JPH07161683A - ウェットエッチングの終点検出方法およびウェットエッチング装置 - Google Patents

ウェットエッチングの終点検出方法およびウェットエッチング装置

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JPH07161683A
JPH07161683A JP34059293A JP34059293A JPH07161683A JP H07161683 A JPH07161683 A JP H07161683A JP 34059293 A JP34059293 A JP 34059293A JP 34059293 A JP34059293 A JP 34059293A JP H07161683 A JPH07161683 A JP H07161683A
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JP
Japan
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etching
wet etching
chamber
solution
sensor
Prior art date
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Application number
JP34059293A
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English (en)
Inventor
Shigeru Yokoyama
茂 横山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Casio Computer Co Ltd
Original Assignee
Casio Computer Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【目的】 エッチング処理に使用したエッチング液のp
H変化に基づいて、ウェットエッチングの終点検出を可
能とする。 【構成】 合金TiWによる金属箔を表面に形成した基
板8を収容して、30%過酸化水素水によるエッチング
液を供給するエッチングチャンバ3を備えるウェットエ
ッチング装置において、エッチングチャンバ3から排出
されるエッチング液のpHを検出するpHセンサー7を
設ける。そして、このpHセンサー7により検出された
エッチング液のpH変化(初期2.29から2.00で
終了)に基づいて、制御手段10によりエッチング処理
を終了する。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、半導体製造プロセスに
おけるウェットエッチングの終点検出方法およびそれを
用いたウェットエッチング装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】半導体製造プロセスにおいて、シリコン
ウェハ等の基板の表面に配線を形成するための金属箔を
形成し、その表面に形成したフォトレジストをエッチン
グマスクとしてエッチングすることにより、所定の配線
パターンを形成する。そのエッチング処理として、ウェ
ットエッチングとドライエッチングがある。
【0003】ここで、従来のウェットエッチング装置で
の終点検出は、定量的に行われていないのが実情であ
り、事前にエッチングレートの測定を行い、そのばらつ
きを考慮して充分な所謂オーバーエッチングを行うよう
にする方法が一般的であった。
【0004】
【発明が解決しようとする課題】しかし、その場合、ウ
ェハごと、ロットごとの膜厚のばらつきや、エッチング
レートのばらつきに対し、充分なオーバーエッチングを
設定していることから、一部は過度のオーバーエッチン
グとなりやすい問題があった。また、精度を上げるため
には、頻繁にエッチングレートを測定する必要があり、
作業性が悪くなるといった問題がある。
【0005】そこで、本発明の目的は、エッチング処理
に使用したエッチング液のpH変化に基づいて、ウェッ
トエッチングの終点検出を可能とした方法およびそれを
用いたウェットエッチング装置を提供することにある。
【0006】
【課題を解決するための手段】以上の課題を解決すべく
請求項1記載の発明は、基板の表面に形成した、例え
ば、Ti(チタン)とW(タングステン)との合金Ti
Wによる金属箔をエッチング液によりエッチング処理す
るウェットエッチングにおいて、前記エッチング処理に
使用した前記エッチング液、例えば、30%過酸化水素
水のpHを検出して、その使用した前記エッチング液の
pH変化に基づいてエッチングの終点を検出する方法を
特徴としている。
【0007】そして、請求項2記載の発明は、例えば、
前記合金TiWによる金属箔を表面に形成した基板を収
容して、30%過酸化水素水によるエッチング液を供給
するエッチングチャンバを備えるウェットエッチング装
置において、前記エッチングチャンバから排出される前
記エッチング液のpHを検出するpHセンサーを設けて
いる。そして、このpHセンサーにより検出された前記
エッチング液のpH変化に基づいて、制御手段によりエ
ッチング処理を終了する構成を特徴としている。
【0008】
【作用】本発明によれば、例えば、合金TiWによる金
属箔を表面に形成した基板を収容して、30%過酸化水
素水によるエッチング液を供給するエッチングチャンバ
から排出されるエッチング液のpHを検出するpHセン
サーを設けたので、このpHセンサーにより検出された
エッチング液のpH変化(例えば、初期2.29から
2.00で終了等)に基づいて、制御手段によりエッチ
ング処理を適正に終了できる。
【0009】
【実施例】以下に、本発明に係るウェットエッチングの
終点検出方法およびウェットエッチング装置の実施例を
図1および図2に基づいて説明する。
