JP2020198552A - 弾性波デバイス、フィルタ、及びマルチプレクサ - Google Patents
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Abstract
【課題】電気的な接続不良の発生を抑制すること。【解決手段】圧電基板と、前記圧電基板上に設けられ、第１櫛型電極対を含む第１弾性波素子と、前記圧電基板上に設けられ、第２櫛型電極対を含む第２弾性波素子と、前記第１弾性波素子の前記第１櫛型電極対と同じ材料で形成され且つ同じ厚さの第１配線層と、前記第１配線層よりも薄い第２配線層と、を含み、前記第１弾性波素子と前記第２弾性波素子を電気的に接続する配線と、前記第２弾性波素子の前記第２櫛型電極対と前記配線の前記第２配線層とに接して前記第２配線層上に設けられ、前記第２櫛型電極対と同じ材料で形成され且つ同じ厚さの接続層と、を備える弾性波デバイス。【選択図】図１
Description
本発明は、弾性波デバイス、フィルタ、及びマルチプレクサに関する。
携帯電話を代表とする高周波通信用システムに用いられる高周波フィルタとして、弾性表面波共振器を用いたラダー型フィルタが知られている。弾性表面波共振器は、圧電基板上に櫛型電極対（ＩＤＴ：Interdigital Transducer）が設けられている。櫛型電極対が励振する弾性表面波の音速を圧電基板内を伝播するバルク波よりも遅くすることで、損失を小さくできることが知られている（例えば、特許文献１）。
圧電基板上に設けられた２つの弾性波素子を配線によって電気的に接続させる場合、弾性波素子と配線との間で電気抵抗が大きくなること又は電気的に断線することがある。
本発明は、上記課題に鑑みなされたものであり、電気的な接続不良の発生を抑制することを目的とする。
本発明は、圧電基板と、前記圧電基板上に設けられ、第１櫛型電極対を含む第１弾性波素子と、前記圧電基板上に設けられ、第２櫛型電極対を含む第２弾性波素子と、前記第１弾性波素子の前記第１櫛型電極対と同じ材料で形成され且つ同じ厚さの第１配線層と、前記第１配線層よりも薄い第２配線層と、を含み、前記第１弾性波素子と前記第２弾性波素子を電気的に接続する配線と、前記第２弾性波素子の前記第２櫛型電極対と前記配線の前記第２配線層とに接して前記第２配線層上に設けられ、前記第２櫛型電極対と同じ材料で形成され且つ同じ厚さの接続層と、を備える弾性波デバイスである。
上記構成において、前記第２弾性波素子の前記第２櫛型電極対の厚さは、前記第１弾性波素子の前記第１櫛型電極対の厚さよりも薄い構成とすることができる。
上記構成において、前記第１弾性波素子の前記第１櫛型電極対と前記第２弾性波素子の前記第２櫛型電極対は異なる材料で形成されている構成とすることができる。
上記構成において、前記第２弾性波素子の前記第２櫛型電極対の厚さをＴ１、前記配線の前記第２配線層の厚さをＴ２とした場合に、Ｔ１／１０≦Ｔ２≦Ｔ１／２を満たす構成とすることができる。
上記構成において、前記配線の前記第１配線層上から前記接続層上に延在し、前記配線よりも電気抵抗率の小さい金属で形成された金属層を備え、前記第２弾性波素子の前記第２櫛型電極対の厚さをＴ１、前記配線の前記第２配線層の厚さをＴ２、前記配線の前記第１配線層の厚さをＴ３、前記金属層の厚さをＴ４とした場合に、｜Ｔ３−（Ｔ１＋Ｔ２）｜≦Ｔ４を満たす構成とすることができる。
上記構成において、前記金属層は、前記配線の前記第１配線層上から前記接続層上を経由して前記第２弾性波素子の前記第２櫛型電極対上に延在し、前記配線の前記第２配線層の厚さＴ２は前記金属層の厚さＴ４以下である構成とすることができる。
本発明は、上記記載の弾性波デバイスを含むフィルタである。
上記構成において、経路上に直列に接続された直列共振器と、一端が前記経路に接続され、他端が接地された並列共振器と、を備え、前記第１弾性波素子及び前記第２弾性波素子は前記直列共振器又は前記並列共振器である構成とすることができる。
上記構成において、複数の前記直列共振器を備え、前記第１弾性波素子及び前記第２弾性波素子は前記複数の直列共振器であり、前記第２弾性波素子は、前記複数の直列共振器の中で最も共振周波数が低く且つ前記複数の直列共振器の中で最も励振する弾性波の音速が速い構成とすることができる。
本発明は、上記記載のフィルタを含むマルチプレクサである。
本発明によれば、電気的な接続不良の発生を抑制することができる。
以下、図面を参照して、本発明の実施例について説明する。
図１（ａ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの平面図、図１（ｂ）は、図１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図、図１（ｃ）は、図１（ｂ）の領域Ｂの拡大図である。図１（ａ）から図１（ｃ）のように、弾性波デバイス１００は、圧電基板１０上に弾性表面波（ＳＡＷ：Surface Acoustic Wave）共振器２０及び３０が設けられている。ＳＡＷ共振器２０は、櫛型電極対（ＩＤＴ：Interdigital Transducer）２１と反射器２２を備える。ＳＡＷ共振器３０は、櫛型電極対（ＩＤＴ）３１と反射器３２を備える。ＩＤＴ２１、３１と反射器２２、３２は圧電基板１０上に設けられている。
ＩＤＴ２１は互いに対向する一対の櫛型電極２３を有する。櫛型電極２３各々は、複数の電極指２４と、複数の電極指２４が接続されたバスバー２５と、を有する。ＩＤＴ２１は圧電基板１０に弾性表面波を励振する。反射器２２は、ＩＤＴ２１の弾性表面波の伝搬方向の両側に設けられている。反射器２２は弾性表面波を反射する。同じ櫛型電極２３内の電極指２４のピッチλ１は、ＩＤＴ２１が励振する弾性表面波の波長に相当する。
