wechselwirkungen aus dem gesamten Rasterfeld 602 erzeugt wurden. Demnach werden diejenigen Detektionssignale verwendet, die mit den detektierten sowie durch die von dem ersten, sich überlappenden Bereich 603 stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungstrahlung erzeugt wurden. Darüber hinaus werden diejenigen Detektionssignale verwendet, die mit den detektierten sowie durch die von dem zweiten, sich nicht überlappenden Bereich 604 der zweiten Fläche des Rasterfelds 602 stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungstrahlung erzeugt wurden. Im Verfahrensschritt S8 erfolgt sodann ein Abspeichern des ersten Bilds und/oder des zweiten Bilds in der Datenbank 126. Zusätzlich oder alternativ ist es vorgesehen, das Ergebnis der ersten Analyse und/oder der zweiten Analyse in der Datenbank 126 zu speichern. Das erste Bild und/oder die erste Analyse basieren demnach auf Wechselwirkungen aus dem ersten, sich überlappenden Bereich 603. Hingegen basieren das zweite Bild und/oder die zweite Analyse sowohl auf Wechselwirkungen aus dem ersten, sich überlappenden Bereich 603 als auch auf Wechselwirkungen aus dem zweiten, sich nicht überlappenden Bereich 604.
  • Bei einer noch weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, dass das Rasterfeld 602 durch die Rastereinrichtung 115 auf dem Objekt 125 verschoben wird. Wenn beispielsweise die oben genannte Maske bei dieser noch weiteren Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens verwendet wird, dann wird die Maske zusammen mit dem Rasterfeld 602 verschoben, sodass weiterhin stets nur die Detektionssignale zur Erzeugung des Bildes des Objekts 125 und/oder zur Analyse des Objekts 125 verwendet werden, die aus Bereichen des Objekts 125 stammen, die wenig fehlerbehaftet sind. Eine derartige Verschiebung des Rasterfelds 602 lässt sich beispielsweise durch einen Spannungsversatz oder Stromversatz an einer Endstufe der ersten Ablenkverstärkereinheit 802 und/oder der zweiten Ablenkverstärkereinheit 803 der Rastereinrichtung 115 erzielen.
  • 11 zeigt eine weitere schematische Darstellung eines Rasterbereichs 601 und eines Rasterfelds 602, anhand derer eine weitere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens erläutert wird. Die Vergrößerung des SEM 100 ist derart eingestellt, das der maximale Rasterbereich 601 nur teilweise vom Rasterfeld 602 umfasst ist. Die erste Fläche des Rasterbereichs 601 und die zweite Fläche des Rasterfelds 602 weisen einen ersten, sich überlappenden Bereich 603 auf, der in der 11 schraffiert dargestellt ist. Ein erster Bereich 604A des Rasterfelds 602, ein zweiter Bereich 604B des Rasterfelds 602, ein dritter Bereich 604C des Rasterfelds 602 und ein vierter Bereich 604D des Rasterfelds 602 überlappen sich nicht mit dem Rasterbereich 601. Somit sind der erste Bereich 604A des Rasterfelds 602, der zweite Bereich 604B des Rasterfelds 602, der dritte Bereich 604C des Rasterfelds 602 und der vierte Bereich 604D des Rasterfelds 602 sich nicht überlappende Bereiche der zweiten Fläche des Rasterfelds 602. Bei der Erzeugung eines Bilds des Objekts 125 werden nur diejenigen Detektionssignale verwendet, die aufgrund der detektierten sowie durch die von dem ersten, sich überlappenden Bereich 603 stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung erzeugt wurden. Es werden demnach die Detektionssignale zur Erzeugung des Bilds und/oder zur Analyse des Objekts 125 verwendet, welche aufgrund einer Wechselwirkung des Primärelektronenstrahls mit demjenigen Bereich des Objekts 125 generiert werden, der vom ersten, sich überlappenden Bereich 603 der ersten Fläche und der zweiten Fläche umfasst wird. Diejenigen Detektionssignale, die aufgrund der detektierten sowie durch die von den zweiten, sich nicht überlappenden Bereichen 604A bis 604D der zweiten Fläche des Rasterfelds 602 stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung erzeugt wurden, werden beim Erzeugen des Bildes des Objekts 125 und/oder beim Analysieren des Objekts 125 nicht verwendet und/oder ausgeblendet. Ferner wird ein erster Bereich 601A und ein zweiter Bereich 601B des Rasterbereichs 601 nicht bei der Bilderzeugung berücksichtigt, da der Primärelektronenstrahl aufgrund der Konfiguration der Rastereinrichtung 115 den ersten Bereich 601A und den zweiten Bereich 601B des Rasterbereichs 601 nicht erreicht.
