JP2020151911A - 基板分断方法及び基板分断装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板分断方法において、複雑な装置を必要とせず、基板を精度良く分断する。【解決手段】基板分断方法は、脆性材料基板Ｗの分断予定ラインに沿ってスクライブラインＳを形成する工程と、スクライブラインＳの直近にほぼ平行に刃先形状のブレイクバー４４を押圧することによって、スクライブラインＳの表面に圧縮膨張を生じさせ、それにより脆性材料基板ＷをスクライブラインＳに沿って分断する工程とを備えている。【選択図】図７

Description

本発明は、フラットパネルディスプレイ（ＦＰＤ）の表示パネル基板に使用されるガラス基板等の脆性材料基板を複数の基板に分断するために実施される基板分断方法及び基板分断装置に関する。

液晶表示装置等の表示パネル基板は、通常、脆性材料基板であるガラス基板を用いて製造される。液晶表示装置は、一対のガラス基板を、適当な間隔を形成して貼り合わせて、その間隔内に液晶を封入することによって製造される。
このような表示パネル基板を製造する場合には、貼り合わせ基板（一対の基板Ｗを貼り合わせてなる基板）を分断することによって、複数の表示パネル基板を作成する方法が実施されている（例えば、特許文献１を参照）。

特開平６−４８７５５号公報

従来の貼り合わせ基板の分断方法においては、一方の基板Ｗを分断するために貼り合わせ基板の表裏を反転させる反転工程と、一方の基板Ｗがスクライブされて生成された垂直クラックを浸透させて、一方の基板Ｗを分断するためのブレイク工程が必要である。これらの工程を含む基板分断装置は複雑な構造となり、その設置面積が大きくなってしまうという問題があった。
さらに、従来のブレイク工程で用いられている方法、すなわち、基板の裏面側からスクライブラインに沿って基板を押圧して分断する方法では、基板が曲げられて分断されるので分断後の基板の分断面にカケ等が生じやすかった。

本発明の目的は、基板分断方法において、複雑な装置を必要とせず、基板を精度良く分断することにある。

以下に、課題を解決するための手段として複数の態様を説明する。これら態様は、必要に応じて任意に組み合せることができる。

本発明の一見地に係る基板分断方法は、以下の工程を備えている。
◎脆性材料基板の分断予定ラインに沿ってスクライブラインを形成する工程。
◎スクライブラインの直近にほぼ平行に刃先形状のブレイクバーを押圧することによって、スクライブラインの表面に圧縮膨張を生じさせ、それにより脆性材料基板をスクライブラインに沿って分断する工程。
この方法では、スクライブラインを形成した基板表面をブレイクバーで押すことにより、基板を分断できる。したがって、前記従来とは異なり、基板を反転して基板裏面からブレイクする必要がない。
特に、基板の分断は、曲げではなく、基板のスクライブラインの表面における圧縮膨張によるので、分断は一瞬で行われる。その結果、チッピング等が発生しにくく、基板の端面の精度が向上する。

スクライブラインの形成により基板の表面を基部とする垂直クラックが分断予定ラインに沿って形成されてもよい。
ブレイクバーの押圧により垂直クラックの基板の表面部分に圧縮力を生じさせ、それによって基板の底面部分に引っ張り力を生じさせ、垂直クラックが該基板の底面部分まで浸透して基板を分断させてもよい。
この方法では、基板の分断は、曲げではなく、基板のスクライブラインの表面における圧縮膨張によるので、分断は一瞬で行われる。その結果、チッピング等が発生しにくく、基板の端面の精度が向上する。

ブレイクバーの押圧位置は、スクライブラインとは０．５ｍｍ以下の間隔を空けて形成されていてもよい。
この方法では、スクライブラインが確実に分断される。

脆性材料基板は２枚の基板からなる貼り合わせ基板であってもよい。
スクライブラインを形成する工程では、２枚の基板の分断予定ラインに沿ってそれぞれスクライブラインを形成してもよい。
脆性材料基板を分断する工程では、２枚の基板の各スクライブラインの直近に各ブレイクバーを反対側から押圧することによって、２枚の基板を各スクライブラインに沿って分断してもよい。
この方法では、２枚の基板を精度良く分断できる。

