JP2020187013A - 高周波測定用プローブ及び高周波特性測定装置 - Google Patents

Abstract

【課題】特性インピーダンスが、回路基板の被測定点の信号電極とグランド電極との間隔に実質的に依存しない高周波測定用プローブ及びそれを用いた高周波特性測定装置を構成する。【解決手段】高周波用プローブ１０１は、第１基板１０と、第２基板２０と、基板保持機構とを備える。第１基板１０は、第１グランド導体１２と、この第１グランド導体１２に導通するグランドプローブ１とを有する。第２基板２０は、信号導体と第２グランド導体とで構成される伝送線路と、信号導体に導通し、グランドプローブ１と同方向に延伸する信号プローブ３とを有する。基板保持機構は、第１基板１０と第２基板２０とを、第１グランド導体１２と第２グランド導体とを電気的に導通させた状態で、グランドプローブ１及び信号プローブ３の延伸方向に対する直交方向である第１方向における相対位置関係を調整可能に保持する。【選択図】図１

Description

本発明は、被測定対象である高周波回路の特性の測定に用いる高周波測定用プローブ及びそれを備える高周波特性測定装置に関する。

回路基板上の被測定点の信号を検出して、回路基板に形成されている高周波回路の特性を測定するための一般的な方法は、測定装置から引き出された、独立した手持ち式のプローブを回路基板の被測定点に当てて、測定装置によって高周波信号を分析する、というものである。しかし、この手持ち式のプローブを用いる方法では、多数の試験部位が存在する場合に効率が悪く、時間の掛かる作業となる。

これに対して、特許文献１には、プリント配線回路基板を保持する台と、この台の上方でｘ、ｙ及びｚ方向に移動可能な二つの試験ヘッドを備え、信号プローブと接地プローブの間隔を変更できるように構成されたプリント配線回路基板試験装置が開示されている。

特開２０００−２８６７３号公報

特許文献１に記載のプリント配線回路基板試験装置では、信号プローブと接地プローブとの間隔は、回路基板の被測定点の信号電極とグランド電極との間隔によって規定されてしまう。そのため、信号プローブと接地プローブとの間隔が適正に定まらず、プローブの特性インピーダンスが規定値からずれる場合がある。その場合には、インピーダンス不整合が生じて、正しい測定ができない。

信号プローブと接地プローブとを個別に移動可能とせずに、所定の特性インピーダンスのプローブを予め設計しておけば、上記特性インピーダンスの不整合の問題は回避できる。しかし、回路基板の被測定点の箇所に応じて信号プローブと接地プローブとの間隔が異なる場合や、被測定回路基板の品種ごとに信号プローブと接地プローブとの間隔が異なる場合には、それら測定箇所に応じた専用のプローブを複数種用意しておく必要があり、手間が掛かり、測定工程も複雑化する。

そこで、本発明の目的は、特性インピーダンスが回路基板の被測定点の信号電極とグランド電極との間隔に実質的に依存しない高周波測定用プローブ及びそれを用いた高周波特性測定装置を提供することにある。

本開示の一例としての高周波測定用プローブは、
第１グランド導体と、当該第１グランド導体に導通するグランドプローブとを有する第１基板と、
信号導体と第２グランド導体とで構成される伝送線路と、前記信号導体に導通し、前記グランドプローブと同方向に延伸する信号プローブとを有する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とを電気的に導通させた状態で、前記グランドプローブ及び前記信号プローブの延伸方向に対する直交方向である第１方向における相対位置関係を調整可能に保持する基板保持機構と、
を備える。

また、本開示の一例としての高周波特性測定装置は、
高周波測定用プローブを備える高周波特性測定装置であって、
前記高周波測定用プローブは、
第１グランド導体と、当該第１グランド導体に導通するグランドプローブとを有する第１基板と、
信号導体と第２グランド導体とで構成される伝送線路と、前記信号導体に導通し、前記グランドプローブと同方向に延伸する信号プローブとを有する第２基板と、
前記第１基板と前記第２基板とを、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とを電気的に導通させた状態で、前記グランドプローブ及び前記信号プローブの延伸方向に対する直交方向である第１方向における相対位置関係を調整可能に保持する基板保持機構と、
前記基板保持機構を駆動して前記グランドプローブと前記信号プローブとの間隔を、被測定箇所のグランド電極と信号電極との間隔に調整するプローブ間隔調整部と、
を備える。

