JP2020148727A - 測定装置 - Google Patents

Abstract

【課題】正確なホール起電圧を用いて、サンプルの導電性、キャリア濃度およびキャリア移動度を正確に算出することができる測定装置を提供する。【解決手段】本実施形態による測定装置は、測定対象に所定の磁場を印加する磁場発生部を備える。電流源は、測定対象に対して矩形波の電流を磁場と交差する方向に供給する。電圧測定部は、測定対象に発生する電圧差を測定する。復元部は、矩形波と同一周波数を有し、該矩形波と同期した復調信号を用いて電圧差を復調し、復調された電圧差の高調波成分を除去して測定対象に生じる起電圧を復元する。演算部は、起電圧の低周波成分を用いて測定対象の測定を行う。【選択図】図１

Description

本実施形態は、測定装置に関する。

半導体材料等のサンプルのホール効果を測定する場合、サンプルに磁場を印加し、かつ、磁場に対して直交方向に定電流を流す。測定装置は、それにより生じる電圧差を測定する。通常、測定装置は、この電圧差をホール起電圧として用いてホール係数を算出し、さらにこのホール係数を用いて、サンプルの導電性（ｎまたはｐ）、キャリア濃度、キャリア移動度を算出する。

しかし、サンプルには、電圧や電流を供給するために電極が設けられている。この電極とサンプルとの間の接合部においてノイズが発生する。このノイズは、ホール起電圧に混入し、サンプルの導電性、キャリア濃度およびキャリア移動度の正確な算出の妨げの原因となっていた。

米国特許第７６０５６４７号公報 米国特許公開第２００９／０２６７６８７号公報 特開平０３−０１０１８０号公報 特許第３０４４３１９号公報

"Circuit Techniques for Reducing the Effects of Op-Amp Imperfections: Autozeroing, Correlated Double Sampling, and Chopper Stabilization" Proceedings of the IEEE, Vol.84, NO.11, 1584-1614, November 1996

正確なホール起電圧を用いて、サンプルの導電性、キャリア濃度およびキャリア移動度を正確に算出することができる測定装置を提供する。

本実施形態による測定装置は、測定対象に所定の磁場を印加する磁場発生部を備える。電流源は、測定対象に対して矩形波の電流を磁場と交差する方向に供給する。電圧測定部は、測定対象に発生する電圧差を測定する。復元部は、矩形波と同一周波数を有し、矩形波電流Iと同期した復調信号を用いて電圧差を復調し、復調された電圧差の高調波成分を除去して測定対象に生じる起電圧を復元する。演算部は、起電圧の低周波成分を用いて測定対象の測定を行う。

本実施形態による測定装置の構成例を示すブロック図。 図１の２−２線に沿ったＤＵＴの概略断面図。 起電圧の周波数に対する１／ｆノイズのパワースペクトル密度を示すグラフ。 (Ａ)矩形波電流を示すグラフ、（Ｂ）電圧測定部で測定された電圧差を示すグラフ、（Ｃ）復調信号で復調された起電圧を示すグラフ、（Ｄ）起電圧に対してローパスフィルタを適用した後の波形を示すグラフ。 １／ｆノイズの周波数特性を示すグラフ。

以下、図面を参照して本発明に係る実施形態を説明する。本実施形態は、本発明を限定するものではない。図面は模式的または概念的なものであり、各部分の比率などは、必ずしも現実のものと同一とは限らない。明細書と図面において、既出の図面に関して前述したものと同様の要素には同一の符号を付して詳細な説明は適宜省略する。

図１は、本実施形態による測定装置の構成例を示すブロック図である。測定装置１は、測定対象（ＤＵＴ（Device Under Test））のホール効果を測定する装置である。ＤＵＴは、例えば、半導体チップのサンプルであり、ホール効果の測定のために４つの電極Ｅ１〜Ｅ４を有する。ＤＵＴは、例えば、直方体または立方体の形状を有し、電極Ｅ１〜Ｅ４は、その４つの頂点部分にそれぞれ設けられている。尚、ＤＵＴは、直方体または立方体以外の対称性のある形状であってもよい。ただし、電極Ｅ１〜Ｅ４の２つの電極の結線が他の２つの電極の結線に対して交差するように配置可能である必要がある。また、端子は、４つに限らず、５以上であってもよい。この場合でも、５つの端子のうち２つの電極の結線が他の２つの電極の結線に対して交差するように配置可能であればよい。

測定装置１は、第１〜第４端子Ｔ１〜Ｔ４と、ステージ５と、磁場発生部１０と、電流源２０と、電圧測定部３０と、制御部４０と、復元部５０と、演算部６０とを備えている。

ステージ５は、ＤＵＴを搭載可能に構成されている。磁場発生部１０は、ステージ５上のＤＵＴに対して磁場Ｂを印加する装置であり、例えば、永久磁石、電磁石である。磁場発生部１０は、ＤＵＴの上方または下方に配置され、Ｚ方向（図１の紙面方向）に磁場Ｂを印加する。Ｚ方向は、電極Ｅ１〜Ｅ４が設けられたＤＵＴの表面に対して略垂直方向である。尚、磁場発生部１０は、連続して磁場ＢをＤＵＴへ印加してもよく、断続的に印加してもよい。