脆性材料基板を分断する工程では、２枚の基板のスクライブラインの直近にブレイクバーをそれぞれ反対側から同時に押圧することによって、２枚の基板をスクライブラインに沿って同時に分断してもよい。
この方法では、２枚の基板を同時に分断できる。なぜなら、２本のブレイクバーを２枚の基板それぞれに対して同時に押圧することで、２枚の基板を撓ませることなく、圧縮膨張を利用して分断できるからである。

本発明の他の見地に係る基板分断装置は、スクライブラインが形成された脆性材料基板をスクライブラインに沿って分断するための装置であって、押圧力発生部と、ブレイクバーと、トグル機構とを備えている。
ブレイクバーは、スクライブラインの直近にほぼ平行に押圧されることで、スクライブラインの表面に圧縮膨張を生じさせ、それにより脆性材料基板をスクライブラインに沿って分断するための部材である。
トグル機構は、押圧力発生部からの押圧力をブレイクバーに伝達する機構である。
この装置では、スクライブラインを形成した基板表面をブレイクバーで押すことにより、基板を分断できる。したがって、従来とは異なり、基板を反転して基板裏面からブレイクする必要がない。
特に、基板の分断は、曲げではなく、基板のスクライブラインの表面における圧縮膨張によるので、分断は一瞬で行われる。その結果、チッピング等が発生しにくく、基板の端面の精度が向上する。
特に、この装置では、トグル機構によって押圧力を増大しているので、ブレイクバーから基板に伝達される荷重が十分に大きくなる。

本発明に係る基板分断方法及び基板分断装置では、基板を精度良く分断することができる。

スクライブ装置の概略斜視図。 ブレイク装置の概略斜視図。 ブレイク装置の部分斜視図。 ブレイク装置の部分正面図。 ブレイクバーの斜視図。 ブレイク装置の制御構成を示すブロック図。 基板の模式的断面図。 スクライブパターンを説明するための平面図。 第２実施形態の基板の模式的断面図。

１．第１実施形態
（１）スクライブ装置
図１を用いて、スクライブ装置１を説明する。図１は、スクライブ装置の概略斜視図である。スクライブ装置１は、脆性材料基板Ｗ（以下、「基板Ｗ」という。）をスクライブ加工する装置である。基板Ｗは、例えば、ガラス基板、セラミック基板、サファイア基板、シリコン基板等である。
スクライブ装置１は、基板Ｗを載置するテーブル２を備えている。テーブル２は移動台３に載っており、移動台３は水平なレール５ａ、５ｂに沿って移動できるようになっており、モータ６によって回転するボールネジ７により駆動される。
なお、以下の説明では、レール５ａ、５ｂの延びる水平方向をＹ方向として、それに直交する水平方向をＸ方向という。
テーブル２は、基板Ｗを定位置で保持できるように保持手段（図示せず）を備えている。保持手段は、例えば、テーブル２に開口させた多数の小さな吸着孔（図示せず）からのエア吸引である。

スクライブ装置１には、移動台３とテーブル２を跨ぐように、Ｘ軸方向に沿ってブリッジ１１が、支柱１２ａ、１２ｂによって架設されている。
ブリッジ１１には、ガイド１３が取り付けられており、スクライブヘッド１４がガイド１３に沿ってＸ軸方向に沿って移動可能に設置されている。そして、スクライブヘッド１４には、ホルダージョイント１５を介して、ホルダーユニット１６が取り付けられている。
ホルダーユニット１６は、ホルダ（図示せず）とスクライビングホイール２０（図７、以後「ホイール２０」という）とを有している。ホイール２０は、ホルダに回転自在に支持されている。ホイール２０には、刃部２０ａが形成されている。刃部２０ａの刃先角α１は、通常鈍角であり、１００〜１４０°、好ましくは１１０〜１３０°の範囲である。なお、刃先角の具体的角度は、切断する脆性材料基板Ｗの材質、厚さ等から適宜設定される。

（２）ブレイク装置
（２−１）概略説明
図２を用いて、ブレイク装置３１（基板分断装置の一例）を説明する。図２は、ブレイク装置の概略斜視図である。なお、図２は概略説明のための図面であるので、適宜簡略化しており、後で説明する図３〜図５とは異なる部分がある。
ブレイク装置３１は、基板Ｗを載置するテーブル３２を備えている。テーブル３２は移動台３３に載っており、移動台３３は水平なレール３５ａ、３５ｂに沿ってＹ方向に移動できるようになっており、モータ３６によって回転するボールネジ３７により駆動される。
テーブル３２は、テーブル２と同様に基板Ｗを定位置で保持できるように保持手段を備えている。

