JP2020514925A - モバイル端末 - Google Patents

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Abstract

本願は、クロック発生器、第1の周波数変換回路、第1のモジュール、第2の周波数変換回路、および第2のモジュールを含むモバイル端末を開示する。第1の周波数変換回路は、クロック発生器によって生成されたクロック信号に周波数変換を実行して、第1のクロック信号を取得し、第1のクロック信号を第1のモジュールに出力する。第2の周波数変換回路は、クロック発生器によって生成されたクロック信号に周波数変換を実行して、第2のクロック信号を取得し、第2のクロック信号を第2のモジュールに出力する。本願のモバイル端末は、より優れた耐電磁干渉能力を有する。

Description

本願は、2017年3月24日に中国国家知的財産局に提出された「MOBILE TERMINAL」という名称の中国特許出願第201710182423．3号の優先権を主張し、上記出願はその全体が参照により本明細書に組み込まれる。
本願は、電子技術の分野、特にモバイル端末に関する。
クロックソースは、クロックパルス信号を生成するモジュールであり、別のモジュールを実行するためのクロックを提供することができる。電子デバイスの小型化により、モジュール間の距離は小さくなる。モジュールのクロック周波数が同じまたは基本的に同じである場合、隣接する電磁干渉が原因でモジュールが異常に動作する、例えば、指紋のロック解除速度が過度に遅い、撮影および写真撮影中に停止する、ダイヤル中にキーリンケージがある、タッチパネルに線を引くと破線になるなどが生じる。
モジュール間電磁干渉をキャンセルするために、従来技術では周波数領域管理方法が使用され、モジュール用の異なる水晶発振器を構成して、水晶発振器が異なる周波数を有するクロックを生成するようにしている。このように、モジュールのクロック周波数が異なり、電磁干渉を低減することができる。
ただし、周囲温度の影響により、異なるタイプの水晶発振器によって生成されるクロック周波数は、異なる振幅でずれる。このように、2つのモジュールのクロック周波数または高次高調波周波数が特定の周波数で重なり、モジュール間の電磁干渉が2つのモジュールの機能不全を引き起こす。
本願は、より優れた耐電磁干渉能力を有するモバイル端末を提供する。
本願の第1の態様によれば、モバイル端末が提供され、クロック発生器、第1の周波数変換回路、第1のモジュール、第2の周波数変換回路、および第2のモジュールを含む。第1の周波数変換回路は、クロック発生器によって生成されたクロック信号に周波数変換を実行して、第1のクロック信号を取得し、第1のクロック信号を第1のモジュールに出力する。第2の周波数変換回路は、クロック発生器によって生成されたクロック信号に周波数変換を実行して、第2のクロック信号を取得し、第2のクロック信号を第2のモジュールに出力する。第1の周波数変換回路はクロック発生器と第1のモジュールの両方に接続され、第2の周波数変換回路はクロック発生器と第2のモジュールの両方に接続され、第1のクロック信号と第2のクロック信号は異なる周波数を有するクロック信号である。
モバイル端末では、第1のクロック信号と第2のクロック信号の両方は、クロック発生器によって生成されたクロック信号を周波数変換することによって取得される、すなわち、第1のクロック信号と第2のクロック信号は同じクロックソースによって生成される。クロック発生器によって生成されたクロック信号で温度ドリフトが発生すると、第1のクロック信号の温度ドリフト率は第2のクロック信号の温度ドリフト率と同じになり、ここで、温度ドリフト率は温度の作用下でのクロック周波数の偏移率である。このように、異なるモジュールのクロック周波数がほとんど重なり合わないため、電磁干渉が低減される。
可能な実施態様では、第1のクロック信号のクロック周波数の、第2のクロック信号のクロック周波数に対する比はM／Nであり、Mは正の奇数であり、Nは2のn乗であり、nは正の整数である。Mと奇数の積はNに等しくできないので、第1のクロック信号の奇数高調波周波数と第2のクロック信号の高調波周波数はほとんど重なり合わない。従来技術と比較して、前述のパラメータ構成を使用することにより、第1のモジュールと第2のモジュールとの間の電磁干渉を効果的に低減することができる。
別の可能な実施態様では、第1のモジュールは第3の周波数変換回路および第1の機能ユニットを含み、第2のモジュールは第4の周波数変換回路および第2の機能ユニットを含む。第3の周波数変換回路は、第1のクロック信号に周波数変換を実行して第3のクロック信号を取得し、第3のクロック信号を第1の機能ユニットに出力する。第4の周波数変換回路は、第2のクロック信号に周波数変換を実行して第4のクロック信号を取得し、第4のクロック信号を第2の機能ユニットに出力する。第3の周波数変換回路は、第1の周波数変換回路および第1の機能ユニットの両方に接続され、第4の周波数変換回路は、第2の周波数変換回路および第2の機能ユニットの両方に接続され、第3のクロック信号のクロック周波数の、第4のクロック信号のクロック周波数に対する比は、M／Nであり、Mは正の奇数であり、Nは2のn乗であり、nは正の整数である。このように、Mと奇数の積はNに等しくできないので、第3のクロック信号の奇数高調波周波数と第4のクロック信号の高調波周波数はほとんど重なり合わない。従来技術と比較して、第1の機能ユニットと第2の機能ユニットとの間の電磁干渉は、前述のパラメータ構成を使用することにより効果的に低減することができる。
