JP2020503082A5 - - Google Patents

Description

本開示の上記の態様及び実施形態のいずれも、本開示の範囲から逸脱することなく組み合わされ得る。
本発明は、例えば、以下を提供する。
（項目１）
電磁（ＥＭ）体積内でナビゲートされるＥＭセンサの位置又は配向のうちの少なくとも１つを特定するための方法であって、
メモリから、前記ＥＭ体積の第２の複数の格子点の各格子点における計算されたＥＭ場強度を取得することと、
アンテナ組立体によってＥＭ場を生成することと、
前記ＥＭセンサから測定されたＥＭ場強度を受信することと、
前記測定されたＥＭ場強度及び高密度（ＨＤ）マップに基づいて、前記ＥＭ体積の第１の複数の格子点から第１の格子点を特定することと、
前記第１の格子点を初期条件として使用して、前記ＨＤマップに基づいて、前記ＥＭセンサの前記位置又は前記配向のうちの少なくとも１つを特定することと、を含み、
前記第２の複数の格子点が、前記第１の複数の格子点を含む、方法。
（項目２）
前記アンテナ組立体が、少なくとも６つのアンテナを備え、前記アンテナの各々が、複数のループを備える、項目１に記載の方法。
（項目３）
前記複数のループが、幾何学的構成を有する、項目２に記載の方法。
（項目４）
前記ＨＤマップが、前記ＥＭ体積内の前記第２の複数の格子点の各格子点に対する計算されたＥＭ場強度を含む、項目３に記載の方法。
（項目５）
前記計算されたＥＭ場強度が、前記少なくとも６つのアンテナのそれぞれの前記幾何学的構成に基づく、項目４に記載の方法。
（項目６）
前記ＨＤマップが、前記第２の複数の格子点の各格子点における前記計算されたＥＭ場強度の擬似逆行列を更に含む、項目４に記載の方法。
（項目７）
前記第１の格子点を特定することが、
配向ベクトル

を特定することであって、（ａ、ｂ、ｃ）は、前記第１の複数の格子点における格子点であり、以下の条件：

を満たし、式中、

は、前記ＨＤマップにおける格子点（ａ、ｂ、ｃ）における計算されたＥＭ場強度である、

の擬似逆行列である、特定することと、

とＶとの差を計算することと、
前記第１の格子点として、

とＶとの差が最小である、前記第１の複数の格子点の格子点（Ａ、Ｂ、Ｃ）を選択することと、を含む、項目１に記載の方法。
（項目８）
前記位置又は前記配向のうちの少なくとも１つを特定することが、
配向ベクトル

を特定することであって、（ｄ、ｅ、ｆ）は、前記第２の複数の格子点における格子点であり、前記第１の格子点（Ａ、Ｂ、Ｃ）から所定の距離内に位置し、以下の条件：

を満たし、式中、

は、前記ＨＤマップにおける格子点（ｄ、ｅ、ｆ）における計算されたＥＭ場強度である、

の疑似逆行列である、特定することと、

とＶとの差を計算することと、
前記第２の複数の格子点の中から、

とＶとの差が最小である第２の格子点（Ｄ、Ｅ、Ｆ）を選択することと、を含む、項目１に記載の方法。
（項目９）

が、前記ＥＭセンサの前記配向に関連する、項目８に記載の方法。
（項目１０）
前記第２の格子点（Ｄ、Ｅ、Ｆ）が、前記ＥＭセンサの位置である、項目９に記載の方法。
（項目１１）
電磁（ＥＭ）体積内でナビゲートされるＥＭセンサの位置又は配向のうちの少なくとも１つを特定するためのシステムであって、
前記ＥＭ体積内でＥＭ場を放射するように構成されたアンテナ組立体と、
前記ＥＭ場に基づいてＥＭ場強度を測定するように構成された前記ＥＭセンサと、
プロセッサと、
前記ＥＭ体積の第２の複数の格子点の各格子点における計算されたＥＭ場強度を記憶し、かつプロセッサ実行可能命令を記憶する、メモリと、を備え、前記命令は、前記プロセッサによって実行されるとき、前記プロセッサに、
前記メモリから、前記第２の複数の格子点の各格子点における前記計算されたＥＭ場強度を取得することと、
前記測定されたＥＭ場強度及び前記ＨＤマップに基づいて、前記ＥＭ体積の第１の複数の格子点から第１の格子点を特定することと、
前記第１の格子点を初期条件として使用して、前記ＨＤマップに基づいて、前記ＥＭセンサの前記位置又は前記配向のうちの少なくとも１つを特定することと、を実行させ、
前記第２の複数の格子点が、前記第１の複数の格子点を含む、システム。
（項目１２）
前記アンテナアセンブリが、少なくとも６つのアンテナを備え、前記アンテナの各々が、複数のループを備える、項目１１に記載のシステム。
（項目１３）
前記複数のループが幾何学的構成を有する、項目１２に記載のシステム。
（項目１４）
前記ＨＤマップが、前記ＥＭ体積内の前記第２の複数の格子点の各格子点に対する計算されたＥＭ場強度を含む、項目１３に記載のシステム。
（項目１５）
前記計算されたＥＭ場強度が、前記少なくとも６つのアンテナの前記それぞれの幾何学的構成に基づく、項目１４に記載のシステム。
（項目１６）
前記ＨＤマップが、前記第２の複数の格子点の各格子点における前記計算されたＥＭ場強度の擬似逆行列を更に含み得る、項目１４に記載のシステム。
（項目１７）
前記第１の格子点を特定することが、
配向ベクトル

