JP2020191381A - 半導体装置及び半導体装置の製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】露出面に樹脂ばりが形成されることを抑制できる半導体装置及び半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体装置の製造に際しては、放熱部が第１封止樹脂部によって封止されたアッシーを成形する第１成形工程を実行する。第１成形工程では、第１金型の内面にヒートスプレッダの露出面が当接するように第１金型内に放熱部を配置した状態で第１金型内に溶融樹脂を充填することでアッシーを成形している。第１成形工程の実行後、アッシーをリードフレームに対して組み付ける組付工程を実行する。組付工程の実行後、半導体素子、リードフレーム、及びアッシーを封止する第２封止樹脂部を成形する第２成形工程を実行する。【選択図】図５

Description

本発明は、半導体装置及び半導体装置の製造方法に関する。

特許文献１には、半導体装置が開示されている。上記半導体装置では、リードフレームに半導体素子及び複数のヒートスプレッダが接続された状態で、これらが樹脂によって封止されている。ヒートスプレッダは、半導体装置で発生した熱を放熱するための部材である。上記半導体装置は、金型内に半導体素子、リードフレーム、及びヒートスプレッダを配置した状態で、当該金型内に溶融樹脂を充填することによって製造されている。上記半導体装置の製造に際しては、ヒートスプレッダの露出面が外部に露出するように、当該露出面を金型の内面に当接させた状態で溶融樹脂を金型に流し込んでいる。

特許文献１では、半導体装置の製造の際に用いられる金型の内面に壁部を形成している。金型の内部に流し込まれた溶融樹脂は当該壁部を乗り越えて露出面と金型の内面との当接部位に到る。金型の内面に壁部を形成することによって当接部位に到る溶融樹脂の流動速度が低減されることから、ヒートスプレッダの露出面と金型の内面との間に溶融樹脂が流れ込むことを抑制する。

特開２０１２−６０１０５号公報

各ヒートスプレッダの組付誤差や製造誤差によって、各ヒートスプレッダの露出面が同一平面上に揃わないことがある。この場合、半導体装置の製造に際して、各ヒートスプレッダが組み付けられたリードフレームを金型内に載置したとき、一部のヒートスプレッダの露出面は金型の内面に当接した状態にある一方、残りのヒートスプレッダの露出面は金型の内面に当接しない状態が生じる。そのため、たとえ溶融樹脂の流動速度を低減したとしても、露出面と金型の内面との間の隙間に溶融樹脂が流れ込んでしまい、露出面に樹脂ばりが形成されるおそれがある。特許文献１に開示の半導体装置では、露出面に樹脂ばりが形成されることを抑制するという観点において対策が十分とは言い難い。

上記課題を解決する半導体装置は、半導体素子と、前記半導体素子が実装されているリードフレームと、前記リードフレームに対してヒートスプレッダを有する放熱部が複数組み付けられているとともに前記放熱部が第１封止樹脂部によって封止されているアッシーと、前記半導体素子、前記リードフレーム、及び前記アッシーを封止する第２封止樹脂部とを備え、前記ヒートスプレッダは、前記第１封止樹脂部及び前記第２封止樹脂部から露出する露出面を有し、前記第２封止樹脂部は、前記第１封止樹脂部の外周に位置している。

上記構成では、互いに異なる成形タイミングで成形された第１封止樹脂部と第２封止樹脂部とを有している。とくに、第１封止樹脂部の成形では、金型の内面に各ヒートスプレッダの露出面を当接させることを成形の目的とすることができるため、各ヒートスプレッダの露出面を同一平面上に揃えたアッシーを成形することが可能となる。したがって、第１封止樹脂部の成形時だけでなく、第２封止樹脂部の成形時においても、金型の内面に対して各ヒートスプレッダの露出面を当接させることが可能となる。これにより、各ヒートスプレッダの露出面と各金型の内面との間に溶融樹脂が流れ込むことを抑制できる。