  • Wie oben erläutert, ist es bei einer Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens vorgesehen, dass das Rasterfeld 602 durch die Rastereinrichtung 115 auf dem Objekt 125 verschoben wird. 12 zeigt im Vergleich zu der Ausführungsform gemäß der 11 ein verschobenes Rasterfeld 602. Auch hier ist die Vergrößerung des SEM 100 derart eingestellt, das der maximale Rasterbereich 601 nur teilweise vom Rasterfeld 602 umfasst ist. Die erste Fläche des Rasterbereichs 601 und die zweite Fläche des Rasterfelds 602 weisen einen ersten, sich überlappenden Bereich 603 auf, der in der 12 schraffiert dargestellt ist. Ein erster Bereich 604A und ein zweiter Bereich 604B des Rasterfelds 602 überlappen sich mit dem Rasterbereich 601 nicht. Somit sind der erste Bereich 604A und der zweite Bereich 604B des Rasterfelds 602 sich nicht überlappende Bereiche der zweiten Fläche des Rasterfelds 602. Bei der Erzeugung eines Bilds des Objekts 125 werden nur diejenigen Detektionssignale verwendet, die aufgrund der detektierten sowie durch die von dem ersten, sich überlappenden Bereich 603 stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung erzeugt wurden. Es werden demnach die Detektionssignale zur Erzeugung des Bilds und/oder zur Analyse des Objekts 125 verwendet, welche aufgrund einer Wechselwirkung des Primärelektronenstrahls mit demjenigen Bereich des Objekts 125 generiert werden, der vom ersten, sich überlappenden Bereich 603 der ersten Fläche und der zweiten Fläche umfasst wird. Diejenigen Detektionssignale, die aufgrund der detektierten sowie durch die von den zweiten, sich nicht überlappenden Bereichen 604A und 604B der zweiten Fläche des Rasterfelds 602 stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung erzeugt wurden, werden beim Erzeugen des Bildes des Objekts 125 und/oder beim Analysieren des Objekts 125 nicht verwendet und/oder ausgeblendet. Ferner wird ein erster Bereich 601A und ein zweiter Bereich 601B des Rasterbereichs 601 nicht bei der Bilderzeugung berücksichtigt, da der Primärelektronenstrahl aufgrund der Konfiguration der Rastereinrichtung 115 den ersten Bereich 601A und den zweiten Bereich 601B des Rasterbereichs 601 nicht erreicht.
  • 13 zeigt eine noch weitere schematische Darstellung eines Rasterbereichs 601 und eines Rasterfelds 602, anhand derer eine weitere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens erläutert wird. 13 beruht auf der 7. Es wird zunächst auf die oben gemachten Ausführungen verwiesen, die auch hier gelten. 13 zeigt den Monitor 124, der rechteckig ausgebildet ist. Der Monitor 124 weist einen Darstellungsbereich 124A auf. Auf diesem Darstellungsbereich 124A soll nun das Bild des Objekts 125 dargestellt werden. Wie oben erwähnt, ist es bei dieser Ausführungsform vorgesehen, dass die erste Fläche des Rasterbereichs 601 und die zweite Fläche des in 13 quadratisch ausgebildeten Rasterfelds 602 derart ausgerichtet sind, dass die erste Fläche des Rasterbereichs 601 vollständig in der zweiten Fläche des Rasterfelds 602 liegt. Die erste Fläche des Rasterbereichs 601 und die zweite Fläche des Rasterfelds 602 weisen einen ersten, sich überlappenden Bereich 603 auf. Bei der in 13 dargestellten Ausführungsform entspricht der gemeinsame Bereich, also der erste, sich überlappende Bereich 603 der ersten Fläche des Rasterbereichs 601. Ein zweiter, sich nicht überlappender Bereich 604 der zweiten Fläche des Rasterfeldes 602 ist in 13 schraffiert dargestellt. Somit ist der schraffierte Bereich, also der sich nicht überlappende Bereich 604 der zweiten Fläche des Rasterfelds 602 der Bereich, der keine Schnittmengenfläche mit der ersten Fläche des Rasterbereichs 601 aufweist. Bei der Erzeugung eines Bilds des Objekts 125 werden nur diejenigen Detektionssignale verwendet, die aufgrund der detektierten sowie durch die von dem ersten, sich überlappenden Bereich 603 stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung erzeugt wurden. Es werden demnach die Detektionssignale zur Erzeugung des Bilds des Objekts 125 verwendet, welche aufgrund einer Wechselwirkung des Primärelektronenstrahls mit demjenigen Bereich des Objekts 125 generiert werden, der vom ersten, sich überlappenden Bereich 603 der ersten Fläche und der zweiten Fläche umfasst wird. Diejenigen Detektionssignale, die aufgrund der detektierten sowie durch die von dem zweiten, sich nicht überlappenden Bereich 604 der zweiten Fläche des Rasterfelds 602 stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung erzeugt wurden, werden beim Erzeugen des Bildes des Objekts 125 nicht verwendet und/oder ausgeblendet. Ferner werden Teilbereiche des Darstellungsbereichs 124A des Monitors 124, die keinen Bereich des Bilds des Objekts 125 zeigen, farblich derart abgesetzt, dass nur diejenigen Teilbereiche des Darstellungsbereichs 124A des Monitors 124 erkennbar sind, die das Bild des Objekts 125 zeigen. Beispielsweise werden die Teilbereiche des Darstellungsbereichs 124A des Monitors 124, die keinen Bereich des Bilds des Objekts 125 zeigen, schwarz dargestellt.