を特定することであって、（ａ、ｂ、ｃ）は、前記第１の複数の格子点における格子点であり、以下の条件：

を満たし、式中、

は、前記ＨＤマップにおける格子点（ａ、ｂ、ｃ）における計算されたＥＭ場強度である、

の擬似逆行列である、特定することと、

とＶとの差を計算することと、
前記第１の格子点として、

とＶとの差が最小である、前記第１の複数の格子点の格子点（Ａ、Ｂ、Ｃ）を選択することと、を含む、項目１１に記載のシステム。
（項目１８）
前記位置又は前記配向のうちの少なくとも１つを特定することが、
配向ベクトル

を特定することであって、（ｄ、ｅ、ｆ）は、前記第２の複数の格子点における格子点であり、前記第１の格子点（Ａ、Ｂ、Ｃ）から所定の距離内に位置し、以下の条件：

を満たし、式中、

は、前記ＨＤマップにおける格子点（ｄ、ｅ、ｆ）における計算されたＥＭ場強度である、

の疑似逆行列である、特定することと、

とＶとの差を計算することと、
前記第２の複数の格子点の中から、

とＶとの差が最小である第２の格子点（Ｄ、Ｅ、Ｆ）を選択することと、を含む、項目１１に記載のシステム。
（項目１９）

が、前記ＥＭセンサの前記配向に関連する、項目１８に記載のシステム。
（項目２０）
前記第２の格子点（Ｄ、Ｅ、Ｆ）が前記ＥＭセンサの位置である、項目１９に記載のシステム。
（項目２１）
アンテナ組立体によって電磁（ＥＭ）場が生成されるＥＭ体積内のＥＭセンサの位置又は配向のうちの少なくとも１つを特定するための高密度（ＨＤ）マップを生成するための方法であって、
測定デバイスから前記ＥＭ体積の第１の複数の格子点の各格子点で測定されたＥＭ場強度を受信することと、
前記アンテナ組立体のアンテナの幾何学的構成に基づいて、前記ＥＭ体積の第２の複数の格子点の各格子点におけるＥＭ場強度を計算することと、
前記第１の複数の格子点の各格子点における前記測定されたＥＭ場強度、及び前記第２の複数の格子点の各格子点における前記計算されたＥＭ場強度に基づいて、前記ＨＤマップを生成することと、を含む、方法。
（項目２２）
前記アンテナ組立体が、前記ＥＭ場の構成要素として少なくとも６つのＥＭ波形を生成する、項目２１に記載の方法。
（項目２３）
前記ＥＭ場強度が、前記少なくとも６つのＥＭ波形の各々について、３つの軸座標系に沿って計算される、項目２２に記載の方法。
（項目２４）
前記ＥＭ場強度が、それぞれ、前記３つの軸に対応する３つのコイルを有するセンサによって測定される、項目２３に記載の方法。
（項目２５）
前記第２の複数の格子点が、前記第１の複数の格子点の各格子点を含む、項目２１に記載の方法。
（項目２６）
前記ＨＤマップを生成することが、
前記第１の複数の格子点の各格子点における、前記測定されたＥＭ場強度と前記計算されたＥＭ場強度との間の誤差を計算することと、
前記第１の複数の格子点の各格子点における前記計算された誤差に基づいて、前記第２の複数の格子点の各格子点に対する誤差を補間することと、
前記補間された誤差及び前記計算されたＥＭ場強度を、前記第２の複数の格子点の各格子点に追加して、前記ＨＤマップを生成することと、を含む、項目２５に記載の方法。
（項目２７）
前記誤差が、前記第１の複数の格子点の各格子点における前記測定されたＥＭ場強度と前記計算されたＥＭ場強度との差に基づいて計算される、項目２６に記載の方法。