上記の半導体装置において、前記ヒートスプレッダの前記露出面は、前記第１封止樹脂部の表面よりも突出していることが好ましい。
各ヒートスプレッダの露出面が第１封止樹脂部の表面よりも突出するように、金型には位置決め用の凹みが形成されている。成形時においては、各ヒートスプレッダの露出面がこの凹みに嵌っていることにより、溶融樹脂が露出面と金型の内面との当接部位に到るまでの距離を長くとることができる。溶融樹脂が露出面と金型の内面との当接部位に到るまでの距離が長いことから、流れ込む溶融樹脂が露出面と金型の内面との当接部位に到るまでに止まる可能性が高まるため、各ヒートスプレッダの露出面と各金型の内面との間に溶融樹脂が流れ込むことをさらに抑制できる。

上記の半導体装置において、前記放熱部は、前記ヒートスプレッダにおける前記露出面と反対側の面に溶着されている半田を有していることが好ましい。
第１封止樹脂部の成形時では、型締めに伴う応力で半田が潰れることもある。半田は、当該半田が溶着されるヒートスプレッダの面と金型の内面との間隙を吸収することから、半田が溶着される面と反対側の面である露出面は、金型の内面により確実に当接する。したがって、各ヒートスプレッダの露出面を同一平面上に揃えたアッシーを成形することが可能となる。

上記の半導体装置の製造方法において、第１金型の内面に前記ヒートスプレッダの前記露出面が当接するように前記第１金型内に前記放熱部を配置した状態で前記第１金型内に溶融樹脂を充填することで前記放熱部が前記第１封止樹脂部にて封止された前記アッシーを成形する第１成形工程と、前記アッシーを前記リードフレームに対して組み付ける組付工程と、第２金型内に前記半導体素子、前記リードフレーム、及び前記アッシーを配置した状態で前記第２金型内に溶融樹脂を充填することで前記半導体素子、前記リードフレーム、及び前記アッシーを封止する前記第２封止樹脂部を成形する第２成形工程とを備えている。

上記方法では、第１封止樹脂部と第２封止樹脂部とを成形するために、第１成形工程と第２成形工程とを実行している。とくに、第１成形工程では、第１金型の内面に各ヒートスプレッダの露出面を当接させることを目的として第１封止樹脂部を成形できる。この第１成形工程の採用によって、各ヒートスプレッダの露出面を同一平面上に揃えたアッシーを成形することが可能となる。したがって、第２成形工程では、各ヒートスプレッダの露出面を同一平面上に揃えたアッシーを第２封止樹脂部の封止対象とすることができるため、第２成形工程においても、第２金型の内面に対して各ヒートスプレッダの露出面を当接させることが可能となる。これにより、各ヒートスプレッダの露出面と各金型の内面との間に溶融樹脂が流れ込むことを抑制できる。

本発明の半導体装置及び半導体装置の製造方法によれば、露出面に樹脂ばりが形成されることを抑制できる。

半導体装置を露出面側から見たときの概略構造を示した図。 放熱部及びリード部を通る断面線に沿った半導体装置の断面図。 放熱部を通る断面線に沿ったアッシーの断面図。 アッシーの概略構造を示した斜視図。 半導体装置の製造工程を示すフローチャート。 第１成形工程における第１金型及び第１金型内に配置された放熱部の断面図。 第２成形工程における第２金型及び第２金型内に配置された半導体素子、リードフレーム、及びアッシーの断面図。

図１及び図２を用いて半導体装置の一実施形態について説明する。
半導体装置１は、バッテリの出力する直流電力を交流電力に変換してモータに供給する駆動回路を構成するパワーモジュールである。

半導体装置１は、半導体素子１０と、リードフレーム２０と、アッシー３０と、第２封止樹脂部４０とを備えている。半導体素子１０は、駆動回路を構成するためのスイッチング素子である。半導体素子１０としては、ＭＯＳＦＥＴ（metal-oxide-semiconductor field-effect-transistor）が採用されている。半導体素子１０は、リードフレーム２０に接続されている。本実施形態では、半導体素子１０は３つ設けられている。

リードフレーム２０は、四角形状の孔２０ａが形成された板状の金属部材である。四角形状の孔２０ａには、複数のリード部２１が形成されている。複数のリード部２１は、孔２０ａの一側面から直線状に延びている。リード部２１の基端側の部分は露出している。リード部２１の先端側の部分は、リードフレーム２０の板厚方向から見たとき、アッシー３０と重なっている。半導体素子１０の端子は、リードフレーム２０のリード部２１あるいは他の半導体素子１０の端子と接続されている。３つの半導体素子１０からなる半導体素子群の端子１１は、露出している。