別の可能な実施態様では、第1のモジュールは、タッチパネルモジュール、ディスプレイモジュール、指紋認識モジュール、またはカメラモジュールであり、第2のモジュールは、タッチパネルモジュール、ディスプレイモジュール、指紋認識モジュール、またはカメラモジュールであり、第1のモジュールおよび第2のモジュールは異なるタイプのモジュールである。
別の可能な実施態様では、クロック発生器は水晶発振器、半導体発振器、またはセラミック発振器である。
別の可能な実施態様では、モバイル端末はさらに電源アダプタを含む。第1のクロック信号のクロック周波数の、電源アダプタの基本周波数に対する比はM／Nであるか、または、第2のクロック信号のクロック周波数の、電源アダプタの基本周波数に対する比はM／Nであり、Mは正の奇数であり、Nは2のn乗であり、nは正の整数である。
別の可能な実施態様では、モバイル端末は、音声処理モジュールおよびビデオ処理モジュールをさらに含み、音声処理モジュールの基本周波数の、ビデオ処理モジュールの基本周波数に対する比はM／Nであり、Mは正の奇数であり、Nは2のn乗であり、nは正の整数である。
別の可能な実施態様では、モバイル端末は、第3のモジュールおよび第4のモジュールをさらに含み、第3のモジュールは第5の周波数変換回路および第3の機能ユニットを含み、第4のモジュールは第6の周波数変換回路および第4の機能ユニットを含む。第5の周波数変換回路は、クロック発生器により生成されたクロック信号に周波数変換を実行して第5のクロック信号を取得し、第5のクロック信号を第3の機能ユニットに出力する。第6の周波数変換回路は、クロック発生器により生成されたクロック信号に周波数変換を実行して第6のクロック信号を取得し、第6のクロック信号を第4の機能ユニットに出力する。第5の周波数変換回路はクロック発生器と第3の機能ユニットの両方に接続され、第6の周波数変換回路はクロック発生器と第4の機能ユニットの両方に接続され、第5のクロック信号と第6のクロック信号は異なる周波数を有するクロック信号である。モバイル端末では、クロック発生器により生成されたクロック信号に周波数変換を実行することにより、第5のクロック信号と第6のクロック信号の両方が得られる。クロック発生器によって生成されたクロック信号に温度ドリフトが発生すると、第5のクロック信号の温度ドリフト率は第6のクロック信号の温度ドリフト率と同じになる。このように、第3の機能ユニットのクロック周波数と第4の機能ユニットのクロック周波数はほとんど重なり合わないため、電磁干渉が低減される。
別の可能な実施態様では、第5のクロック信号のクロック周波数の、第6のクロック信号のクロック周波数に対する比はM／Nであり、Mは正の奇数であり、Nは2のn乗であり、nは正の整数である。
本願の第2の態様によれば、モバイル端末が提供される。モバイル端末は、第1のモジュールおよび第2のモジュールを含む。第1のモジュールは第1のクロック発生器を含み、第2のモジュールは第2のクロック発生器を含み、第1のクロック発生器のクロック周波数の温度ドリフト傾向は、第2のクロック発生器のクロック周波数の温度ドリフト傾向と一致する。このように、異なるモジュールのクロック周波数の温度ドリフト傾向が一致しており、異なるモジュールのクロック周波数は異なるので、異なるモジュールのクロック周波数はほとんど重なり合わない。従来技術と比較して、第1のモジュールと第2のモジュールとの間の電磁干渉を効果的に低減することができる。
可能な実施態様では、第1のクロック発生器によって生成されるクロック周波数の、第2のクロック発生器によって生成されるクロック周波数に対する比はM／Nであり、Mは正の奇数であり、Nは2のn乗であり、nはa正の整数である。Mと奇数との積はNに等しくなり得ないので、第1のクロック信号の奇数高調波周波数と第2のクロック信号の高調波周波数はほとんど重なり合わない。従来技術と比較して、前述のパラメータ構成を使用することにより、第1のモジュールと第2のモジュールとの間の電磁干渉を効果的に低減することができる。
別の可能な実施態様では、第1のモジュールは、タッチパネルモジュール、ディスプレイモジュール、指紋認識モジュール、またはカメラモジュールであり、第2のモジュールは、タッチパネルモジュール、ディスプレイモジュール、指紋認識モジュール、またはカメラモジュールであり、第1のモジュールおよび第2のモジュールは異なるタイプのモジュールである。
別の可能な実施態様では、第1のクロック発生器のクロック周波数の温度ドリフト傾向および第2のクロック発生器のクロック周波数の温度ドリフト傾向の両方が単調減少しているか、または、第1のクロック発生器のクロック周波数の温度ドリフト傾向および第2のクロック発生器のクロック周波数の温度ドリフト傾向の両方が単調減少しているか、または、第1のクロック発生器のクロック周波数の温度ドリフト傾向および第2のクロック発生器のクロック周波数の温度ドリフト傾向の両方の曲線が放物線である。このように、2つのモジュールがクロック周波数の前述の温度ドリフト傾向を使用すると、電磁干渉を効果的に低減することができる。
別の可能な実施態様では、第1のクロック発生器と第2のクロック発生器の両方が水晶発振器である。