ＩＤＴ３１は互いに対向する一対の櫛型電極３３を有する。櫛型電極３３各々は、複数の電極指３４と、複数の電極指３４が接続されたバスバー３５と、を有する。ＩＤＴ３１は圧電基板１０に弾性表面波を励振する。反射器３２は、ＩＤＴ３１の弾性表面波の伝搬方向の両側に設けられている。反射器３２は弾性表面波を反射する。同じ櫛型電極３３内の電極指３４のピッチλ２は、ＩＤＴ３１が励振する弾性表面波の波長に相当する。
ＳＡＷ共振器２０と３０は、異なる材料で形成されている及び／又は異なる厚さで形成されている。すなわち、ＩＤＴ２１及び反射器２２と、ＩＤＴ３１及び反射器３２とは、異なる材料で形成されている及び／又は異なる厚さで形成されている。ＩＤＴ２１、３１及び反射器２２、３２を覆うように酸化シリコン膜又は窒化シリコン膜などの絶縁膜が設けられていてもよい。絶縁膜の膜厚は、ＩＤＴ２１、３１及び反射器２２、３２の厚さよりも厚くてもよいし薄くてもよい。
ＳＡＷ共振器２０を構成する一対の櫛型電極２３の一方は配線４０に接続し、他方は配線４１に接続している。ＳＡＷ共振器３０を構成する一対の櫛型電極３３の一方は接続層５０を介して配線４１に接続し、他方は接続層５１を介して配線４２に接続している。ＳＡＷ共振器２０と３０は、配線４１及び接続層５０を介して電気的に接続している。
配線４１は、ＳＡＷ共振器２０のバスバー２５の側面に接する配線層４１ａと、配線層４１ａの側面に接し、配線層４１ａから延在した配線層４１ｂと、を含む。配線層４１ａは、ＳＡＷ共振器２０のＩＤＴ２１及び反射器２２と同じ材料で形成され、同じ層構造を有し、同じ厚さとなっている。配線層４１ｂは、配線層４１ａよりも薄くなっている。配線層４１ｂは、配線層４１ａと同じ材料で形成され、同じ層構造を有していてもよい。配線層４１ｂは、少なくとも配線層４１ａに含まれる材料を含んで形成されている。同じ厚さとは、完全に同じ厚さの場合に限られず、製造誤差程度に同じ厚さである略同じ厚さの場合も含む（以下においても同じ）。
接続層５０は、配線層４１ｂ上に設けられている。接続層５０は、ＳＡＷ共振器３０のバスバー３５の側面と配線層４１ｂの上面とに接している。接続層５０は、ＳＡＷ共振器３０のＩＤＴ３１及び反射器３２と同じ材料で形成され、同じ層構造を有し、同じ厚さとなっている。
このように、配線４１の配線層４１ａがＳＡＷ共振器２０のＩＤＴ２１に接し、接続層５０がＳＡＷ共振器３０のＩＤＴ３１と配線４１の配線層４１ｂとに接することで、ＳＡＷ共振器２０と３０は配線４１及び接続層５０を介して電気的に接続している。
配線４０は、ＳＡＷ共振器２０の一対のバスバー２５のうちの配線４１が接していないバスバー２５の側面に接し、ＳＡＷ共振器２０のＩＤＴ２１及び反射器２２と同じ材料で形成され、同じ層構造を有し、同じ厚さとなっている。
配線４２は、配線４１と同様に、配線層４２ａと配線層４２ａから延在した配線層４２ｂとを含む。配線層４２ａは、ＳＡＷ共振器２０のＩＤＴ２１及び反射器２２と同じ材料で形成され、同じ層構造を有し、同じ厚さとなっている。配線層４２ｂは、配線層４２ａよりも薄くなっている。配線層４２ｂは、配線層４２ａと同じ材料で形成され、同じ層構造を有していてもよい。配線層４２ｂは、少なくとも配線層４２ａに含まれる材料を含んで形成されている。
接続層５１は、配線層４２ｂ上に設けられている。接続層５１は、ＳＡＷ共振器３０の一対のバスバー３５のうちの接続層５０が接していないバスバー３５の側面と配線層４２ｂの上面とに接している。接続層５１は、ＳＡＷ共振器３０のＩＤＴ３１及び反射器３２と同じ材料で形成され、同じ層構造を有し、同じ厚さとなっている。
圧電基板１０は、タンタル酸リチウム基板又はニオブ酸リチウム基板である。圧電基板１０は、シリコン基板、サファイア基板、アルミナ基板、多結晶スピネル基板、単結晶スピネル基板、ガラス基板、又は水晶基板などの支持基板上に接合されていてもよい。ＩＤＴ２１、３１及び反射器２２、３２は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）、ルテニウム（Ｒｕ）、タングステン（Ｗ）、モリブデン（Ｍｏ）、白金（Ｐｔ）、イリジウム（Ｉｒ）、レニウム（Ｒｅ）、ロジウム（Ｒｈ）、タンタル（Ｔａ）、及び金（Ａｕ）の少なくとも１種を含む金属膜であり、単層金属膜でもよいし、積層金属膜でもよい。
図２（ａ）から図２（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す平面図である。図３（ａ）から図３（ｃ）は、実施例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図２（ａ）及び図３（ａ）のように、圧電基板１０上に真空蒸着法、イオンアシスト蒸着法、又はスパッタリング法を用いて金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法とエッチング法を用いて金属膜をパターン化する。これにより、ＳＡＷ共振器２０と配線４０〜４２を形成する。配線４０はＳＡＷ共振器２０の一方のバスバー２５の側面に接して形成され、配線４１は他方のバスバー２５の側面に接して形成される。この段階では、配線４０〜４２各々は、全領域でＳＡＷ共振器２０のＩＤＴ２１及び反射器２２と同じ材料で形成され、同じ層構造を有し、同じ厚さとなっている。ＳＡＷ共振器２０と同時に配線４０〜４２を形成することで、ＳＡＷ共振器２０と配線４０、４１の電気的接続を良好に確保できるとともに製造工程が増加することを抑制できる。
図２（ｂ）及び図３（ｂ）のように、フォトリソグラフィ法とエッチング法を用いて、配線４１及び４２のうちのＳＡＷ共振器３０との接続箇所となる接続層５０及び５１を形成する部分を薄くする。これにより、配線４１は、ＳＡＷ共振器２０のＩＤＴ２１及び反射器２２と同じ厚さの配線層４１ａと、配線層４１ａよりも薄く、配線層４１ａと幅の大きさが同じ配線層４１ｂと、を含むようになる。配線４２は、ＳＡＷ共振器２０のＩＤＴ２１及び反射器２２と同じ厚さの配線層４２ａと、配線層４２ａよりも薄く、配線層４２ａと幅の大きさが同じ配線層４２ｂと、を含むようになる。
