JP2020190031A - 耐摩耗および減摩の作用を有するメッキ層、その調製方法、およびピストンリング - Google Patents
耐摩耗および減摩の作用を有するメッキ層、その調製方法、およびピストンリング Download PDFInfo
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Abstract
Description
(1)基体の表面を洗浄し、洗浄後の基体を得るステップと、
(2)マルチアークイオンプレーティング装置を用いて基体の表面に粘着層を堆積するステップと、
(3)マルチアークイオンプレーティング装置を用いて粘着層の表面に遷移層を堆積するステップと、
(4)マルチアークイオンプレーティング装置を用いて遷移層の表面に勾配層を堆積するステップと、
(5)マルチアークイオンプレーティング装置を用いて勾配層の表面に少なくとも1層の循環層を堆積して機能層を形成し、前記メッキ層を得るステップと、
を含む第2の態様に係るメッキ層の調製方法を提供する。
(a)基体の表面を脱脂して油を除去した後、超音波洗浄を行い、乾燥した後にマルチアークイオンプレーティング装置に入れ、380〜450℃、例えば、385℃、390℃、395℃、400℃、405℃、410℃、415℃、420℃、430℃、440℃、または445℃等に加熱し、5.0×10-3Pa以下、例えば、4.5×10-3Pa、4.3×10-3Pa、4.1×10-3Pa、3.8×10-3Pa、3.5×10-3Pa、3.1×10-3Pa、2.8×10-3Pa、2.5×10-3Pa、2.1×10-3Pa、1.8×10-3Pa、1.5×10-3Pa、0.5×10-3Pa、または0.1×10-3Pa等まで真空引きするステップと、
(b)マルチアークイオンプレーティング装置に純度99.99%のArを通入し、負バイアス電圧−800〜−1200V、例えば、−850V、−900V、−1000V、−1050V、−1100V、または−1150V等で、Arイオン衝撃で基体の表面を洗浄するステップと、を含む。
(1)基体の表面を洗浄し、洗浄後の基体を得るステップであって、前記洗浄は、具体的に、
a.基体の表面を脱脂して油を除去し、超音波でキレイに洗浄し、乾燥した後にマルチアークイオンプレーティング装置に入れ、380〜450℃に加熱し、5.0×10-3Pa以下まで真空引きすることと、
b.マルチアークイオンプレーティング装置に純度99.99%のArを通入し、負バイアス電圧が−800〜−1200Vである場合に、Arイオン衝撃でピストンリングの表面を洗浄することとを含むステップと、
(2)金属Crターゲットを陰極とし、Arを動作反応ガスとし、陰極電流を80〜120Aとし、気圧を1〜2Paとし、基体に負バイアス電圧−17〜−23Vを印加し、基体の表面に粘着層であるCr層を堆積するステップと、
(3)金属Crターゲットを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、陰極電流を80〜120Aとし、気圧を4〜6Paとし、基体に負バイアス電圧−30〜−40Vを印加し、Cr層に遷移層であるCrN層またはCr2N層を堆積するステップと、
(4)金属CrターゲットおよびCrMoを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、気圧を4〜6Paとし、基体に負バイアス電圧−30〜−40Paを印加し、CrMo陰極電流を30〜45Aから40〜55Aまで段階的に増加させ、Mo元素の含有量が増加したCrMoxN層を堆積するステップと、
(5)金属CrターゲットおよびCrMoターゲットを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、気圧を4〜6Paとし、基体に負バイアス電圧−30〜−40Vを印加し、CrMo陰極電流を40〜55Aとし、第1のCrMoxN層を堆積した後、金属CrターゲットおよびCrMoターゲットを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、気圧を4〜6Paとし、基体に負バイアス電圧−30〜−40Vを印加し、CrMo陰極電流を80〜95Aとし、第2のCrMoxN層を堆積するステップと、
(6)プロセス時間が終了するまでステップ(5)を4〜20個の循環周期繰り返し、炉温が150℃よりも低くなると、基体を取り出し、基体の表面に位置するメッキ層を得るステップと、を含み、