【0010】先ず、図1は本発明を適用した一例として
のウェットエッチング装置要部の内部構成を示すもの
で、1は基板キャリア、2は回転ドラム、3はエッチン
グチャンバ、4は薬液チューブ、5はシャワーノズル、
6はチャンバードレイン、7はpHセンサー、8は基
板、9は回転軸、10は制御手段、11は開閉弁であ
る。
【0011】実施例では、スプレー式のウェットエッチ
ング装置であり、基板キャリア1は回転ドラム2に収容
され、回転ドラム2はエッチングチャンバ3に収容され
ている。このエッチングチャンバ3は、エッチング液が
排出されやすいよう図示のように水平方向に対して斜め
に配置されており、エッチング液(薬液)は、図示しな
いタンクよりポンプを経て薬液チューブ4を経由し、上
方のシャワーノズル5,5,5,…よりスプレー状とな
ってエッチングチャンバ3内に注がれる。
【0012】そして、斜めに配置されたエッチングチャ
ンバ3の下部に、使用したエッチング液を排出するチャ
ンバードレイン6が設けられ、このチャンバードレイン
6は図示しないタンクに接続されており、このチャンバ
ードレイン6にpHセンサー7が装着されている。この
pHセンサー7は、チャンバードレイン6内において、
エッチングチャンバ3から排出される使用後のエッチン
グ液のpHを検出するものである。
【0013】以上のウェットエッチング装置は、基板キ
ャリア1に多数のシリコンウェハ等の基板8,8,8,
…を並べて装着し、回転ドラム2の回転軸9を図示しな
いモータ等の駆動源により回転駆動することで、エッチ
ング中、回転ドラム2を回転してエッチング均一性を向
上させる。また、pHセンサー7は制御手段10に接続
されて、この制御手段10により閉動作される開閉弁1
1が薬液チューブ4のエッチング液供給側に装着されて
いる。
【0014】実施例において、基板8の表面に形成され
る配線を形成するための金属箔は、Ti(チタン)とW
(タングステン)との合金TiWによるものである。そ
して、この基板8の合金TiWによる金属箔表面には、
フォトレジストによるエッチングマスクが形成されてい
る。さらに、合金TiWによる金属箔のエッチング液と
しては、濃度30%の過酸化水素水(H22)を使用し
ている。
【0015】ここで、合金TiWによる金属箔のエッチ
ング時において、エッチング液であるH22のpHが急
激に変化し、エッチング終了時にH22のpHが安定す
る。本発明は、この2つの事実を見いだし、エッチング
液に使用したH22のpH変化に基づいて、合金TiW
による金属箔のエッチング終点の検出に利用するもので
ある。
【0016】次に、実際のウェットエッチングについて
説明する。先ず、基板8は基板キャリア1に多数並べて
装着されたまま回転ドラム2に入れられる。回転ドラム
2が収容されたエッチングチャンバ3には、エッチング
液である30%H22が、タンクよりポンプを経て薬液
チューブ4を経由し、シャワーノズル5,5,5,…よ
り上方から注がれ、即ち、スプレー状となって基板8,
8,8,…に注がれる。
【0017】こうして、合金TiWによる金属箔が30
%H22によりエッチングされる。このエッチング中、
回転ドラム2は駆動源により回転されて、エッチング均
一性の向上が図られている。そして、エッチング後のH
22は、排出されやすいよう斜めになったエッチングチ
ャンバ3の下部に設けたチャンバードレイン6を通り、
タンクに戻る。
【0018】この時、チャンバードレイン6に装着され
たpHセンサー7によって、チャンバードレイン6を通
る使用後のH22のpHが検出され、即ち、pH変化の
検出が行われる。実際に実験したデータによると、その
pHは、図2にグラフ化したように、初期2.29から
エッチング中は徐々に減少し、エッチング終了(END
参照)で2.00で安定した。
【0019】従って、検出したpHが2.00となった
時点で、制御手段10の指令により開閉弁11を閉動作
して、エッチング液の供給を停止することで、エッチン
グ処理を終了する。こうして、一回ごとのウェットエッ
チング処理を適正に終了して、一部が過度のオーバーエ
ッチングとなりやすいといった従来の問題を解消するこ
とができる。
【0020】また、実施例のように、エッチング液のp
Hを常時モニターすることで、エッチング液の寿命管理
にも応用できるといった利点も得られる。
【0021】なお、以上の実施例においては、スプレー
式ウェットエッチング装置としたが、本発明はこれに限
定されるものではなく、他のウェットエッチング装置で
あってもよい。また、金属箔を形成する合金の種類、エ
ッチング液の種類等も任意であり、その他、具体的な細
部構造等についても適宜に変更可能であることは勿論で
ある。
【0022】
【発明の効果】以上のように、本発明に係るウェットエ
ッチングの終点検出方法およびウェットエッチング装置
によれば、例えば、合金TiWによる金属箔を表面に形
成した基板を収容して、30%過酸化水素水によるエッ
チング液を供給するエッチングチャンバから排出される
エッチング液のpHを検出するpHセンサーにより、そ
の検出されたエッチング液のpH変化(例えば、初期
2.29から2.00で終了等)に基づいて、制御手段
によりエッチング処理を適正に終了できるため、過度の
オーバーエッチングを招くことなく、簡単にエッチング
処理を行うことができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明を適用した一例としてのウェットエッチ
ング装置要部の内部構成を示す概略構成図である。
【図2】実施例のエッチング液のpH変化を示すもの
で、時間を横軸としてpHを縦軸とした特性図である。
【符号の説明】
1 基板キャリア 2 回転ドラム 3 エッチングチャンバ 4 薬液チューブ 5 シャワーノズル 6 チャンバードレイン 7 pHセンサー 8 基板 9 回転軸 10 制御手段 11 開閉弁