（項目２８）
前記誤差が、前記測定されたＥＭ場強度と前記３つの軸に沿った計算されたＥＭ場強度との間の差のＬ１又はＬ２ノルムのうちの少なくとも１つに基づく、項目２６に記載の方法。
（項目２９）
前記第２の複数の格子点の各格子点における前記計算されたＥＭ場強度の擬似逆行列を計算することを更に含む、項目２１に記載の方法。
（項目３０）
前記ＨＤマップが、前記第２の複数の格子点の各格子点における前記計算されたＥＭ場強度の擬似逆行列を更に含む、項目２９に記載の方法。
（項目３１）
アンテナ組立体によって電磁（ＥＭ）場が生成されるＥＭ体積内のＥＭセンサの位置又は配向のうちの少なくとも１つを特定するための高密度（ＨＤ）マップを生成するための装置であって、
プロセッサと、
プロセッサ実行可能命令を記憶するメモリと、を備え、前記命令は、前記プロセッサによって実行されるとき、前記プロセッサに、
測定デバイスから、前記ＥＭ体積の第１の複数の格子点の各格子点における測定されたＥＭ場強度を受信することと、
前記アンテナ組立体のアンテナの幾何学的構成に基づいて、前記ＥＭ体積の第２の複数の格子点の各格子点におけるＥＭ場強度を計算することと、
前記第１の複数の格子点の各格子点における前記測定されたＥＭ場強度と、前記第２の複数の格子点の各格子点における前記計算されたＥＭ場強度に基づいて、前記ＨＤマップを生成することと、を含む、を実行させる、装置。
（項目３２）
前記アンテナ組立体が、前記ＥＭ場の構成要素として少なくとも６つのＥＭ波形を生成する、項目３１に記載の装置。
（項目３３）
前記ＥＭ場強度が、前記少なくとも６つのＥＭ波形の各々に対する３つの軸座標系に沿って計算される、項目３２に記載の装置。
（項目３４）
前記ＥＭ場強度が、前記３つの軸にそれぞれ対応する３つのコイルを有するセンサを用いて測定される、項目３３に記載の装置。
（項目３５）
前記第２の複数の格子点が、前記第１の複数の格子点の各格子点を含む、項目３１に記載の装置。
（項目３６）
前記ＨＤマップを生成することが、
前記測定されたＥＭ場強度と前記計算されたＥＭ場強度との間の誤差を、前記第１の複数の格子点の各格子点で計算することと、
前記第１の複数の格子点の各格子点における前記計算された誤差に基づいて、前記第２の複数の格子点の各格子点に対する誤差を補間することと、
前記補間された誤差及び前記計算されたＥＭ場強度を前記第２の複数の格子点の各格子点に追加して、前記ＨＤマップを生成することと、を含む、項目３５に記載の装置。
（項目３７）
前記誤差が、前記第１の複数の格子点の各格子点における前記測定されたＥＭ場強度と前記計算されたＥＭ場強度との間の差に基づいて計算される、項目３６に記載の装置。
（項目３８）
前記誤差が、前記測定されたＥＭ場強度と前記３つの軸に沿った前記計算されたＥＭ場強度との間の差のＬ１又はＬ２ノルムのうちの少なくとも１つである、項目３６に記載の装置。
（項目３９）
前記メモリが、前記プロセッサによって実行されると、前記プロセッサに、前記第２の複数の格子点の各格子点における前記計算されたＥＭ場強度の擬似逆行列を計算させる命令を更に記憶する、項目３１に記載の装置。
（項目４０）
前記ＨＤマップが、前記第２の複数の格子点の各格子点における前記計算されたＥＭ場強度の擬似逆行列を更に含み得る、項目３９に記載の装置。

Claims (20)

