JP2020191367A - 半導体装置 - Google Patents

Abstract

【課題】半導体素子の角部における温度上昇を抑制する。【解決手段】電極１２ａを有する半導体素子１２と、半導体素子１２を封止する封止体と、封止体の内部において、半導体素子１２の電極１２ａに接合された導体板とを備える。半導体素子１２は、少なくとも一つの開口２８ａを有する保護膜２８をさらに有する。電極１２ａは、保護膜２８の少なくとも一つの開口２８ａにおいて露出されている。導体板は、保護膜２８の少なくとも一つの開口２８ａを通じて電極１２ａに接合された接合面を有し、接合面は、円弧状に湾曲する複数の角部１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３、１４ｃ４を有する。保護膜２８の開口２８ａは、接合面の複数の角部に対向する各位置に、円弧状に湾曲する角部２８ｃ１、２８ｃ２、２８ｃ３、２８ｃ４を有する。保護膜２８の開口２８ａの各角部の曲率半径は、それに対向する接合面の各角部の曲率半径以上である。【選択図】図４

Description

本明細書が開示する技術は、半導体装置に関する。

特許文献１には、半導体装置が開示されている。この半導体装置は、半導体素子と、半導体素子を封止する封止体と、その封止体の内部において半導体素子の電極に接合された導体板（例えば導体スペーサ）を備える。半導体素子は、保護膜を有しており、半導体素子の電極はその保護膜の開口において露出されている。導体スペーサは、半導体素子の電極に接続された電気回路の一部を構成するとともに、半導体素子の熱を外部へ放熱するための放熱経路の一部を構成する。

特開２０１７−１３９４２７号公報

上記のような半導体装置では、半導体装置の内部応力を緩和することを目的として、導体スペーサの側面の角部にＲ面加工を施すことが考えられる。しかしながら、導体スペーサの側面にＲ面加工を施すと、半導体素子の電極に接合される導体スペーサの接合面でも、各々の角部が円弧状に湾曲することになり、その面積が縮小する。その結果、導体スペーサの接合面が、半導体素子の電極（特に、電極の各角部）を完全に覆うことができなくなり、その位置で半導体素子の温度を意図せず上昇させるおそれがある。本明細書では、このような問題を解決、又は少なくとも低減し得る技術を提供する。

本明細書が開示する半導体装置は、電極を有する半導体素子と、半導体素子を封止する封止体と、封止体の内部において、半導体素子の電極に接合された導体板とを備える。半導体素子は、少なくとも一つの開口を有する保護膜をさらに有し、電極は、保護膜の少なくとも一つの開口において露出されている。導体板は、保護膜の少なくとも一つの開口を通じて電極に接合された接合面を有し、接合面は、複数の角部を有するとともに、その複数の角部の各々は、円弧状に湾曲しており、保護膜の開口は、接合面の複数の角部に対向する各位置に、円弧状に湾曲する角部を有しており、保護膜の開口の各角部の曲率半径は、それに対向する接合面の角部の曲率半径以上である。

上記した半導体装置では、保護膜の開口は、接合面の複数の角部に対向する各位置に、円弧状に湾曲する角部を有し、保護膜の開口の各角部の曲率半径は、それに対向する導体板の接合面の角部の曲率半径以上である。このような構成によると、保護膜の開口から露出する電極の全体（特に、電極の各角部まで）を、導体スペーサによって覆うことができる。これにより、電極の全体から導体スペーサを介して放熱を行うことができ、例えば電極の角部における局所的な温度上昇を抑制することができる。

実施例の半導体装置１０を示す平面図。 図１のＩＩ−ＩＩ線における断面図。 半導体装置１０の回路構造を示す電子回路図。 導体スペーサ１４と半導体素子１２の形状を示す平面図。導体スペーサ１４は破線で図示する。図５、図６についても、図４と同様に導体スペーサ１４を破線で図示する。 導体スペーサ１４の一変形例を示す平面図。 導体スペーサ１４の他の一変形例を示す平面図。

本技術の一実施形態では、保護膜の開口の各角部の曲率半径は、それに対向する導体板の接合面の角部の曲率半径と等しくてもよい。このような構成によると、半導体素子の角部における温度上昇を抑制しつつ、半導体素子の電極面積を比較的に大きく設計することができる。これにより、半導体素子の電極に流れる電流の密度を低減することができる。