図３及び図４に示すように、アッシー３０は、放熱部３１と、第１封止樹脂部３２とを備えている。放熱部３１は、半導体装置１で発生する熱を外部に放熱する際の放熱効率を高める機能を有している。アッシー３０は、複数の放熱部３１を第１封止樹脂部３２によって封止することにより１つの部品として取り扱いできるように構成したものである。本実施形態では、１つのアッシー３０に３つの放熱部３１が配置されている。本実施形態では、放熱部３１は、半導体素子１０の数に対応して３つ設けられている。放熱部３１は、ヒートスプレッダ３３と、半田３４とを有している。ヒートスプレッダ３３は、略四角柱状の金属部材である。ヒートスプレッダ３３の側面と上面とからなる角部は、湾曲している。ヒートスプレッダ３３の側面と下面とからなる角部は、湾曲している。半田３４は、ヒートスプレッダ３３よりも剛性の低い略四角柱状の金属部材である。ヒートスプレッダ３３の上面には半田３４の下面が接続されている。ヒートスプレッダ３３の上面は、半田３４の下面よりも一回り大きく形成されている。ヒートスプレッダ３３の側面及び半田３４の側面は、第１封止樹脂部３２によって覆われている。第１封止樹脂部３２は、上下方向から見たとき、外形が略四角形の枠状をなしている。第１封止樹脂部３２は、絶縁性を有する樹脂部材で構成されている。第１封止樹脂部３２は、後述の第１成形工程で成形されたものである。ヒートスプレッダ３３の下面は、第１封止樹脂部３２から露出する露出面３５である。また、半田３４の上面は、第１封止樹脂部３２から露出している。上下方向から見た場合、各ヒートスプレッダ３３の露出面３５が第１封止樹脂部３２から露出している。上下方向から見た場合、第１封止樹脂部３２の四隅のうち３つの隅には、それぞれヒートスプレッダ３３が配置されている。第１封止樹脂部３２の四隅のうち残る１つの隅には、半導体素子１０の端子１１が嵌る四角孔３６が形成されている。また、各ヒートスプレッダ３３の露出面３５は、第１封止樹脂部３２の表面よりも突出している。すなわち、第１封止樹脂部３２における露出面３５側の面からは、ヒートスプレッダ３３の一部が突出している。各ヒートスプレッダ３３の露出面３５は、同一平面上に位置している。

図１及び図２に示すように、第２封止樹脂部４０は、絶縁性を有する樹脂材料で構成されている。第２封止樹脂部４０は、後述の第２成形工程で成形されたものである。第２封止樹脂部４０は、半導体素子１０、リードフレーム２０、及びアッシー３０を覆っている。第２封止樹脂部４０は、略四角板状をなしている第１部分４１と、上下方向から見た場合、略四角形の枠状をなしている第２部分４２とを有している。第１封止樹脂部３２の側面には、第２封止樹脂部４０の第２部分４２が位置している。第２封止樹脂部４０の第２部分４２は、第１封止樹脂部３２の側面を全周にわたって封止している。第１封止樹脂部３２と第２封止樹脂部４０との境界部分には、第１成形工程及び第２成形工程の２段階の成形工程を行うことに起因して層状に形成されている。各ヒートスプレッダ３３の露出面３５は、第２封止樹脂部４０の表面からも露出している。第２封止樹脂部４０における露出面３５側の面よりも下方に位置している。第２封止樹脂部４０の第１部分４１は、半導体素子１０及びリードフレーム２０の周囲を封止している。

図２に示すように、リードフレーム２０のリード部２１は、２つの段差部２２を有している。２つの段差部２２は、リード部２１の延びる方向において並んで形成されている。段差部２２は、半導体素子１０、リードフレーム２０、及びアッシー３０が第２封止樹脂部４０によって封止された状態で、リード部２１からアッシー３０側に向けて突出するように折り曲げられている。段差部２２は、平板状の接続部２３と、接続部２３を挟んで配置される一対の傾斜部２４とを有している。接続部２３は、半導体素子１０と接続されている。半導体素子１０は、半田３４の上面に当接させた状態で、半田３４を溶着することによりヒートスプレッダ３３と接続されている。接続部２３におけるヒートスプレッダ３３側の面には、半導体素子１０が実装されている。半導体素子１０は、接続部２３とヒートスプレッダ３３との間に位置している。図１に示すように、３つの半導体素子１０からなる半導体素子群の端子１１は、四角孔３６に挿入されて第２封止樹脂部４０から露出している。

