JP2020513684A - 感応性電界効果デバイス及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
酸化イットリウム(Y2O3);
酸化ジルコニウム(ZrO2)
酸化ハフニウム(HfO2)
五酸化タンタル(TaO5)
酸化ビスマス(Bi2O3)
のうちの少なくとも1つからなる。
−典型的なRFIDチップ401のインピーダンス要件に適合する十分に高いオン/オフ比;
−センサ状態が不明確になる遷移領域の幅を決定する急勾配のサブ閾値勾配;
−高い動作周波数においても高いインピーダンス状態を実現するための低い寄生キャパシタンス;及び
−安定な電荷状態を実現するための低いリーク電流(<10nA/cm2);
−RFIDチップ401の周波数において低いインピーダンス状態を実現するための高いカットオフ周波数(>30kHz)。
Claims (27)
- 半導体チャネル(110)と、
前記半導体チャネル(110)に接続されたソース電極(120)と、
前記半導体チャネル(110)が前記ソース電極(120)とドレイン電極(130)の間に介在するように、前記半導体チャネル(110)に接続されたドレイン電極(130)と、
ゲート電極(140)と、
前記ゲート電極(140)と前記半導体チャネル(110)との間に介挿された誘電体層(150)と、
を備える感応性電界効果デバイス(100)において、
前記半導体チャネル(110)は層であって、アモルファス酸化物からなり、且つ
前記センサ手段(170,171,172,173,174,175)は、前記ゲート電極(140)と前記ソース電極(120)との間の電圧をそれらの電気的状態を変化させ得るセンシング事象時に変化させるように構成されている、
ことを特徴とする感応性電界効果デバイス(100)。 - 前記アモルファス酸化物は、高い移動度のアモルファス酸化物であって、インジウム・ガリウム・亜鉛酸化物(IGZO)及び/又はインジウム・ハフニウム・亜鉛酸化物(IHZO)及び/又は亜鉛・錫酸化物(ZTO)及び/又はガリウム・亜鉛・錫酸化物(GZTO)からなる群から選ばれる、ことを特徴とする請求項1に記載のデバイス(100)。
- 前記センシング手段は、前記ゲート電極(140)と前記ソース電極(120)に接続されたキャパシタ(171)を備える、ことを特徴とする請求項1又は2に記載のデバイス(100)。
- 前記センシング手段は、X線などの電離放射線に暴露可能に配置された誘電体層(150)を備え、該誘電体層は、検出すべき前記入射電離放射線の吸収を増加するために選択された原子番号を有する少なくとも1つの陽イオン元素を有する少なくとも1つの材料からなる少なくとも1つの主層を順に備える、ことを特徴とする請求項1−3の何れかに記載のデバイス(100)。
- 前記誘電体層(150)の前記少なくとも1つの材料は、高い原子番号Zを有し、前記原子番号Zは36より高い(Z>36)、ことを特徴とする請求項4に記載のデバイス(100)。
- 前記誘電体層(150)の前記少なくとも1つの主層は、酸化イットリウム(Y2O3)及び/又は酸化ジルコニウム(ZrO2)及び/又は酸化ハフニウム(HfO2)及び/又は五酸化タンタル(Ta2O5)及び/又は酸化ビスマス(Bi2O3)からなる、ことを特徴とする請求項4又は5に記載のデバイス(100)。
- 前記センシング手段は、前記ゲート電極(140)と前記ソース電極(120)に接続された、電磁放射線を検出するためのフォトダイオードを備える、ことを特徴とする請求項1−6の何れかに記載のデバイス(100)。
- 前記センシング手段は、圧電センサ(173)と直列に接続された整流ダイオード(172)を備え、前記センシング手段は、前記ゲート電極(140)と前記ソース電極(120)に並列に接続されている、ことを特徴とする請求項1−7の何れかに記載のデバイス(100)。
- 前記センシング手段は、環境温度を検出し得る焦電センサ(174)を備え、前記焦電センサ(174)は、前記ゲート電極(140)と前記ソース電極(120)に接続されている、ことを特徴とする請求項1−8の何れかに記載のデバイス(100)。
- 前記センシング手段は、前記ゲート電極(140)と前記ソース電極(120)に接続された化学センサ(175)を備える、ことを特徴とする請求項1−9の何れかに記載のデバイス(100)。
- 前記誘電体層(150)は、前記ソース電極(140)及び前記ドレイン電極(130)に電気的に接触している、ことを特徴とする請求項1−10の何れかに記載のデバイス(100)。
- 前記誘電体層は、150nmより大きい又はそれに等しい厚さを有する、ことを特徴とする請求項1−11の何れかに記載のデバイス(100)。
- 前記誘電体層(150)は、多層であって、前記主層の原子番号より低い原子番号を有する1つ以上の絶縁層を備える、ことを特徴とする請求項1−12の何れかに記載のデバイス(100)。
- 前記誘電体層(150)の前記1つ以上の絶縁層は、二酸化シリコン(SiO2)及び/又は酸化アルミニウム(Al2O3)からなる、ことを特徴とする請求項13に記載のデバイス(100)。
- 前記誘電体層(150)は、
低い原子番号を有する前記絶縁層と前記主層とが2〜10回繰り返されてなる複合層と、
低い原子番号を有する前記絶縁層の最上層と、
を備える、ことを特徴とする請求項13又は14に記載のデバイス(100)。 - 少なくとも1つの基板(160)を備え、該基板の上に前記ゲート電極(140)と前記誘電体層(150)が堆積されている、ことを特徴とする請求項1−15の何れかに記載のデバイス(100)。
- 前記少なくとも1つの基板(160)は、フレキシブルである、ことを特徴とする請求項16に記載のデバイス(100)。
- 前記少なくとも1つの基板(160)は、ポリエチレンナフタレイトからなる、ことを特徴とする請求項16又は17に記載のデバイス(100)。
- 前記ゲート電極(140)、前記ソース電極(120)及び前記ドレイン電極(130)は、モリブデン(Mo)、銅(Cu)、アルミニウム(Al)、金(Au)及び/又は銀(Ag)などの導電材料、及び/又はガリウム添加酸化亜鉛(GZO)又はインジウム亜鉛酸化物(IZO)などの導電性酸化物及び/又はPedot:Pssなどの導電性ポリマからなる、ことを特徴とする請求項1−18の何れかに記載のデバイス(100)。
- 基板(160)と、