  • 14 zeigt eine noch weitere schematische Darstellung eines Rasterbereichs 601 und eines Rasterfelds 602, anhand derer eine weitere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens erläutert wird. 14 beruht auf der 13. Es wird zunächst auf die oben gemachten Ausführungen verwiesen, die auch hier gelten. 14 zeigt den Monitor 124, der rechteckig ausgebildet ist. Der Monitor 124 weist wiederum den Darstellungsbereich 124A auf. Auf diesem Darstellungsbereich 124A soll nun das Bild des Objekts 125 dargestellt werden. Im Unterschied zur Ausführungsform gemäß der 13 ist es bei der Ausführungsform der 14 vorgesehen, dass das Rasterfeld 602 durch eine als elektrostatischen Achtpol ausgebildete Rastereinrichtung bestimmt wird. Die zweite Fläche des Rasterfelds 602 ist achteckig ausgebildet. Auch bei dieser Ausführungsform ist es vorgesehen, dass die erste Fläche des Rasterbereichs 601 vollständig in der zweiten Fläche des Rasterfelds 602 liegt. Die erste Fläche des Rasterbereichs 601 und die zweite Fläche des Rasterfelds 602 weisen den ersten, sich überlappenden Bereich 603 auf. Bei der in 14 dargestellten Ausführungsform entspricht der gemeinsame Bereich, also der erste, sich überlappende Bereich 603 der ersten Fläche des Rasterbereichs 601. Ein zweiter, sich nicht überlappender Bereich 604 der zweiten Fläche des Rasterfeldes 602 ist in 14 schraffiert dargestellt. Somit ist der schraffierte Bereich, also der sich nicht überlappende Bereich 604 der zweiten Fläche des Rasterfelds 602 der Bereich, der keine Schnittmengenfläche mit der ersten Fläche des Rasterbereichs 601 aufweist. Bei der Erzeugung eines Bilds des Objekts 125 werden nur diejenigen Detektionssignale verwendet, die aufgrund der detektierten sowie durch die von dem ersten, sich überlappenden Bereich 603 stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung erzeugt wurden. Es werden demnach die Detektionssignale zur Erzeugung des Bilds des Objekts 125 verwendet, welche aufgrund einer Wechselwirkung des Primärelektronenstrahls mit demjenigen Bereich des Objekts 125 generiert werden, der vom ersten, sich überlappenden Bereich 603 der ersten Fläche und der zweiten Fläche umfasst wird. Diejenigen Detektionssignale, die aufgrund der detektierten sowie durch die von dem zweiten, sich nicht überlappenden Bereich 604 der zweiten Fläche des Rasterfelds 602 stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung erzeugt wurden, werden beim Erzeugen des Bildes des Objekts 125 nicht verwendet und/oder ausgeblendet. Ferner werden Teilbereiche des Darstellungsbereichs 124A des Monitors 124, die keinen Bereich des Bilds des Objekts 125 zeigen, farblich derart abgesetzt, dass nur diejenigen Teilbereiche des Darstellungsbereichs 124A des Monitors 124 erkennbar sind, die das Bild des Objekts 125 zeigen. Beispielsweise werden die Teilbereiche des Darstellungsbereichs 124A des Monitors 124, die keinen Bereich des Bilds des Objekts 125 zeigen, schwarz dargestellt.
  • 15 zeigt eine Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens, das mit dem SEM 100 gemäß der 2 durchgeführt wird. In einem Verfahrensschritt S1C wird ein Teilchenstrahl in Form des Primärelektronenstrahls mittels der Elektronenquelle 101 erzeugt. Ferner wird in einem weiteren Verfahrensschritt S2C der aufgrund der Einstellung der ersten Objektivlinse 107 gewählte maximale Rasterbereich 601 bestimmt, der in 7 dargestellt ist. Darüber hinaus wird das durch die Einstellung der Rastereinrichtung 115 erzeugte maximale Rasterfeld 602 bestimmt, das in 7 dargestellt ist. Der aufgrund der Einstellung der ersten Objektivlinse 107 gewählte maximale Rasterbereich 601 und das maximale Rasterfeld 602 werden ausgerichtet, wie dies in 7 dargestellt ist. Die erste Fläche des Rasterbereichs 601 liegt vollständig in der zweiten Fläche des Rasterfelds 602. Die erste Fläche des Rasterbereichs 601 und die zweite Fläche des Rasterfelds 602 weisen den ersten, sich überlappenden Bereich 603 auf. Ein zweiter, sich nicht überlappender Bereich 604 der zweiten Fläche des Rasterfeldes 602 ist in 7 schraffiert dargestellt. Somit ist der schraffierte Bereich, also der sich nicht überlappende Bereich 604 der zweiten Fläche des Rasterfelds 602 der Bereich, der keine Schnittmengenfläche mit der ersten Fläche des Rasterbereichs 601 aufweist.
  • Im Verfahrensschritt S4C erfolgt nun ein Fokussieren des Primärelektronenstrahls auf den ersten, sich überlappenden Bereich 603 und im Verfahrensschritt S5C ein Rastern des Primärelektronenstrahls über den ersten, sich überlappenden Bereich 603. Es werden dann im Verfahrensschritt S6C Wechselwirkungsteilchen, beispielsweise in Form von Sekundärelektronen und/oder Rückstreuelektronen mittels mindestens einer der folgenden Detektoren detektiert: mit dem ersten Detektor 116, mit dem zweiten Detektor 117, mit dem dritten Detektor 121 und mit dem Kammerdetektor 119. Zusätzlich oder alternativ hierzu erfolgt das Detektieren von Wechselwirkungsstrahlung in Form von Röntgenstrahlen und/oder Kathodolumineszenzlicht mit dem Strahlungsdetektor 500. Bei der Detektion der Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung erzeugen die vorgenannten Detektoren Detektionssignale.