上記に代えて、保護膜の開口の各角部の曲率半径は、それに対向する導体板の接合面の角部の曲率半径よりも大きくてもよい。このような構成によると、半導体素子の角部における温度上昇を、より確実に抑制することができる。

本技術の一実施形態では、導体板の接合面の複数の角部の曲率半径は、互いに等しくてもよい。この場合、当該曲率半径は、具体的な値に限定されず、設計上の及び／又は製造上の事情などを考慮して、適宜定めることができる。

上記構成に代えて、導体板の接合面の複数の角部の少なくとも一つの曲率半径は、接合面の複数の角部の他の少なくとも一つの曲率半径と異なっていてもよい。この場合であっても、各角部の曲率半径は、具体的な値に限定されず、設計上の及び／又は製造上の事情などを考慮して、適宜定めることができる。

本技術の一実施形態では、導体板の接合面は、はんだ層を介して、半導体素子の電極に接合されていてもよい。但し、他の実施形態として、導体板の接合面は、はんだ層に限定されず、導電性を有する他の種類の接合層を介して、半導体素子の電極に接合されてもよい。この種の接合層としては、例えば高耐熱接合材を用いた接合層であって、銀焼結層又はＴＬＰボンディング（Transient Liquid Phase Diffusion Bonding）層等が挙げられる。

図面を参照して、実施例の半導体装置１０について説明する。半導体装置１０は、電源と負荷との間で電力供給を制御する電力制御装置に採用され、例えばインバータやコンバータといった電力変換回路の一部を構成することができる。ここでいう電力制御装置は、例えば電気自動車、ハイブリッド自動車、燃料電池車等に搭載されることができる。

図１に示すように、半導体装置１０は、半導体素子１２と複数の電力端子２２及び複数の信号端子２６と封止体２０を備える。半導体素子１２は、封止体２０の内部に封止されている。複数の電力端子２２及び複数の信号端子２６は、封止体２０から外部に亘って延びており、封止体２０の内部において、半導体素子１２に電気的に接続されている。ここで、封止体２０は、絶縁性の材料を用いて構成されている。封止体２０は、例えばエポキシ樹脂といった熱硬化性樹脂を採用することができる。封止体２０は、概して板形状を有しており、第１主表面２０ａと、第１主表面２０ａの反対側に位置する第２主表面２０ｂを有している。

図２、３、４を参照して、半導体素子１２について説明する。半導体素子１２は、パワー半導体素子であって、半導体基板と、複数の電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃとを有する。複数の電極１２ａ、１２ｂ、１２ｃには、電力回路に接続される第１主電極１２ａ及び第２主電極１２ｂと、信号回路に接続される複数の信号電極１２ｃとが含まれる。特に限定されないが、半導体素子１２はスイッチング素子であり、第１主電極１２ａと第２主電極１２ｂとの間を導通及び遮断することができる。第１主電極１２ａ及び複数の信号電極１２ｃは、半導体基板の一方の表面に位置しており、第２主電極１２ｂは、半導体基板の他方の表面に位置している。半導体素子１２の半導体基板を構成する材料には、例えばケイ素（Ｓｉ）、炭化ケイ素（ＳｉＣ）、窒化ガリウム（ＧａＮ）又は他の種類のバンドギャップが大きい半導体（ワイドギャップ半導体とも称される）材料を採用することができる。

本実施例における半導体素子１２は、一例ではあるが、ＩＧＢＴ（Insulated Gate Bipolar Transistor）構造１２ｅを有している。第１主電極１２ａは、ＩＧＢＴ構造１２ｅのエミッタに接続されており、第２主電極１２ｂは、ＩＧＢＴ構造１２ｅのコレクタに接続されており、信号電極１２ｃは、ＩＧＢＴ構造１２ｅのゲートに接続されている。加えて、半導体素子１２は、ＩＧＢＴ構造１２ｅと並列に接続されたダイオード構造１２ｆを有している。第１主電極１２ａは、ダイオード構造１２ｆのアノードに接続されており、第２主電極１２ｂは、ダイオード構造１２ｆのカソードに接続されている。上記したように、半導体素子１２は、いわゆるＲＣ−ＩＧＢＴ（Reverse-conducting IGBT）構造を有しており、半導体基板においてＩＧＢＴ構造１２ｅとダイオード構造１２ｆを交互に繰り返し有する。但し、半導体素子１２は、ＲＣ−ＩＧＢＴ構造に限られず、他のスイッチング素子の構造を有していてもよい。なお、他の実施形態として、半導体素子１２は、ＭＯＳＦＥＴ（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）構造を有してもよい。この場合、第１主電極１２ａは、ＭＯＳＦＥＴ構造のソースに接続され、第２主電極１２ｂは、ＭＯＳＦＥＴ構造のドレインに接続され、信号電極１２ｃは、ＭＯＳＦＥＴ構造のゲートに接続されている。

