JP2020513401A - ヘキサデカヒドロピレンの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
小晶粒NaY分子篩をNa2O含有量≦2.5重量%の小晶粒NH4NaY分子篩に製造するステップ(1)と、
小晶粒NH4NaY分子篩を水熱処理した後、ヘキサフルオロケイ酸アンモニウム水溶液を用いて、脱アルミニウムとケイ素補充を行うステップ(2)と、
ステップ(2)で得られた分子篩を、NH4 +とH+を含む混合溶液で処理し、次に洗浄して乾燥させ、小晶粒Y型分子篩を得るステップ(3)とを含んでもよい。
コールタール原料を前処理するステップ(1)と、
前処理したコールタール原料に対して水素化精製反応を行うステップ(2)と、
得られた反応流出物を必要に応じて分離し、次に水素化分解反応を行うステップ(3)と、
水素化分解反応によって得られた反応流出物を気液分離し、次に分離した液相を分留して、分留した重質留分を前記ピレン系化合物を含有する炭化水素油原料とするステップ(4)とを含む方法によって製造される。
コールタール原料を前処理するステップ(1)と、
ステップ(1)で得られたコールタールと水素ガスを混合した後、水素化精製反応領域に投入して、水素化精製触媒と接触させて反応させるステップ(2)と、
ステップ(2)で得られた水素化精製反応の流出物を必要に応じて分離した後、水素ガスとともに水素化分解反応領域に投入して、水素化分解触媒と接触させて反応させるステップ(3)と、
水素化分解流出物を気液分離し、液体を分留して、初留点130〜220℃の重質留分を得るステップ(4)と、
ステップ(4)で得られた重質留分と水素ガスを混合した後、本発明の前記水素化触媒と接触させて、水素化反応(即ち追加水素化精製反応)を行うステップ(5)と、
ステップ(5)で得られた反応流出物を分離して分留した後、ヘキサデカヒドロピレンリッチ成分と重質成分を得て、ヘキサデカヒドロピレンリッチ成分を冷却させて降温した後、ろ過、真空抽出を行い、固体としてヘキサデカヒドロピレン製品を得るステップ(6)とを含む。
図1のフローに示されるように、追加水素化精製反応領域では、触媒を段階的にするのではなく、1種の触媒Aだけを用いた。追加水素化精製反応領域の操作条件、および得られたヘキサデカヒドロピレンの収率と純度を表5に示した。
追加水素化精製反応領域において使用される触媒を触媒Cとする以外、実施例1を参照した。追加水素化精製反応領域の操作条件、および得られたヘキサデカヒドロピレンの収率と純度を表5に示した。
図1のフローに示されるように、追加水素化精製反応領域では、触媒を段階的にするのではなく、1種の触媒Bだけを用いた。追加水素化精製反応領域の操作条件、および得られたヘキサデカヒドロピレンの収率と純度を表5に示した。
追加水素化精製反応領域において使用される触媒を触媒Dとする以外、実施例2を参照した。追加水素化精製反応領域の操作条件、および得られたヘキサデカヒドロピレンの収率と純度を表5に示した。
図1のフローに示されるように、追加水素化精製反応領域を2つの追加水素化精製反応段階に分け、触媒Aと触媒Bを配合する形態を用い、第1追加水素化精製反応段階に触媒Aを使用し、第2追加水素化精製反応段階に触媒Bを使用した。追加水素化精製反応領域の操作条件、および得られたヘキサデカヒドロピレンの収率と純度を表5に示した。
追加水素化精製反応領域において使用される触媒として触媒Cと触媒Dを配合し、第1追加水素化精製反応段階に触媒Cを使用し、第2追加水素化精製反応段階に触媒Dを使用する以外、実施例3を参照した。追加水素化精製反応領域の操作条件、および得られたヘキサデカヒドロピレンの収率と純度を表5に示した。
追加水素化精製触媒の配合順番を、第1追加水素化精製反応段階に触媒Bを使用し、第2追加水素化精製反応段階に触媒Aを使用するように変更する以外、実施例3を参照した。追加水素化精製反応領域の操作条件、および得られたヘキサデカヒドロピレンの収率と純度を表5に示した。