別の可能な実施態様では、第1のクロック発生器と第2のクロック発生器の両方が半導体発振器である。
別の可能な実施態様では、第1のクロック発生器と第2のクロック発生器の両方がセラミック発振器である。
本願の実施形態では、モバイル端末は、クロック発生器、第1の周波数変換回路、第1のモジュール、第2の周波数変換回路、および第2のモジュールを含む。第1の周波数変換回路は、クロック発生器によって生成されたクロック信号に周波数変換を実行して、第1のクロック信号を取得し、第1のクロック信号を第1のモジュールに出力する。第2の周波数変換回路は、クロック発生器によって生成されたクロック信号に周波数変換を実行して、第2のクロック信号を取得し、第2のクロック信号を第2のモジュールに出力する。前述のモジュールのクロックは同じクロックソースであることが分かる。周囲温度がクロック周波数に影響する場合、モジュールのクロック周波数の温度ドリフト率は、クロック発生器のクロック周波数の温度ドリフト率と同じである。このように、異なるモジュールのクロック周波数がほとんど重なり合わないため、電磁干渉を可能な限り低減することができる。
既存のモバイル端末の構成されたクロックの概略図である。 通常状態の既存のTPモジュールおよびLCDモジュールの概略スペクトル分布図である。 既存のTPモジュールおよびLCDモジュールの周波数の温度ドリフトの概略図である。 本願の一実施形態によるモバイル端末の概略図である。 本願の一実施形態によるTPモジュールおよびLCDモジュールのスペクトル偏移の概略図である。 本願の一実施形態によるモバイル端末の別の概略図である。 本願の一実施形態によるTPモジュールの耐干渉能力の概略図である。 通常状態のTPモジュールおよびLCDモジュールの別の概略スペクトル分布図である。 本願の一実施形態によるTPモジュールおよびLCDモジュールの周波数の温度ドリフトの別の概略図である。 本願の一実施形態によるモバイル端末の別の概略図である。 本願の一実施形態による2つのクロック周波数の温度ドリフト傾向の概略図である。 本願の一実施形態による2つのクロック周波数の温度ドリフト傾向の他の概略図である。 本願の一実施形態による2つのクロック周波数の温度ドリフト傾向の他の概略図である。
モバイル端末は、使用中に移動することができるコンピュータデバイスであり、例えば、携帯電話、タブレットコンピュータ、車載コンピュータ、ウェアラブル電子デバイス、あるいはモバイル販売時点端末（point of sales terminal、POS）である。システムオンチップ（System on Chip、SOC）はSoCとも呼ばれ、モバイル端末に配置される。図1は、既存の端末内のモジュールのクロック構成の概略図である。モジュールとは、電子デバイス内で独立した機能を有するモジュールである。SOC11の水晶発振器はソースクロックを生成する。水晶発振器は、クォーツ水晶発振器とも呼ばれ、簡単に水晶発振器と呼ばれる。各モジュールはクロック信号を有する。ソースクロックはSOC11に構成され、クロック1はAモジュール12に構成され、クロック2はBモジュール13に構成され、クロック3はCモジュール14に構成される。ソースクロックは、例えばクロック1など、別のモジュールのクロックとして出力されてもよい。クロック2とクロック3は両方とも独立したクロックであり、独立したクロック発振器によって個別に生成され、ソースクロックとは無関係である。
モジュール2の例として、タッチパネル（touch panel、TP）モジュールが使用され、モジュール3の例として、液晶ディスプレイ（liquid crystal display、LCD）モジュールが使用される。図2は、通常状態のTPモジュールおよびLCDモジュールの概略スペクトル分布図である。横軸の単位はキロヘルツ（kHz）で、縦軸の単位はデシベルミリワット（dBm）である。LCDモジュールの基本周波数は30kHzで、高調波周波数は30kHzの整数倍である。TPモジュールの基本周波数は98kHzであり、TPモジュールの高調波周波数は98kHzの奇数倍、例えば98kHzの3、5、7、9、または11倍である。このように、TPモジュールの高調波周波数とLCDモジュールの高調波周波数との間には周波数分離があり、この場合、モジュール間の高調波干渉度は比較的低い。
しかし、異なる水晶発振器の結晶の幾何学的形状または切断方法が異なるため、クロック2とクロック3の周波数の温度ドリフト振幅は異なる。図3を参照すると、周囲温度の影響下で、TP基本周波数の温度ドリフト率が±3％である場合には、TPモジュールの高調波周波数は±3％の範囲内で変化する。このように、TPモジュールの3次高調波周波数とLCDモジュールの高調波周波数が300kHzで重なり、高調波干渉が発生する。同様に、TPモジュールの5次高調波周波数とLCDモジュールの高調波周波数が480kHzで重なり、高調波干渉が発生する。高調波干渉はモジュールの誤動作を引き起こしやすく、高調波周波数はノイズとも呼ばれる。
異なる水晶発振器のクロック周波数が環境の影響を受けるために生じる周波数の重なりを解決するために、本願のモバイル端末では、1つの水晶発振器が複数のモジュールにクロックを提供する。図4を参照すると、本願で提供されるモバイル端末400の一実施形態は、
クロック発生器401、第1の周波数変換回路402、第1のモジュール403、第2の周波数変換回路404、および第2のモジュール405
を含む。