図４に示すように、半導体素子１２は、第１主電極１２ａと同じ側に、保護膜２８を備える。保護膜２８は絶縁性を有する樹脂材料であって、例えばポリイミドなどを用いて構成される。保護膜２８は、半導体素子１２の耐圧を維持する機能、及び半導体素子１２に異物が接触することを防止する機能を有する。保護膜２８は、半導体素子１２の外周縁に沿って枠状に伸びており、第１主電極１２ａの周囲を取り囲んでいる。言い換えると、保護膜２８は、複数（本実施例では二つ）の開口２８ａを有しており、その開口２８ａにおいて、第１主電極１２ａが露出される。また、開口２８ａは、複数の開口角部を有している。複数の開口角部には、第１の開口角部２８ｃ１と、第２の開口角部２８ｃ２と、第３の開口角部２８ｃ３と、第４の開口角部２８ｃ４が含まれる。第１の開口角部２８ｃ１、第２の開口角部２８ｃ２、第３の開口角部２８ｃ３、及び第４の開口角部２８ｃ４は、それぞれ所定の曲率半径で円弧状に湾曲している。ここで、第１主電極１２ａは、本明細書が開示する電極の一例である。

半導体装置１０は、第１放熱板１６及び第２放熱板１８を備える。第１放熱板１６及び第２放熱板１８は、封止体２０によって、半導体素子１２と一体に封止される。第１放熱板１６及び第２放熱板１８は、半導体素子１２を挟んで対向する。第１放熱板１６は、封止体２０の第２主表面１６ｂにおいて露出されており、第２放熱板１８は、封止体２０の第２主表面２０ｂにおいて露出されている。第１放熱板１６及び第２放熱板１８は、封止体２０の内部において、半導体素子１２と電気的及び熱的に接続されている。これにより、第１放熱板１６、第２放熱板１８は、半導体素子１２の第１主電極１２ａ、第２主電極１２ｂにそれぞれ接続された電気回路の一部を構成するとともに、半導体素子１２の熱を外部へ放熱する放熱板として機能する。

半導体装置１０は、導体スペーサ１４を備える。導体スペーサ１４は、封止体２０の内部において、半導体素子１２と第２放熱板１８との間に介挿されており、半導体素子１２の保護膜２８の開口２８ａに露出された第１主電極１２ａを覆っている。導体スペーサ１４は、半導体素子１２と電気的及び熱的に接続されている。従って、上記した第２放熱板１８は、導体スペーサ１４を介して半導体素子１２と電気的及び熱的に接続されている。これにより、導体スペーサ１４は、半導体素子１２の第１主電極１２ａに接続された電気回路の一部を構成するとともに、半導体素子１２の熱を外部へ放熱するための放熱経路の一部を構成する。ここで、導体スペーサ１４は、本明細書が開示する導体板の一例である。この導体板は導体スペーサ１４のように第２放熱板１８とは別体の部材であってもよいし、導体スペーサ１４が第２放熱板１８と一体に形成された部材であってもよい。