ステップ(2)〜ステップ(5)における堆積プロセスの総時間は8〜39hである。
(1)基体1の表面を洗浄し、洗浄後の基体1を得るステップであって、前記洗浄は、具体的に、
(a)基体1(ピストンリングであってもよい)の表面を脱脂して油を除去し、超音波でキレイに洗浄し、乾燥した後にマルチアークイオンプレーティング装置に入れ、380〜450℃に加熱し、5.0×10-3Pa以下まで真空引きすることと、
(b)マルチアークイオンプレーティング装置に純度99.99%のArを通入し、負バイアス電圧が−800〜−1200Vである場合に、Arイオン衝撃でピストンリング表面を洗浄することとを含むステップと、
(2)金属Crターゲットを陰極とし、Arを動作反応ガスとし、陰極電流を80〜120Aとし、気圧を1〜2Paとし、基体1に負バイアス電圧−17〜−23Vを印加し、基体1の表面に粘着層であるCr層を堆積するステップと、
(3)金属Crターゲットを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、陰極電流を80〜120Aとし、気圧を4〜6Paとし、基体1に負バイアス電圧−30〜−40Vを印加し、Cr層に遷移層であるCrN層および/またはCr2N層を堆積するステップと、
(4)金属CrターゲットおよびCrMoを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、気圧を4〜6Paとし、基体1に負バイアス電圧−30〜−40Paを印加し、CrMo陰極電流を30〜45Aから40〜55Aまで段階的に増加させ、Mo元素の含有量が段階的に増加したCrMoxN層を堆積するステップと、
(5)金属CrターゲットおよびCrMoターゲットを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、気圧を4〜6Paとし、基体1に負バイアス電圧−30〜−40Vを印加し、CrMo陰極電流を40〜55Aとし、第1のCrMoxN層5を堆積した後、金属CrターゲットおよびCrMoターゲットを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、気圧を4〜6Paとし、基体1に負バイアス電圧−30〜−40Vを印加し、CrMo陰極電流を80〜95Aとし、第2のCrMoxN層6を堆積するステップと、
(6)プロセス時間が終了するまでステップ(5)を4〜20個の循環周期繰り返し、炉温が150℃よりも低くなると、基体1を取り出し、基体1の表面に位置するメッキ層を得るステップと、を含み、
ここで、ステップ(2)〜ステップ(5)における堆積プロセスの総時間は8〜39hである。
(1)基体1の表面を洗浄し、洗浄後の基体1を得るステップであって、前記洗浄は、具体的に、
(a)基体1(ピストンリングである)の表面を脱脂して油を除去し、超音波でキレイに洗浄し、乾燥した後にマルチアークイオンプレーティング装置に入れ、390℃に加熱し、5.0×10-3Pa以下に真空引きすることと、
(b)マルチアークイオンプレーティング装置に純度99.99%のArを通入し、負バイアス電圧が−900Vである場合に、Arイオン衝撃でピストンリング表面を洗浄することとを含むステップと、
(2)金属Crターゲットを陰極とし、Arを動作反応ガスとし、陰極電流を85Aとし、気圧を1.2Paとし、基体1に負バイアス電圧−19Vを印加し、基体1の表面に粘着層であるCr層を堆積するステップと、
(3)金属Crターゲットを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、陰極電流を85Aとし、気圧を4.2Paとし、基体1に負バイアス電圧−38Vを印加し、Cr層に遷移層であるCrN層を堆積するステップと、
(4)金属CrターゲットおよびCrMoを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、気圧を4.2Paとし、基体1に負バイアス電圧−38Vを印加し、CrMo陰極電流を32Aから42Aまで段階的に増加させ、Mo元素の含有量が段階的に増加したCrMoxN層を堆積するステップと、