図２（ｃ）及び図３（ｃ）のように、スパッタリング法又は真空蒸着法とリフトオフ法とを用いて、ＳＡＷ共振器３０と接続層５０及び５１とを形成する。接続層５０は、ＳＡＷ共振器３０の一方のバスバー３５に接して配線層４１ｂ上に形成される。接続層５１は、ＳＡＷ共振器３０の他方のバスバー３５に接して配線層４２ｂ上に形成される。これにより、ＳＡＷ共振器２０と３０は、配線４１及び接続層５０を介して電気的に接続する。なお、ＳＡＷ共振器２０と３０を別々に形成しているのは、ＳＡＷ共振器２０と３０は、異なる材料で形成されている及び／又は異なる厚さで形成されているため、同時に形成することができないためである。
図４（ａ）は、比較例１に係る弾性波デバイスの平面図、図４（ｂ）は、図４（ａ）のＡ−Ａ間の断面図、図４（ｃ）は、図４（ｂ）の領域Ｂの拡大図である。図４（ａ）から図４（ｃ）のように、弾性波デバイス１０００では、ＳＡＷ共振器２０の一対の櫛型電極２３のうちの一方は配線１４０に接続し、他方は配線１４１に接続する。ＳＡＷ共振器３０の一対の櫛型電極３３のうちの一方の櫛型電極が配線１４１に良好に電気的に接続するように配線１４１上に接続層１５０が設けられ、他方の櫛型電極が配線１４２に良好に電気的に接続するように配線１４２上に接続層１５１が設けられている。配線１４０〜１４２各々は、全領域でＳＡＷ共振器２０のＩＤＴ２１及び反射器２２と同じ材料で形成され、同じ層構造を有し、同じ厚さになっている。その他の構成は、実施例１の図１（ａ）から図１（ｃ）と同じであるため、説明を省略する。
図５（ａ）及び図５（ｂ）は、比較例１に係る弾性波デバイスの製造方法を示す断面図である。図５（ａ）のように、圧電基板１０上に真空蒸着法、イオンアシスト蒸着法、又はスパッタリング法を用いて金属膜を成膜した後、フォトリソグラフィ法とエッチング法を用いて金属膜をパターン化する。これにより、ＳＡＷ共振器２０と配線１４０〜１４２を形成する。配線１４０はＳＡＷ共振器２０の一方のバスバー２５の側面に接して形成され、配線１４１は他方のバスバー２５の側面に接して形成される。配線１４０〜１４２は、全領域でＳＡＷ共振器２０のＩＤＴ２１及び反射器２２と同じ材料で形成され、同じ層構造を有し、同じ厚さとなっている。
図５（ｂ）のように、スパッタリング法又は真空蒸着法とリフトオフ法とを用いて、ＳＡＷ共振器３０と接続層１５０及び１５１とを形成する。接続層１５０は配線１４１上に形成され、接続層１５１は配線１４２上に形成される。
比較例１では、図５（ａ）のように、ＳＡＷ共振器２０の形成と同時に配線１４０〜１４２を形成する。これにより、ＳＡＷ共振器２０と配線１４０、１４１の電気的接続を良好に確保できるとともに製造工程が増加することを抑制できる。ＳＡＷ共振器２０と３０は異なる材料で形成される及び／又は異なる厚さで形成されるため、ＳＡＷ共振器３０はＳＡＷ共振器２０と別工程で形成される。図５（ｂ）のように、ＳＡＷ共振器３０の形成と同時に配線１４１、１４２上に接続層１５０、１５１を形成する。これは、ＳＡＷ共振器３０が接続層１５０、１５１を介して配線１４１、１４２に接続するようにして、ＳＡＷ共振器３０と配線１４１、１４２との電気的な接続を良好にするためである。しかしながら、図４（ｂ）及び図４（ｃ）のように、配線１４１に重なる接続層１５０を形成した場合でも、ＳＡＷ共振器３０と配線１４１との間で電気抵抗が大きくなること又は電気的に断線することがある。ＳＡＷ共振器３０と配線１４２との間も同様に、配線１４２に重なる接続層１５１を形成した場合でも、ＳＡＷ共振器３０と配線１４２との間で電気抵抗が大きくなること又は電気的に断線することがある。
実施例１では、図３（ｂ）のように、配線４１、４２にエッチングを行って、ＳＡＷ共振器２０と同じ厚さの配線層４１ａ、４２ａと、配線層４１ａ、４２ａよりも薄い配線層４１ｂ、４２ｂと、を形成する。図３（ｃ）のように、接続層５０、５１は、エッチングで薄くした配線層４１ｂ、４２ｂ上に形成している。これにより、図１（ｂ）及び図１（ｃ）のように、ＳＡＷ共振器３０が接続層５０を介して配線４１に良好に電気的に接続するようになる。接続層５０と配線層４１ｂの接触面積を大きく確保できて電気抵抗の増大を抑制できるため、この点においても、ＳＡＷ共振器３０が接続層５０を介して配線４１に良好に電気的に接続するようになる。同様に、ＳＡＷ共振器３０が接続層５１を介して配線４２に良好に電気的に接続するようになる。
以上のように、実施例１によれば、図１（ａ）から図１（ｃ）のように、ＳＡＷ共振器２０、３０を電気的に接続する配線４１は、配線層４１ａと４１ｂを含む。配線層４１ａは、ＳＡＷ共振器２０のＩＤＴ２１と同じ材料で形成され且つ同じ厚さとなっている。配線層４１ｂは、配線層４１ａよりも薄くなっている。配線層４１ｂ上に、ＳＡＷ共振器３０のＩＤＴ３１と配線層４１ｂとに接し、ＩＤＴ３１と同じ材料で形成され且つ同じ厚さの接続層５０が設けられている。これにより、図１（ｃ）のように、ＳＡＷ共振器３０のＩＤＴ３１と配線４１の間で電気的な接続不良が発生することを抑制ができる。
実施例１では、ＳＡＷ共振器３０のＩＤＴ３１の厚さは、ＳＡＷ共振器２０のＩＤＴ２１の厚さよりも薄い。この場合、比較例の図４（ｃ）のように、配線１４１の厚さを薄くしない場合では、ＳＡＷ共振器３０と配線１４１との間で電気的な接続不良が起こり易い。したがって、ＳＡＷ共振器３０のＩＤＴ３１の厚さがＳＡＷ共振器２０のＩＤＴ２１の厚さよりも薄い場合に、図１（ｃ）のように、配線４１は配線層４１ａと配線層４１ａよりも薄い配線層４１ｂとを含み、接続層５０が配線層４１ｂ上に設けられることが好ましい。ＳＡＷ共振器３０のＩＤＴ３１の厚さがＳＡＷ共振器２０のＩＤＴ２１の厚さの１／２以下の場合にＳＡＷ共振器２０と３０を配線４１と接続層５０を介して電気的に接続することが好ましく、１／３以下の場合にＳＡＷ共振器２０と３０を配線４１と接続層５０を介して電気的に接続することがより好ましい。