前記基板(160)の上に配列された請求項1−19の何れかに記載の複数の感応性電界効果デバイス(100)を備え、前記電離感応性電界効果デバイス(100)は、少なくとも別の感応性電界効果デバイス(100)と接続されている、ことを特徴とする検出センサ。 - 前記基板は、フレキシブルであって、好ましくはポリエチレンナフタレイトからなる、ことを特徴とする請求項20に記載のセンサ。
- 前記電界効果デバイス(100)は、アレイ状又はマトリクス状に配列されている、ことを特徴とする請求項20又は21に記載のセンサ。
- 関連する電界効果デバイス(100)のソース電極(120)及びゲート電極(140)に接続された1対の電極を有し、RFID受信機(RFID−R)に接続可能に構成された少なくとも1つのRFID送信機(400)を備える、ことを特徴とする請求項20−22の何れかに記載のセンサ。
- 前記RFID送信機(400)は、RFIDチップ(401)及びアンテナ(402)を備える、ことを特徴とする請求項23に記載のセンサ。
- 複数のRFID送信機(400)を備え、前記各RFID送信機の各々は、関連する電界効果デバイス(100)に動作可能に接続されている、ことを特徴とする請求項23又は24に記載のセンサ。
- 請求項1−19の何れかに記載の電界効果デバイス(100)を製造する方法において、該方法は、下記のステップ、
(A)前記ゲート電極(140)を前記フレキシブル基板(160)の上に堆積し、前記ゲート電極(140)にフォトリソグラフィ及びエッチング又はリフトオフを実行するステップと、
(B)前記誘電体層(150)を堆積し、前記誘電体層(150)にフォトリソグラフィ及びエッチング又はリフトオフを実行するステップと、
(C)前記半導体チャネル(110)を堆積し、前記半導体チャネル(110)にフォトリソグラフィ及びエッチング又はリフトオフを実行するステップと、
(D)前記半導体チャネル(110)にフォトリソグラフィを実行し、前記ソース電極(120)及び前記ドレイン電極を堆積するステップと、
(E)前記ソース電極(120)及び前記ドレイン電極(130)をリフトオフによってパターン化するステップと、
を備える、ことを特徴とする製造方法。 - 前記ステップ(B)は、前記誘電体層(150)の前記絶縁層の材料及び前記主層の材料を含有する2つの別々のターゲットから並行して実行されるRFスパッタリング、及び/又は前記誘電体層(150)の前記絶縁層の材料及び前記主層の材料を含有する溶液ベース加工工程によって実行され、二酸化シリコン(SiO2)及び/又は酸化アルミニウム(Al203)等の絶縁層のみの交互堆積と、二酸化シリコン(SiO2)及び/又は酸化アルミニウム(Al203)等の絶縁材料及び前記誘電体層(150)の前記主層の前記材料の同時堆積と、によって前記誘電体層(150)の多層構造を生成する、
ことを特徴とする、請求項26に記載の製造方法。
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CN112054088A (zh) * | 2020-08-28 | 2020-12-08 | 深圳中芯光宇科技有限公司 | 基于场效应晶体管结构的x射线探测器及其制备方法 |
US20220208996A1 (en) * | 2020-12-31 | 2022-06-30 | Applied Materials, Inc. | Methods and apparatus for processing a substrate |
CN112909116B (zh) * | 2021-01-18 | 2023-08-04 | 华中科技大学 | 一种基于介电层响应的场效应管光电探测器 |
CN113410306B (zh) * | 2021-06-15 | 2023-06-30 | 西安微电子技术研究所 | 一种抗总剂量辐射加固ldmos器件结构及制备方法 |
CN114076789A (zh) * | 2021-11-17 | 2022-02-22 | 潍柴动力股份有限公司 | 用于检测待测物离子活度的离子敏薄膜晶体管及检测方法 |
Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6002963A (en) * | 1995-02-17 | 1999-12-14 | Pacesetter, Inc. | Multi-axial accelerometer-based sensor for an implantable medical device and method of measuring motion measurements therefor |
JP2006165530A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Canon Inc | センサ及び非平面撮像装置 |
JP2009094465A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-30 | Fujifilm Corp | 放射線撮像素子 |
JP2012119531A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法、電気装置 |
JP2013076656A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 透明バイオセンサ |
JP2015043064A (ja) * | 2013-02-25 | 2015-03-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
US20150330941A1 (en) * | 2014-05-13 | 2015-11-19 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | System and Method for Ion-Selective, Field Effect Transistor on Flexible Substrate |
JP2016015485A (ja) * | 2014-06-11 | 2016-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置 |