第1の周波数変換回路402は、クロック発生器401と第1のモジュール403の両方に接続され、クロック発生器401によって生成されたクロック信号に周波数変換を実行して、第1のクロック信号を取得し、第1のクロック信号を第1のモジュール403に出力するように構成される。
第2の周波数変換回路404は、クロック発生器401と第2のモジュール405の両方に接続され、クロック発生器401によって生成されたクロック信号に周波数変換を実行して、第2のクロック信号を取得し、第2のクロック信号を第2のモジュール405に出力するように構成され、第1のクロック信号および第2のクロック信号は、異なる周波数を有するクロック信号である。
クロック発生器401は、水晶発振器、半導体発振器、またはセラミック発振器であってもよく、半導体発振器はシリコン発振器とも呼ばれる。
周波数変換回路は、分周回路、周波数逓倍回路、または分周回路と周波数逓倍回路とを含む、組み合わせた回路であってもよい。例えば、第1の周波数変換回路402は分周回路であって、第1の周波数変換回路402の出力周波数に対する入力周波数の比はn1であり、第2の周波数変換回路404は周波数逓倍回路であって、第2の周波数変換回路404の出力周波数に対する入力周波数の比はn2である。クロック発生器401が生成するクロック信号の周波数が26MHzの場合、分周回路から出力されるクロック信号の周波数は26MHz／n1であり、周波数逓倍回路から出力されるクロック信号の周波数はn2×26MHzである。
いくつかのオプションの実施形態では、第1のモジュール403は、タッチパネルモジュール、ディスプレイモジュール、指紋認識モジュール、またはカメラモジュールであり、第2のモジュール405は、タッチパネルモジュール、ディスプレイモジュール、指紋認識モジュール、またはカメラモジュールであり、第1のモジュール403および第2のモジュール405は、異なるタイプのモジュールである。ディスプレイモジュールのディスプレイは、LCD、発光ダイオード（Light Emitting Diode、LED）、有機発光ダイオード（Organic Light Emitting Diode、OLED）などであってもよい。
モバイル端末400は、別の周波数変換回路および別のモジュールをさらに含んでもよいことが理解され得る。各周波数変換回路は、クロック発生器によって生成されたクロック信号の周波数を、対応するモジュールのクロック周波数に変換することができる。
この実施形態では、第1のモジュール403のクロックと第2のモジュール405のクロックは同じクロックソースである。周囲温度がクロック周波数に影響を与える場合、f0の温度ドリフト率はa％、すなわち、（1±a％）×f0と仮定される。周波数変換回路から出力されるクロック周波数も同じ振幅で変化する、すなわち、f1＝（1±a％）×f0／n1、およびf2＝（1±a％）×f0×n2である。各モジュールの高調波周波数の温度ドリフト率は、f0の温度ドリフト率と同じである。このように、異なるモジュールのクロック周波数がほとんど重なり合わないため、電磁干渉度は非常に低くなる。温度ドリフト率は、温度によって生じる周波数偏移振幅の通常の周波数に対する百分率である。
例えば、図5は2つのモジュールのスペクトル偏移の概略図である。第1のモジュール403はTPモジュールであり、第2のモジュール405はLCDモジュールであり、図5の上部の点線は偏移後のTPスペクトルであり、図5の下部の点線は偏移後のLCDスペクトルである。図5から、第1のモジュール403のスペクトル偏移振幅は第2のモジュール405のスペクトル偏移振幅と同じであり、2つのモジュールのクロック周波数はほとんど重なり合わないため、電磁干渉度は非常に低いことが分かる。
オプションの実施形態では、第1のクロック信号のクロック周波数の、第2のクロック信号のクロック周波数に対する比はM／Nであり、Mは正の奇数であり、Nは2のn乗であり、nは正の整数である。
この実施形態では、Mは正の奇数であり、Nは2の正の整数乗であるため、M／Nは整数になり得ず、第1のクロック信号のクロック周波数は、第2のクロック信号のクロック周波数に等しくなり得ず、第2のクロック信号のクロック周波数の正の整数倍に等しくなり得ない。また、第1のクロック信号の奇数高調波は、第1高調波、第3高調波、第5高調波などであり、奇数とM／Nとの積は整数になり得ない。したがって、第1のクロック信号の奇数高調波周波数は、第2のクロック信号の高調波周波数の整数倍に等しくなり得ない。このように、通常モードでは、第1のモジュールと第2のモジュールの基本周波数または高調波周波数が重なり合わないことが保証される。
具体的には、第1のクロック信号の基本周波数はF1（1）であり、第1のクロック信号の奇数高調波周波数はF1（n3）＝F1（1）×n3であり、n3は奇数変数であると仮定する。第2のクロック信号の基本周波数はF2（1）、第2のクロック信号の高調波周波数はF2（n4）＝F2（1）×n4であり、n4は偶数変数であると仮定する。
P（1）／F2（1）＝M／Nから、F1（1）＝F2（1）×M／Nであることが分かる。
前述の2つのクロック信号の高調波周波数間の周波数間隔Δfは次のとおりである。
Δf＝｜F1（n3）−F2（n4）｜＝｜（n3×（M×F2（1））／N）−（n4×F2（1））｜＝｜（n3×M−n4×N）×F2（1）／N｜。