図２（ａ）から図３（ｃ）で説明したように、ＳＡＷ共振器２０と３０が異なる材料で形成される及び／又は異なる厚さで形成される場合、ＳＡＷ共振器２０と３０を同時に形成することができない。したがって、このような場合に、ＳＡＷ共振器２０と３０を配線４１と接続層５０を介して電気的に接続させることが好ましい。なお、ＳＡＷ共振器２０と３０が同じ材料且つ同じ厚さで形成される場合でも、ＳＡＷ共振器２０と３０を配線４１と接続層５０を介して電気的に接続させてもよい。
配線４１の電気抵抗の増大を抑制するため、配線層４１ｂの長さＬ２は、配線層４１ａの長さＬ１以下の場合が好ましく、配線層４１ａの長さＬ１の２／３以下がより好ましく、１／２以下が更に好ましい。配線層４１ｂの長さＬ２は、例えば１０μｍ以下であり、７μｍ以下が好ましく、５μｍ以下がより好ましい。また、接続層５０と配線層４１ｂの接触面積を大きくして電気抵抗の増大を抑制するために、接続層５０は、配線層４１ｂの上面の面積の１／２以上に接触している場合が好ましく、２／３以上に接触している場合が好ましく、全面に接触している場合が更に好ましい。
図１（ｃ）のように、ＳＡＷ共振器３０のＩＤＴ３１の厚さをＴ１、配線４１の配線層４１ｂの厚さをＴ２とした場合に、Ｔ１／１０≦Ｔ２≦Ｔ１／２を満たす場合が好ましい。Ｔ１／１０≦Ｔ２とすることで、配線層４１ｂの電気抵抗の増大を抑制することができる。Ｔ２≦Ｔ１／２とすることで、ＳＡＷ共振器３０のバスバー３５と接続層５０との間で断線などの電気的な接続不良が生じることを抑制できる。配線層４１ｂの電気抵抗の増大を抑制及びバスバー３５と接続層５０との間の電気的な接続不良の発生を抑制するために、Ｔ１／９≦Ｔ２≦Ｔ１／３を満たす場合がより好ましく、Ｔ１／８≦Ｔ２≦Ｔ１／４を満たす場合が更に好ましい。
図６（ａ）は、実施例２に係る弾性波デバイスの平面図、図６（ｂ）は、図６（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図６（ａ）及び図６（ｂ）は、実施例１の図１（ｂ）の領域Ｂに相当する箇所の平面図及び断面図である。図６（ａ）及び図６（ｂ）のように、弾性波デバイス２００では、配線４１の配線層４１ａ上から接続層５０上にまで延在した金属層６０が設けられている。金属層６０は、配線４１及び接続層５０よりも電気抵抗率の小さい材料で形成され、例えば銅又は金で形成されている。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。
実施例２によれば、配線４１の配線層４１ａ上から接続層５０上にまで延在し、配線４１よりも電気抵抗率の小さい金属で形成された金属層６０が設けられている。これにより、ＳＡＷ共振器３０と配線４１の電気的な接続の信頼性を向上させることができ、また、ＳＡＷ共振器３０と配線４１との間の電気抵抗の増大を抑制できる。金属層６０が設けられている場合、図６（ｂ）のように、ＳＡＷ共振器３０のＩＤＴ３１の厚さをＴ１、配線４１の配線層４１ｂの厚さをＴ２、配線４１の配線層４１ａの厚さをＴ３、金属層６０の厚さをＴ４とした場合に、｜Ｔ３−（Ｔ１＋Ｔ２）｜≦Ｔ４を満たす場合が好ましい。これにより、配線層４１ａと接続層５０の段差での金属層６０の断線を抑制することができる。
図７（ａ）は、実施例２の変形例１に係る弾性波デバイスの平面図、図７（ｂ）は、図７（ａ）のＡ−Ａ間の断面図である。図７（ａ）及び図７（ｂ）は、実施例１の図１（ｂ）の領域Ｂに相当する箇所の平面図及び断面図である。図７（ａ）及び図７（ｂ）のように、弾性波デバイス２１０では、配線４１の配線層４１ａ上から接続層５０上を経由してＳＡＷ共振器３０のバスバー３５上まで延在した金属層６１が設けられている。金属層６１は、配線４１及び接続層５０よりも電気抵抗率の小さい材料で形成され、例えば銅又は金で形成されている。その他の構成は、実施例１と同じであるため説明を省略する。
実施例２の変形例１によれば、配線４１の配線層４１ａ上から接続層５０上を経由してＳＡＷ共振器３０のＩＤＴ３１上まで延在し、配線４１よりも電気抵抗率の小さい金属で形成された金属層６１が設けられている。これにより、ＳＡＷ共振器３０と配線４１の電気的な接続の信頼性を向上させることができ、また、ＳＡＷ共振器３０と配線４１との間の電気抵抗の増大を抑制できる。金属層６１が設けられている場合、実施例２と同様に、｜Ｔ３−（Ｔ１＋Ｔ２）｜≦Ｔ４を満たす場合が好ましい。これにより、配線層４１ａと接続層５０の段差での金属層６１の断線を抑制することができる。これに加えて、Ｔ２≦Ｔ４を満たす場合が好ましい。これにより、接続層５０とＩＤＴ３１のバスバー３５の段差での金属層６１の断線を抑制することができる。Ｔ１はＳＡＷ共振器３０のＩＤＴ３１の厚さ、Ｔ２は配線４１の配線層４１ｂの厚さ、Ｔ３は配線４１の配線層４１ａの厚さ、Ｔ４は金属層６１の厚さである。接続層５０とバスバー３５の段差での金属層６１の断線を抑制する点から、Ｔ２は、Ｔ４の２／３以下である場合がより好ましく、Ｔ４の半分以下である場合が更に好ましい。
図８は、実施例３に係るラダー型フィルタの回路図である。図８のように、ラダー型フィルタ３００は、入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔの間を接続する経路７０に、１又は複数の直列共振器Ｓ１〜Ｓ３が直列に接続されている。入力端子Ｔｉｎと出力端子Ｔｏｕｔの間に、１又は複数の並列共振器Ｐ１、Ｐ２が並列に接続されている。並列共振器Ｐ１は、一端が直列共振器Ｓ１とＳ２の間の経路７０に接続され、他端がグランドに接続されて接地されている。並列共振器Ｐ２は、一端が直列共振器Ｓ２とＳ３の間の経路７０に接続され、他端がグランドに接続されて接地されている。