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 基板の表面に形成した金属箔をエッチン
    グ液によりエッチング処理するウェットエッチングにお
    いて、 前記エッチング処理に使用した前記エッチング液のpH
    を検出して、 その使用した前記エッチング液のpH変化に基づいてエ
    ッチングの終点を検出することを特徴とするウェットエ
    ッチングの終点検出方法。
  2. 【請求項2】 表面に金属箔を形成した基板を収容し
    て、エッチング液を供給するエッチングチャンバを備え
    るウェットエッチング装置において、 前記エッチングチャンバから排出される前記エッチング
    液のpHを検出するpHセンサーと、 このpHセンサーにより検出された前記エッチング液の
    pH変化に基づいてエッチング処理を終了する制御手段
    と、 を備えることを特徴とするウェットエッチング装置。
JP34059293A 1993-12-07 1993-12-07 ウェットエッチングの終点検出方法およびウェットエッチング装置 Pending JPH07161683A (ja)

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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2020217769A1 (ja) * 2019-04-26 2020-10-29 株式会社サイオクス 構造体の製造方法、構造体の製造装置および中間構造体
JP2020184606A (ja) * 2019-08-14 2020-11-12 株式会社サイオクス 構造体の製造方法と製造装置および中間構造体

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WO2020217769A1 (ja) * 2019-04-26 2020-10-29 株式会社サイオクス 構造体の製造方法、構造体の製造装置および中間構造体
US11342191B2 (en) 2019-04-26 2022-05-24 Sciocs Company Limited Structure manufacturing method, structure manufacturing apparatus and intermediate structure
JP2020184606A (ja) * 2019-08-14 2020-11-12 株式会社サイオクス 構造体の製造方法と製造装置および中間構造体

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