JP2020202494A - 半導体リレー - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 96
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 87
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 claims abstract description 41
- 238000009413 insulation Methods 0.000 claims abstract description 24
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 5
- 238000007599 discharging Methods 0.000 claims description 3
- 230000000630 rising effect Effects 0.000 abstract description 5
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 238000002955 isolation Methods 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 230000005685 electric field effect Effects 0.000 description 2
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 230000020169 heat generation Effects 0.000 description 1
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 1
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- RGCLLPNLLBQHPF-HJWRWDBZSA-N phosphamidon Chemical compound CCN(CC)C(=O)C(\Cl)=C(/C)OP(=O)(OC)OC RGCLLPNLLBQHPF-HJWRWDBZSA-N 0.000 description 1
- 230000001902 propagating effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03K—PULSE TECHNIQUE
- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
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- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
- H03K17/56—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices
- H03K17/687—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used by the use, as active elements, of semiconductor devices the devices being field-effect transistors
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- H03K17/00—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking
- H03K17/51—Electronic switching or gating, i.e. not by contact-making and –breaking characterised by the components used
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Abstract
Description
[半導体リレーの構成]
図1は、本実施形態に係る半導体リレーの概略構成を、図2は、半導体リレーの等価回路図をそれぞれ示す。図3は、MOSドライバチップの回路ブロックの概略構成を、図4は、半導体リレーにおける各チップの実装状態を、図5は、図4のV−V線での断面模式図をそれぞれ示す。なお、説明の便宜上、図3〜5において、ボンディングワイヤが接続されるパッド電極の図示を省略している。
図6は、図2の一部を拡大した等価回路図を示し、図7は、波形調整回路の内部電位及び入力電流の時間変化を示す。図8は、比較のための半導体リレーの等価回路図を示し、図9は、図8に示すRC発振回路の出力電位及び入力電流の時間変化を示す。なお、図6において、波形調整回路20と第4のインバータ14とを拡大して図示している。
以上説明したように、本開示に係る半導体リレー100は、入出力間がキャパシタにより絶縁された容量絶縁方式の半導体リレーであって、一対の入力端子TI1,TI2に接続され、入力信号に応答して発振し、互いに位相が反転した第1の信号と第2の信号を生成するRC発振回路10と、第1の信号及び第2の信号を受信するとともに、第1の信号及び第2の信号の立ち上がり時間と立ち下がり時間とをそれぞれ長くする波形調整回路20と、を備えている。
図10は、本実施形態に係る半導体リレーの等価回路図を示す。なお、図10において、実施形態1と同様の箇所については同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
RC発振回路10に含まれるインバータの段数は4段に限られず、3段であってもよいし、4段以上であってもよい。発振周波数等に応じて適宜変更される。最終段の1つ前と最終段とからそれぞれ第1の信号と第2の信号とが出力されるようにすればよい。
11〜14 第1〜第4のインバータ
15 帰還抵抗
16 帰還キャパシタ
20 波形調整回路
30 第1の回路
31,32 CMOSインバータ
31a,32a pMOSFET
31b,32b nMOSFET
33 第1の抵抗(抵抗素子)
34 第1のキャパシタ
35 第2のキャパシタ
40 第2の回路
41,42 CMOSインバータ
41a,42a pMOSFET
41b,42b nMOSFET
43 第2の抵抗(抵抗素子)
44 第1のキャパシタ
45 第2のキャパシタ
50 昇圧回路
51 第1の絶縁耐圧キャパシタ
52 第1の絶縁耐圧キャパシタ
53〜55 第1〜第3のダイオード
60 充放電回路
61 デプレッション型MOSFET(D−MOSFET)
62 第3の抵抗
70 出力回路
71 第1の出力用MOSFET
72 第1の出力用MOSFET
200 MOSドライバチップ(半導体集積回路チップ)
201 素子分離領域
300 第1の出力用チップ
400 第2の出力用チップ
500 ボンディングワイヤ
600〜602 リードフレーム
700 絶縁性樹脂
800 半導体パッケージ
TI1,TI2 入力端子
TO1,TO2 出力端子
Claims (7)
- 入出力間がキャパシタにより絶縁された容量絶縁方式の半導体リレーであって、
一対の入力端子に接続され、入力信号に応答して発振し、互いに位相が反転した第1の信号と第2の信号を生成するRC発振回路と、
前記第1の信号及び前記第2の信号を受信するとともに、前記第1の信号及び前記第2の信号の立ち上がり時間と立ち下がり時間とをそれぞれ長くする波形調整回路と、
前記波形調整回路から出力された信号を受信して所定の電圧を発生させる昇圧回路と、
前記昇圧回路に接続された充放電回路と、