直列共振器Ｓ１〜Ｓ３及び並列共振器Ｐ１、Ｐ２のうちの２つの共振器を実施例１から実施例２の変形例１で示したＳＡＷ共振器２０、３０とし、その間の接続を配線４１と接続層５０を用いた電気的接続とすることができる。
なお、実施例３ではラダー型フィルタの場合を例に示したが、例えばラティス型フィルタなど、その他のフィルタの場合でもよい。
図９（ａ）は、実施例４に係るラダー型フィルタの平面図、図９（ｂ）は、図９（ａ）のＡ−Ａ間の断面図、図９（ｃ）は、図９（ｂ）の領域Ｂの拡大図である。図９（ａ）では、金属層６１を透視して配線４０〜４２と接続層５０、５１などを図示している。図９（ａ）から図９（ｃ）のように、圧電基板１０上に直列共振器Ｓ１〜Ｓ３と並列共振器Ｐ１、Ｐ２が設けられている。直列共振器Ｓ１のＩＤＴ３１及び反射器３２は、Ｔｉ（チタン）を主成分とする金属層とその上に設けられたＡｌ（アルミニウム）を主成分とする金属層との積層で形成されている。例えば、直列共振器Ｓ１のＩＤＴ３１及び反射器３２は、厚さが１９０ｎｍのＴｉを主成分とする金属層と、厚さが２６０ｎｍのＡｌを主成分とする金属層と、の積層で形成されている。Ｔｉを主成分とする金属層は密着層として設けられていて、ＩＤＴ３１が励振する弾性表面波の特性はＡｌを主成分とする金属層で決定される。直列共振器Ｓ２、Ｓ３と並列共振器Ｐ１、Ｐ２のＩＤＴ２１及び反射器２２は、Ｍｏ（モリブデン）を主成分とする金属層で形成されている。例えば、直列共振器Ｓ２、Ｓ３と並列共振器Ｐ１、Ｐ２は、厚さが４９０ｎｍのＭｏを主成分とする金属層で形成されている。
直列共振器Ｓ２とＳ３、直列共振器Ｓ２と並列共振器Ｐ１、及び直列共振器Ｓ２と並列共振器Ｐ２は、配線４０を介して互いに電気的に接続されている。直列共振器Ｓ３は出力用のバンプ８１に配線４０を介して電気的に接続されている。並列共振器Ｐ１、Ｐ２はグランド用のバンプ８２に配線４０を介して電気的に接続されている。配線４０は、実施例１で説明した場合と同様に、直列共振器Ｓ２、Ｓ３及び並列共振器Ｐ１、Ｐ２のＩＤＴ２１及び反射器２２と同じ材料で形成され、同じ層構造を有し、同じ厚さとなっている。例えば、配線４０は、厚さ４９０ｎｍのＭｏを主成分とする金属層で形成されている。
直列共振器Ｓ１とＳ２は、配線４１及び接続層５０を介して電気的に接続されている。配線４１は、実施例１で説明した場合と同様に、直列共振器Ｓ２などのＩＤＴ２１及び反射器２２と同じ材料で形成され、同じ層構造を有し、同じ厚さの配線層４１ａと、少なくとも配線層４１ａに含まれる材料を含んで形成され、配線層４１ａよりも薄い配線層４１ｂと、を含む。配線層４１ａは、例えば厚さ４９０ｎｍのＭｏを主成分とする金属層で形成されている。配線層４１ｂは、例えば厚さ１５０ｎｍのＭｏを主成分とする金属層で形成されている。接続層５０は、実施例１で説明した場合と同様に、直列共振器Ｓ１のバスバー３５の側面と配線層４１ｂの上面に接して配線層４１ｂ上に設けられ、直列共振器Ｓ１のＩＤＴ３１及び反射器３２と同じ材料で形成され、同じ層構造を有し、同じ厚さとなっている。例えば、接続層５０は、厚さが１９０ｎｍのＴｉを主成分とする金属層と厚さが２６０ｎｍのＡｌを主成分とする金属層との積層で形成され、トータルの厚さが４５０ｎｍとなっている。
直列共振器Ｓ１は入力用のバンプ８０に配線４２及び接続層５１を介して電気的に接続されている。配線４２は、実施例１で説明した場合と同様に、直列共振器Ｓ２などのＩＤＴ２１及び反射器２２と同じ材料で形成され、同じ層構造を有し、同じ厚さの配線層４２ａと、少なくとも配線層４２ａに含まれる材料を含んで形成され、配線層４２ａよりも薄い配線層４２ｂと、を含む。配線層４２ａは、例えば厚さ４９０ｎｍのＭｏを主成分とする金属層で形成されている。配線層４２ｂは、例えば厚さ１５０ｎｍのＭｏを主成分とする金属層で形成されている。接続層５１は、実施例１で説明した場合と同様に、直列共振器Ｓ１のバスバー３５の側面と配線層４２ｂの上面に接して配線層４２ｂ上に設けられ、直列共振器Ｓ１のＩＤＴ３１及び反射器３２と同じ材料で形成され、同じ層構造を有し、同じ厚さとなっている。例えば、接続層５１は、厚さが１９０ｎｍのＴｉを主成分とする金属層と厚さが２６０ｎｍのＡｌを主成分とする金属層との積層で形成され、トータルの厚さが４５０ｎｍとなっている。
配線４０〜４２上に金属層６１が設けられている。配線４１上に設けられた金属層６１は、配線層４１ａ上から接続層５０上を経由して直列共振器Ｓ１のバスバー３５上まで延在している。配線４２上に設けられた金属層６１は、配線層４２ａ上から接続層５１上を経由して直列共振器Ｓ１のバスバー３５上まで延在している。金属層６１は、例えば厚さが３５０ｎｍのＣｕ又はＡｕで形成されている。バンプ８０〜８２は、金属層６１上に設けられ、例えば金バンプ、半田バンプ、又は銅バンプである。
表１は、直列共振器Ｓ１〜Ｓ３と並列共振器Ｐ１、Ｐ２のピッチ、対数、開口長、電極材、膜厚、及び弾性表面波の音速の一例をまとめた表である。また、直列共振器Ｓ１〜Ｓ３及び並列共振器Ｐ１、Ｐ２が励振する弾性表面波の波長λは４．０μｍ〜５．６μｍ程度である。
ここで、比較例２に係るラダー型フィルタについて説明する。比較例２のラダー型フィルタは、実施例４のラダー型フィルタ４００と同様に、圧電基板上に直列共振器Ｓ１１〜Ｓ１３と並列共振器Ｐ１１、Ｐ１２が形成されている。比較例２のラダー型フィルタでは、直列共振器Ｓ１１〜Ｓ１３と並列共振器Ｐ１１、Ｐ１２の全てにおいてＩＤＴ及び反射器がＭｏを主成分とし且つ同じ厚さの金属層で形成されている点が実施例４のラダー型フィルタ４００と異なる。