本発明によれば、特性インピーダンスが回路基板の被測定点の信号電極とグランド電極との間隔に実質的に依存しない高周波測定用プローブ及びそれを用いた高周波特性測定装置が得られる。

図１は第１の実施形態に係る高周波用プローブ１０１の主要部の斜視図である。 図２は高周波用プローブ１０１の主要部の正面図である。 図３は、第２基板２０の主要部の構成を示す分解斜視図であり、絶縁基材２１から第２グランド導体部材２５を分離した状態で、見上げた図である。 図４は、基板保持機構を含む高周波用プローブ１０１の構成を示す正面図である。 図５は、グランドプローブ１と信号プローブ３との間隔及び被測定回路基板９０の関係を示す正面図である。 図６（Ａ）、図６（Ｂ）は、第２グランド導体部材２５の先端部、信号プローブ３の突出部３Ｐ及び信号導体３２の先端部の関係を示す正面図である。 図７は、図６（Ａ）に示した例とは異なる第２グランド導体部材２５の形状を示す正面図である。 図８（Ａ）、図８（Ｂ）は、第２の実施形態に係る高周波用プローブの主要部の正面図である。 図９は第２の実施形態に係る別の高周波用プローブの主要部の正面図である。 図１０は第３の実施形態に係る高周波用プローブ１０３の主要部の正面図である。 図１１は第４の実施形態に係る高周波特性測定装置におけるプローブ間隔調整部の構成を示すブロック図である。

以降、図を参照して幾つかの具体的な例を挙げて、本発明を実施するための複数の形態を示す。各図中には同一箇所に同一符号を付している。要点の説明又は理解の容易性を考慮して、実施形態を説明の便宜上、複数の実施形態に分けて示すが、異なる実施形態で示した構成の部分的な置換又は組み合わせは可能である。第２の実施形態以降では第１の実施形態と共通の事柄についての記述を省略し、異なる点についてのみ説明する。特に、同様の構成による同様の作用効果については実施形態毎には逐次言及しない。

《第１の実施形態》
図１は第１の実施形態に係る高周波用プローブ１０１の主要部の斜視図である。この高周波用プローブ１０１は、第１基板１０及び第２基板２０を備える。第１基板１０は、第１グランド導体１２と、この第１グランド導体１２に導通するグランドプローブ１とを有する。第２基板２０は、後に詳述する伝送線路と、信号プローブ３とを有する。グランドプローブ１及び信号プローブ３は、第１基板１０及び第２基板２０の端辺ＥＳから、図１に示す座標でＹ軸に平行な方向（以降「Ｙ方向」）に突出する。このＹ方向は本発明における「延伸方向」に相当する。

図２は高周波用プローブ１０１の主要部の正面図である。第１基板１０は、絶縁基材１１と、この絶縁基材１１の第１主面ＭＳ１１に形成された第１グランド導体１２と、この第１グランド導体１２に取り付けられたグランドプローブ１とを有する。グランドプローブ１は第１グランド導体１２の所定位置にはんだ付けされ、第１グランド導体１２に電気的に導通している。なお、はんだ付けに限らず、導電性接合部材を介して接合されていればよい。

第２基板２０は、絶縁基材２１、この絶縁基材２１に形成された各種導体パターン、信号プローブ３、及び第２グランド導体部材２５を有する。絶縁基材２１の第１主面ＭＳ２１には信号導体３２及び第２グランド導体２２が形成されている。絶縁基材２１の第２主面ＭＳ２２には第２グランド導体２３が形成されている。絶縁基材２１の内部には、第２グランド導体２２と第２グランド導体２３とを層間接続する第２グランド導体（層間接続導体）２４が形成されている。

後に示すように、グランドプローブ１及び信号プローブ３の延伸方向（Ｙ方向）に対する直交する一方向であるＸ軸に平行方向（以降「Ｘ方向」）において、第１基板１０と第２基板２０との相対位置は変位可能である。このＸ方向は本発明における第１方向に相当する。第２基板２０は、上記延伸方向（Ｙ方向）に直交かつ第１方向に直交する方向であるＺ軸に平行方向（以降「Ｚ方向」）に突出する凸部２０Ｃを有する。このＺ方向は本発明における「第２方向」に相当する。