以下に、第１放熱板１６と、第２放熱板１８と、導体スペーサ１４の具体的な構成について説明する。第１放熱板１６及び第２放熱板１８は、概して板形状を有し、銅又は他の金属を用いて形成されている。第１放熱板１６は、第１主表面１６ａと、第１主表面１６ａの反対側に位置する第２主表面１６ｂを有している。第１放熱板１６の第１主表面１６ａは、半導体素子１２の第２主電極１２ｂにはんだ層３０を介して接合される。第１放熱板１６の第２主表面１６ｂは、封止体２０の第２主表面２０ｂにおいて、外部に露出される。第２放熱板１８は、第１主表面１８ａと、第１主表面１８ａの反対側に位置する第２主表面１８ｂを有している。第２放熱板１８の第１主表面１８ａは、封止体２０の第１主表面２０ａにおいて、外部に露出される。第２放熱板１８の第２主表面１８ｂは、導体スペーサ１４の第１主表面１４ａにはんだ層３４を介して接合される。なお、一例ではあるが、第２放熱板１８の第２主表面１８ｂには、余剰なはんだを受け入れるはんだ溝１８ｃが設けられていてもよい。

導体スペーサ１４は、概してブロック形状又は板形状を有し、銅又は他の金属を用いて形成されている。導体スペーサ１４は、第１主表面１４ａと、第１主表面１４ａの反対側に位置する第２主表面１４ｂと、第１主表面１４ａと第２主表面１４ｂとの間に隣接する側面１４ｓを有する。導体スペーサ１４の第１主表面１４ａは、第２放熱板１８の第２主表面１８ｂにはんだ層３４を介して接合される。導体スペーサ１４の第２主表面１４ｂは、半導体素子１２の第１主電極１２ａにはんだ層３２を介して接合される。より具体的には、導体スペーサ１４の第２主表面１４ｂは、保護膜２８の開口２８ａを通じて、半導体素子１２の第１主電極１２ａに接合されている。ここで、導体スペーサ１４の第２主表面１４ｂは、本明細書が開示する導体板の接合面の一例である。

なお、導体スペーサ１４の第２主表面１４ｂは、はんだ層に限定されず、導電性を有する他の種類の接合層を介して、半導体素子１２の第１主電極１２ａに接合されてもよい。この種の接合層としては、例えば高耐熱接合材を用いた接合層であって、銀焼結層又はＴＬＰボンディング（Transient Liquid Phase Diffusion Bonding）層等が挙げられる。他の接合（第１放熱板１６及び半導体素子１２の間と、導体スペーサ１４及び第２放熱板１８の間との接合）についても、半導体素子１２及び導体スペーサ１４との間の接合と同様に構成されていてもよい。

導体スペーサ１４は、側面１４ｓにおいて、複数の角部を有しており、これらの角部は湾曲している。ここで、この側面１４ｓにおける湾曲した角部は、一例ではあるが、Ｒ面加工を施すことによって形成されている。その結果、側面１４ｓに隣接している第２主表面１４ｂについても、同様に湾曲した複数の角部１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３、１４ｃ４を有する。第２主表面１４ｂの複数の角部１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３、１４ｃ４には、第１の角部１４ｃ１と、第２の角部１４ｃ２と、第３の角部１４ｃ３と、第４の角部１４ｃ４が含まれる。第２主表面１４ｂの複数の角部１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３，１４ｃ４の各々は、それぞれ所定の曲率半径で円弧状に湾曲している。

上述したように、導体スペーサ１４は、半導体素子１２の保護膜２８の開口２８ａに露出された第１主電極１２ａを覆っている。また、保護膜２８の開口２８ａは湾曲した複数の開口角部２８ｃ１、２８ｃ２、２８ｃ３、２８ｃ４を有している。導体スペーサ１４の第２主表面１４ｂにおいて、第１の角部１４ｃ１は、第１の開口角部２８ｃ１に対向し、第２の角部１４ｃ２は、第２の開口角部２８ｃ２に対向し、第３の角部１４ｃ３は、第３の開口角部２８ｃ３に対向し、第４の角部１４ｃ４は、第４の開口角部２８ｃ４に対向する。なお、これらの保護膜２８の開口２８ａの各開口角部２８ｃ１、２８ｃ２、２８ｃ３、２８ｃ４の曲率半径は、それに対向する第２主表面１４ｂの角部１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３，１４ｃ４の曲率半径以上である。