比較例２において、直列共振器Ｓ１１〜Ｓ１３と並列共振器Ｐ１１、Ｐ１２の全てにおけるＩＤＴ及び反射器がＭｏを主成分とする金属層で形成されているのは以下の理由によるものである。
ＩＤＴが励振する弾性表面波の音速が圧電基板内を伝搬するバルク波（例えば最も遅い横波バルク波）の音速よりも速い場合、弾性表面波はバルク波を放射しながら圧電基板の表面を伝搬する。よって、損失が生じる。特に、弾性表面波の一種であるＳＨ（Shear Horizontal）波の音速はバルク波の音速よりも速くなり易い。このため、ＳＨ波を主モードとする弾性表面波共振器では損失が大きくなり易い。例えば、２０°以上且つ４８°以下のカット角を有するＹカットＸ伝搬タンタル酸リチウム基板ではＳＨ波が主モードになる。
損失を小さくするためには、ＩＤＴが励振する弾性表面波の音速が圧電基板内を伝搬するバルク波の音速よりも遅くすることが考えられる。弾性表面波の音速を遅くするため、ＩＤＴ及び反射器に音響インピーダンスの大きな金属を用いることが考えられる。音響インピーダンスＺは、密度をρ、ヤング率をＥ、ポアソン比をＰｒとすると、以下の式で表される。
Ｍｏは、密度が１０．２ｇ／ｃｍ３、ヤング率が３２９ＧＰａ、ポアソン比が０．３１である。このため、Ｍｏの音響インピーダンスは３５．９ＧＰａ・ｓ／ｍである。例えば、ＩＤＴ及び反射器がＡｌを主成分とする金属層で形成される場合では、Ａｌは密度が２．７０ｇ／ｃｍ３、ヤング率が６８ＧＰａ、ポアソン比が０．３４であるため、Ａｌの音響インピーダンスは８．３ＧＰａ・ｓ／ｍである。
したがって、比較例２では、弾性表面波の音速を遅くして損失が小さくなるように、直列共振器Ｓ１１〜Ｓ１３と並列共振器Ｐ１１、Ｐ１２の全てのＩＤＴ及び反射器を音響インピーダンスの大きなＭｏを主成分とする金属層で形成している。しかしながら、弾性表面波の音速が圧電基板内を伝搬するバルク波の音速よりも遅い弾性表面波共振器では横モードスプリアスが発生し易い。
図１０は、ラダー型フィルタの通過特性、直列共振器及び並列共振器の周波数特性、及びラダー型フィルタの消費電力を示す図である。ラダー型フィルタの通過特性を太実線、直列共振器Ｓ１１〜Ｓ１３の周波数特性を点線、並列共振器Ｐ１１、Ｐ１２の周波数特性を破線、ラダー型フィルタの消費電力を細実線で示している。図１０のように、ラダー型フィルタの通過特性は、高周波側が直列共振器Ｓ１１〜Ｓ１３によって形成され、低周波側が並列共振器Ｐ１１、Ｐ１２によって形成される。直列共振器Ｓ１１〜Ｓ１３は、ラダー型フィルタの高周波側の減衰帯域を広げることを目的として、それぞれの共振周波数が少しずれていることがある。この場合、直列共振器Ｓ１１〜Ｓ１３のうちの最も共振周波数の小さい直列共振器Ｓ１１は、共振周波数から反共振周波数の間がラダー型フィルタの通過帯域内に存在して通過特性の高周波側を形成する。なお、並列共振器Ｐ１１、Ｐ１２の共振周波数は略同じである場合を例に示しているが、直列共振器Ｓ１１〜Ｓ１３と同様に、低周波側の減衰域を広げることを目的として、それぞれの共振周波数が少しずれていてもよい。また、直列共振器Ｓ１１〜Ｓ１３において、並列共振器Ｐ１、Ｐ２と同様に、それぞれの共振周波数が略同じであってもよい。
ラダー型フィルタの消費電力は、通過帯域内の中央付近で最小となり、減衰極付近で最大となる。横モードスプリアスは共振周波数と反共振周波数の間で発生することから、共振周波数と反共振周波数の間が通過帯域内に存在する直列共振器Ｓ１１に横モードスプリアスが発生すると、ラダー型フィルタに大きな電力の高周波信号が印加された場合に直列共振器Ｓ１１の発熱量が大きくなる。直列共振器Ｓ１１が発熱することでラダー型フィルタの温度が上昇し、通過特性及び消費電力が低周波側にシフトする。これにより、直列共振器Ｓ１１は更に発熱量が大きくなり、直列共振器Ｓ１１のＩＤＴに損傷（例えば溶断）が生じてしまうことがある。
なお、通過帯域の低周波側は、ラダー型フィルタの温度上昇に伴い、消費電力は減少する方向となる。このため、ラダー型フィルタの通過特性の低周波側を形成する並列共振器Ｐ１１、Ｐ１２では発熱量が大きくなり難いため、ＩＤＴの損傷は起こり難い。
実施例４では、直列共振器Ｓ２、Ｓ３と並列共振器Ｐ１、Ｐ２は、低損失化のために、音響インピーダンスの大きなＭｏを主成分とする金属層で形成し、励振される弾性表面波の音速が圧電基板１０内を伝搬するバルク波よりも遅くなるようにする。直列共振器Ｓ１〜Ｓ３のうちの共振周波数が最も小さい直列共振器Ｓ１は、横モードスプリアス抑制のために、軽い金属（密度の小さな金属）であるＡｌを主成分とする金属層で形成し、励振される弾性表面波の音速が圧電基板１０内を伝搬するバルク波よりも速くなるようにする。これにより、損失を抑えつつ、直列共振器Ｓ１のＩＤＴ３１の損傷を抑制できる。
このように、直列共振器Ｓ１と直列共振器Ｓ２が異なる材料で形成されている場合、直列共振器Ｓ１、Ｓ２とその間を電気的に接続する配線とを同時に形成することができない。このため、上述の比較例１で説明したように、直列共振器Ｓ１と、直列共振器Ｓ１とＳ２の間を接続する配線と、の間で電気抵抗が大きくなること又は電気的に断線することがある。
実施例４では、図９（ａ）から図９（ｃ）のように、直列共振器Ｓ１とＳ２を電気的に接続する配線４１は、直列共振器Ｓ２のＩＤＴ２１と同じ材料で形成され且つ同じ厚さ配線層４１ａと、配線層４１ａよりも薄い配線層４１ｂと、を含む。配線層４１ｂ上に、直列共振器Ｓ１のＩＤＴ３１と配線層４１ｂとに接し、ＩＤＴ３１と同じ材料で形成され且つ同じ厚さの接続層５０が設けられている。これにより、直列共振器Ｓ１のＩＤＴ３１と配線４１の間で電気的な接続不良が発生することを抑制できる。