信号導体３２には信号プローブ３が取り付けられている。また、第２グランド導体２２には断面コ字型（Ｕ字型）の第２グランド導体部材２５が取り付けられている。第２グランド導体２２及び第２グランド導体部材２５は、本発明に係る「第２グランド導体」に相当する。信号プローブ３は信号導体３２にはんだ付けされ、信号導体３２に電気的に導通している。また、第２グランド導体部材２５は第２グランド導体２２にはんだ付けされ、第２グランド導体２２に電気的に導通している。

第１基板１０の第１グランド導体１２と第２基板２０の第２グランド導体部材２５とは摺動自在に接していて、電気的に導通している。第１基板１０及び第２基板２０は、第１グランド導体１２と第２グランド導体部材２５とが電気的に導通する状態で、第１基板１０と第２基板２０との相対位置が調整可能状態で保持される。このような構造により、第２グランド導体２２〜２４及び第２グランド導体部材２５が第１グランド導体１２に電気的に導通した状態で、グランドプローブ１と信号プローブ３との間隔を任意に定めることができる。

図３は、第２基板２０の主要部の構成を示す分解斜視図であり、絶縁基材２１から第２グランド導体部材２５を分離した状態で、斜めに見上げた図である。

信号プローブ３は、信号導体３２の延伸方向に沿って信号導体３２に配置され、はんだ付けされている。第２グランド導体部材２５は、信号導体３２及び信号プローブ３の周囲を覆う位置に配置され、第２グランド導体２２にはんだ付けされる。

図２、図３に表れているように、信号導体３２及び信号プローブ３は、第２グランド導体２２〜２４、及び第２グランド導体部材２５で囲まれる。この構造により、第２グランド導体２２〜２４、及び第２グランド導体部材２５によってストリップラインのグランド導体部が構成され、信号導体３２及び信号プローブ３によってストリップラインの信号導体部が構成される。つまり、上記グランド導体部と、第２グランド導体２２〜２４、及び第２グランド導体部材２５によって囲まれる空間（絶縁基材２１の一部及び第２グランド導体部材２５内の空間）と、上記信号導体部と、によって、同軸線路構造又はストリップライン構造の伝送線路が構成される。信号プローブ３が配置される範囲において、この伝送線路のＹ方向に直交する断面の構造は、Ｙ方向の位置にかかわらず一定であり、その特性インピーダンスは規定値（例えば５０Ω）に定められている。

第１基板１０と第２基板２０との相対位置が変位すると、グランドプローブ１と信号プローブ３との間隔が変化する。図２において、グランドプローブ１と信号プローブ３とのＸ方向の間隔をＤｘ、直線距離をＤｄで表している。このグランドプローブ１と信号プローブ３との間隔Ｄｄを、被測定箇所のグランド電極と信号電極との間隔に一致させた状態で、高周波用プローブ１０１のグランドプローブ１及び信号プローブ３を被測定箇所のグランド電極及び信号電極にそれぞれ当接させて測定を行う。

上述のとおり、信号プローブ３は、第２基板２０の凸部２０Ｃの内部に設けられ、凸部２０Ｃの外面に第２グランド導体部材２５が設けられていることにより、信号導体３２及び信号プローブ３の周囲が上記グランド導体部で囲まれる。この構造により、上記ストリップラインの特性インピーダンス、すなわちこの高周波用プローブ１０１のプローブの特性インピーダンスは規定値に定められ、グランドプローブ１と信号プローブ３との間隔に依存しない。

グランドプローブ１は、例えば直径０．２ｍｍから０．４ｍｍ程度の大きさの円筒状のスリーブ１Ｓと、このスリーブ１Ｓの内側から外側へ突出する突出部１Ｐと、スリーブ１Ｓ内に収納されたコイルバネとで構成される。このコイルバネは突出部１Ｐを弾性的に外側へ押し出す。信号プローブ３の構成も同様であり、円筒状のスリーブ３Ｓと、このスリーブ３Ｓの内側から外側へ突出する突出部３Ｐと、スリーブ３Ｓ内に収納されたコイルバネとで構成される。なお、上述の弾性的に外側へ押し出す部材はコイルバネに限らず、弾性部材であればよい。