端子Ｔ１〜Ｔ４は、ＤＵＴの電極Ｅ１〜Ｅ４に対応しており、それぞれ電極Ｅ１〜Ｅ４に電気的に接触可能に設けられている。第１端子Ｔ１および第２端子Ｔ２は、２つの電極Ｅ１、Ｅ２にそれぞれ接触し、電流源２０からの電流ＩをＤＵＴへ供給する。電極Ｅ１と電極Ｅ２は、ＤＵＴの対頂点であり、電流Ｉは、電極Ｅ１と電極Ｅ２とを結ぶ対角線に沿って矢印Ａ１またはＡ２で示す方向に流れる。

電流源２０は、第１端子Ｔ１と第２端子Ｔ２との間で電流Ｉを供給することができる。具体的には、電流源２０は、電流Ｉとして、矩形波電流を供給することができる。例えば、電流源２０は、矢印Ａ１で示す方向と矢印Ａ２で示す方向とに電流Ｉを周期的に交互に流す。矢印Ａ１と矢印Ａ２とは、ともにＤＵＴの対角線に沿っているが、互いに逆方向である。即ち、Ａ１方向の電流とＡ２方向の電流とは極性が逆であるが、絶対値の大きさはほぼ同じである。電流源２０は、半周期でＡ１方向に電流を流し、次の半周期でＡ２方向に電流を流す。電流源２０は、このようなＡ１方向の電流とＡ２方向の電流とを瞬時に切替え交互に流す。これにより、電流Ｉは、或る周期を有する矩形波電流Ｉとなる。

矩形波電流Ｉの方向Ａ１、Ａ２は、磁場Ｂの方向（Ｚ方向）に対して交差する方向であり、例えば、略直交方向となっている。これにより、ローレンツ力がＤＵＴ内を流れるキャリア（電子または正孔）に印加される。ローレンツ力は、磁場Ｂの方向（Ｚ方向）およびキャリアの移動方向（Ａ１またはＡ２方向）に対して直交方向に印加される。このローレンツ力により、ＤＵＴ内部に電圧差Ｖｍが発生する。

電圧測定部３０は、第３端子Ｔ３と第４端子Ｔ４との間で、ＤＵＴ内部の電圧差Ｖｍを測定する。第３端子Ｔ３と第４端子Ｔ４は、それぞれＤＵＴの他の２つの電極Ｅ３、Ｅ４にそれぞれ接触し、電圧差を電圧測定部３０へ伝達する。尚、電極Ｅ３と電極Ｅ４とを結ぶ対角方向は、磁場Ｂの方向（Ｚ方向）およびキャリアの移動方向（Ａ１またはＡ２方向）に対して略直交方向であることが好ましい。このとき、ＤＵＴ内で生じる起電圧（ホール起電圧）（図４（Ｄ）のＶｈ）は最大となるからである。しかし、後述する方法でホール起電圧を抽出することができれば、電極Ｅ３と電極Ｅ４とを結ぶ対角方向は、Ｚ方向およびＡ１、Ａ２方向に対して直交せずとも傾斜方向に交差してもよい。

ここで、電圧差Ｖｍは、１／ｆノイズおよび高調波を含む場合がある。１／ｆノイズは、ＤＵＴの材料膜または基板と電極Ｅ１〜Ｅ４との接合領域において、それらの仕事関数差によるショットキーバリアによって生じることが判明した。図２は、図１の２−２線に沿ったＤＵＴの概略断面図である。電極Ｅ３、Ｅ４と材料膜または基板Ｍ（以下、単に、材料膜Ｍという）との間にショットキーバリアＳＫＢがあり、ショットキーバリアＳＫＢが１／ｆノイズの原因と推測される。このような１／ｆノイズは、低周波領域において大きくなっており、電圧差Ｖｍに重畳している。例えば、図３は、電圧差Ｖｍの周波数に対する１／ｆノイズのパワースペクトル密度（ノイズの大きさ）を示すグラフである。横軸が、電圧差Ｖｍの周波数を示し、縦軸が、１／ｆノイズのパワースペクトル密度（Ｖ／Ｈｚ^{（１／２）}）を示す。尚、縦軸は対数表示となっている。
ラインＬ１は、電極Ｅ１〜Ｅ４の材質がアルミニウムである場合の１／ｆノイズを示し、ラインＬ２は、電極Ｅ１〜Ｅ４の材質がプラチナである場合の１／ｆノイズを示す。ラインＬ１、Ｌ２ともに、周波数が低くなるにつれて、１／ｆノイズが桁違いに大きくなっていることが分かる。このような１／ｆノイズを含む電圧差Ｖｍは、ホール起電圧Ｖｈを正確に表していないため、電圧差Ｖｍをそのまま用いても正しいホール係数Ｒｈを算出することはできない。