前記充放電回路に接続された出力回路と、
前記出力回路に接続された一対の出力端子と、を備え、
前記昇圧回路は、互いに並列接続された第1の絶縁耐圧キャパシタ及び第2の絶縁耐圧キャパシタを有するチャージポンプ回路であり、
前記RC発振回路は、直列接続された複数段のインバータと、該複数段のインバータに対して並列接続された帰還抵抗及び帰還キャパシタを有し、
前記波形調整回路は、前記第1の信号の立ち上がり時間と立ち下がり時間とをそれぞれ長くする第1の回路と、前記第2の信号の立ち上がり時間と立ち下がり時間とをそれぞれ長くする第2の回路と、を有し、
前記第1の回路から出力された信号が前記第1の絶縁耐圧キャパシタに入力され、前記第2の回路から出力された信号が前記第2の絶縁耐圧キャパシタに入力され、
前記昇圧回路で発生した電圧に基づいて前記出力回路が駆動されることを特徴とする半導体リレー。 - 請求項1に記載の半導体リレーにおいて、
前記出力回路は、ソースが互いに逆直列に接続された第1の出力用MOSFET及び第2の出力用MOSFETで構成され、
前記充放電回路は、デプレッション型MOSFETと該デプレッション型MOSFETのゲートとソースとを接続する第3の抵抗とで構成され、前記昇圧回路で発生した電圧で前記第1の出力用MOSFET及び前記第2の出力用MOSFETのゲートをそれぞれ充電して、前記第1の出力用MOSFET及び前記第2の出力用MOSFETを導通状態にすることで、前記一対の出力端子の間を導通させる一方、前記入力信号が供給されない場合は、前記第1の出力用MOSFET及び前記第2の出力用MOSFETのゲートからそれぞれ電荷を放電させることで、前記第1の出力用MOSFET及び前記第2の出力用MOSFETを非導通状態にして、前記一対の出力端子の間を開放状態にすることを特徴とする半導体リレー。 - 請求項1または2に記載の半導体リレーにおいて、
前記第1の回路及び前記第2の回路は、直列接続された複数段のCMOSインバータでそれぞれ構成されており、
前記複数段のCMOSインバータのうち、最終段の1段前に位置するCMOSインバータにおいて、pチャネルMOSFETのドレインとnチャネルMOSFETのドレインとが抵抗素子を介して電気的に接続され、
最終段に位置するCMOSインバータにおいて、pチャネルMOSFETのゲートが前記抵抗素子の一端に、nチャネルMOSFETのゲートが前記抵抗素子の他端に、それぞれ電気的に接続されていることを特徴とする半導体リレー。 - 請求項3に記載の半導体リレーにおいて、
最終段に位置するCMOSインバータにおいて、pチャネルMOSFETのゲートに第1のキャパシタが並列接続され、nチャネルMOSFETのゲートに第2のキャパシタが並列接続されていることを特徴とする半導体リレー。 - 請求項1ないし4のいずれか1項に記載の半導体リレーにおいて、
前記RC発振回路と前記波形調整回路とは、前記一対の入力端子に入力される前記入力信号により前記複数段のインバータが駆動可能に構成されていることを特徴とする半導体リレー。 - 請求項1ないし5のいずれか1項に記載の半導体リレーにおいて、
前記RC発振回路と前記波形調整回路と前記充放電回路とは、前記第1の絶縁耐圧キャパシタ及び前記第2の絶縁耐圧キャパシタよりも前記出力回路から離れて配置され、
前記RC発振回路と前記波形調整回路と前記昇圧回路と前記充放電回路とが、素子分離領域を有する半導体集積回路チップに集積化されたことを特徴とする半導体リレー。 - 請求項6に記載の半導体リレーにおいて、
前記出力回路が前記半導体集積回路チップに集積化されたことを特徴とする半導体リレー。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019108406A JP2020202494A (ja) | 2019-06-11 | 2019-06-11 | 半導体リレー |
US17/613,245 US11870426B2 (en) | 2019-06-11 | 2020-02-12 | Semiconductor relay |
PCT/JP2020/005339 WO2020250485A1 (ja) | 2019-06-11 | 2020-02-12 | 半導体リレー |
CN202080037642.2A CN113853744A (zh) | 2019-06-11 | 2020-02-12 | 半导体继电器 |
TW109116727A TWI821563B (zh) | 2019-06-11 | 2020-05-20 | 半導體繼電器 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019108406A JP2020202494A (ja) | 2019-06-11 | 2019-06-11 | 半導体リレー |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020202494A true JP2020202494A (ja) | 2020-12-17 |
Family
ID=73742192
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019108406A Pending JP2020202494A (ja) | 2019-06-11 | 2019-06-11 | 半導体リレー |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11870426B2 (ja) |
JP (1) | JP2020202494A (ja) |
CN (1) | CN113853744A (ja) |
TW (1) | TWI821563B (ja) |
WO (1) | WO2020250485A1 (ja) |
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2019
- 2019-06-11 JP JP2019108406A patent/JP2020202494A/ja active Pending
-
2020
- 2020-02-12 CN CN202080037642.2A patent/CN113853744A/zh active Pending
- 2020-02-12 WO PCT/JP2020/005339 patent/WO2020250485A1/ja active Application Filing
- 2020-02-12 US US17/613,245 patent/US11870426B2/en active Active
- 2020-05-20 TW TW109116727A patent/TWI821563B/zh active
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Also Published As
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CN113853744A (zh) | 2021-12-28 |
US11870426B2 (en) | 2024-01-09 |
TWI821563B (zh) | 2023-11-11 |
TW202046641A (zh) | 2020-12-16 |
US20220224322A1 (en) | 2022-07-14 |
WO2020250485A1 (ja) | 2020-12-17 |
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A621 | Written request for application examination |
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