実施例４では、直列共振器Ｓ２に配線４１及び接続層５０を介して接続する直列共振器Ｓ１は、直列共振器Ｓ１〜Ｓ３の中で最も共振周波数が低く且つ最も励振する弾性波の音速が速い場合を例に示したが、この場合に限られない。直列共振器及び並列共振器のうちの２つの共振器間が配線４１及び接続層５０を介して接続される場合でもよい。
数１において、ポアソン比は金属材料では大きくならないため、音響インピーダンスの大きな金属は、密度×ヤング率の大きな金属となる。密度は原子番号が大きな金属が大きく、ヤング率は硬い金属が大きい。このような金属は、融点が高い高融点金属である。このように、ＩＤＴ及び反射器を高融点金属で形成すると弾性表面波の音速が遅くなり損失が小さくなる。表２は、高融点金属の密度及び融点を示す表である。
表２のように、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｔａ、及びＷの融点はＡｌの融点（６６０℃）よりも高い。密度はＡｌの密度（２．７０ｇ／ｃｍ３）の４倍以上である。したがって、直列共振器Ｓ２、Ｓ３と並列共振器Ｐ１、Ｐ２のＩＤＴ２１及び反射器２２は、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｔａ、及びＷの少なくとも１つを主成分とする金属層を含む場合が好ましい。これにより、直列共振器Ｓ２、Ｓ３と並列共振器Ｐ１、Ｐ２のＩＤＴ２１が励振する弾性表面波の音速が圧電基板１０内を伝播するバルク波の音速よりも遅くなり、損失が小さくなる。
上述したように、Ａｌは音響インピーダンスが小さく且つ軽い金属である。したがって、直列共振器Ｓ１のＩＤＴ３１及び反射器３２は、横モードスプリアスが抑制されるように、Ａｌを主成分とする金属層を含む場合が好ましい。
図１１（ａ）は、実施例４の変形例１に係るラダー型フィルタの平面図、図１１（ｂ）は、図１１（ａ）のＡ−Ａ間の断面図、図１１（ｃ）は、図１１（ｂ）の領域Ｂの拡大図である。実施例４では、直列共振器Ｓ１はＴｉを主成分とする金属層とＡｌを主成分とする金属層の積層で形成され、直列共振器Ｓ２、Ｓ３と並列共振器Ｐ１、Ｐ２はＭｏを主成分とする金属層で形成されている場合を例に示した。実施例４の変形例１では、直列共振器Ｓ１〜Ｓ３と並列共振器Ｐ１、Ｐ２の全てがＭｏを主成分とする金属層で形成されている場合について説明する。
図１１（ａ）から図１１（ｃ）のように、ラダー型フィルタ４１０では、直列共振器Ｓ１は、例えばＭｏを主成分とする厚さが１７０ｎｍの金属層で形成されている。直列共振器Ｓ２、Ｓ３と並列共振器Ｐ１、Ｐ２は、例えばＭｏを主成分とする厚さが４９０ｎｍの金属層で形成されている。配線４１、４２を構成する配線層４１ａ、４２ａは、実施例４と同じく、例えばＭｏを主成分とする厚さが４９０ｎｍの金属層で形成されている。配線層４１ｂ、４２ｂは、例えばＭｏを主成分とする厚さが５０ｎｍ程度の金属層で形成されている。金属層６１は、例えば厚さが１０００ｎｍのＣｕ又はＡｕで形成されている。
実施例４の変形例１では、直列共振器Ｓ１はＭｏを主成分とする金属層で形成されているが、厚さが薄いため、直列共振器Ｓ１で励振される弾性表面波の音速が圧電基板１０内を伝搬するバルク波よりも速くなる。よって、実施例４と同様に、損失を抑えつつ、直列共振器Ｓ１のＩＤＴ３１の損傷を抑制できる。
図１１（ａ）から図１１（ｃ）のように、直列共振器Ｓ１とＳ２を電気的に接続する配線４１は、直列共振器Ｓ２のＩＤＴ２１と同じ材料で形成され且つ同じ厚さの配線層４１ａと、配線層４１ａよりも薄い配線層４１ｂと、を含む。配線層４１ｂ上に、直列共振器Ｓ１のＩＤＴ３１と配線層４１ｂとに接し、ＩＤＴ３１と同じ材料で形成され且つ同じ厚さの接続層５０が設けられている。これにより、直列共振器Ｓ１のＩＤＴ３１と配線４１の間で電気的な接続不良が発生することを抑制できる。
実施例４の変形例１では、直列共振器Ｓ１はＭｏを主成分とする金属層で形成される場合を例に示したが、Ｍｏ以外の音響インピーダンスの大きな材料を主成分とする金属層で形成されてもよい。例えば、直列共振器Ｓ１は、Ｉｒ、Ｍｏ、Ｐｔ、Ｒｅ、Ｒｈ、Ｒｕ、Ｔａ、及びＷの少なくとも１つを主成分とする金属層を含む場合でもよい。一例として、直列共振器Ｓ１は、Ｒｈを主成分とする厚さが１５０ｎｍ程度の金属層で形成されてもよい。
なお、ＩＤＴ及び反射器がある金属を主成分とする金属層を含むとは、弾性表面波の音速が圧電基板１０内を伝播するバルク波の音速よりも遅く又は速くなる程度にある金属を含むことである。例えば、ＩＤＴ及び反射器がある金属の原子濃度が５０％以上、好ましくは８０％以上、より好ましくは９０％以上である金属層を含むことである。
実施例３、４では、配線４１と接続層５０を介して電気的に接続されるＳＡＷ共振器がラダー型フィルタの直列共振器又は並列共振器である場合を例に示したが、この場合に限られない。例えば、異なるフィルタのＳＡＷ共振器が配線４１と接続層５０を介して電気的に接続される場合でもよい。また、ＳＡＷ共振器以外の弾性波素子が配線４１と接続層５０を介して電気的に接続される場合でもよい。例えば、ダブルモード型ＳＡＷフィルタ同士が配線４１と接続層５０を介して電気的に接続する場合でもよいし、ダブルモード型ＳＡＷフィルタとＳＡＷ共振器が配線４１と接続層５０を介して電気的に接続する場合でもよい。
図１２は、実施例５に係るデュプレクサの回路図である。図１２のように、デュプレクサ５００は、共通端子Ａｎｔと送信端子Ｔｘとの間に送信フィルタ９０が接続されている。共通端子Ａｎｔと受信端子Ｒｘとの間に受信フィルタ９１が接続されている。送信フィルタ９０は、送信端子Ｔｘから入力された高周波信号のうち送信帯域の信号を送信信号として共通端子Ａｎｔに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。受信フィルタ９１は、共通端子Ａｎｔから入力された高周波信号のうち受信帯域の信号を受信信号として受信端子Ｒｘに通過させ、他の周波数の信号を抑圧する。送信フィルタ９０及び受信フィルタ９１の少なくとも一方を実施例３又は実施例４のラダー型フィルタとすることができる。