半導体装置１の製造方法について説明する。ここでは、説明を簡略化するために、２つの放熱部３１及び１つのリード部２１を通る断面線に沿った断面図である図６及び図７を用いて説明を行う。

図５のフローチャートに示すように、最初に放熱部３１が第１封止樹脂部３２によって封止されたアッシー３０を成形する第１成形工程を実行する（ステップＳ１）。
図６に示すように、第１成形工程では、第１金型１００を用いて成形を行っている。第１金型１００は、第１金型片１０１及び第２金型片１０２が組み合わされることにより構成されている。第１金型片１０１は、例えば有底四角筒状をなしている。第２金型片１０２は、例えば四角板状をなしている。第１金型片１０１の開口部と第２金型片１０２とを上下方向から合わせることによって、第１金型１００内に第１封止樹脂部３２を成形するための第１キャビティＣＶ１を形成している。第１金型片１０１の内底面には、ヒートスプレッダ３３を第１金型片１０１に対して位置決めするための凹み１０３が形成されている。第１成形工程において、凹み１０３の底面には、ヒートスプレッダ３３の露出面３５が当接する。第１金型片１０１の凹み１０３の側面と凹み１０３に嵌るヒートスプレッダ３３の側面との間は、第１キャビティＣＶ１ではない。第１金型片１０１の側面には、第１キャビティＣＶ１に溶融樹脂を流し込むための流入口１０４が形成されている。流入口１０４は、第１金型片１０１の側面の内外を貫通する通路である。流入口１０４は、第１金型片１０１の側面における第２金型片１０２側の端縁に形成されている。第１金型１００の型締めが行われる前の状態では、第１金型片１０１の軸方向において、第１金型片１０１の内側面の長さは、放熱部３１の長さよりも短くかつヒートスプレッダ３３の長さよりも長く設定されている。

第１成形工程では、各ヒートスプレッダ３３における露出面３５と反対側の面に半田３４を溶着することで放熱部３１を構成している。凹み１０３の底面に露出面３５が当接するように、第１金型片１０１の内底面に放熱部３１を配置する。第１金型片１０１の内底面にヒートスプレッダ３３を配置した状態で、第１金型片１０１の開口部に蓋をするように第２金型片１０２を配置する。そして、第１金型片１０１と第２金型片１０２とを近接させることによって、第１金型１００の型締めを行う。型締めに伴う応力が半田３４に作用することによって、第１金型片１０１の内底面と第２金型片１０２の内面との間でヒートスプレッダ３３及び半田３４が挟み込まれる際には、ヒートスプレッダ３３の剛性よりも半田３４の剛性の方が低いことから、ヒートスプレッダ３３よりも先に半田３４が潰されることになる。この際、半田３４は、ヒートスプレッダ３３と第１金型片１０１の内底面の間の間隙を吸収することから、露出面３５は第１金型片１０１の内底面により確実に当接する。このように第１金型１００の型締めが行われた後、第１金型片１０１の流入口１０４から第１キャビティＣＶ１内に溶融樹脂を流し込む。第１キャビティＣＶ１内に流し込まれた溶融樹脂が固化することによって、放熱部３１が第１封止樹脂部３２によって封止されたアッシー３０が成形される。これにより、各ヒートスプレッダ３３の露出面３５を同一平面上に揃えたアッシー３０を成形することが可能となる。成形されたアッシー３０は、第１金型１００から取り外されて、その後の工程に用いられる。

図５のフローチャートに示すように、第１成形工程の実行後、アッシー３０をリードフレーム２０に対して組み付ける組付工程が実行される（ステップＳ２）。接続部２３とアッシー３０の各半田３４との間に半導体素子１０が位置した状態で、半田３４を溶着することによってアッシー３０をリードフレーム２０に対して組み付ける。この際、第１封止樹脂部３２の四角孔３６には、それら半導体素子群の端子１１が嵌め込まれる。