  • Im Verfahrensschritt S7C wird nun ein Bild des Objekts 125 erzeugt und/oder das Objekt 125 mit dem Primärelektronenstrahl analysiert. Hierzu werden nur die Detektionssignale verwendet, die ausschließlich von den Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung erzeugt wurden, die von dem ersten, sich überlappenden Bereich 603 stammen. Es werden demnach die Detektionssignale zur Erzeugung des Bilds und/oder zur Analyse des Objekts 125 verwendet, welche aufgrund einer Wechselwirkung des Primärelektronenstrahls mit demjenigen Bereich des Objekts 125 generiert werden, der vom ersten, sich überlappenden Bereich 603 der ersten Fläche und der zweiten Fläche umfasst wird. Im Verfahrensschritt S8C wird dann das Bild des Objekts 125 und/oder das Ergebnis der Analyse des Objekts 125 auf dem Monitor 124 des SEM 100 angezeigt.
  • 16 zeigt eine wiederum weitere Ausführungsform des erfindungsgemäßen Verfahrens, das mit dem SEM 100 gemäß der 2 durchgeführt wird. In einem Verfahrensschritt S1D wird ein Teilchenstrahl in Form des Primärelektronenstrahls mittels der Elektronenquelle 101 erzeugt. Der Teilchenstrahl in Form des Primärelektronenstrahls wird dann im Verfahrensschritt S2D mit der ersten Objektivlinse 107 auf das Objekt 125 fokussiert. Ferner wird die Rastereinrichtung 115 derart eingestellt, dass die erste Ablenkeinrichtung 800 und die zweiten Ablenkeinrichtung 801 die Spannung mit der Maximalamplitude oder den Strom mit der Maximalamplitude bereitstellen, so dass das maximale Rasterfeld 602 erzielt wird. Der nun aufgrund der Einstellung der ersten Objektivlinse 107 gewählte maximale Rasterbereich 601 und das maximale Rasterfeld 602 werden ausgerichtet, wie dies in 7 dargestellt ist. Die erste Fläche des Rasterbereichs 601 liegt vollständig in der zweiten Fläche des Rasterfelds 602.
  • Die erste Fläche des Rasterbereichs 601 und die zweite Fläche des Rasterfelds 602 weisen den ersten, sich überlappenden Bereich 603 auf. Mit anderen Worten ausgedrückt, weisen die erste Fläche des Rasterbereichs 601 und die zweite Fläche des Rasterfelds 602 einen gemeinsamen Bereich auf, nämlich den ersten, sich überlappenden Bereich 603. Der zweite, sich nicht überlappende Bereich 604 der zweiten Fläche des Rasterfeldes 602 ist in 7 schraffiert dargestellt. Somit ist der schraffierte Bereich, also der sich nicht überlappende Bereich 604 der zweiten Fläche des Rasterfelds 602 der Bereich, der keine Schnittmengenfläche mit der ersten Fläche des Rasterbereichs 601 aufweist.
  • Im Verfahrensschritt S3D wird der Primärteilchenstrahl über die gesamte zweite Fläche des Rasterfelds 602 gerastert. Es erfolgt im Verfahrensschritt S4D ein Detektieren von Wechselwirkungsteilchen, beispielsweise in Form von Sekundärelektronen und/oder Rückstreuelektronen mittels mindestens einer der folgenden Detektoren: mit dem ersten Detektor 116, mit dem zweiten Detektor 117, mit dem dritten Detektor 121 und mit dem Kammerdetektor 119. Zusätzlich oder alternativ hierzu erfolgt das Detektieren von Wechselwirkungsstrahlung in Form von Röntgenstrahlen und/oder Kathodolumineszenzlicht mit dem Strahlungsdetektor 500. Bei der Detektion der Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung erzeugen die vorgenannten Detektoren Detektionssignale.
  • Im Verfahrensschritt S5D wird nun ein erstes Bild des Objekts 125 erzeugt. Hierzu werden nur diejenigen Detektionssignale verwendet, die aufgrund der detektierten sowie durch die von dem ersten, sich überlappenden Bereich 603 stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung erzeugt wurden. Es werden demnach die Detektionssignale zur Erzeugung des ersten Bilds und/oder zur Analyse des Objekts 125 verwendet, welche aufgrund einer Wechselwirkung des Primärelektronenstrahls mit demjenigen Bereich des Objekts 125 generiert werden, der vom ersten, sich überlappenden Bereich 603 der ersten Fläche und der zweiten Fläche umfasst wird.
  • Im Verfahrensschritt S6D wird nun ein zweites Bild des Objekts 125 erzeugt. Hierzu werden nur diejenigen Detektionssignale verwendet, die aufgrund der detektierten sowie durch die von dem zweiten, sich nicht überlappenden Bereich 604 der zweiten Fläche des Rasterfelds 602 stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung erzeugt wurden.