ブレイク装置３１には、移動台３３とその上部のテーブル３２を跨ぐように、Ｘ軸方向に沿ってブリッジ４１が、支柱４２ａ、４２ｂによって架設されている。
ブレイクバー４４は、エアシリンダ４５により昇降可能になっている。

ブレイクバー４４の下端にある刃部４４ａは、図５及び図７に示すように、長さ方向に稜線４４ｂを有する下向き三角形で形成されている。つまり、ブレイクバー４４の刃部４４ａは、Ｖ字形状に構成されており、その刃先角α２が鈍角である。
ブレイクバー４４の刃部４４ａの形状は、ホイール２０の刃部２０ａと実質的に同等の形状を有している。つまり、ブレイクバー４４の刃先とホイール２０の刃先の形状が同じサイズ、同じ形状（角度）であるように設定されている。この結果、刃部４４ａの刃先角α２は、鈍角であり、１００〜１４０°、好ましくは１１０〜１３０°の範囲である。

（２−２）詳細説明
図３〜図５を用いて、ブレイク装置３１を詳細に説明する。図３は、ブレイク装置の部分斜視図である。図４は、ブレイク装置の部分正面図である。図５は、ブレイクバーの斜視図である。
ブレイク装置３１は、連結部材５１を有している。連結部材５１は、エアシリンダ４５によって上下方向に駆動される。

ブレイク装置３１は、トグル機構５３を有している。トグル機構５３は、連結部材５１からの荷重を増大してブレイクバー４４に伝達する機構である。トグル機構５３は、２組のトグル機構５３Ａ、５３Ｂを有している。２組のトグル機構５３Ａ、５３Ｂは、Ｘ方向に並んで配置されている。
以下、トグル機構５３Ａを説明する（トグル機構５３Ｂは同様であるので、説明を省略）。トグル機構５３Ａは、第１プレート５３ａと、第２プレート５３ｂと、第３プレート５３ｃとを有している。第１プレート５３ａと第３プレート５３ｃは一方向に長く延びている。第２プレート５３ｂは概ね三角形の形状である。第１プレート５３ａは、上側の一端が連結部材５１の下部に回動自在に連結され、下端が第２プレート５３ｂの上辺の一方側に回動自在に連結されている。第２プレート５３ｂは、上側の他端がブレイク装置３１の静止部に回動自在に連結されている。第３プレート５３ｃは、上端が第２プレート５３ｂの下端に回動不能に連結されている。つまり、第２プレート５３ｂと第３プレート５３ｃは一体の部材となっている。第３プレート５３ｃは、下端がブレイクバー４４のホルダに回動自在に連結されている。

以上の連結により、第１プレート５３ａは、下端が上端に対してＸ方向外側に位置している。さらに、第２プレート５３ｂは下端が上端に対してＸ方向外側に位置している。
以上の構造により、簡単な構造で大きな力をブレイクバー４４に与えることができる。

（２−３）制御構成
図６を用いて、ブレイク装置３１の制御構成を説明する。図６は、ブレイク装置の制御構成を示すブロック図である。
ブレイク装置３１は、コントローラ６１を有している。コントローラ６１は、プロセッサ（例えば、ＣＰＵ）と、記憶装置（例えば、ＲＯＭ、ＲＡＭ、ＨＤＤ、ＳＳＤなど）と、各種インターフェース（例えば、Ａ／Ｄコンバータ、Ｄ／Ａコンバータ、通信インターフェースなど）を有するコンピュータシステムである。制御部は、記憶部（記憶装置の記憶領域の一部又は全部に対応）に保存されたプログラムを実行することで、各種制御動作を行う。
コントローラ６１は、単一のプロセッサで構成されていてもよいが、各制御のために独立した複数のプロセッサから構成されていてもよい。
コントローラ６１の各要素の機能は、一部又は全てが、コントローラ６１を構成するコンピュータシステムにて実行可能なプログラムとして実現されてもよい。その他、制御部の各要素の機能の一部は、カスタムＩＣにより構成されていてもよい。

コントローラ６１は、モータ３６、エアシリンダ４５に接続されている。
コントローラ６１には、図示しないが、基板Ｗの大きさ、形状及び位置検出するセンサ、各装置の状態を検出するためのセンサ及びスイッチ、並びに情報入力装置が接続されている。