図５のフローチャートに示すように、組付工程の実行後、半導体素子１０、リードフレーム２０、及びアッシー３０を封止する第２封止樹脂部４０を成形する第２成形工程を実行する（ステップＳ３）。

図７に示すように、第２成形工程では、第２金型１１０を用いて成形を行っている。第２金型１１０は、第３金型片１１１及び第４金型片１１２が組み合わされることにより構成されている。第３金型片１１１及び第４金型片１１２は、例えば有底四角筒状をなしている。第２金型１１０では、第３金型片１１１の開口部と第４金型片１１２の開口部とを上下方向から合わせることによって、第２金型１１０内に第２封止樹脂部４０を成形するための第２キャビティＣＶ２を形成している。第３金型片１１１の内底面には、アッシー３０を第３金型片１１１に対して位置決めするための凹み１１３が形成されている。第１金型片１０１の凹み１０３の深さと第３金型片１１１の凹み１１３の深さとは同一に設定されている。第２成形工程において、凹み１１３の底面にはヒートスプレッダ３３の露出面３５が当接する。第３金型片１１１の凹み１１３の側面と凹み１１３に嵌るヒートスプレッダ３３の側面との間は、第２キャビティＣＶ２ではない。第４金型片１１２の側面には、第２キャビティＣＶ２に溶融樹脂を流し込むための流入口１１４が形成されている。流入口１１４は、第４金型片１１２の側面の内外を貫通する通路である。流入口１１４は、第４金型片１１２の側面において第３金型片１１１側の部分に形成されている。第３金型片１１１と第４金型片１１２とが並ぶ方向において、流入口１１４は、リードフレーム２０よりもアッシー３０と反対側の位置に形成されている。第３金型片１１１の側面には、第３金型片１１１の側面の内外を貫通する通路であるリード孔１１５が形成されている。第３金型片１１１と第４金型片１１２とが組み合わされる方向である上下方向において、第３金型片１１１の内底面と第４金型片１１２の内底面との間の長さは、アッシー３０及びリードフレーム２０の厚さよりも大きく設定されている。また、第３金型片１１１の内底面は、第１金型片１０１の内底面よりも一回り大きく設定されている。

第２成形工程では、凹み１１３の底面に各ヒートスプレッダ３３の露出面３５が当接するように、第３金型片１１１の内底面にアッシー３０を配置する。この際、第３金型片１１１は一回り大きく設定されていることから、アッシー３０の第１封止樹脂部３２の側面と第３金型片１１１の側面との間には隙間Ｓが形成されている。隙間Ｓは、溶融樹脂の粘度との関係で入り込みにくくなる程度の小さな隙間となるように設定されている。リードフレーム２０は、アッシー３０と重なる部分及びその近傍の部分が第３金型片１１１内に配置されて、残りの部分はリード孔１１５を通じて第３金型片１１１の外側に出されている。第３金型片１１１と第４金型片１１２とを近接させることによって第２金型１１０の型締めが行われた後、第４金型片１１２の流入口１１４から第２キャビティＣＶ２内に溶融樹脂を流し込む。第１成形工程で第１キャビティＣＶ１に流し込まれる溶融樹脂は、第２成形工程で第２キャビティＣＶ２に流し込まれる溶融樹脂と同一材料からなる樹脂である。第２キャビティＣＶ２内に流し込まれた溶融樹脂が固化することによって、半導体素子１０、リードフレーム２０、及びアッシー３０を封止する第２封止樹脂部４０が成形される。

このように、第１成形工程、組付工程、及び第２成形工程を経ることによって、半導体装置１を製造している。
本実施形態の作用及び効果を説明する。

（１）互いに異なる成形タイミングで成形された第１封止樹脂部３２と第２封止樹脂部４０とを有するように、第１成形工程と第２成形工程とを実行している。とくに、第１封止樹脂部３２を成形する第１成形工程では、第１金型１００の内底面に各ヒートスプレッダ３３の露出面３５を当接させることを成形の目的とすることができるため、各ヒートスプレッダ３３の露出面３５を同一平面上に揃えたアッシー３０を成形することが可能となる。したがって、第１成形工程だけでなく、第２封止樹脂部４０を成形する第２成形工程においても、第２金型１１０の内底面に対して各ヒートスプレッダ３３の露出面３５と各金型の内底面との間に溶融樹脂が流れ込むことを抑制できる。これにより、各ヒートスプレッダ３３の露出面３５に樹脂ばりが形成されることを抑制することができる。