  • Im Verfahrensschritt S7D wird das erste Bild des Objekts 125 mit einem ersten Kennzeichen und/oder das zweite Bild des Objekts 125 mit einem zweiten Kennzeichen gekennzeichnet. 7 zeigt eine kreisförmige Trennlinie 609, die sowohl dem ersten Bild als auch dem zweiten Bild zugeordnet ist. Beispielsweise ist es vorgesehen, die Trennlinie 609 entlang einer Außenbegrenzung des sich überlappenden Bereichs 603 anzuordnen. Zusätzlich oder alternativ hierzu ist es vorgesehen, als erstes Kennzeichen mindestens eine erste Farbe zu verwenden. Bei einer weiteren Ausführungsform ist es zusätzlich oder alternativ vorgesehen, als zweites Kennzeichen mindestens eine zweite Trennlinie zu verwenden, beispielsweise eine Kreislinie, die entlang einer Außenbegrenzung des sich nicht überlappenden Bereichs 604 verläuft. Zusätzlich oder alternativ ist es vorgesehen, als zweites Kennzeichen mindestens eine zweite Farbe oder einen einstellbaren Kontrast des zweiten Bildes zu verwenden. Ferner erfolgt im Verfahrensschritt S8D ein Anzeigen des mit dem ersten Kennzeichen gekennzeichneten ersten Bilds des Objekts 125 und/oder des mit dem zweiten Kennzeichen gekennzeichneten zweiten Bilds des Objekts 125 auf dem Monitor 124.
  • Die erfindungsgemäßen Verfahren weisen den Vorteil auf, dass diejenigen Bereiche des Objekts 125, welche nur mit einem sehr sichtbaren Fehler abgebildet und/oder analysiert werden können, bei der Erzeugung eines Bilds und/oder bei der Durchführung der Analyse des Objekts 125 nicht berücksichtigt oder derart gekennzeichnet werden, dass sie leicht durch einen Nutzer erkennbar sind. Mit den erfindungsgemäßen Verfahren werden diejenigen Bereiche des Objekts 125 abgebildet und/oder analysiert oder nach Abbildung berücksichtigt, deren Abbildung und/oder Analyse nur gering fehlerbehaftet sind.
  • Die in der vorliegenden Beschreibung, in den Zeichnungen sowie in den Ansprüchen offenbarten Merkmale der Erfindung können sowohl einzeln als auch in beliebigen Kombinationen für die Verwirklichung der Erfindung in ihren verschiedenen Ausführungsformen wesentlich sein. Die Erfindung ist nicht auf die beschriebenen Ausführungsformen beschränkt. Sie kann im Rahmen der Ansprüche und unter Berücksichtigung der Kenntnisse des zuständigen Fachmanns variiert werden.
  • Bezugszeichenliste
    • 100
    SEM
    101
    Elektronenquelle
    102
    Extraktionselektrode
    103
    Anode
    104
    Strahlführungsrohr
    105
    erste Kondensorlinse
    106
    zweite Kondensorlinse
    107
    erste Objektivlinse
    108
    erste Blendeneinheit
    108A
    erste Blendenöffnung
    109
    zweite Blendeneinheit
    110
    Polschuhe
    111
    Spule
    112
    einzelne Elektrode
    113
    Rohrelektrode
    114
    Objekthalter
    115
    Rastereinrichtung
    116
    erster Detektor
    116A
    Gegenfeldgitter
    117
    zweiter Detektor
    118
    zweite Blendenöffnung
    119
    Kammerdetektor
    120
    Probenkammer
    121
    dritter Detektor
    122
    Probentisch
    123
    Steuereinheit mit Prozessor
    124
    Monitor
    124A
    Darstellungsbereich des Monitors
    125
    Objekt
    126
    Datenbank
    127
    optische Signaleinrichtung
    128
    akustische Signaleinrichtung
    200
    Kombinationsgerät
    201
    Probenkammer
    300
    lonenstrahlgerät
    301
    lonenstrahlerzeuger
    302
    Extraktionselektrode im Ionenstrahlgerät
    303
    Kondensorlinse
    304
    zweite Objektivlinse
    306
    einstellbare oder auswählbare Blende
    307
    erste Elektrodenanordnung
    308
    zweite Elektrodenanordnung
    400
    Teilchenstrahlgerät mit Korrektoreinheit
    401
    Teilchenstrahlsäule
    402
    Elektronenquelle
    403
    Extraktionselektrode
    404
    Anode
    405
    erste elektrostatische Linse
    406
    zweite elektrostatische Linse
    407
    dritte elektrostatische Linse
    408
    magnetische Ablenkeinheit
    409
    erste elektrostatische Strahlablenkeinheit
    409A
    erste Multipoleinheit
    409B
    zweite Multipoleinheit
    410
    Strahlablenkeinrichtung
    411A
    erster magnetischer Sektor
    411B
    zweiter magnetischer Sektor
    411C
    dritter magnetischer Sektor
    411D
    vierter magnetischer Sektor
    411E
    fünfter magnetischer Sektor
    411F
    sechster magnetischer Sektor
    411G
    siebter magnetischer Sektor
    413A
    erste Spiegelelektrode
    413B
    zweite Spiegelelektrode
    413C
    dritte Spiegelelektrode
    414
    elektrostatischer Spiegel
    415
    vierte elektrostatische Linse
    416
    zweite elektrostatische Strahlablenkeinheit
    416A
    dritte Multipoleinheit
    416B
    vierte Multipoleinheit
    417
    dritte elektrostatische Strahlablenkeinheit
    418
    fünfte elektrostatische Linse
    418A
    fünfte Multipoleinheit
    418B
    sechste Multipoleinheit
    419
    erster Analysedetektor
    420
    Strahlführungsrohr
    421
    Objektivlinse
    422
    magnetische Linse
    423
    sechste elektrostatische Linse
    424
    Probentisch
    425
    Objekt
    426
    Probenkammer
    427
    Detektionsstrahlweg
    428
    zweiter Analysedetektor
    429
    Rastereinrichtung
    432
    weiteres magnetisches Ablenkelement
    500
    Strahlungsdetektor
    601
    Rasterbereich
    601A
    erster Bereich des Rasterbereichs
    601B
    zweiter Bereich des Rasterbereichs
    602
    Rasterfeld