例えば、第1のクロック信号の基本周波数は90 kHzであり、第2のクロック信号の基本周波数は40 kHzであり、M／N＝9／4である。この場合、90 kHzの奇数高調波周波数はそれぞれ90kHz、270kHz、450kHzなどであり、40 kHzの高調波周波数はそれぞれ40kHz、80kHz、120kHz、160kHz、200kHz、240kHz、280kHzなどである。上記から、2つのクロック信号間の最小周波数差は｜90−80｜または｜280−270｜、すなわち、10kHzであることが分かる。
2つのクロック信号のクロック周波数間の間隔は常にF2（1）／N以上であることに留意されたく、ここで、F2（1）は第2のモジュールの基本周波数である。温度ドリフト率がF2（1）／N未満の場合、2つのクロック周波数は重なり合わない。このように、図8に示すように、温度ドリフトによって引き起こされる高調波干渉を効果的に低減することができる。あるいは、共通の差によるクロック周波数の偏移振幅がF2（1）／Nよりも小さい場合、前述の2つのクロック周波数は重なり合わない。このように、共通の差によって引き起こされる電磁干渉を効果的に低減することができる。
図6を参照すると、別のオプションの実施形態では、第1のモジュール403は第3の周波数変換回路4031および第1の機能ユニット4032を含み、第2のモジュール405は第4の周波数変換回路4051および第2の機能ユニット4052を含む。第3の周波数変換回路4031は、第1の周波数変換回路402と第1の機能ユニット4032の両方に接続され、第1のクロック信号に周波数変換を実行して、第3のクロック信号を取得し、第3のクロック信号を第1の機能ユニット4032に出力するように構成される。第4の周波数変換回路4051は、第2の周波数変換回路404と第2の機能ユニット4052の両方に接続され、第2のクロック信号に周波数変換を実行して、第4のクロック信号を取得し、第4のクロック信号を第2の機能ユニット4052に出力するように構成される。第3のクロック信号のクロック周波数の、第4のクロック信号のクロック周波数に対する比は、M／Nであり、Mは正の奇数であり、Nは2のn乗であり、nは正の整数である。
この実施形態では、Mは正の奇数であり、Nは2の正の整数乗であるため、M／Nは整数になり得ず、第3のクロック信号のクロック周波数は、第4のクロック信号のクロック周波数に等しくなり得ず、第4のクロック信号のクロック周波数の整数倍に等しくなり得ない。第3のクロック信号の奇数高調波は、第1高調波、第3高調波、第5高調波などであってもよく、奇数とM／Nとの積は整数になり得ず、第3のクロック信号の奇数高調波周波数は第4のクロック信号の高調波周波数の整数倍に等しくなり得ない。このように、通常モードでは、第1の機能ユニットと第2の機能ユニットの基本周波数または高調波周波数が重なり合わないことが保証される。
第1のモジュールがタッチパネルモジュールである場合、第1の機能ユニットはタッチパネル回路であってもよいことが理解され得る。第2のモジュールが液晶ディスプレイモジュールである場合、第2の機能ユニットは液晶ディスプレイの駆動回路であってもよい。第1のモジュールは、第1の周波数変換回路に接続された別の機能ユニットをさらに含んでもよく、第2のモジュールは、第2の周波数変換回路に接続された別の機能ユニットをさらに含んでもよい。
別のオプションの実施形態では、モバイル端末は、第3のモジュールおよび第4のモジュールを含み、第3のモジュールは第5の周波数変換回路および第3の機能ユニットを含み、第4のモジュールは第6の周波数変換回路および第4の機能ユニットを含む。第5の周波数変換回路は、クロック発生器401と第3の機能ユニットの両方に接続され、第1のクロック信号に周波数変換を実行して、第5のクロック信号を取得し、第5のクロック信号を第3の機能ユニットに出力するように構成される。第6の周波数変換回路は、クロック発生器401と第4の機能ユニットの両方に接続され、クロック発生器401によって生成されたクロック信号に周波数変換を実行して、第6のクロック信号を取得し、第6のクロック信号を第4の機能ユニットに出力するように構成される。第5のクロック信号のクロック周波数の、第6のクロック信号のクロック周波数に対する比は、M／Nであり、Mは正の奇数であり、Nは2のn乗であり、nは正の整数である。
この実施形態では、第3のモジュールの基本周波数は、第4のモジュールの基本周波数と同じであり、上記2つの機能ユニット（すなわち、第3の機能ユニットおよび第4の機能ユニット）のクロック周波数比はM／Nである。Mは正の奇数であり、Nは2の正の整数乗であるため、M／Nは整数になり得ず、第5のクロック信号のクロック周波数は、第6のクロック信号のクロック周波数に等しくなり得ず、第6のクロック信号のクロック周波数の整数倍に等しくなり得ない。また、第5のクロック信号の奇数高調波は、第1高調波、第3高調波、第5高調波などであってもよく、奇数とM／Nとの積は整数になり得ず、第5のクロック信号の奇数高調波周波数は第6のクロック信号の高調波周波数の整数倍に等しくなり得ない。このように、通常モードでは、第3の機能ユニットと第4の機能ユニットの基本周波数または高調波周波数が重なり合わないことが保証される。
いくつかの実施形態では、モバイル端末のSOCは電源アダプタに接続されてもよい。モバイル端末では、TP回路のクロック周波数の、電源アダプタのクロック周波数に対する比はM／Nである。あるいは、指紋認識回路のクロック周波数の、電源アダプタのクロック周波数に対する比はM／Nである。MおよびNの値は、前述の実施形態に示されている。