（２）第１金型１００の内底面には各ヒートスプレッダ３３を第１金型片１０１に対して位置決めするための凹み１０３が形成されている。第１成形工程において、各ヒートスプレッダ３３の露出面３５が凹み１０３に嵌っていることにより、第１キャビティＣＶ１内に流し込まれた溶融樹脂が露出面３５と第１金型片１０１の凹み１０３の底面に到るまでの距離を長くとることができる。また、第２金型１１０の内底面にはアッシー３０を第３金型片１１１に対して位置決めするための凹み１１３が形成されている。第２成形工程において、各ヒートスプレッダ３３の露出面３５が凹み１１３に嵌っていることにより、第２キャビティＣＶ２内に流し込まれた溶融樹脂が露出面３５と第３金型片１１１の凹み１１３の底面に到るまでの距離を長くとることができる。各キャビティに流し込まれた溶融樹脂が漏れたとしても、各凹みの側面と各ヒートスプレッダ３３の側面との間がある分、各凹みの底面と各ヒートスプレッダ３３の露出面３５との間に到ることを抑制できる。このため、各ヒートスプレッダ３３の露出面３５に樹脂ばりが形成されることをさらに抑制することができる。

（３）第１成形工程の成形時では、型締めに伴う応力で半田３４が潰される。半田３４は、半田３４が溶着されるヒートスプレッダ３３の面と第１金型１００の第２金型片１０２の内底面との間隙を吸収することから、露出面３５は第１金型１００の第１金型片１０１の内底面により確実に当接する。したがって、各ヒートスプレッダ３３の露出面３５を同一平面上に揃えたアッシー３０を成形することが可能となる。

（４）第２金型１１０の第４金型片１１２に設けられている流入口１１４は、第２金型１１０の内部に配置されたリードフレーム２０よりも上方に位置している。このため、流入口１１４から流入される溶融樹脂の注入圧力は、リードフレーム２０の上面から下面へ向かう方向に作用する。この溶融樹脂の注入圧力は、アッシー３０を第３金型片１１１の内底面に押し付ける方向に作用することになるから、各ヒートスプレッダ３３の露出面３５と第２金型１１０の第３金型片１１１の内底面との間に溶融樹脂が流れ込むことを抑制できる。

（５）組付工程は、第１成形工程後としている。したがって、組付工程後に、各ヒートスプレッダの露出面を金型の内面に押し付けつつ封止樹脂部が成形される成形工程を行う場合に比べて、半導体素子１０やリードフレーム２０に型締めに伴う応力が作用して悪影響を及ぼすことがない。

（６）ヒートスプレッダ３３の露出面３５に樹脂ばりが形成されることを抑制できるため、露出面３５を露出させるようにテープ等によりマスキングをする工程や、研磨加工を行う工程を追加する必要がなく、製造工程の簡略化に貢献できる。

上記実施形態は次のように変更してもよい。また、以下の他の実施形態は、技術的に矛盾しない範囲において、互いに組み合わせることができる。
・第１金型１００は、３つ以上の金型片によって構成されていてもよい。また、第２金型１１０は、３つ以上の金型片によって構成されていてもよい。

・第１金型１００を構成する金型片の形状は適宜変更可能である。例えば、第１金型片１０１は有底円筒状をなしていてもよい。この場合、第１金型１００の形状に対応して、第１封止樹脂部３２は略円柱形状をなすことになる。

・第２金型１１０を構成する金型片の形状は適宜変更可能である。例えば、第３金型片１１１及び第４金型片１１２は有底円筒状をなしていてもよい。この場合、第２金型１１０の形状に対応して、第２封止樹脂部４０は略円柱形状をなすことになる。

・半導体素子１０の数とヒートスプレッダ３３の数との対応関係は、一対一の関係でなくてもよい。半導体素子１０の数がヒートスプレッダ３３の数よりも多くてもよいし、少なくてもよい。また、第２封止樹脂部４０から露出する半導体素子１０の端子１１の数も適宜変更可能である。