(5)金属CrターゲットおよびCrMoターゲットを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、気圧を4.2Paとし、基体1に負バイアス電圧−38Vを印加し、CrMo陰極電流を43Aとし、第1のCrMoxN層5を堆積した後、金属CrターゲットおよびCrMoターゲットを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、気圧を4.2Paとし、基体1に負バイアス電圧−38Vを印加し、CrMo陰極電流を82Aとし、第2のCrMoxN層6を堆積するステップと、
(6)炉温が150℃よりも低くなると、基体1を取り出し、基体1の表面に位置するメッキ層を得、ステップ(2)〜ステップ(5)における堆積プロセスの総時間が8.6hであるステップと、を含む。
(1)基体1の表面を洗浄し、洗浄後の基体1を得るステップであって、前記洗浄は、具体的に、
(a)基体1(ピストンリングであってもよい)の表面を脱脂して油を除去し、超音波でキレイに洗浄し、乾燥した後にマルチアークイオンプレーティング装置に入れ、435℃に加熱し、5.0×10-3Pa以下に真空引きすることと、
(b)マルチアークイオンプレーティング装置に純度99.99%のArを通入し、負バイアス電圧が−1100vである場合に、Arイオン衝撃でピストンリング表面を洗浄することとを含むステップと、
(2)金属Crターゲットを陰極とし、Arを動作反応ガスとし、陰極電流を110Aとし、気圧を1.5Paとし、基体1に負バイアス電圧−22Vを印加し、基体1の表面に粘着層であるCr層を堆積するステップと、
(3)金属Crターゲットを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、陰極電流を110Aとし、気圧を5Paとし、基体1に負バイアス電圧−38Vを印加し、Cr層に遷移層であるCr2N層を堆積するステップと、
(4)金属CrターゲットおよびCrMoを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、気圧を5Paとし、基体1に負バイアス電圧−38Paを印加し、CrMo陰極電流を35Aから53Aまで段階的に増加させ、Mo元素の含有量が段階的に増加したCrMoxN層を堆積するステップと、
(5)金属CrターゲットおよびCrMoターゲットを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、気圧を5Paとし、基体1に負バイアス電圧−38Vを印加し、CrMo陰極電流を53Aとし、第1のCrMoxN層5を堆積した後、金属CrターゲットおよびCrMoターゲットを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、気圧を5Paとし、基体1に負バイアス電圧−38Vを印加し、CrMo陰極電流を93Aとし、第2のCrMoxN層6を堆積するステップと、
(6)プロセス時間が終了するまでステップ(5)を20個の循環周期繰り返し、炉温が150℃よりも低くなると、基体1を取り出し、基体1の表面に位置するメッキ層を得、ステップ(2)〜ステップ(5)における堆積プロセスの総時間が38hであるステップと、を含む。
(1)基体1の表面を洗浄し、洗浄後の基体1を得るステップであって、前記洗浄は、具体的に、
(a)基体1(ピストンリングであってもよい)の表面を脱脂して油を除去し、超音波でキレイに洗浄し、乾燥した後にマルチアークイオンプレーティング装置に入れ、420℃に加熱し、5.0×10-3Pa以下に真空引きすることと、
(b)マルチアークイオンプレーティング装置に純度99.99%のArを通入し、負バイアス電圧が−1000Vである場合に、Arイオン衝撃でピストンリング表面を洗浄することとを含むステップと、
(2)金属Crターゲットを陰極とし、Arを動作反応ガスとし、陰極電流を100Aとし、気圧を1.7Paとし、基体1に負バイアス電圧−20Vを印加し、基体1の表面に粘着層であるCr層を堆積するステップと、
(3)金属Crターゲットを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、陰極電流を100Aとし、気圧を5.2Paとし、基体1に負バイアス電圧−35Vを印加し、Cr層に遷移層であるCrN層を堆積するステップと、
(4)金属CrターゲットおよびCrMoを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、気圧を5.2Paとし、基体1に負バイアス電圧−35Paを印加し、CrMo陰極電流を33Aから49Aまで段階的に増加させ、Mo元素の含有量が段階的に増加したCrMoxN層を堆積するステップと、