理解を容易にするために、以下では、特定のアプリケーションシナリオを使用して、本願で提供されるモバイル端末について詳しく説明する。
例えば、モバイル端末は携帯電話である。携帯電話は、TPモジュールおよびLCDモジュールを含む。TPモジュールの基本周波数F1（1）は80kHzであり、LCDモジュールの基本周波数F2（1）は22．86kHzである。図7は、TPモジュールの概略的な耐干渉図である。TPモジュールは、80kHz、240kHz、400kHz、および560kHzの周波数での耐干渉能力が不十分である。つまり、基本周波数80kHzの第1高調波、第3高調波、第5高調波、第7高調波などの奇数高調波は干渉を受けやすく、この場合、TPモジュールの検出は簡単に誤動作する。
TPモジュールとLCDモジュールが正常に動作している場合、F1（1）／F2（1）＝M／N＝7／2であるため、図8に示すように、TPモジュールの奇数高調波周波数とLCDモジュールの高調波周波数は重なり合わない。この場合、2つのモジュールが高調波を生成する周波数間の間隔はΔf＝F2（1）／2＝11．43kHzである。
TPモジュールの周波数の温度ドリフト率が±2％で、LCDモジュールの周波数の温度ドリフト振幅が基本的に変化しない場合、TPモジュールの基本周波数の温度ドリフト振幅は1．6kHz、第3高調波周波数の温度ドリフト振幅は4．8kHz、第7高調波周波数の温度ドリフト振幅は11．2kHzである。上記から、高調波の次数が増加するにつれて、高調波の温度ドリフト振幅が増加することが分かる。11．2kHz＜11．43kHzから、第7高調波の温度ドリフト振幅が高調波周波数間隔よりも小さいことが分かる。したがって、図9に示すように、前述の高調波周波数は重なり合わない。上記の基本周波数を異なるモジュールに設定すると、高調波干渉をある程度まで効果的に低減することができることが分かる。
図10を参照すると、本願におけるモバイル端末1000の別の実施形態は、
第1のモジュール1001および第2のモジュール1002を含み、第1のモジュール1001は第1のクロック発生器10011を含み、第2のモジュール1002は第2のクロック発生器10021を含む。
指定された温度範囲内では、第1のクロック発生器10011のクロック周波数の温度ドリフト傾向は、第2のクロック発生器10021のクロック周波数の温度ドリフト傾向と一致し、第1のクロック発生器のクロック周波数は第2のクロック発生器のクロック周波数とは異なる。
クロック周波数の温度ドリフト傾向は、温度の変化に伴うクロック周波数オフセットの変化傾向である。指定された温度範囲は、第1のモジュールの通常の作動温度間隔、または第2のモジュールの通常の作動温度間隔、またはモバイル端末1000の通常の作動温度間隔であってもよい。モバイル端末1000の通常の作動温度間隔は、概ね0℃〜40℃である。
この実施形態では、指定された温度範囲内の任意の温度で、2つのクロック発生器のクロック周波数のオフセット間の差がしきい値よりも小さいことは、2つのクロック発生器のクロック周波数の温度ドリフト傾向が一致しているとみなすことができる。異なるモジュールのクロック周波数の温度ドリフト傾向は一致しており、異なるモジュールのクロック周波数は異なるので、異なるモジュールのクロック周波数はほとんど重なり合わず、電磁干渉度は非常に低い。
図11を参照すると、いくつかの実施形態では、第1のクロック発生器のクロック周波数の温度ドリフト傾向と第2のクロック発生器のクロック周波数の温度ドリフト傾向の両方が単調減少している。温度がt1のとき、第1のクロック発生器のクロック周波数のオフセットはf1であり、第2のクロック発生器のクロック周波数のオフセットはf3である。温度がt2のとき、第1のクロック発生器のクロック周波数のオフセットはf2であり、第2のクロック発生器のクロック周波数のオフセットはf4であり、ここで、t2＞t1、f1＞f2、およびf3＞f4である。温度がt1のとき、2つのクロック発生器のクロック周波数のオフセットは両方とも最大であり、温度が上昇するにつれてクロック周波数のオフセットが徐々に減少し、温度がt2のとき、2つのクロック発生器のクロック周波数のオフセットは両方とも最小である。2つのクロック周波数のオフセットの差は、［t1、t2］内の任意の温度で予め設定されたしきい値よりも小さくなる。
図12を参照すると、いくつかの他の実施形態では、第1のクロック発生器のクロック周波数の温度ドリフト傾向と第2のクロック発生器のクロック周波数の温度ドリフト傾向の両方が単調増加している。温度がt1のとき、第1のクロック発生器のクロック周波数のオフセットはf1であり、第2のクロック発生器のクロック周波数のオフセットはf3である。温度がt2のとき、第1のクロック発生器のクロック周波数のオフセットはf2、第2のクロック発生器のクロック周波数のオフセットはf4であり、ここで、t2＞t1、f2＞f1、およびf4＞f3である。温度がt1のとき、2つのクロック発生器のクロック周波数のオフセットは両方とも最小であり、温度が上昇するにつれてクロック周波数のオフセットが徐々に増加し、温度がt2のとき、2つのクロック発生器のクロック周波数のオフセットは両方とも最大である。2つのクロック周波数のオフセットの差は、［t1、t2］内の任意の温度で予め設定されたしきい値よりも小さくなる。