実施例５では、マルチプレクサとしてデュプレクサの場合を例に示したが、トリプレクサ又はクワッドプレクサであってもよい。
以上、本発明の実施例について詳述したが、本発明はかかる特定の実施例に限定されるものではなく、特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形・変更が可能である。
１０ 圧電基板
２０、３０ 弾性表面波共振器
２１、３１ ＩＤＴ
２２、３２ 反射器
２３、３３ 櫛型電極
２４、３４ 電極指
２５、３５ バスバー
４０、４１、４２ 配線
４１ａ、４１ｂ、４２ａ、４２ｂ 配線層
５０、５１ 接続層
６０、６１ 金属層
７０ 経路
８０、８１、８２ バンプ
９０ 送信フィルタ
９１ 受信フィルタ
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３ 直列共振器
Ｐ１、Ｐ２ 並列共振器
１００、２００、２１０ 弾性波デバイス
３００、４００ ラダー型フィルタ
５００ デュプレクサ
２０、３０ 弾性表面波共振器
２１、３１ ＩＤＴ
２２、３２ 反射器
２３、３３ 櫛型電極
２４、３４ 電極指
２５、３５ バスバー
４０、４１、４２ 配線
４１ａ、４１ｂ、４２ａ、４２ｂ 配線層
５０、５１ 接続層
６０、６１ 金属層
７０ 経路
８０、８１、８２ バンプ
９０ 送信フィルタ
９１ 受信フィルタ
Ｓ１、Ｓ２、Ｓ３ 直列共振器
Ｐ１、Ｐ２ 並列共振器
１００、２００、２１０ 弾性波デバイス
３００、４００ ラダー型フィルタ
５００ デュプレクサ
Claims (10)
- 圧電基板と、
前記圧電基板上に設けられ、第１櫛型電極対を含む第１弾性波素子と、
前記圧電基板上に設けられ、第２櫛型電極対を含む第２弾性波素子と、
前記第１弾性波素子の前記第１櫛型電極対と同じ材料で形成され且つ同じ厚さの第１配線層と、前記第１配線層よりも薄い第２配線層と、を含み、前記第１弾性波素子と前記第２弾性波素子を電気的に接続する配線と、
前記第２弾性波素子の前記第２櫛型電極対と前記配線の前記第２配線層とに接して前記第２配線層上に設けられ、前記第２櫛型電極対と同じ材料で形成され且つ同じ厚さの接続層と、を備える弾性波デバイス。 - 前記第２弾性波素子の前記第２櫛型電極対の厚さは、前記第１弾性波素子の前記第１櫛型電極対の厚さよりも薄い、請求項１記載の弾性波デバイス。
- 前記第１弾性波素子の前記第１櫛型電極対と前記第２弾性波素子の前記第２櫛型電極対は異なる材料で形成されている、請求項１または２記載の弾性波デバイス。
- 前記第２弾性波素子の前記第２櫛型電極対の厚さをＴ１、前記配線の前記第２配線層の厚さをＴ２とした場合に、Ｔ１／１０≦Ｔ２≦Ｔ１／２を満たす、請求項１から３のいずれか一項記載の弾性波デバイス。
- 前記配線の前記第１配線層上から前記接続層上に延在し、前記配線よりも電気抵抗率の小さい金属で形成された金属層を備え、
前記第２弾性波素子の前記第２櫛型電極対の厚さをＴ１、前記配線の前記第２配線層の厚さをＴ２、前記配線の前記第１配線層の厚さをＴ３、前記金属層の厚さをＴ４とした場合に、｜Ｔ３−（Ｔ１＋Ｔ２）｜≦Ｔ４を満たす、請求項１から４のいずれか一項記載の弾性波デバイス。 - 前記金属層は、前記配線の前記第１配線層上から前記接続層上を経由して前記第２弾性波素子の前記第２櫛型電極対上に延在し、
前記配線の前記第２配線層の厚さＴ２は前記金属層の厚さＴ４以下である、請求項５記載の弾性波デバイス。 - 請求項１から６のいずれか一項記載の弾性波デバイスを含むフィルタ。
- 経路上に直列に接続された直列共振器と、
一端が前記経路に接続され、他端が接地された並列共振器と、を備え、
前記第１弾性波素子及び前記第２弾性波素子は前記直列共振器又は前記並列共振器である、請求項７記載のフィルタ。 - 複数の前記直列共振器を備え、
前記第１弾性波素子及び前記第２弾性波素子は前記複数の直列共振器であり、
前記第２弾性波素子は、前記複数の直列共振器の中で最も共振周波数が低く且つ前記複数の直列共振器の中で最も励振する弾性波の音速が速い、請求項８記載のフィルタ。 - 請求項７から９のいずれか一項記載のフィルタを含むマルチプレクサ。
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| JP2019103819A JP7403239B2 (ja) | 2019-06-03 | 2019-06-03 | 弾性波デバイス、フィルタ、及びマルチプレクサ |
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Cited By (3)
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| CN114337582A (zh) * | 2021-12-03 | 2022-04-12 | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 | 一种声表面波谐振器 |
| KR20220105512A (ko) * | 2021-01-20 | 2022-07-27 | (주)와이솔 | 필터 및 멀티플렉서 |
| WO2023068128A1 (ja) * | 2021-10-18 | 2023-04-27 | 株式会社村田製作所 | フィルタ装置 |
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-
2019
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