(5)金属CrターゲットおよびCrMoターゲットを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、気圧を5.2Paとし、基体1に負バイアス電圧−35Vを印加し、CrMo陰極電流を50Aとし、第1のCrMoxN層5を堆積した後、金属CrターゲットおよびCrMoターゲットを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、気圧を5.2Paとし、基体1に負バイアス電圧−35Vを印加し、CrMo陰極電流を89Aとし、第2のCrMoxN層6を堆積するステップと、
(6)プロセス時間が終了するまでステップ(5)を4つの循環周期繰り返し、炉温が150℃よりも低くなると、基体1を取り出し、基体1の表面に位置するメッキ層を得、ステップ(2)〜ステップ(5)における堆積プロセスの総時間が30hであるステップと、を含む。
2 粘着層
3 遷移層
4 勾配層
5 第1のCrMoxN層
6 第2のCrMoxN層
7 機能層
Claims (10)
- 基体の表面に位置する耐摩耗および減摩の作用を有するメッキ層であって、基体の表面に沿って外へ、粘着層、遷移層、勾配層、および機能層を順に含み、
前記勾配層は、Mo元素の含有量が2.0〜3.0wt%から3.0〜6.0wt%まで段階的に増加するCrMoxN層であり、
前記機能層は、少なくとも1つの循環層を含み、各循環層は、下から上へ第1のCrMoxN層と第2のCrMoxN層とを順に含み、第1のCrMoxN層におけるMo元素の含有量は第2のCrMoxN層におけるMo元素の含有量よりも低い、ことを特徴とする耐摩耗および減摩の作用を有するメッキ層。 - 前記第1のCrMoxN層におけるMo元素の含有量は3.0〜6.0wt%であり、
好ましくは、前記第2のCrMoxN層におけるMo元素の含有量が10.0〜15.0wt%である、ことを特徴とする請求項1に記載のメッキ層。 - 前記機能層は、4〜20個の循環層を含む、請求項1または2に記載のメッキ層。
- 前記粘着層がCr層であり、
好ましくは、前記遷移層がCrN層および/またはCr2N層であり、
好ましくは、前記基体が、鋼および/または鋳鉄で作製されたピストンリングである、ことを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のメッキ層。 - 前記メッキ層の厚さが10〜80μmであり、
好ましくは、前記機能層の厚さが7.5〜55μmであり、
好ましくは、前記第2のCrMoxN層と第1のCrMoxN層との厚さの比が(2〜3):1であり、
好ましくは、前記粘着層の厚さが0.5〜3μmであり、
好ましくは、前記遷移層の厚さが1〜11μmであり、
好ましくは、前記勾配層の厚さが1〜11μmである、ことを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のメッキ層。 - 請求項1〜5のいずれか1項に記載のメッキ層が設けられている、ことを特徴とするピストンリング。
- (1)基体の表面を洗浄し、洗浄後の基体を得るステップと、
(2)マルチアークイオンプレーティング装置を用いて基体の表面に粘着層を堆積するステップと、
(3)マルチアークイオンプレーティング装置を用いて粘着層の表面に遷移層を堆積するステップと、
(4)マルチアークイオンプレーティング装置を用いて遷移層の表面に勾配層を堆積するステップと、
(5)マルチアークイオンプレーティング装置を用いて勾配層の表面に少なくとも1層の循環層を堆積して機能層を形成し、前記メッキ層を得るステップと、
を含む、ことを特徴とする請求項1〜5のいずれか1項に記載のメッキ層の調製方法。 - ステップ(1)における洗浄は、
(a)基体の表面を脱脂して油を除去した後、超音波洗浄を行い、乾燥した後にマルチアークイオンプレーティング装置に入れ、380〜450℃に加熱し、5.0×10-3Pa以下まで真空引きするステップと、
(b)マルチアークイオンプレーティング装置に純度99.99%のArを通入し、負バイアス電圧−800〜−1200Vで、Arイオン衝撃で基体の表面を洗浄するステップと、
を含む、ことを特徴とする請求項7に記載の調製方法。 - ステップ(2)における粘着層を堆積するプロセスの条件は、金属Crターゲットを陰極とし、Arを動作反応ガスとし、陰極電流を80〜120Aとし、気圧を1〜2Paとし、基体に負バイアス電圧−17〜−23Vを印加することであり、