図13を参照すると、他のいくつかの実施形態では、第1のクロック発生器のクロック周波数の温度ドリフト傾向と第2のクロック発生器のクロック周波数の温度ドリフト傾向の両方の曲線は放物線である。温度がt1およびt3のとき、第1のクロック発生器のクロック周波数のオフセットはf1であり、第2のクロック発生器のクロック周波数のオフセットはf3である。温度がt2のとき、第1のクロック発生器のクロック周波数のオフセットはf2であり、第2のクロック発生器のクロック周波数のオフセットはf4であり、ここで、t3＞t2＞t1、f1＞f2、およびf3＞f4である。温度がt1のとき、2つのクロック発生器のクロック周波数のオフセットは両方とも最大であり、［t1、t2］内で温度が上昇するにつれてクロック周波数のオフセットが徐々に減少し、温度がt2のとき、2つのクロック発生器のクロック周波数のオフセットは両方とも最小であり、［t2、t3］内で温度が上昇するにつれてクロック周波数のオフセットが徐々に増加する。2つのクロック周波数のオフセットの差は、［t1、t3］内の任意の温度で予め設定されたしきい値よりも小さくなる。
いくつかのオプションの実施形態では、第1のモジュール1001は、タッチパネルモジュール、ディスプレイモジュール、指紋認識モジュール、またはカメラモジュールであり、第2のモジュール1002は、タッチパネルモジュール、ディスプレイモジュール、指紋認識モジュール、またはカメラモジュールであり、第1のモジュール1001および第2のモジュール1002は、異なるタイプのモジュールである。
モバイル端末1000は、第3のモジュールおよび第4のモジュールなどの他のモジュールをさらに含んでもよいことが理解され得る。クロック発生器に加えて、各モジュールは機能ユニットをさらに含む。例えば、第1のモジュール1001がタッチパネルモジュールである場合、第1のモジュール1001に含まれる機能ユニットはタッチパネル回路であってもよい。第2のモジュール1002が液晶ディスプレイモジュールである場合、第2のモジュール1002に含まれる機能ユニットは、液晶ディスプレイの駆動回路であってもよい。
オプションの実施形態では、第1のクロック発生器10011によって生成されるクロック周波数の、第2のクロック発生器10021によって生成されるクロック周波数に対する比はM／Nであり、Mは正の奇数であり、Nは2のn乗であり、nは正の整数である。
この実施形態では、Mは正の奇数であり、Nは2の正の整数乗であるため、M／Nは整数にはなり得ず、第1のクロック発生器によって生成されるクロック周波数は、第2のクロック発生器によって生成されるクロック周波数に等しくなり得ず、第2のクロック発生器によって生成されるクロック周波数の整数倍に等しくなり得ない。さらに、第1のクロック発生器によって生成されるクロック周波数の奇数高調波は、第1高調波、第3高調波、第5高調波などであってもよく、奇数とM／Nとの積は整数になり得ず、第1のクロック発生器によって生成される奇数高調波周波数は第2のクロック発生器によって生成される高調波周波数の整数倍に等しくなり得ない。このように、通常モードでは、第1のモジュールと第2のモジュールの基本周波数または高調波周波数が重なり合わないことが保証される。
2つのクロック信号のクロック周波数の差は常にF2（1）／N以上であることに留意されたく、ここでF2（1）は第2のモジュールの基本周波数である。温度ドリフト振幅がF2（1）／Nより小さい場合、2つのクロック周波数は重なり合わない。このように、温度ドリフトに起因する高調波干渉を効果的に低減することができる。あるいは、共通の差によるクロック周波数の偏移振幅がF2（1）／Nよりも小さい場合、前述の2つのクロック周波数は重なり合わない。このように、共通の差によって引き起こされる電磁干渉を効果的に低減することができる。
別のオプションの実施形態では、第1のクロック発生器10011は水晶発振器であり、第2のクロック発生器10021は水晶発振器である。2つの水晶発振器の結晶形状と結晶切断方法が同じであるため、2つのクロック発生器の温度ドリフト傾向は一致する。例えば、両方の温度ドリフト傾向は、単調増加するか、単調減少するか、または放物線である。
別のオプションの実施形態では、第1のクロック発生器10011は半導体発振器であり、第2のクロック発生器10021は半導体発振器である。
別のオプションの実施形態では、第1のクロック発生器10011はセラミック発振器であり、第2のクロック発生器10021はセラミック発振器である。
前述の実施形態は、単に本願の技術的解決策を説明することを意図しており、本願を限定することを意図していない。本願について上記の実施形態を参照して詳細に説明したが、当業者であれば、本願の実施形態で記録された技術的解決策の趣旨および範囲から逸脱することなく、上記の実施形態に記載された技術的解決策に改変を行い、あるいはそのいくつかの技術的特徴に等価な置換を行うことができることを理解すべきである。
11 システムオンチップ
12 Aモジュール
13 Bモジュール
14 Cモジュール
400 モバイル端末
401 クロック発生器
402 第1の周波数変換回路
403 第1のモジュール
404 第2の周波数変換回路
405 第2のモジュール
1000 モバイル端末
1001 第1のモジュール
1002 第2のモジュール
4031 第3の周波数変換回路
4032 第1の機能ユニット
4051 第4の周波数変換回路