    602A
    weiteres Rasterfeld
    603
    erster, sich überlappender Bereich
    604
    zweiter, sich nicht überlappender Bereich des Rasterfelds
    604A
    erster Bereich des Rasterfelds
    604B
    zweiter Bereich des Rasterfelds
    604C
    dritter Bereich des Rasterfelds
    604D
    vierter Bereich des Rasterfelds
    605
    erste Gerade
    606
    zweite Gerade
    607
    dritte Gerade
    608
    vierte Gerade
    709
    erste Strahlachse
    710
    zweite Strahlachse
    800
    erste Ablenkeinrichtung
    801
    zweite Ablenkeinrichtung
    802
    erste Ablenkverstärkereinheit
    803
    zweite Ablenkverstärkereinheit
    OA
    optische Achse
    OA1
    erste optische Achse
    OA2
    zweite optische Achse
    OA3
    dritte optische Achse
    S1 bis S8
    Verfahrensschritte
    S1A
    Verfahrensschritt
    S1C bis S8C
    Verfahrensschritte
    S1D bis S8D
    Verfahrensschritte
  • ZITATE ENTHALTEN IN DER BESCHREIBUNG
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  • Zitierte Patentliteratur
    • US 8304750 A1 [0011]
    • WO 2002/067286 A2 [0094]

Claims (19)

  1. Verfahren zum Betrieb eines Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) zur Abbildung und/oder Analyse eines Objekts (125, 425) wobei das Verfahren umfasst: - Erzeugen eines Teilchenstrahls mit geladenen Teilchen durch mindestens einen Strahlerzeuger (101, 301, 402); - Fokussieren des Teilchenstrahls auf einen Rasterbereich (601) des Objekts (125, 425) mit mindestens einer Objektivlinse (107, 304, 421), wobei der Rasterbereich (601) aufgrund einer optischen Ausbildung der Objektivlinse (107, 304, 421) als eine erste Fläche ausgebildet ist; - Rastern des Teilchenstrahls über ein Rasterfeld (602) am Objekt (125, 425) mit mindestens einer Rastereinrichtung (115, 307, 308, 429), wobei das Rasterfeld (602) bei einer maximalen Auslenkung durch die Rastereinrichtung (115, 307, 308, 429) als eine zweite Fläche ausgebildet ist, wobei die erste Fläche des Rasterbereichs (601) und die zweite Fläche des Rasterfelds (602) einen ersten, sich überlappenden Bereich (603) aufweisen und wobei die zweite Fläche des Rasterfelds (602) einen zweiten, sich nicht mit der ersten Fläche des Rasterbereichs (601) überlappenden Bereich (604) aufweist; - Detektieren von Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung, die aufgrund einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt (125, 425) entstehen, mit mindestens einem Detektor (116, 117, 119, 121, 419, 428, 500); - Erzeugen von Detektionssignalen mit dem Detektor (116, 117, 119, 121, 419, 428, 500) aufgrund der detektierten Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungstrahlung; - Erzeugen eines Bilds des Objekts (125, 425) und/oder Durchführen einer Analyse des Objekts (125, 425) mit den Detektionssignalen, die ausschließlich aufgrund der detektierten sowie von dem ersten, sich überlappenden Bereich (603) stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder stammender Wechselwirkungsstrahlung erzeugt wurden; sowie - Anzeigen des Bilds des Objekts (125, 425) und/oder eines Ergebnisses der Analyse des Objekts (125, 425) auf einer Anzeigeeinrichtung (124, 124A).
  2. Verfahren zum Betrieb eines Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) zur Abbildung und/oder Analyse eines Objekts (125, 425) wobei das Verfahren umfasst: - Erzeugen eines Teilchenstrahls mit geladenen Teilchen durch mindestens einen Strahlerzeuger (101, 301, 402); - Bestimmen eines Rasterbereichs (601) auf dem Objekt (125, 425), wobei der Rasterbereich (601) aufgrund einer optischen Ausbildung der Objektivlinse (107, 304, 421) als eine erste Fläche ausgebildet ist und wobei der Rasterbereich (601) mit dem Teilchenstrahl abbildbar und/oder analysierbar ist; - Bestimmen eines mit einer Rastereinrichtung (115, 307, 308, 429) erzeugten Rasterfelds (602) des Objekts (125, 425), wobei das Rasterfeld (602) bei einer maximalen Auslenkung durch die Rastereinrichtung (115, 307, 308, 429) als eine zweite Fläche ausgebildet ist, wobei die erste Fläche des Rasterbereichs (601) und die zweite Fläche des Rasterfelds (602) einen ersten, sich überlappenden Bereich (603) aufweisen und wobei die zweite Fläche des Rasterfelds (602) einen zweiten, sich nicht mit der ersten Fläche des Rasterbereichs (601) überlappenden Bereich (604) aufweist; - Fokussieren des Teilchenstrahls ausschließlich auf den ersten, sich überlappenden Bereich (603); - Rastern des Teilchenstrahls ausschließlich über den ersten, sich überlappenden Bereich (603); - Detektieren von Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung, die aufgrund einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt (125, 425) entstehen, mit mindestens einem Detektor (116, 117, 119, 121, 419, 428, 500); - Erzeugen von Detektionssignalen mit dem Detektor (116, 117, 119, 121, 419, 428, 500) aufgrund der detektierten Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungstrahlung; - Erzeugen eines Bilds des Objekts (125, 425) und/oder Durchführen einer Analyse des Objekts (125, 425) mit den Detektionssignalen, die aufgrund der detektierten sowie von dem ersten, sich überlappenden Bereich (603) stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungstrahlung erzeugt wurden; sowie - Anzeigen des Bilds des Objekts (125, 425) und/oder eines Ergebnisses der Analyse des Objekts (125, 425) auf einer Anzeigeeinrichtung (124, 124A).