JP2016025572A (ja) * | 2014-07-23 | 2016-02-08 | Nltテクノロジー株式会社 | イメージセンサ及びその駆動方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US7169668B2 (en) * | 2005-01-09 | 2007-01-30 | United Microelectronics Corp. | Method of manufacturing a split-gate flash memory device |
EP1995787A3 (en) * | 2005-09-29 | 2012-01-18 | Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. | Semiconductor device having oxide semiconductor layer and manufacturing method therof |
JP5213421B2 (ja) * | 2007-12-04 | 2013-06-19 | キヤノン株式会社 | 酸化物半導体薄膜トランジスタ |
US8129718B2 (en) * | 2008-08-28 | 2012-03-06 | Canon Kabushiki Kaisha | Amorphous oxide semiconductor and thin film transistor using the same |
US8232947B2 (en) * | 2008-11-14 | 2012-07-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Liquid crystal display device |
JP5743066B2 (ja) * | 2011-03-04 | 2015-07-01 | 株式会社Joled | 光検出回路、光検出方法、表示パネルおよび表示装置 |
CA2829388C (en) * | 2011-03-09 | 2018-09-25 | Flex Lighting Ii, Llc | Light emitting device with adjustable light output profile |
CN104681622A (zh) * | 2013-11-27 | 2015-06-03 | 北京大学 | 一种非晶氧化锌基薄膜晶体管及其制备方法 |
KR101626121B1 (ko) * | 2013-12-13 | 2016-06-13 | 주식회사 비욘드아이즈 | 이미지 센서의 단위 화소 |
JP6766649B2 (ja) * | 2015-08-20 | 2020-10-14 | 東レ株式会社 | アンテナ基板の製造方法、配線と電極付きアンテナ基板の製造方法およびrfid素子の製造方法 |
FR3044407B1 (fr) * | 2015-11-30 | 2020-05-22 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Capteur de motif thermique |
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-
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Patent Citations (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6002963A (en) * | 1995-02-17 | 1999-12-14 | Pacesetter, Inc. | Multi-axial accelerometer-based sensor for an implantable medical device and method of measuring motion measurements therefor |
JP2006165530A (ja) * | 2004-11-10 | 2006-06-22 | Canon Inc | センサ及び非平面撮像装置 |
JP2009094465A (ja) * | 2007-09-21 | 2009-04-30 | Fujifilm Corp | 放射線撮像素子 |
JP2012119531A (ja) * | 2010-12-01 | 2012-06-21 | Seiko Epson Corp | 半導体装置、半導体装置の製造方法、電気装置 |
JP2013076656A (ja) * | 2011-09-30 | 2013-04-25 | Dainippon Printing Co Ltd | 透明バイオセンサ |
JP2015043064A (ja) * | 2013-02-25 | 2015-03-05 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置及び電子機器 |
US20150330941A1 (en) * | 2014-05-13 | 2015-11-19 | Arizona Board Of Regents On Behalf Of Arizona State University | System and Method for Ion-Selective, Field Effect Transistor on Flexible Substrate |
JP2016015485A (ja) * | 2014-06-11 | 2016-01-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 撮像装置 |
JP2016025572A (ja) * | 2014-07-23 | 2016-02-08 | Nltテクノロジー株式会社 | イメージセンサ及びその駆動方法 |
Non-Patent Citations (1)
Title |
---|
CRAMER, TOBIAS ET AL.: "Radiation-Tolerant Flexible Large-Area Electronics Based on Oxide Semiconductors", ADVANCED ELECTRONIC MATERIALS, vol. 2, no. 7, JPN6021015073, 19 May 2016 (2016-05-19), pages 1500489, ISSN: 0004631338 * |
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