図2のフローに示されるように、追加水素化精製反応領域では、触媒を段階的にするのではなく、1種の触媒Aだけを用いた。追加水素化精製反応領域の操作条件、および得られたヘキサデカヒドロピレンの収率と純度を表7に示した。
追加水素化精製反応領域において使用される触媒を触媒Cとする以外、実施例5を参照した。追加水素化精製反応領域の操作条件、および得られたヘキサデカヒドロピレンの収率と純度を表7に示した。
図2のフローに示されるように、追加水素化精製反応領域では、触媒を段階的にするのではなく、1種の触媒Bだけを用いた。追加水素化精製反応領域の操作条件、および得られたヘキサデカヒドロピレンの収率と純度を表7に示した。
追加水素化精製反応領域において使用される触媒を触媒Dとする以外、実施例6を参照した。追加水素化精製反応領域の操作条件、および得られたヘキサデカヒドロピレンの収率と純度を表7に示した。
図2のフローに示されるように、追加水素化精製反応領域を2つの追加水素化精製反応段階に分け、且つ触媒Aと触媒Bを配合する形態を用い、第1追加水素化精製反応段階に触媒Aを使用し、第2追加水素化精製反応段階に触媒Bを使用した。追加水素化精製反応領域の操作条件、および得られたヘキサデカヒドロピレンの収率と純度を表7に示した。
追加水素化精製反応領域に使用される触媒として触媒Cと触媒Dを配合し、第1追加水素化精製反応段階に触媒Cを使用し、第2追加水素化精製反応段階に触媒Dを使用する以外、実施例7を参照した。追加水素化精製反応領域の操作条件、および得られたヘキサデカヒドロピレンの収率と純度を表7に示した。
追加水素化精製触媒の配合順番を、第1追加水素化精製反応段階に触媒Bを使用し、第2追加水素化精製反応段階に触媒Aを使用するように変更する以外、実施例7を参照した。追加水素化精製反応領域の操作条件、および得られたヘキサデカヒドロピレンの収率と純度を表7に示した。
Claims (22)
- ヘキサデカヒドロピレンの製造方法であって、水素化触媒の存在下で、ピレン系化合物を含有する炭化水素油原料を水素化反応させるステップを含み、前記ピレン系化合物は、ピレンおよびその不飽和水素化生成物から選ばれる少なくとも1種であり、前記水素化触媒は、担体と、担体に担持された活性金属成分とを含有し、前記活性金属成分がPtおよび/またはPdであり、前記担体が小晶粒Y型分子篩、アルミナおよび非晶質シリカ−アルミナを含有し、
前記小晶粒Y型分子篩は、晶粒の平均直径が200〜700nmであり、SiO2/Al2O3モル比が40〜120であり、相対結晶化度が≧95%であり、比表面積が900〜1200m2/gであり、1.7〜10nmの二次細孔の細孔容積が全細孔容積の50%以上を占めるヘキサデカヒドロピレンの製造方法。 - 前記小晶粒Y型分子篩は、晶粒の平均直径が300〜500nmであり、相対結晶化度が95〜120%であり、1.7〜10nmの二次細孔の細孔容積が全細孔容積の50〜80%を占める請求項1に記載の方法。
- 前記小晶粒Y型分子篩は、格子定数が2.425〜2.435nmであり、細孔容積が0.5〜0.8mL/gである請求項1または2に記載の方法。
- 前記水素化触媒において、前記水素化触媒の全重量を基準にして、前記活性金属成分の含有量が0.1〜2重量%であり、前記担体の含有量が98〜99.9重量%である請求項1〜3のいずれか1項に記載の方法。
- 前記担体において、前記担体の全重量を基準にして、前記小晶粒Y型分子篩の含有量が5〜40重量%であり、前記アルミナの含有量が10〜40重量%であり、前記非晶質シリカ−アルミナの含有量が20〜65重量%である請求項1〜4のいずれか1項に記載の方法。
- 前記水素化反応の過程に順次行われる2つの反応段階を含み、第1反応段階に使用される水素化触媒における活性金属成分の含有量百分率x1が第2反応段階に使用される水素化触媒における活性金属成分の含有量百分率x2より低く、第1反応段階に使用される水素化触媒における小晶粒Y型分子篩の含有量百分率y1が第2反応段階に使用される水素化触媒における小晶粒Y型分子篩の含有量百分率y2より高い請求項1〜5のいずれか1項に記載の方法。