図４は、基板保持機構を含む高周波用プローブ１０１の構成を示す正面図である。高周波用プローブ１０１は、第１基板１０を保持する基板保持材４１、第２基板２０を保持する基板保持材４２、及び基板保持機構４０を備える。この基板保持機構４０は、第１基板１０と第２基板２０との第１方向（Ｘ方向）における相対位置関係を、第１グランド導体１２と第２グランド導体部材２５とを電気的に導通させた状態（図２）で調整可能に保持する。

なお、第１基板１０の第１グランド導体１２と第２基板２０の第２グランド導体部材２５とが摺動自在に接するような機構ではなく、例えば、第２グランド導体部材２５を第１グランド導体１２から離れるように−Z方向へ変位させたのち、Ｘ方向または−X方向へ変位させることで、X方向におけるグランドプローブ１と信号プローブ３との間隔を所定間隔に定め、その後、第２グランド導体部材２５をZ方向へ変位させて、第２グランド導体部材２５を第１グランド導体１２に接続するような機構を備えてもよい。

基板保持機構４０は、基板保持材４１と基板保持材４２とを相対的にＸ方向に変位させ、かつ所定位置で保持する。そのことによって、グランドプローブ１と信号プローブ３との間隔を定める。

図５は、グランドプローブ１と信号プローブ３との間隔、及び被測定回路基板９０の関係を示す正面図である。但し、図５においては、高周波用プローブ１０１のうち、グランドプローブ１、信号プローブ３及び第２グランド導体部材２５以外の、第１基板１０、第２基板２０、基板保持材４１，４２等の図示は省略している。

被測定回路基板９０の表面には複数のグランド電極ＧＮＤと複数の信号電極ＳＩＧが形成されている。グランドプローブ１と信号プローブ３との間隔はグランド電極ＧＮＤと信号電極ＳＩＧとの間隔と一致するように予め調整しておく。

図５に表れているように、信号プローブ３の突出部３Ｐは第２グランド導体部材２５の先端部からさらに突出している。グランドプローブ１の突出部１Ｐはグランド電極ＧＮＤに当接し、信号プローブ３の突出部３Ｐは信号電極ＳＩＧに当接する。この状態で測定が行われる。グランドプローブ１及び信号プローブ３は、第２グランド導体部材２５の先端部が被測定回路基板９０に当接しない高さまで、被測定回路基板９０に下ろされる。したがって、第２グランド導体部材２５が信号電極ＳＩＧに導通することはない。

信号電極ＳＩＧと第２グランド導体部材２５とは近接することが好ましい。第２グランド導体部材２５による、信号プローブ３の突出部３Ｐの遮蔽効果が保たれるからである。信号電極ＳＩＧと第２グランド導体部材２５との間隔は、例えば信号プローブ３と第２グランド導体部材２５との間隔と略等しくする。このことによって、信号プローブ３と第２グランド導体部材２５との間に生じる容量成分が信号プローブ３の突出部３Ｐまで均等になる。

図６（Ａ）、図６（Ｂ）は、第２グランド導体部材２５の先端部、信号プローブ３の突出部３Ｐ及び信号導体３２の先端部の関係を示す正面図である。図６（Ａ）に示す例では、第２グランド導体部材２５が第２基板２０の端辺より寸法Ｐ２５だけ突出している。寸法Ｐ２５は例えば５ｍｍ以下である。信号プローブ３の中心から第２グランド導体部材２５の内面までの距離Ｓ３は例えば５ｍｍ以下である。図６（Ｂ）に示す例では、寸法Ｐ２５は例えば−５ｍｍである。

第２グランド導体部材２５の先端部は、図６（Ａ）に示すように、信号導体３２の先端より突出していることが好ましい。第２グランド導体部材２５による、信号導体３２及び信号プローブ３の遮蔽効果が高まるからである。

図７は、図６（Ａ）に示した例とは異なる第２グランド導体部材２５の形状を示す正面図である。この例では、第２グランド導体部材２５は、その先端部に、周辺から信号プローブの中心方向（突出部３Ｐ方向）へ突出する突出部２５Ｐを有する。この構造によれば、信号プローブ３と第２グランド導体部材２５との間に生じる容量成分が、信号プローブ３の突出部３Ｐまで均等になる。また、信号プローブの突出部３Ｐの遮蔽効果が高まり、外部空間との間での不要結合が、より効果的に抑制される。