（３）基板分断方法
上記のスクライブ装置１及びブレイク装置３１を用いた基板分断方法は、例えば、基板Ｗを分断して複数の基板を得るために実施される。
（３−１）スクライブライン形成工程
図７を用いて、スクライブライン形成工程を説明する。図７は、基板の模式的断面図である。
単板の基板Ｗの分断予定ラインに沿って、ホイール２０が基板Ｗに圧接させられ、転動させられて、基板Ｗをスクライブする。これにより、基板Ｗの厚さ方向に向かう垂直クラックＶｍが、分断予定ラインに沿って順次形成されスクライブラインＳとなる。垂直クラックＶｍは、基板Ｗの表面から、基板Ｗの厚さの５０％以上に達するように、さらに好ましくは８０％以上に達するように、さらに好ましくは９０％以上に達するように形成される。

（３−２）ブレイク工程
図７を用いて、ブレイク工程を説明する。なお、以下の動作は、コントローラ６１の制御によって行われる。
図７に示すように、目的とする分断後の基板の領域外において、スクライブラインＳに対して、間隔ｄを空けてほぼ平行に、ブレイクバー４４を基板Ｗに押し付ける。つまり、ブレイクバー４４の押圧ラインＰは、スクライブラインＳに対して平行になる。詳細には、スクライブラインＳの直近にほぼ平行に刃先形状のブレイクバー４４を押圧することによって、スクライブラインＳの表面に圧縮膨張を生じさせ、それにより基板ＷをスクライブラインＳに沿って分断する。具体的には、スクライブラインＳの上側が合わされるように互いに押し付けられ、同時に下側が互いに広げられる。このような現象が生じるのは、テーブル３２の表面が固く、基板Ｗがほとんど曲がらないからである。
この方法では、前記従来とは異なり基板を反転して基板裏面からブレイクすることなく、スクライブラインＳを形成した基板Ｗの表面をブレイクバー４４で押すことにより、基板Ｗを分断できる。
このように、基板Ｗは、折り曲げではなく、基板Ｗの圧縮膨張によって一瞬に分断されるので、チッピング等の不良が生じにくい。

詳細には、ブレイクバー４４の刃部４４ａが基板Ｗの表面に食い込むことによって、基板Ｗの表面部分には圧縮力が加わり、すでに形成されているスクライブラインＳにおける垂直クラックＶｍの表面部分に圧縮力が作用する。この場合、スクライブラインＳを形成する垂直クラックＶｍは、基板の厚さに対して、５０％以上に達するように形成されており、基板Ｗの表面部分が圧縮されることにより、スクライブラインＳの垂直クラックＶｍは、基板Ｗの表面部分における間隙が圧縮された状態になり、底面部分で引っ張られた状態となるので、垂直クラックＶｍは、基板Ｗの底面に向かって浸透し、この垂直クラックＶｍが基板Ｗの底面に達する。そして、スクライブラインＳの全体にわたって、垂直クラックＶｍが、基板Ｗの底面に達した状態になることにより、基板Ｗは、スクライブラインＳに沿って分断される。

押圧ラインＰとスクライブラインＳとの間隔ｄは０．５ｍｍ以下であることが好ましい。その理由は、間隔ｄが０．５ｍｍよりも大きくなると、スクライブラインＳの垂直クラックＶｍにおける表面側部分に作用する圧縮力が十分ではなく、垂直クラックＶｍが、基板Ｗの底面にまで達しないおそれがあるからである。なお、さらに好ましくは、押圧ラインＰとスクライブラインＳとの間隔ｄは、０．２〜０．３ｍｍの範囲である。
なお、ブレイクバー４４に付与する推力は、ホイール２０でスクライブラインＳを形成するときに基板Ｗが受ける面圧と同等の面圧が発生するように、設定されている。

