JP2020191148A - 半導体装置および連続読出し方法 - Google Patents
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Abstract
Description
tARRAY+tECC<tDOUT …(1)
ここで、tARRAYは、メモリセルアレイから選択ページを読み出すために必要な時間、tECCは、1/2ページをECC処理するのに必要な時間、tDOUTは、1ページの全てのデータを出力するのに必要な時間である。tARRAYおよびtECCは、一定の時間であり、tDOUTは、外部クロック信号ExCLKの周波数によって計算される。
tDOUT>tARRAY、tDOUT>tECC …(2)
tARRAY<tDOUT(1ページ)、
tECC<tDOUT(1/2ページ) …(3)
tDOUT(1/2ページ)<tARRAY …(4)、
つまり、tDOUT(1ページ)<tARRAY×2 …(4)
110:メモリセルアレイ
120:入出力回路
130:ECC回路
140:アドレスレジスタ
150:コントローラ
160:ワード線選択回路
170:ページバッファ/センス回路
180:列選択回路
190:内部電圧発生回路
200:周波数検出部
Claims (12)
- NAND型フラッシュメモリの連続読出し方法であって、
外部クロック信号の周波数を検出するステップと、
検出された外部クロック信号の周波数に対応する読出しタイミングに基づきメモリセルアレイからデータを読み出すステップと、
読み出されたデータを保持するステップと、
前記外部クロック信号に同期して保持されたデータを出力するステップと、
を有する連続読出し方法。 - 前記読み出すステップは、外部クロック信号の高速周波数が検出されたとき第1の読出しタイミングで読出し、外部クロック信号の低速周波数が検出されたとき第2の読出しタイミングで読出し、第1の読出しタイミングは第2の読出しタイミングよりも早い、請求項1に記載の連続読出し方法。
- 連続読出し方法はさらに、保持されたデータの誤り検出・訂正をするステップを含み、
第1の読出しタイミングは、tARRAY<tDOUT(1ページ)、tECC<tDOUT(1/2ページ)の制約を規定し、
第2の読出しタイミングは、tARRAY+tECC<tDOUTの制約を規定する(tARRAYは、メモリセルアレイからデータを読み出すための時間、tECCは、1/2ページの誤り検出・訂正のための時間、tDOUTは、1ページを出力するための時間)、請求項1または2に記載の連続読出し方法。 - 前記保持するステップは、メモリセルアレイから読み出したデータを保持する第1のラッチと、第1のラッチから転送された第2のラッチとを含み、
第1および第2のラッチの各々は、独立にデータ転送可能な第1の部分および第2の部分とを含み、第1の部分および第2の部分は、1/2ページのデータを保持可能であり、
第2のラッチの第1の部分のデータが出力される間に、第2のラッチの第2の部分のデータが誤り検出・訂正され、第2のラッチの第2の部分のデータが出力される間に、第2のラッチの第1の部分のデータが誤り検出・訂正される、請求項1ないし3いずれか1つに記載の連続読出し方法。 - 第1の読出しタイミングにおいて、tARRAYは、メモリセルアレイのnページのデータを読み出すための時間であり、tDOUTは、n−1ページの第1の部分のデータとn−2ページの第2の部分のデータを出力するための時間である、請求項3に記載の連続読出し方法。
- NAND型のメモリセルアレイを含む半導体装置であって、
メモリセルアレイからデータを読み出す読出し手段と、
前記読出し手段によって読み出されたデータを保持する保持手段と、
前記保持手段に保持されたデータを外部クロック信号に同期して出力可能な出力手段と、
前記外部クロック信号の周波数を検出する検出手段と、
前記読出し手段を制御する制御手段とを含み、
前記制御手段は、前記検出手段で検出された外部クロック信号の周波数に対応する読出しタイミングで連続読出し時のメモリセルアレイの読出しを制御する、半導体装置。 - 前記制御手段は、前記検出手段により外部クロック信号の高速周波数が検出されたとき第1の読出しタイミングで読出し、外部クロック信号の低速周波数が検出されたとき第2の読出しタイミングで読出し、第1の読出しタイミングは第2の読出しタイミングよりも早い、請求項6に記載の半導体装置。
- 半導体装置はさらに、保持されたデータの誤り検出・訂正をする誤り検出・訂正手段を含み、
第1の読出しタイミングは、tARRAY<tDOUT(1ページ)、tECC<tDOUT(1/2ページ)の制約を規定し、
第2の読出しタイミングは、tARRAY+tECC<tDOUTの制約を規定する(tARRAYは、メモリセルアレイからデータを読み出すための時間、tECCは、1/2ページの誤り検出・訂正のための時間、tDOUTは、1ページを出力するための時間)、請求項6または7に記載の半導体装置。 - 前記保持手段は、メモリセルアレイから読み出したデータを保持する第1のラッチと、第1のラッチから転送された第2のラッチとを含み、
第1および第2のラッチの各々は、独立にデータ転送可能な第1の部分および第2の部分とを含み、第1の部分および第2の部分は、1/2ページのデータを保持可能であり、
第2のラッチの第1の部分のデータが出力される間に、第2のラッチの第2の部分のデータが誤り検出・訂正され、第2のラッチの第2の部分のデータが出力される間に、第2のラッチの第1の部分のデータが誤り検出・訂正される、請求項6ないし8いずれか1つに記載の半導体装置。 - 前記検出手段は、外部クロック信号のクロックパルスをカウントする第1のカウンタと、内部クロック発生器から生成される内部クロック信号のクロックパルスをカウントする第2のカウンタと、第1のカウンタのカウント値および第2のカウンタのカウント値に基づき外部クロック信号が高速か否かを検出する検出部とを含む、請求項6に記載の半導体装置。
- 第1のカウンタは、nビットのバイナリカウンタであり、第2のカウンタは、mビットのバイナリカウンタであり(n>m)、mビットのバイナリカウンタは、nビットのバイナリカウンタがオーバーフローしたときにカウントリセットされ、前記検出部は、mビットのバイナリカウンタのオーバーフローの有無に基づき外部クロック信号の周波数が高速か否かを検出する、請求項10に記載の半導体装置。
- 前記出力手段は、外部クロック信号の立ち上がりエッジおよび立下りエッジに応答してデータを出力する、請求項6に記載の半導体装置。
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