1. アンテナ組立体によって電磁（ＥＭ）場が生成されるＥＭ体積内のＥＭセンサの位置又は配向のうちの少なくとも１つを特定するための高密度（ＨＤ）マップを生成するための方法であって、
   測定デバイスから前記ＥＭ体積の第１の複数の格子点の各格子点で測定されたＥＭ場強度を受信することと、
   前記アンテナ組立体のアンテナの幾何学的構成に基づいて、前記ＥＭ体積の第２の複数の格子点の各格子点におけるＥＭ場強度を計算することと、
   前記第１の複数の格子点の各格子点における前記測定されたＥＭ場強度、及び前記第２の複数の格子点の各格子点における前記計算されたＥＭ場強度に基づいて、前記ＨＤマップを生成することと
   を含む、方法。
2. 前記アンテナ組立体が、前記ＥＭ場の構成要素として少なくとも６つのＥＭ波形を生成する、請求項１に記載の方法。
3. 前記ＥＭ場強度が、前記少なくとも６つのＥＭ波形の各々について、３つの軸座標系に沿って計算される、請求項２に記載の方法。
4. 前記ＥＭ場強度が、それぞれ、前記３つの軸に対応する３つのコイルを有するセンサによって測定される、請求項３に記載の方法。
5. 前記第２の複数の格子点が、前記第１の複数の格子点の各格子点を含む、請求項１に記載の方法。
6. 前記ＨＤマップを生成することが、
   前記第１の複数の格子点の各格子点における、前記測定されたＥＭ場強度と前記計算されたＥＭ場強度との間の誤差を計算することと、
   前記第１の複数の格子点の各格子点における前記計算された誤差に基づいて、前記第２の複数の格子点の各格子点に対する誤差を補間することと、
   前記補間された誤差及び前記計算されたＥＭ場強度を、前記第２の複数の格子点の各格子点に追加して、前記ＨＤマップを生成することと
   を含む、請求項５に記載の方法。
7. 前記誤差が、前記第１の複数の格子点の各格子点における前記測定されたＥＭ場強度と前記計算されたＥＭ場強度との差に基づいて計算される、請求項６に記載の方法。
8. 前記誤差が、前記測定されたＥＭ場強度と前記３つの軸に沿った計算されたＥＭ場強度との間の差のＬ１又はＬ２ノルムのうちの少なくとも１つに基づく、請求項６に記載の方法。
9. 前記第２の複数の格子点の各格子点における前記計算されたＥＭ場強度の擬似逆行列を計算することを更に含む、請求項１に記載の方法。
10. 前記ＨＤマップが、前記第２の複数の格子点の各格子点における前記計算されたＥＭ場強度の擬似逆行列を更に含む、請求項９に記載の方法。
11. アンテナ組立体によって電磁（ＥＭ）場が生成されるＥＭ体積内のＥＭセンサの位置又は配向のうちの少なくとも１つを特定するための高密度（ＨＤ）マップを生成するための装置であって、
    プロセッサと、
    プロセッサ実行可能命令を記憶するメモリと
    を備え、
    前記命令は、前記プロセッサによって実行されるとき、前記プロセッサに、
    測定デバイスから、前記ＥＭ体積の第１の複数の格子点の各格子点における測定されたＥＭ場強度を受信することと、
    前記アンテナ組立体のアンテナの幾何学的構成に基づいて、前記ＥＭ体積の第２の複数の格子点の各格子点におけるＥＭ場強度を計算することと、
    前記第１の複数の格子点の各格子点における前記測定されたＥＭ場強度と、前記第２の複数の格子点の各格子点における前記計算されたＥＭ場強度に基づいて、前記ＨＤマップを生成することと
    を実行させる、装置。
12. 前記アンテナ組立体が、前記ＥＭ場の構成要素として少なくとも６つのＥＭ波形を生成する、請求項１１に記載の装置。
13. 前記ＥＭ場強度が、前記少なくとも６つのＥＭ波形の各々に対する３つの軸座標系に沿って計算される、請求項１２に記載の装置。
14. 前記ＥＭ場強度が、前記３つの軸にそれぞれ対応する３つのコイルを有するセンサを用いて測定される、請求項１３に記載の装置。
15. 前記第２の複数の格子点が、前記第１の複数の格子点の各格子点を含む、請求項１１に記載の装置。
16. 前記ＨＤマップを生成することが、
    前記測定されたＥＭ場強度と前記計算されたＥＭ場強度との間の誤差を、前記第１の複数の格子点の各格子点で計算することと、
    前記第１の複数の格子点の各格子点における前記計算された誤差に基づいて、前記第２の複数の格子点の各格子点に対する誤差を補間することと、
    前記補間された誤差及び前記計算されたＥＭ場強度を前記第２の複数の格子点の各格子点に追加して、前記ＨＤマップを生成することと
    を含む、請求項１５に記載の装置。
17. 前記誤差が、前記第１の複数の格子点の各格子点における前記測定されたＥＭ場強度と前記計算されたＥＭ場強度との間の差に基づいて計算される、請求項１６に記載の装置。
18. 前記誤差が、前記測定されたＥＭ場強度と前記３つの軸に沿った前記計算されたＥＭ場強度との間の差のＬ１又はＬ２ノルムのうちの少なくとも１つである、請求項１６に記載の装置。
19. 前記メモリが、前記プロセッサによって実行されると、前記プロセッサに、前記第２の複数の格子点の各格子点における前記計算されたＥＭ場強度の擬似逆行列を計算させる命令を更に記憶する、請求項１１に記載の装置。
20. 前記ＨＤマップが、前記第２の複数の格子点の各格子点における前記計算されたＥＭ場強度の擬似逆行列を更に含む、請求項１９に記載の装置。