（４）実例
（４−１）スクライブパターン
図８を用いて、スクライブパターンの一例を説明する。図８は、スクライブパターンを説明するための平面図である。
基板Ｗは、第１〜第８の分断予定ラインＤ１〜Ｄ８に沿って、その順番に分断されることによって、２行×２列の４つの基板Ｗａとされる。
第１分断予定ラインＤ１は、第１行の２つの基板Ｗａにおける行方向（横方向）に沿った側縁に対応しており、基板Ｗの行方向に沿った一方の側縁に対して一定の間隔が設けられている。第２分断予定ラインＤ２は、第１行の２つの基板Ｗａにおける第２行の基板Ｗａに近接した側縁に対応している。第３分断予定ラインＤ３は、第２行の２つの基板Ｗａにおける第１行の基板Ｗａに近接した側縁に対応しており、第２分断予定ラインＤ２とは、２〜４ｍｍの間隔があけられている。第４分断予定ラインＤ４は、第２行の２つの基板Ｗａにおける行方向（横方向）に沿った側縁に対応しており、基板Ｗの行方向に沿った他方の側縁に対して一定の間隔が設けられている。第５分断予定ラインＤ５は、第１列の２つの基板Ｗａにおける列方向（縦方向）に沿った側縁に対応しており、基板Ｗの列方向に沿った一方の側縁に対して一定の間隔が設けられている。第６分断予定ラインＤ６は、第１列の２つの基板Ｗａにおける第２列の基板Ｗａに近接した側縁に対応している。第７分断予定ラインＤ７は、第２列の２つの基板Ｗａにおける第１列の基板Ｗａに近接した側縁に対応しており、第６分断予定ラインＤ６とは、２〜４ｍｍの間隔が開けられている。第８分断予定ラインＤ８は、第２列の２つの基板Ｗａにおける列方向（縦方向）に沿った側縁に対応しており、基板Ｗの列方向に沿った他方の側縁に対して一定の間隔が設けられている。

（４−２）スクライブライン形成
基板Ｗに対して、例えば、ホイール２０を、第１〜第４分断予定ラインＤ１〜Ｄ４に沿って、その順番で、圧接状態で転動させる。これにより、基板Ｗの厚みの５０％以上の深さの垂直クラックが第１〜第４のスクライブラインＳ１〜Ｓ４の直下にそれぞれ形成される。
このような状態になると、第５の分断予定ラインＤ５に沿って、ホイール２０を圧接状態で転動させる。これにより、第５の分断予定ラインＤ５に沿って、第５のスクライブラインＳ５がそれぞれ形成される。
以後、同様にして、第６〜第８分断予定ラインＤ６〜Ｄ８に沿って、ホイール２０を、順番に、圧接状態で転動させて、第６〜第８の分断予定ラインＤ６〜Ｄ８に沿って、第６〜第８のスクライブラインＳ６〜Ｓ８を、その順番で、それぞれ形成する。

（４−３）分断工程
第１のスクライブラインＳ１に対して基板Ｗａとは反対側の基板Ｗの側縁部において、第１のスクライブラインＳ１に対して０．５ｍｍ以下の間隔を空けて、ブレイクバー４４を基板に押し付ける。第１の押圧ラインＰ１は、第１のスクライブラインＳ１に対して平行になる。これにより、第１のスクライブラインＳ１における垂直クラックが、第１基板Ｗ１の底面に向かって浸透し、基板Ｗの底面に達する。この作用が第１のスクライブラインＳ１の全体にわたり起こることによって、第１のスクライブラインＳ１に沿って基板Ｗが分断される。

次に、第２のスクライブラインＳ２に対して基板Ｗａとは反対側の領域に、第２のスクライブラインＳ２に対して０．５ｍｍ以下の間隔を空けて、ブレイクバー４４を基板Ｗに押し付ける。第２の押圧ラインＰ２は、第２のスクライブラインＳ２に対して平行になる。これにより、第２のスクライブラインＳ２における垂直クラックが、基板Ｗの表面から基板Ｗの底面に達するように浸透し、第２のスクライブラインＳ２の全体にわたって垂直クラックが基板Ｗの底面に達することによって、基板Ｗが第２のスクライブラインＳ２に沿って分断される。
第３のスクライブラインＳ３および第４のスクライブラインＳ４に沿って、基板Ｗａ側とは反対側にブレイクバー４４をそれぞれ押し付ける。第３の押圧ラインＰ３及び第４の押圧ラインＰ４は、第１のスクライブラインＳ３及び第４のスクライブラインＳ４に対してそれぞれ平行になる。これにより、第３のスクライブラインＳ３および第４のスクライブラインＳ４に沿って、基板Ｗが順次分断される。