・放熱部３１は、半田３４を有していたが、これに限らず、ヒートスプレッダ３３とリードフレーム２０とを接続できるものであればどのようなものであってもよい。すなわち、放熱部３１は少なくともヒートスプレッダ３３を有していればよい。

・リードフレーム２０、ヒートスプレッダ３３、半田３４、及び半導体素子１０の形状は適宜変更可能である。また、リードフレーム２０に対する放熱部３１の接続部位は適宜変更可能であり、例えばリードフレーム２０のリード部２１における段差部２２の設けられていない部分であってもよい。また、リードフレーム２０に対する半導体素子１０の接続部位は適宜変更可能であり、例えば、リードフレーム２０に対して放熱部３１が接続される面の反対側の面であってもよい。

・ヒートスプレッダ３３の露出面３５は、第１封止樹脂部３２の表面よりも突出していたが、これらは同一平面上に位置していてもよい。これに伴って、第１金型１００の第１金型片１０１の内底面には凹み１０３が形成されていなくてもよいし、第２金型１１０の第３金型片１１１の内底面には凹み１１３が形成されていなくてもよい。

・第２封止樹脂部４０の第２部分４２は、第１封止樹脂部３２の側面の全周にわたって形成していたが、これを第１封止樹脂部３２の側面の一部を封止するものとしてもよい。
・第１成形工程で第１キャビティＣＶ１に流し込まれる溶融樹脂と、第２成形工程で第２キャビティＣＶ２に流し込まれる溶融樹脂とは異なっていてもよい。

・半導体素子１０は、ＭＯＳＦＥＴに限らない。例えば、バイポーラトランジスタであってもよい。
・半導体装置１は、パワーモジュールに限らない。半導体装置１は、半導体素子１０等の電子部品からの放熱効率を高める必要のあるものであればどのような半導体装置であってもよい。

１…半導体装置、１０…半導体素子、１１…端子、２０…リードフレーム、２１…リード部、２２…段差部、２３…接続部、２４…傾斜部、３０…アッシー、３１…放熱部、３２…第１封止樹脂部、３３…ヒートスプレッダ、３４…半田、３５…露出面、３６…四角孔、４０…第２封止樹脂部、４１…第１部分、４２…第２部分、１００…第１金型、１０１…第１金型片、１０２…第２金型片、１０３…凹み、１０４…流入口、１１０…第２金型、１１１…第３金型片、１１２…第４金型片、１１３…凹み、１１４…流入口、１１５…リード孔、ＣＶ１…第１キャビティ、ＣＶ２…第２キャビティ、Ｓ…隙間。

Claims (4)

1. 半導体素子と、
   前記半導体素子が実装されているリードフレームと、
   前記リードフレームに対してヒートスプレッダを有する放熱部が複数組み付けられているとともに前記放熱部が第１封止樹脂部によって封止されているアッシーと、
   前記半導体素子、前記リードフレーム、及び前記アッシーを封止する第２封止樹脂部とを備え、
   前記ヒートスプレッダは、前記第１封止樹脂部及び前記第２封止樹脂部から露出する露出面を有し、
   前記第２封止樹脂部は、前記第１封止樹脂部の外周に位置している半導体装置。
2. 前記ヒートスプレッダの前記露出面は、前記第１封止樹脂部の表面よりも突出している請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記放熱部は、前記ヒートスプレッダにおける前記露出面と反対側の面に溶着されている半田を有している請求項１または２に記載の半導体装置。
4. 請求項１〜３のいずれか一項に記載の半導体装置の製造方法であって、
   第１金型の内面に前記ヒートスプレッダの前記露出面が当接するように前記第１金型内に前記放熱部を配置した状態で前記第１金型内に溶融樹脂を充填することで前記放熱部が前記第１封止樹脂部にて封止された前記アッシーを成形する第１成形工程と、
   前記アッシーを前記リードフレームに対して組み付ける組付工程と、
   第２金型内に前記半導体素子、前記リードフレーム、及び前記アッシーを配置した状態で前記第２金型内に溶融樹脂を充填することで前記半導体素子、前記リードフレーム、及び前記アッシーを封止する前記第２封止樹脂部を成形する第２成形工程とを備えている半導体装置の製造方法。