  3. Verfahren zum Betrieb eines Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) zur Abbildung eines Objekts (125, 425) wobei das Verfahren umfasst: - Erzeugen eines Teilchenstrahls mit geladenen Teilchen durch mindestens einen Strahlerzeuger (101, 301, 402); - Fokussieren des Teilchenstrahls auf einen Rasterbereich (601) des Objekts (125, 425) mit mindestens einer Objektivlinse (107, 304, 421), wobei der Rasterbereich (601) aufgrund einer optischen Ausbildung der Objektivlinse (107, 304, 421) als eine erste Fläche ausgebildet ist; - Rastern des Teilchenstrahls über ein Rasterfeld (602) des Objekts (125, 425) mit mindestens einer Rastereinrichtung (115, 307, 308, 429), wobei das Rasterfeld (602) bei einer maximalen Auslenkung durch die Rastereinrichtung (115, 307, 308, 429) als eine zweite Fläche ausgebildet ist, wobei die erste Fläche des Rasterbereichs (601) und die zweite Fläche des Rasterfelds (602) einen ersten, sich überlappenden Bereich (603) aufweisen und wobei die zweite Fläche des Rasterfelds (602) einen zweiten, sich nicht mit der ersten Fläche des Rasterbereichs (601) überlappenden Bereich (604) aufweist; - Detektieren von Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung, die aufgrund einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt (125, 425) entstehen, mit mindestens einem Detektor (116, 117, 119, 121, 419, 428, 500); - Erzeugen von Detektionssignalen mit dem Detektor (116, 117, 119, 121, 419, 428, 500) aufgrund der detektierten Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungstrahlung; - Erzeugen eines ersten Bilds des Objekts (125, 425) mit den Detektionssignalen, die aufgrund der detektierten sowie von dem ersten, sich überlappenden Bereich (603) stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungstrahlung erzeugt wurden, - Erzeugen eines zweiten Bilds des Objekts (125, 425) mit den Detektionssignalen, die aufgrund der detektierten sowie von dem zweiten, sich nicht überlappenden Bereich (604) der zweiten Fläche des Rasterfelds (602) stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungstrahlung erzeugt wurden; - Kennzeichnen des ersten Bilds des Objekts (125, 425) mit einem ersten Kennzeichen und/oder Kennzeichnen des zweiten Bilds mit einem zweiten Kennzeichen; und - Anzeigen des mit dem ersten Kennzeichen gekennzeichneten ersten Bilds des Objekts (125, 425) und/oder des mit dem zweiten Kennzeichen gekennzeichneten zweiten Bilds auf einer Anzeigeeinrichtung (124, 124A).
  4. Verfahren nach Anspruch 3, wobei das Verfahren mindestens einen der folgenden Schritte umfasst: (i) als erstes Kennzeichen wird mindestens eine erste Trennlinie verwendet; (ii) als erstes Kennzeichen wird mindestens eine erste Farbe verwendet; (iii) als zweites Kennzeichen wird mindestens eine zweite Trennlinie verwendet; (iv) als zweites Kennzeichen wird mindestens eine zweite Farbe verwendet.
  5. Verfahren nach Anspruch 3, wobei als zweites Kennzeichen ein einstellbarer Kontrast des zweiten Bildes verwendet wird.
  6. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die erste Fläche des Rasterbereichs (601) und die zweite Fläche des Rasterfelds (602) derart ausgerichtet werden, dass die erste Fläche des Rasterbereichs (601) vollständig in der zweiten Fläche des Rasterfelds (602) liegt.
  7. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei - die erste Fläche des Rasterbereichs (601) derart gewählt wird, dass die erste Fläche eine erste Form aufweist; und wobei - die zweite Fläche des Rasterfelds (602) derart gewählt wird, dass die zweite Fläche des Rasterfelds (602) eine zweite Form aufweist, wobei die erste Form zur zweiten Form unterschiedlich ist.
  8. Verfahren nach Anspruch 7, wobei das Verfahren mindestens eines der folgenden Merkmale aufweist: - die erste Fläche des Rasterbereichs (601) wird derart gewählt, dass die erste Fläche rund ausgebildet ist; - die zweite Fläche des Rasterfelds (602) wird derart gewählt, dass die zweite Fläche mehreckig ausgebildet ist.