上述したように、本実施例の半導体装置１０では、半導体装置１０の内部応力を緩和することを目的として、導体スペーサ１４の側面１４ｓの角部にＲ面加工が施されている。しかしながら、導体スペーサ１４の側面１４ｓにＲ面加工を施すと、半導体素子１２の第１主電極１２ａに接合される導体スペーサ１４の接合面（即ち、第２主表面１４ｂ）でも、各々の角部１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３、１４ｃ４が円弧状に湾曲することになり、その面積が縮小する。その結果、導体スペーサ１４の接合面が、半導体素子１２の第１主電極１２ａ（特に、当該電極１２ａの各角部）を完全に覆うことができなくなり、その位置で半導体素子１２の温度を意図せず上昇させるおそれがある。

上記課題を解決又は低減するために、保護膜２８の開口２８ａは、導体スペーサ１４の第２主表面１４ｂの複数の角部１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３、１４ｃ４に対向する各位置に、円弧状に湾曲する開口角部２８ｃ１、２８ｃ２、２８ｃ３、２８ｃ４を有し、保護膜２８の各開口角部２８ｃ１、２８ｃ２、２８ｃ３、２８ｃ４の曲率半径は、それに対向する導体スペーサ１４の第２主表面１４ｂの角部１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３、１４ｃ４の曲率半径以上に設計されている。このような構成によると、保護膜２８の開口２８ａから露出する第１主電極１２ａの全体（特に、第１主電極１２ａの各開口角部２８ｃ１、２８ｃ２、２８ｃ３、２８ｃ４まで）を、導体スペーサ１４によって覆うことができる。これにより、例えば第１主電極１２ａの角部における局所的な温度上昇を抑制することができる。

この保護膜２８の各開口角部２８ｃ１、２８ｃ２、２８ｃ３、２８ｃ４の曲率半径と、導体スペーサ１４の第２主表面１４ｂの角部１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３、１４ｃ４の曲率半径は、具体的な値に限定されず、設計上の及び／又は製造上の事情などを考慮して、適宜定めることができる。本実施例で図示したように、保護膜２８の開口２８ａの各開口角部２８ｃ１、２８ｃ２、２８ｃ３、２８ｃ４の曲率半径は、それに対向する導体スペーサ１４の第２主表面１４ｂの角部１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３、１４ｃ４の曲率半径と等しくてもよい。このような構成によると、半導体素子１２の第１主電極１２ａの角部における温度上昇を抑制しつつ、半導体素子１２の第１主電極１２ａの面積を比較的に大きく設計することができる。これにより、半導体素子１２の第１主電極１２ａに流れる電流の密度を低減することができる。さらに、保護膜２８の開口角部２８ｃ１、２８ｃ２、２８ｃ３、２８ｃ４の曲率半径と、導体スペーサ１４の第２主表面１４ｂの曲率半径とをそれぞれ適宜変更することで、導体スペーサ１４の形状は様々に変更することができる。導体スペーサ１４の一変形例について、図５、図６を参照して説明する。

図５に示すように、保護膜２８の開口２８ａの各開口角部２８ｃ１、２８ｃ２、２８ｃ３、２８ｃ４の曲率半径は、それに対向する導体スペーサ１４の第２主表面１４ｂの角部１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３、１４ｃ４の曲率半径よりも大きくてもよい。このような構成によると、半導体素子１２の角部における温度上昇を、より確実に抑制することができる。また、図４、図５に示すように、導体スペーサ１４の第２主表面１４ｂの複数の角部１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３、１４ｃ４の曲率半径は、互いに等しくてもよい。

あるいは、図６に示すように、導体スペーサ１４の第１の角部１４ｃ１及び第２の角部１４ｃ２の曲率半径は、第２主表面１４ｂの第３の角部１４ｃ３及び第４の角部１４ｃ４の曲率半径と異なっていてもよい。但し、これに限定されず、導体スペーサ１４の第２主表面１４ｂの複数の角部１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３、１４ｃ４の少なくとも一つの曲率半径が、第２主表面１４ｂの複数の角部１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３、１４ｃ４の他の少なくとも一つの曲率半径と異なっていてよい。