その後、第５のスクライブラインＳ５〜第８のスクライブラインＳ８に沿って、基板Ｗａ側とは反対側にブレイクバー４４を第１のスクライブラインＳ１と第２のスクライブラインＳ２との間、第３のスクライブラインＳ３と第４のスクライブラインＳ４との間にそれぞれ押し付ける。第５の押圧ラインＰ５、第６の押圧ラインＰ６、第７の押圧ラインＰ７及び第８の押圧ラインＰ８は、第５のスクライブラインＳ５、第６のスクライブラインＳ６、第７のスクライブラインＳ７及び第８のスクライブラインＳ８に対してそれぞれ平行になる。これにより、第５のスクライブラインＳ５〜第８のスクライブラインＳ８に沿って、基板Ｗが分断され、不要部分が除去されて４つの基板Ｗａが得られる。

２．第２実施形態
第１実施形態は単板の基板を用いて一実施形態を説明したが、基板の種類は特に限定されない。例えば、貼り合わせマザー基板（一対の基板Ｗが相互に貼り合わされたもの）における各基板Ｗをそれぞれ分断する場合にも本発明を適用できる。
図９を用いて、そのような例として第２実施形態を説明する。図９は、第２実施形態の基板の模式的断面図である。なお、基本的な構成は第１実施形態と同じなので、以下は異なる点を中心に説明する。
貼り合わせ基板Ｗｓは、第１スクライブラインＳ１が形成された第１基板Ｗ１と、第２スクライブラインＳ２が形成された第２基板Ｗ２が貼り合わされてなる。
ブレイク装置は、上下に配置された第１ブレイクバー４４Ａと第２ブレイクバー４４Ｂとを有している。

（１）スクライブライン形成工程
図９に示すように、第１基板Ｗ１の分断予定ラインに沿って、ホイール２０Ａが基板Ｗに圧接させられ、転動させられて、第１基板Ｗ１をスクライブする。これにより、第１基板Ｗ１の厚さ方向に向かう垂直クラックＶｍ１が、分断予定ラインに沿って順次形成され第１スクライブラインＳ１となる。垂直クラックＶｍ１は、第１基板Ｗ１の表面から厚さの５０％以上に達するように、さらに好ましくは８０％以上に達するように、さらに好ましくは９０％以上に達するように形成される。

図９に示すように、第２基板Ｗ２の分断予定ラインに沿って、ホイール２０Ｂが第２基板Ｗ２に圧接させられ、転動させられて、第２基板Ｗ２をスクライブする。これにより、第２基板Ｗ２の厚さ方向に向かう垂直クラックＶｍ２が、分断予定ラインに沿って順次形成され第２スクライブラインＳ２となる。垂直クラックＶｍ２は、第２基板Ｗ２の表面から厚さの５０％以上に達するように、さらに好ましくは８０％以上に達するように、さらに好ましくは９０％以上に達するように形成される。
なお、第１スクライブラインＳ１と第２スクライブラインＳ２は平面視で同じ位置に形成されている。
このようにして、第１基板Ｗ１及び第２基板Ｗ２の分断予定ラインに沿ってそれぞれ第１スクライブラインＳ１及び第２スクライブラインＳ２が形成される。

（２）ブレイク工程
図９に示すように、目的とする分断後の基板の領域外において、第１スクライブラインＳ１に対して、間隔ｄを空けてほぼ平行に、第１ブレイクバー４４Ａを第１基板Ｗ１に押し付ける。また、上記動作と同時に、目的とする分断後の基板の領域外において、第２スクライブラインＳ２に対して、間隔ｄを空けてほぼ平行に、第２ブレイクバー４４Ｂを第２基板Ｗ２に押し付ける。第１の押圧ラインＰ１と第２の押圧ラインＰ２は平面視で同じ位置である。この結果、第１基板Ｗ１と第２基板Ｗ２は、同時に分断される。
上記で述べたように第１基板Ｗ１及び第２基板Ｗ２の第１スクライブラインＳ１及び第２スクライブラインＳ２の直近に第１ブレイクバー４４Ａ及び第２ブレイクバー４４Ｂをそれぞれ反対側から押圧することによって第１基板Ｗ１及び第２基板Ｗ２を第１スクライブラインＳ１及び第２スクライブラインＳ２に沿って分断する。
詳細には、第１スクライブラインＳ１及び第２スクライブラインＳ２それぞれの直近にほぼ平行に刃先形状の第１ブレイクバー４４Ａ及び第２ブレイクバー４４Ｂを押圧することによって、第１スクライブラインＳ１及び第２スクライブラインＳ２の表面に圧縮膨張を生じさせ、それにより第１基板Ｗ１及び第２基板Ｗ２を第１スクライブラインＳ１及び第２スクライブラインＳ２に沿って分断する。

