JP2020184606A - 構造体の製造方法と製造装置および中間構造体 - Google Patents
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Abstract
Description
少なくとも表面がIII族窒化物で構成されたエッチング対象物を準備する工程と、
前記エッチング対象物が、ペルオキソ二硫酸イオンを含むエッチング液に浸漬された状態で、前記エッチング対象物の前記表面に、前記エッチング液を介して紫外光を照射し、前記ペルオキソ二硫酸イオンから硫酸イオンラジカルを生成させるとともに、前記III族窒化物中にホールを生成させることにより、前記III族窒化物をエッチングする工程と、
を有し、
前記III族窒化物をエッチングする工程では、前記III族窒化物のエッチングの開始時点における前記エッチング液を酸性とすることで、前記III族窒化物がエッチングされる期間中に前記エッチング液が酸性である状態を維持する、構造体の製造方法
が提供される。
少なくとも表面がIII族窒化物で構成されたエッチング対象物と、
前記表面上に形成されたマスクと、
を有し、
ペルオキソ二硫酸イオンを含む酸性のエッチング液に浸漬される、中間構造体
が提供される。
本発明の一実施形態による、構造体の製造方法について説明する。本実施形態による製造方法は、当該構造体の材料となるエッチング対象物10(以下、ウエハ10ともいう)に対する、光電気化学(PEC)エッチングを用いたエッチング工程(以下、PECエッチング工程ともいう)を有する。PECエッチングを、以下単に、エッチングともいう。
次に、上述の実施形態の変形例について説明する。上述の実施形態では、第1例のエッチング液201を用いることで(図2(a))、第2例のエッチング液201を用いる場合(図2(b))と比べて、エッチング開始時点のpHが高くなる態様、つまり、エッチング期間におけるpHの変動幅が大きくなる態様を例示した。本変形例では、第1例のエッチング液201を用いても、エッチング開始時点におけるpHを低くできる態様、つまり、エッチング期間におけるpHの変動幅を小さくできる態様について例示する。
以上、本発明の実施形態および変形例を具体的に説明した。しかしながら、本発明は上述の実施形態および変形例に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々の変更、改良、組み合わせ等が可能である。
以下、本発明の好ましい態様について付記する。
少なくとも表面がIII族窒化物で構成されたエッチング対象物を準備する工程と、
前記エッチング対象物が、ペルオキソ二硫酸イオンを含むエッチング液に浸漬された状態で、前記エッチング対象物の前記表面に、前記エッチング液を介して紫外光を照射し、前記ペルオキソ二硫酸イオンから硫酸イオンラジカルを生成させるとともに、前記III族窒化物中にホールを生成させることにより、前記III族窒化物をエッチングする工程と、
を有し、
前記III族窒化物をエッチングする工程では、前記III族窒化物のエッチングの開始時点における前記エッチング液を酸性とすることで、前記III族窒化物がエッチングされる期間中に前記エッチング液が酸性である状態を維持する、構造体の製造方法。
前記エッチングの終了時点における前記エッチング液のpHの、前記開始時点における前記エッチング液のpHに対する低下幅が、好ましくは4以下、より好ましくは3以下、さらに好ましくは2以下、さらに好ましくは1.5以下、さらに好ましくは1以下である、付記1に記載の構造体の製造方法。
前記エッチング液に含まれる前記ペルオキソ二硫酸イオンがすべて硫酸イオンに変化した場合における前記エッチング液のpHの、前記開始時点における前記エッチング液のpHに対する低下幅が、好ましくは4以下、より好ましくは3以下、さらに好ましくは2以下、さらに好ましくは1.5以下、さらに好ましくは1以下である、付記1または2に記載の構造体の製造方法。
前記エッチング液は、0超7未満の酸解離定数pKaを有する弱酸を含む、付記1〜3のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記弱酸がリン酸である、付記4に記載の構造体の製造方法。
前記開始時点における前記エッチング液のpHの、前記弱酸の酸解離定数pKaに対する差が、好ましくはプラスマイナス1以下、より好ましくはプラスマイナス0.5以下である、付記4または5に記載の構造体の製造方法。
前記開始時点における前記エッチング液のpHが、前記弱酸の酸解離定数pKaよりも高い、付記4〜6のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記弱酸の酸解離定数pKaが、前記エッチング液に含まれる前記ペルオキソ二硫酸イオンがすべて硫酸イオンに変化した場合における前記エッチング液のpHよりも高い、付記4〜7のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記III族窒化物がエッチングされる期間中に、前記エッチング液の交換を行わない、付記1〜8のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記III族窒化物がエッチングされる期間中に、前記エッチング液の攪拌を行わない、付記1〜9のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記III族窒化物がエッチングされる期間は、好ましくは30分、より好ましくは60分、さらに好ましくは90分以上、さらに好ましくは120分以上である、付記1〜10のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記III族窒化物がエッチングされる期間中に、前記エッチング液のpHを測定する、付記1〜11のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記エッチング液のpHを測定する際、pHメータのプローブの、前記紫外光による影が、前記エッチング対象物の前記表面に映らない位置に、前記プローブを配置する、付記12に記載の構造体の製造方法。