4052 第2の機能ユニット
10011 第1のクロック発生器
10021 第2のクロック発生器

Claims (12)

  1. モバイル端末であって、
    クロック発生器と、第1の周波数変換回路と、第1のモジュールと、第2の周波数変換回路と、第2のモジュールと、を含み、
    前記第1の周波数変換回路は、前記クロック発生器と前記第1のモジュールの両方に接続され、前記クロック発生器によって生成されたクロック信号に周波数変換を実行して第1のクロック信号を取得し、前記第1のクロック信号を前記第1のモジュールに出力するように構成され、
    前記第2の周波数変換回路は、前記クロック発生器と前記第2のモジュールの両方に接続され、前記クロック発生器によって生成された前記クロック信号に周波数変換を実行して第2のクロック信号を取得し、前記第2のクロック信号を前記第2のモジュールに出力し、前記第1のクロック信号および前記第2のクロック信号が異なる周波数を有するクロック信号である、ように構成される、
    モバイル端末。
  2. 前記第1のクロック信号のクロック周波数の、前記第2のクロック信号のクロック周波数に対する比はM／Nであり、Mは正の奇数であり、Nは2のn乗であり、nは正の整数である、請求項1に記載のモバイル端末。
  3. 前記第1のモジュールは第3の周波数変換回路および第1の機能ユニットを含み、前記第2のモジュールは第4の周波数変換回路および第2の機能ユニットを含み、
    前記第3の周波数変換回路は、前記第1の周波数変換回路と前記第1の機能ユニットの両方に接続され、前記第1のクロック信号に周波数変換を実行して第3のクロック信号を取得し、前記第3のクロック信号を前記第1の機能ユニットに出力するように構成され、
    前記第4の周波数変換回路は、前記第2の周波数変換回路と前記第2の機能ユニットの両方に接続され、前記第2のクロック信号に周波数変換を実行して第4のクロック信号を取得し、前記第4のクロック信号を前記第2の機能ユニットに出力するように構成され、
    前記第3のクロック信号のクロック周波数の、前記第4のクロック信号のクロック周波数に対する比は、M／Nであり、Mは正の奇数であり、Nは2のn乗であり、nは正の整数である、
    請求項1に記載のモバイル端末。
  4. 前記第1のモジュールは、タッチパネルモジュール、ディスプレイモジュール、指紋認識モジュール、またはカメラモジュールであり、前記第2のモジュールは、タッチパネルモジュール、ディスプレイモジュール、指紋認識モジュール、またはカメラモジュールであり、前記第1のモジュールおよび前記第2のモジュールは異なるタイプのモジュールである、請求項1から3のいずれか一項に記載のモバイル端末。
  5. 前記クロック発生器は、水晶発振器、半導体発振器、またはセラミック発振器である、請求項1から3のいずれか一項に記載のモバイル端末。
  6. モバイル端末であって、前記モバイル端末は、第1のモジュールおよび第2のモジュールを含み、前記第1のモジュールは第1のクロック発生器を含み、前記第2のモジュールは第2のクロック発生器を含み、
    前記第1のクロック発生器のクロック周波数の温度ドリフト傾向は、前記第2のクロック発生器のクロック周波数の温度ドリフト傾向と一致し、前記第1のクロック発生器の前記クロック周波数は、前記第2のクロック発生器の前記クロック周波数とは異なる、
    モバイル端末。
  7. 前記第1のクロック発生器によって生成される前記クロック周波数の、前記第2のクロック発生器によって生成される前記クロック周波数に対する比はM／Nであり、Mは正の奇数であり、Nは2のn乗であり、nはa正の整数である、請求項6に記載のモバイル端末。
  8. 前記第1のモジュールは、タッチパネルモジュール、ディスプレイモジュール、指紋認識モジュール、またはカメラモジュールであり、前記第2のモジュールは、タッチパネルモジュール、ディスプレイモジュール、指紋認識モジュール、またはカメラモジュールであり、前記第1のモジュールおよび前記第2のモジュールは異なるタイプのモジュールである、請求項6または7に記載のモバイル端末。
  9. 前記第1のクロック発生器の前記クロック周波数の前記温度ドリフト傾向および前記第2のクロック発生器の前記クロック周波数の前記温度ドリフト傾向の両方が単調減少しているか、または、
    前記第1のクロック発生器の前記クロック周波数の前記温度ドリフト傾向および前記第2のクロック発生器の前記クロック周波数の前記温度ドリフト傾向の両方が単調減少しているか、または、
    前記第1のクロック発生器の前記クロック周波数の前記温度ドリフト傾向および前記第2のクロック発生器の前記クロック周波数の前記温度ドリフト傾向の両方の曲線が放物線である、
    請求項6または7に記載のモバイル端末。
  10. 前記第1のクロック発生器および前記第2のクロック発生器の両方が水晶発振器である、請求項6または7に記載のモバイル端末。
  11. 前記第1のクロック発生器および前記第2のクロック発生器の両方が半導体発振器である、請求項6または7に記載のモバイル端末。
  12. 前記第1のクロック発生器および前記第2のクロック発生器の両方がセラミック発振器である、請求項6または7に記載のモバイル端末。
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