好ましくは、ステップ(3)における遷移層を堆積するプロセスの条件は、金属Crターゲットを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、陰極電流を80〜120Aとし、気圧を4〜6Paとし、基体に負バイアス電圧−30〜−40Vを印加することであり、
好ましくは、ステップ(4)における勾配層を堆積するプロセスの条件は、金属CrターゲットおよびCrMoを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、気圧を4〜6Paとし、基体に負バイアス電圧−30〜−40Paを印加し、CrMo陰極電流を30〜45Aから40〜55Aまで段階的に増加させることであり、
好ましくは、ステップ(5)における循環層を堆積するプロセスの条件は、金属CrターゲットおよびCrMoターゲットを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、気圧を4〜6Paとし、基体に負バイアス電圧−30〜−40Vを印加し、CrMo陰極電流を40〜55Aとし、第1のCrMoxN層を堆積した後、金属CrターゲットおよびCrMoターゲットを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、気圧を4〜6Paとし、基体に負バイアス電圧−30〜−40Vを印加し、CrMo陰極電流を80〜95Aとし、第2のCrMoxN層を堆積することであり、
好ましくは、ステップ(5)における循環層が4〜20層堆積され、
好ましくは、ステップ(2)〜(5)における堆積プロセスの総時間が8〜39hである、ことを特徴とする請求項7または8に記載の調製方法。 - (1)基体の表面を洗浄し、洗浄後の基体を得るステップであって、前記洗浄は、具体的に、
a.基体の表面を脱脂して油を除去し、超音波でキレイに洗浄し、乾燥した後にマルチアークイオンプレーティング装置に入れ、380〜450℃に加熱し、5.0×10-3Pa以下まで真空引きすることと、
b.マルチアークイオンプレーティング装置に純度99.99%のArを通入し、負バイアス電圧が−800〜−1200Vである場合に、Arイオン衝撃でピストンリングの表面を洗浄することとを含むステップと、
(2)金属Crターゲットを陰極とし、Arを動作反応ガスとし、陰極電流を80〜120Aとし、気圧を1〜2Paとし、基体に負バイアス電圧−17〜−23Vを印加し、基体の表面に粘着層であるCr層を堆積するステップと、
(3)金属Crターゲットを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、陰極電流を80〜120Aとし、気圧を4〜6Paとし、基体に負バイアス電圧−30〜−40Vを印加し、Cr層に遷移層であるCrN層および/またはCr2N層を堆積するステップと、
(4)金属CrターゲットおよびCrMoを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、気圧を4〜6Paとし、基体に負バイアス電圧−30〜−40Paを印加し、CrMo陰極電流を30〜45Aから40〜55Aまで段階的に増加させ、Mo元素の含有量が増加したCrMoxN層を堆積するステップと、
(5)金属CrターゲットおよびCrMoターゲットを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、気圧を4〜6Paとし、基体に負バイアス電圧−30〜−40Vを印加し、CrMo陰極電流を40〜55Aとし、第1のCrMoxN層を堆積した後、金属CrターゲットおよびCrMoターゲットを陰極とし、N2を動作反応ガスとし、気圧を4〜6Paとし、基体に負バイアス電圧−30〜−40Vを印加し、CrMo陰極電流を80〜95Aとし、第2のCrMoxN層を堆積するステップと、
(6)プロセス時間が終了するまでステップ(5)を4〜20個の循環周期繰り返し、炉温が150℃よりも低くなると、基体を取り出し、基体の表面に位置するメッキ層を得るステップと、を含み、
ステップ(2)〜ステップ(5)における堆積プロセスの総時間は8〜39hである、ことを特徴とする請求項7〜9のいずれか1項に記載の調製方法。
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