本実施例の半導体装置１０では、導体スペーサ１４は、半導体素子１２の保護膜２８によって露出される第１主電極１２ａの全体（第１主電極１２ａの各角部まで）を覆っている。しかしながら、導体スペーサ１４が、第１主電極１２ａの全体を必ずしも完全に覆う必要はない。例えば本実施例の半導体素子１２はＲＣ−ＩＧＢＴ構造を有しており、半導体素子１２の半導体基板には、ＩＧＢＴ構造１２ｅとダイオード構造１２ｆとがストライプ状に繰り返し形成されている。ここで、ダイオード構造１２ｆにおける発熱量は、ＩＧＢＴ構造１２ｅにおける発熱量よりも少ないので、ダイオード構造１２ｆの上方には、導体スペーサ１４が必ずしも存在しなくてもよい。従って、保護膜２８の開口２８ａを平面視したときに、開口２８ａの一端又は両端には、ダイオード構造１２ｆが設けられているとよい。このような構成によると、半導体装置１０の製造時において、導体スペーサ１４が意図せず位置ずれしたとしても、少なくとも発熱量の多いＩＧＢＴ構造１２ｅの部分に対しては、その上方に導体スペーサ１４を配置することができる。これにより、半導体素子１２の温度上昇を実質的に抑制することができる。

本実施例の半導体装置１０では、半導体素子１２の保護膜２８は、第１主電極１２ａを露出する二つの開口２８ａを有している。但し、これに限定されず、保護膜２８は、少なくとも一つの開口２８ａを有していればよい。

本実施例の半導体装置１０は、一つの半導体素子１２を備えているが、半導体素子１２の具体的な数については限定されない。半導体装置１０は、例えば二以上の半導体素子１２を備えていてもよい。

以上、本明細書が開示する技術の具体例を詳細に説明したが、これらは例示に過ぎず、特許請求の範囲を限定するものではない。特許請求の範囲に記載の技術には、以上に例示した具体例を様々に変形、変更したものが含まれる。本明細書、又は、図面に説明した技術要素は、単独で、あるいは各種の組合せによって技術的有用性を発揮するものであり、出願時の請求項に記載の組合せに限定されるものではない。本明細書又は図面に例示した技術は、複数の目的を同時に達成し得るものであり、そのうちの一つの目的を達成すること自体で技術的有用性を持つものである。

１０：半導体装置
１２：半導体素子
１２ａ：第１主電極
１２ｂ：第２主電極
１２ｅ：ＩＧＢＴ構造
１２ｆ：ダイオード構造
１４：導体スペーサ
１４ａ：第１主表面
１４ｂ：第２主表面
１４ｃ１、１４ｃ２、１４ｃ３、１４ｃ４：角部
１４ｓ：側面
１６、１８：放熱板
２０：封止体
２２：電力端子
２６：信号端子
２８：保護膜
２８ａ：開口
２８ｃ１、２８ｃ２、２８ｃ３、２８ｃ４：開口角部
３０、３２、３４：はんだ層

Claims (6)

1. 電極を有する半導体素子と、
   前記半導体素子を封止する封止体と、
   前記封止体の内部において、前記半導体素子の前記電極に接合された導体板と、
   を備え、
   前記半導体素子は、少なくとも一つの開口を有する保護膜をさらに有し、前記電極は、前記保護膜の前記少なくとも一つの開口において露出されており、
   前記導体板は、前記保護膜の前記少なくとも一つの開口を通じて前記電極に接合された接合面を有し、前記接合面は、複数の角部を有するとともに、その複数の角部の各々は、円弧状に湾曲しており、
   前記保護膜の前記開口は、前記接合面の前記複数の角部に対向する各位置に、円弧状に湾曲する角部を有しており、
   前記保護膜の前記開口の各角部の曲率半径は、それに対向する前記接合面の前記角部の曲率半径以上である、
   半導体装置。
2. 前記保護膜の前記開口の各角部の曲率半径は、それに対向する前記接合面の前記角部の曲率半径と等しい、請求項１に記載の半導体装置。
3. 前記保護膜の前記開口の各角部の曲率半径は、それに対向する前記接合面の前記角部の曲率半径よりも大きい、請求項１に記載の半導体装置。
4. 前記接合面の前記複数の角部の曲率半径は、互いに等しい、請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置。
5. 前記接合面の前記複数の角部の少なくとも一つの曲率半径は、前記接合面の前記複数の角部の他の少なくとも一つの曲率半径と異なる、請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体装置。
6. 前記導体板の前記接合面は、はんだ層を介して前記半導体素子の前記電極に接合されている、請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体装置。

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