JP2020512479A5 - - Google Patents

Claims (10)

1. 基材上に親水性ナノコーティングを堆積させる方法であって、該コーティングは、プラズマチャンバー中での連続波の低圧及び低電力のプラズマ重合法により、
   CH₂=CR₄-CH₂-O-R₅
   （式中、R₄は、H又はアルキル、例えば-CH₃であり、かつR₅は、置換アルキル基又は置換アルケニル基であり、かつR₅は、1個若しくは複数個の親水性官能基又はヒドロキシル基及び／若しくはカルボニル基を含む）によるモノマーを使用して堆積され、該プラズマ重合法の間に印加される電力は、前記プラズマチャンバーの1リットルの容量当たりに0.02ワットから2.50ワットの間の本質的に一定の値であり、
   ここで、前記プラズマ重合法は、フリーラジカル開始剤を使用せずに行われる、方法。
2. 低圧プラズマ重合法に先行して低圧プラズマ前処理法が行われ、その際、該低圧プラズマ前処理法は、不活性ガス及び／又は反応性ガスを使用して行われる、請求項1に記載の方法。
3. 低圧プラズマ重合法に先行して低圧プラズマ重合工程が行われ、その際、中間ナノコーティングが堆積される、請求項1又は2に記載の方法。
4. 前記中間ナノコーティングは、低圧プラズマ前処理法の前に堆積される、請求項3に記載の方法。
5. 前記中間ナノコーティングは、低圧プラズマ前処理法の後に堆積される、請求項3に記載の方法。
6. 前記中間ナノコーティングの層は、
   Y₁-X-Y₂
   （式中、Xは、O又はNHであり、Y₁は、-Si(Y₃)(Y₄)Y₅であり、かつY₂は、Si(Y_3’)(Y_4’)Y_5’であり、ここでY₃、Y₄、Y₅、Y_3’、Y_4’、及びY_5’は、それぞれ独立してH、又は炭素数最大10の炭素原子のアルキル基であり、Y₃、Y₄、及びY₅の多くとも1個は、水素であり、Y_3’、Y_4’、及びY_5’の多くとも1個は、水素であり、かつ炭素原子の総数は、20以下である）によるモノマーを使用して堆積される、請求項3〜5のいずれか一項に記載の方法。
7. プラズマ重合法において使用される前記1種以上のモノマーは、ガス状態で前記プラズマチャンバー中に導入される、請求項1〜6のいずれか一項に記載の方法。
8. 前記プラズマチャンバー及び／又は該プラズマチャンバー中に前記モノマーをガス状態で導入するための供給導管は、前記1種以上のモノマーの凝縮を避けるために温度制御される、請求項7に記載の方法。
9. 前記基材は、医療用消耗品、生化学用消耗品、電気化学的基材、膜、又は織物である、請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法。
10. 請求項1〜8のいずれか一項に記載の方法により得られる、基材上の親水性コーティングの使用であって、
    凝固を低減させるための、
    酸媒体に対する耐性を高めるための、
    表面張力の増加のための又は流体の輸送の改善のための、及び／又は水性流体の吸収を改善するための又は吸い上げを促進するための、
    使用。