前記III族窒化物をエッチングする工程の前に、前記エッチング対象物が前記エッチング液に浸漬されていない状態において、前記エッチング液に紫外光を照射することで、前記ペルオキソ二硫酸イオンの一部を硫酸イオンに変化させることにより、前記エッチング液のpHを低下させる工程、をさらに有する、付記1〜13のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記III族窒化物をエッチングする工程では、前記表面上に(前記表面の一部上に)マスクが形成された状態で、前記エッチングを行う、付記1〜14のいずれか1つに記載の構造体の製造方法。
前記マスクは、レジストマスクである、付記15に記載の構造体の製造方法。
少なくとも表面がIII族窒化物で構成されたエッチング対象物と、
前記表面上に(前記表面の一部上に)形成されたマスクと、
を有し、
ペルオキソ二硫酸イオンを含む酸性のエッチング液に浸漬される、中間構造体。
前記マスクは、レジストマスクである、付記17に記載の中間構造体。
前記表面に、前記エッチング液を介して紫外光が照射される、付記17または18に記載の中間構造体。
Claims (21)
- 少なくとも表面がIII族窒化物で構成されたエッチング対象物を準備する工程と、
前記エッチング対象物が、ペルオキソ二硫酸イオンを含むエッチング液に浸漬された状態で、前記エッチング対象物の前記表面に、前記エッチング液を介して光を照射し、前記ペルオキソ二硫酸イオンから硫酸イオンラジカルを生成させるとともに、前記III族窒化物中にホールを生成させることにより、前記III族窒化物をエッチングする工程と、
を有し、
前記III族窒化物をエッチングする工程では、前記III族窒化物のエッチングの開始時点における前記エッチング液を酸性とすることで、前記III族窒化物がエッチングされる期間中に前記エッチング液が酸性である状態を維持する、構造体の製造方法。 - 前記エッチングの終了時点における前記エッチング液のpHの、前記開始時点における前記エッチング液のpHに対する低下幅が、4以下である、請求項1に記載の構造体の製造方法。
- 前記エッチング液に含まれる前記ペルオキソ二硫酸イオンがすべて硫酸イオンに変化した場合における前記エッチング液のpHの、前記開始時点における前記エッチング液のpHに対する低下幅が、4以下である、請求項1または2に記載の構造体の製造方法。
- 前記エッチング液は、0超7未満の酸解離定数pKaを有する弱酸を含む、請求項1〜3のいずれか1項に記載の構造体の製造方法。
- 前記弱酸がリン酸である、請求項4に記載の構造体の製造方法。
- 前記開始時点における前記エッチング液のpHの、前記弱酸の酸解離定数pKaに対する差が、プラスマイナス1以下である、請求項4または5に記載の構造体の製造方法。
- 前記開始時点における前記エッチング液のpHが、前記弱酸の酸解離定数pKaよりも高い、請求項4〜6のいずれか1項に記載の構造体の製造方法。
- 前記弱酸の酸解離定数pKaが、前記エッチング液に含まれる前記ペルオキソ二硫酸イオンがすべて硫酸イオンに変化した場合における前記エッチング液のpHよりも高い、請求項4〜7のいずれか1項に記載の構造体の製造方法。
- 前記III族窒化物がエッチングされる期間中に、前記エッチング液の交換を行わない、請求項1〜8のいずれか1項に記載の構造体の製造方法。
- 前記III族窒化物がエッチングされる期間中に、前記エッチング液の攪拌を行わない、請求項1〜9のいずれか1項に記載の構造体の製造方法。
- 前記III族窒化物がエッチングされる期間は、30分以上である、請求項1〜10のいずれか1項に記載の構造体の製造方法。
- 前記III族窒化物がエッチングされる期間中に、前記エッチング液のpHを測定する、請求項1〜11のいずれか1項に記載の構造体の製造方法。
- 前記エッチング液のpHを測定する際、pHメータのプローブの、前記光による影が、前記エッチング対象物の前記表面に映らない位置に、前記プローブを配置する、請求項12に記載の構造体の製造方法。
- 前記III族窒化物をエッチングする工程の前に、前記エッチング対象物が前記エッチング液に浸漬されていない状態において、前記エッチング液に光を照射することで、前記ペルオキソ二硫酸イオンの一部を硫酸イオンに変化させることにより、前記エッチング液のpHを低下させる工程、をさらに有する、請求項1〜13のいずれか1項に記載の構造体の製造方法。
- 前記III族窒化物をエッチングする工程では、前記表面上にマスクが形成された状態で、前記エッチングを行う、請求項1〜14のいずれか1項に記載の構造体の製造方法。
- 前記マスクは、レジストマスクである、請求項15に記載の構造体の製造方法。
- 少なくとも表面がIII族窒化物で構成されたエッチング対象物と、
前記表面上に形成されたマスクと、
を有し、
ペルオキソ二硫酸イオンを含む酸性のエッチング液に浸漬される、中間構造体。 - 前記マスクは、レジストマスクである、請求項17に記載の中間構造体。
- 前記表面に、前記エッチング液を介して光が照射される、請求項17または18に記載の中間構造体。
- 少なくとも表面がIII族窒化物で構成されたエッチング対象物を、ペルオキソ二硫酸イオンを含む酸性のエッチング液に浸漬された状態で収納する容器と、
前記エッチング液が酸性の状態において、前記エッチング対象物の前記表面に、前記エッチング液を介して光を照射することを開始する、光源と、
を有する構造体の製造装置。 - 前記エッチング液のpHを測定するpHメータを有し、
前記pHメータのプローブは、前記プローブの、前記光による影が、前記エッチング対象物の前記表面に映らない位置に配置される、請求項20に記載の構造体の製造装置。
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