《第２の実施形態》
第２の実施形態では、第１の実施形態とは異なる第２基板２０に設けられる凸部２０Ｃの構造について示す。

図８（Ａ）、図８（Ｂ）は、第２の実施形態に係る高周波用プローブ１０２Ａ，１０２Ｂの主要部の正面図である。図２に示した例では、第２グランド導体部材２５で囲まれる空間内に信号導体３２及び信号プローブ３を配置したが、図８（Ａ）、図８（Ｂ）に示す例では、外周面に第２グランド導体部材２５が形成された絶縁基材２６を備える。

図８（Ａ）に示す例では、絶縁基材２６で形成される凸部２０Ｃの外周面のうち二面に第２グランド導体部材２５が形成されている。図８（Ｂ）に示す例では、絶縁基材２６で形成される凸部２０Ｃの外周面のうち一面に第２グランド導体部材２５が形成されている。

図８（Ａ）、図８（Ｂ）のいずれの例でも、第２グランド導体部材２５の一部が第１グランド導体１２に摺動可能状態で接する。

このように、第２グランド導体部材２５は、信号導体３２及び信号プローブ３の周囲３面に限らず、２面又は１面に設けられてもよい。特に、図８（Ａ）に示した例のように、グランドプローブ１側の面に第２グランド導体部材２５が無い構造であると、グランドプローブ１と信号プローブ３との間隔の最短距離を小さくできる。

図９は第２の実施形態に係る別の高周波用プローブ１０２Ｃの主要部の正面図である。図２に示した高周波用プローブ１０１とは、第２グランド導体部材２５の構造が異なる。本実施形態では、第２グランド導体部材２５の内面が半円筒の内面と略同形状となっている。このような形状であれば、信号導体３２及び信号プローブ３と第２グランド導体部材２５との間隔が、信号導体３２及び信号プローブ３周りで、より均一となる。このことによって、ストリップラインよりも同軸線路に近い線路が構成され、電磁界分布の均一性が高まり、伝送損失が低減される。

《第３の実施形態》
第３の実施形態では、これまでに示した例とはグランドプローブ周囲の構成が異なる高周波用プローブについて示す。

図１０は第３の実施形態に係る高周波用プローブ１０３の主要部の正面図である。第１基板１０は、絶縁基材１１と、この絶縁基材１１から突出する凸部１０Ｃとを有する。絶縁基材１１の第１主面ＭＳ１１には第１グランド導体１２が形成されている。凸部１０Ｃの天面には第１グランド導体１３が形成されている。凸部１０Ｃの内部には、第１グランド導体１２と１３とを層間接続する第１グランド導体（層間接続導体）１４が形成されている。そして、第１グランド導体１３にグランドプローブ１がはんだ付けされている。第２基板２０の構成は第１の実施形態で示したものと同じである。

絶縁基材１１の第１主面ＭＳ１１を基準とする、グランドプローブ１の中心の高さは、信号プローブ３の中心の高さと等しい。そのため、第１基板１０と第２基板２０との相対位置関係を変位させれば、その変位量に等しい距離だけ、グランドプローブ１と信号プローブ３との第１方向（Ｘ方向）の間隔Ｄｄが変化する。このことにより、グランドプローブ１と信号プローブ３とのＸ方向の間隔Ｄｄの設定が容易となる。

《第４の実施形態》
第４の実施形態では高周波特性測定装置の例について示す。本実施形態に係る高周波特性測定装置は、高周波測定用プローブとプローブ間隔調整部とを備える。その高周波測定用プローブの構成は、既に幾つかの実施形態で示したとおりである。

図１１は上記プローブ間隔調整部の構成を示すブロック図である。このプローブ間隔調整部は、制御部５０、入力部５１、駆動制御部５２、ステッピングモータ５３、及びセンサ５４を備える。

制御部５０は入力部５１を介して、外部から入力される間隔データを読み取る。また、制御部５０は、駆動制御部５２を介して、上記間隔データに応じた量だけステッピングモータ５３を駆動する。ステッピングモータ５３は、第１基板１０に対する第２基板２０の相対位置を変位させる。センサ５４は、第１基板１０に対する第２基板２０の相対位置を検出する。