  9. Verfahren nach Anspruch 1, wobei eine Maske über den zweiten, sich nicht überlappenden Bereich (604) der zweiten Fläche des Rasterfelds (602) derart angeordnet wird, dass die Detektionssignale, die mit den detektierten sowie von dem zweiten, sich nicht überlappenden Bereich (604) der zweiten Fläche des Rasterfelds (602) stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungstrahlung erzeugt wurden, beim Erzeugen des Bilds des Objekts (125, 425) und/oder beim Durchführen der Analyse des Objekts (125, 425) nicht verwendet werden.
  10. Verfahren nach Anspruch 9, wobei eine elektronische Maske als die Maske verwendet wird, wobei die elektronische Maske durch Bildverarbeitung erzeugt wird.
  11. Verfahren nach Anspruch 1, wobei - die erste Fläche des Rasterbereichs (601) und die zweite Fläche des Rasterfelds (602) derart gewählt werden, dass sie einen Grenzbereich aufweisen, an welchem sowohl die erste Fläche des Rasterbereichs (601) als auch der zweite, sich nicht überlappende Bereich (604) der zweiten Fläche des Rasterfelds (602) angrenzen; - mindestens eine Gerade (605 bis 608) entlang des Grenzbereichs ausgerichtet wird, wobei die Gerade (605 bis 608) eine zur ersten Fläche des Rasterbereichs (601) gerichtete erste Seite aufweist und wobei die Gerade (605 bis 608) eine zum zweiten, sich nicht überlappende Bereich (604) der zweiten Fläche des Rasterfelds (602) gerichtete Seite aufweist, und wobei - die Detektionssignale, die mit den detektierten sowie von dem auf der zweiten Seite der Geraden (605 bis 608) angeordneten zweiten, nicht überlappenden Bereich (604) der zweiten Fläche des Rasterfelds (602) stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung erzeugt wurden, beim Erzeugen des Bilds des Objekts (125, 425) und/oder beim Analysieren des Objekts (125, 425) nicht verwendet werden.
  12. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die oben genannten Verfahrensschritte bei und/oder nach einer Einstellung einer Vergrößerung des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) durchgeführt werden.
  13. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei die Durchführung des Verfahrens einem Nutzer des Teilchenstrahlgeräts (100, 200, 400) mit mindestens einer Signaleinrichtung (127, 128) angezeigt wird.
  14. Verfahren nach Anspruch 1, wobei das Bild ein erstes Bild ist, wobei die Analyse eine erste Analyse ist, wobei - ein zweites Bild des Objekts (125, 425) und/oder eine zweite Analyse des Objekts (125, 425) mit den Detektionssignalen erzeugt wird/werden, die mit den detektierten sowie von dem vollständigen Rasterfeld (602) stammenden Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungstrahlung erzeugt wurden; sowie - Abspeichern von mindestens einem der Folgenden in einer Speichereinheit (126): (a) des ersten Bilds und des zweiten Bilds; (b) der ersten Analyse und der zweiten Analyse.
  15. Verfahren nach einem der vorangehenden Ansprüche, wobei das Rasterfeld (602) durch die Rastereinrichtung (115, 307, 308, 429) auf dem Objekt (125, 425) verschoben wird.
  16. Computerprogrammprodukt mit einem Programmcode, der in einen Prozessor (123) ladbar ist und der bei Ausführung ein Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) derart steuert, dass ein Verfahren nach mindestens einem der vorangehenden Ansprüche ausgeführt wird.
  17. Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) zur Abbildung und/oder Analyse eines Objekts (125, 425), mit - mindestens einem Strahlerzeuger (101, 301, 402) zur Erzeugung eines Teilchenstrahls mit geladenen Teilchen; - mindestens einer Objektivlinse (107, 304, 421) zur Fokussierung des Teilchenstrahls auf das Objekt (125, 425); - mindestens einer Rastereinrichtung (115, 429) zum Rastern des Teilchenstrahls über das Objekt (125, 425); - mindestens einem Detektor (116, 117, 119, 121, 419, 428, 500) zur Detektion von Wechselwirkungsteilchen und/oder Wechselwirkungsstrahlung, die aus einer Wechselwirkung des Teilchenstrahls mit dem Objekt (125, 425) resultieren/resultiert, - mindestens einer Anzeigeeinrichtung (124, 124A) zum Anzeigen des Bilds und/oder der Analyse des Objekts (125, 425), und mit - mindestens einer Steuereinheit (123) mit einem Prozessor, in dem ein Computerprogrammprodukt nach Anspruch 16 geladen ist.
  18. Teilchenstrahlgerät (200) nach Anspruch 17, wobei der Strahlerzeuger (101) als ein erster Strahlerzeuger (101) und der Teilchenstrahl als ein erster Teilchenstrahl mit ersten geladenen Teilchen ausgebildet ist, wobei die Objektivlinse (107) als eine erste Objektivlinse zur Fokussierung des ersten Teilchenstrahls auf das Objekt (125) ausgebildet ist, und wobei das Teilchenstrahlgerät (200) ferner aufweist: - mindestens einen zweiten Strahlerzeuger (301) zur Erzeugung eines zweiten Teilchenstrahls mit zweiten geladenen Teilchen; und - mindestens eine zweite Objektivlinse (304) zur Fokussierung des zweiten Teilchenstrahls auf das Objekt (125).
  19. Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) nach Anspruch 17 oder 18, wobei das Teilchenstrahlgerät (100, 200, 400) ein Elektronenstrahlgerät und/oder ein lonenstrahlgerät ist.
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