この方法では、第１スクライブラインＳ１及び第２スクライブラインＳ２を形成した基板Ｗｓの表面を第１ブレイクバー４４Ａ及び第２ブレイクバー４４Ｂで押すことにより、第１基板Ｗ１及び第２基板Ｗ２を分断できる。
このように、第１基板Ｗ１及び第２基板Ｗ２は、折り曲げではなく、第１基板Ｗ１及び第２基板Ｗ２の圧縮膨張によって一瞬に分断されるので、チッピング等の不良が生じにくい。

３．他の実施形態
以上、本発明の複数の実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。特に、本明細書に書かれた複数の実施形態及び変形例は必要に応じて任意に組み合せ可能である。
本発明は、石英基板、サファイア基板、半導体ウェハー、セラミック基板などの分断にも本発明を適用できる。また、本発明は、フラットディスプレイパネルの一種であるプラズマディスプレイパネル、有機ＥＬパネル、無機ＥＬパネル、透過型プロジェクター基板、反射型プロジェクター基板にも適用きる。

トグル構造は第１実施形態のものに限定されない。
ブレイクバーに大きな推力は与える構造は、エアシリンダとトグル構造の組み合わせに限定されない。例えば、大型の直動シリンダでもよい。

本発明は、脆性材料基板を複数の基板に分断するために実施される基板分断方法に広く適用できる。

１ ：スクライブ装置
２ ：テーブル
２０ ：スクライビングホイール
３１ ：ブレイク装置
３２ ：テーブル
４４ ：ブレイクバー
５３ ：トグル機構
Ｗ ：脆性材料基板
Ｗｓ ：貼り合わせ基板

Claims (6)

1. 脆性材料基板の分断予定ラインに沿ってスクライブラインを形成する工程と、
   前記スクライブラインの直近にほぼ平行に刃先形状のブレイクバーを押圧することによって、前記スクライブラインの表面に圧縮膨張を生じさせ、それにより前記脆性材料基板を前記スクライブラインに沿って分断する工程と、
   を備えた基板分断方法。
2. 前記スクライブラインの形成により前記基板の表面を基部とする垂直クラックが前記分断予定ラインに沿って形成され、
   前記ブレイクバーの押圧により前記垂直クラックの前記基板の表面部分に圧縮力を生じさせ、それによって前記基板の底面部分に引っ張り力を生じさせ、前記垂直クラックが該基板の前記底面部分まで浸透して前記基板を分断させる、請求項１に記載の基板分断方法。
3. 前記ブレイクバーの押圧位置は、前記スクライブラインとは０．５ｍｍ以下の間隔を空けて形成されている、請求項１又は２に記載の基板分断方法。
4. 前記脆性材料基板は２枚の基板からなる貼り合わせ基板であり、
   前記スクライブラインを形成する工程では、前記２枚の基板の分断予定ラインに沿ってそれぞれスクライブラインを形成し、
   前記脆性材料基板を分断する工程では、前記２枚の基板の前記スクライブラインの直近に前記ブレイクバーをそれぞれ反対側から押圧することによって、前記２枚の基板を前記スクライブラインに沿って分断する、請求項１〜３のいずれかに記載の基板分断方法。
5. 前記脆性材料基板を分断する工程では、前記２枚の基板の前記スクライブラインの直近に前記ブレイクバーをそれぞれ反対側から同時に押圧することによって、前記２枚の基板を前記スクライブラインに沿って同時に分断する、請求項４に記載の基板分断方法。
6. スクライブラインが形成された脆性材料基板を前記スクライブラインに沿って分断するための基板分断装置であって、
   押圧力発生部と、
   前記スクライブラインの直近にほぼ平行に押圧されることで、前記スクライブラインの表面に圧縮膨張を生じさせ、それにより前記脆性材料基板を前記スクライブラインに沿って分断するためのブレイクバーと、
   前記押圧力発生部からの押圧力を前記ブレイクバーに伝達するトグル機構と、を備えた基板分断装置。

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