制御部５０、駆動制御部５２、ステッピングモータ５３及びセンサ５４による構成が本発明に係る「自動調整部」に相当する。

制御部５０は、第１基板１０に対する第２基板２０の相対位置を初期位置にするために、センサ５４の検出信号を入力しつつ駆動制御部５２を介してステッピングモータ５３を所定量だけ駆動する。その後は、上記間隔データに応じた量だけステッピングモータ５３を駆動することで、グランドプローブ１と信号プローブ３との間隔を指定された間隔に定める。

最後に、上述の実施形態の説明は、すべての点で例示であって、制限的なものではない。当業者にとって変形及び変更が適宜可能である。本発明の範囲は、上述の実施形態ではなく、特許請求の範囲によって示される。さらに、本発明の範囲には、特許請求の範囲内と均等の範囲内での実施形態からの変更が含まれる。

ＧＮＤ…グランド電極
ＭＳ１１…絶縁基材１１の第１主面
ＭＳ２１…絶縁基材２１の第１主面
ＭＳ２２…絶縁基材２１の第２主面
ＳＩＧ…信号電極
１…グランドプローブ
１Ｐ…グランドプローブの突出部
１Ｓ…スリーブ
３…信号プローブ
３Ｓ…スリーブ
３Ｐ…信号プローブの突出部
１０…第１基板
１０Ｃ…凸部
１１…絶縁基材
１２，１３，１４…第１グランド導体
２０…第２基板
２０Ｃ…凸部
２１…絶縁基材
２２，２３，２４…第２グランド導体
２５…第２グランド導体部材
２５Ｐ…突出部
２６…絶縁基材
３２…信号導体
４０…基板保持機構
４１，４２…基板保持材
５０…制御部
５１…入力部
５２…駆動制御部
５３…ステッピングモータ
５４…センサ
９０…被測定回路基板
１０１，１０２Ａ，１０２Ｂ，１０２Ｃ，１０３…高周波用プローブ

Claims (6)

1. 第１グランド導体と、当該第１グランド導体に導通するグランドプローブとを有する第１基板と、
   信号導体と第２グランド導体とで構成される伝送線路と、前記信号導体に導通し、前記グランドプローブと同方向に延伸する信号プローブとを有する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板とを、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とを電気的に導通させた状態で、前記グランドプローブ及び前記信号プローブの延伸方向に対する直交方向である第１方向における相対位置関係を調整可能に保持する基板保持機構と、
   を備える、
   高周波測定用プローブ。
2. 前記信号プローブは、前記延伸方向に、前記第２グランド導体よりも長く突出する突出部を有する、
   請求項１に記載の高周波測定用プローブ。
3. 前記第２グランド導体は、前記第１グランド導体に摺動自在に配置された、
   請求項１又は２に記載の高周波測定用プローブ。
4. 前記第２基板は、前記延伸方向に直交かつ前記第１方向に直交する方向である第２方向に突出する凸部を有し、
   前記第２グランド導体は前記凸部の外面に設けられていて、
   前記信号導体は前記凸部の内部に設けられている、
   請求項１から３のいずれかに記載の高周波測定用プローブ。
5. 高周波測定用プローブを備える高周波特性測定装置であって、
   前記高周波測定用プローブは、
   第１グランド導体と、当該第１グランド導体に導通するグランドプローブとを有する第１基板と、
   信号導体と第２グランド導体とで構成される伝送線路と、前記信号導体に導通し、前記グランドプローブと同方向に延伸する信号プローブとを有する第２基板と、
   前記第１基板と前記第２基板とを、前記第１グランド導体と前記第２グランド導体とを電気的に導通させた状態で、前記グランドプローブ及び前記信号プローブの延伸方向に対する直交方向である第１方向における相対位置関係を調整可能に保持する基板保持機構と、
   前記基板保持機構を駆動して前記グランドプローブと前記信号プローブとの間隔を、被測定箇所のグランド電極と信号電極との間隔に調整するプローブ間隔調整部と、
   を備えた、高周波特性測定装置。
6. 前記プローブ間隔調整部は、前記グランドプローブと前記信号プローブとの間隔に関する間隔値を入力する入力部と、
   前記間隔値に応じて、前記グランドプローブと前記信号プローブとの間隔を定める自動調整部とを備える、
   請求項５に記載の高周波特性測定装置。

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