- x1がx2より0.1〜1.5%低く、y1がy2より5〜35%より高い請求項6に記載の方法。
- x1がx2より0.3〜1.5%低く、y1がy2より10〜35%高い請求項7に記載の方法。
- 前記水素化反応のプロセス条件として、水素分圧が4〜20MPaであり、液空間速度が0.05〜6h-1であり、水素油体積比が50〜3000であり、平均反応温度が150〜380℃である請求項1〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第2反応段階の平均反応温度は前記第1反応段階の平均反応温度より10〜150℃低い請求項6〜8のいずれか1項に記載の方法。
- 前記第1反応段階の平均反応温度は180〜380℃であり、前記第2反応段階の平均反応温度は150〜350℃である請求項10に記載の方法。
- 前記ピレン系化合物を含有する炭化水素油原料におけるピレン系化合物の含有量が0.5重量%以上である請求項1〜11のいずれか1項に記載の方法。
- 前記ピレン系化合物を含有する炭化水素油原料は、初留点が130〜220℃であって、終留点が300〜400℃である重質留分油である請求項1または12に記載の方法。
- 前記ピレン系化合物を含有する炭化水素油原料は、ディーゼル油留分であり、且つ初留点が160〜200℃、終留点が300〜350℃である請求項13に記載の方法。
- コールタール原料を前処理するステップ(1)と、
前処理したコールタール原料に対して水素化精製反応を行うステップ(2)と、
得られた反応流出物を必要に応じて分離し、次に水素化分解反応を行うステップ(3)と、
水素化分解反応によって得られた反応流出物を気液分離し、次に分離した液相を分留して、分留した重質留分を前記ピレン系化合物を含有する炭化水素油原料とするステップ(4)とによって、前記ピレン系化合物を含有する炭化水素油原料を製造するステップをさらに含む請求項1〜14のいずれか1項に記載の方法。 - 前記コールタール原料は、芳香族炭化水素の含有量が20〜100重量%であり、20℃での密度が1.023〜1.235g/cm3であり、蒸留範囲が200〜700℃である請求項15に記載の方法。
- 前記コールタール原料は、高温コールタール、または高温コールタールからアントラセン、フェナントレン、カルバゾールおよびフルオランテンのうちの少なくとも1種を抽出した後の残留留分である請求項15または16に記載の方法。
- ステップ(1)の前記前処理には、機械的脱不純物、脱水および電気脱塩の操作が含まれる請求項15〜17のいずれか1項に記載の方法。
- 前記水素化精製反応のプロセス条件として、水素分圧が3〜19MPaであり、平均反応温度が260〜440℃であり、液空間速度が0.1〜4h-1であり、水素油体積比が300:1〜3000:1である請求項15〜18のいずれか1項に記載の方法。
- 前記水素化分解反応のプロセス条件として、水素分圧が3〜19MPaであり、平均反応温度が260〜440℃であり、液空間速度が0.3〜4h-1であり、水素油体積比が300:1〜5000:1である請求項15〜19のいずれか1項に記載の方法。
- 水素化反応によって得られた反応流出物を分離して分留し、ヘキサデカヒドロピレンリッチ成分と重質成分を得て、前記重質成分の少なくとも一部をステップ(3)に循環して水素化分解反応を行うステップをさらに含む請求項15〜20のいずれか1項に記載の方法。
- 水素化反応によって得られた反応流出物を分離して分留し、ヘキサデカヒドロピレンリッチ成分と重質成分を得て、前記ヘキサデカヒドロピレンリッチ成分を冷却させて降温し、次に濾過して抽出し、固体としてヘキサデカヒドロピレンを得るステップをさらに含む請求項1〜20のいずれか1項に記載の方法。
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