そこで、本実施形態によれば、復元部５０は、矩形波電流Ｉの逆相であり、さらにその逆相信号から位相をずらした復調信号を用いて電圧差Ｖｍを復調する。これにより、電圧差Ｖｍを低周波側へシフトさせ、１／ｆノイズの影響を大きく受けている電圧差Ｖｍの周波数帯域を０Ｈｚ未満へシフトさせる。例えば、復調信号は、矩形波電流Ｉと同期しており、同一周波数を有している。これにより、例えば、電圧差Ｖｍは約５０Ｈｚほど低域側へシフトし、電圧差Ｖｍの約５０Ｈｚ未満の帯域に含まれる１／ｆノイズが、復調後、０Ｈｚ未満へシフトされる。即ち、１／ｆノイズの影響を大きく受けている電圧差Ｖｍの周波数帯域が除去される。さらに、復元部５０は、復調後の電圧差Ｖｍにローパスフィルタを適用することによって高調波（例えば、１００Ｈｚ以上の帯域）を除去する。これにより、１／ｆノイズおよび高調波の影響を或る程度排除したほぼ直流成分のホール起電圧Ｖｈが復元される。ホール起電圧Ｖｈは、例えば、電圧差Ｖｍの５０Ｈｚ〜１００Ｈｚの低周波帯域（直流成分）を復元した電圧となる。

このように、本実施形態による測定装置１は、矩形波電流Ｉを用いて変調された電圧差Ｖｍを測定し、その後、矩形波電流Ｉに基づいて設定された復調信号を用いて電圧差Ｖｍを復調する。そして、ローパスフィルタを用いて、復調された電圧差Ｖｍのうち、高調波成分が取り除かれる。これにより、電圧差Ｖｍから１／ｆノイズおよび高調波成分を除いた低周波成分（直流成分）のホール起電圧Ｖｈが復元され得る。電圧差Ｖｍからホール起電圧Ｖｈへの復元については、後で図４（Ａ）〜図５を参照して説明する。

制御部４０は、電流源２０を制御し、矩形波の電流Ｉを生成させる。また、制御部４０は、復元部５０を制御し、電圧差Ｖｍを復元する。

復元部５０は、制御部４０の制御を受けて、上述のように、電圧差Ｖｍに復調信号を重畳させて、さらにローパスフィルタを適用する。復調信号は、矩形波電流Ｉと同一周波数を有し、該矩形波電流Ｉと同期した波形の信号である。このような復調信号を電圧差Ｖｍに重畳させる。さらに、復元部５０は、復調された起電圧Ｖｈにローパスフィルタを適用し、起電圧Ｖｈの高調波成分を除去する。これにより、電圧差Ｖｍは、ＤＵＴで生じた起電圧Ｖｈに復調され、電圧差Ｖｍから１／ｆノイズの成分（例えば、Ｖｍの５０Ｈｚ未満の成分）および電圧差Ｖｍの高調波成分（例えば、Ｖｍの１００Ｈｚ以上の成分）を除いたホール起電圧Ｖｈの復元信号を抽出することができる。ホール起電圧Ｖｈの復元信号は、例えば、電圧差Ｖｍの５０Ｈｚ〜１００Ｈｚを復調した信号となる。

演算部６０は、磁場Ｂ、電流Ｉ、および、復元部５０で抽出された起電圧Ｖｈの低周波成分を用いて、ホール効果測定で得られる各種パラメータを演算する。パラメータは、例えば、ＤＵＴのキャリア極性、キャリア濃度ｎおよび／またはキャリア移動度μｈである。

例えば、ＤＵＴに電流Ｉを流し、直交方向に磁場Ｂを印加すると、ローレンツ力をキャンセルするようにキャリアが偏向する。これにより、電流Ｉおよび磁場Ｂに対して直交方向（電極Ｅ３と電極Ｅ４との対角方向）に電圧差Ｖｍが生じる。電圧差Ｖｍは、電圧測定部３０で測定された電圧であり、１／ｆノイズおよび高調波を含んでいる。そして、復元部５０が、上記復調信号を用いて電圧差Ｖｍを復調し、さらに、ローパスフィルタを通過させることによって、電圧差Ｖｍから１／ｆノイズおよび高調波を除いた低周波成分の起電圧Ｖｈが得られる。この起電圧Ｖｈがホール起電圧にほぼ等しくなり、式１を満たす。
ここで、Ｒｈがホール係数であり、ｔは、ＤＵＴの厚み（基板の厚み）である。演算部６０は、式１に、電流Ｉ、磁場Ｂ、ＤＵＴの厚みｔおよびホール起電圧Ｖｈを代入することによって、ホール係数Ｒｈが得られる。即ち、磁場発生部１０からの磁場Ｂ、電流源２０からの電流Ｉ、および、ホール起電圧Ｖｈに基づいてＤＵＴのホール係数Ｒｈが算出される。

ホール係数Ｒｈは、キャリア濃度ｎに対して式２の関係を有する。
ここで、ｑは、電子またはホールの単位電荷である。式２にホール係数Ｒｈを当てはめることによって、ＤＵＴ内のキャリア極性およびキャリア濃度ｎが分かる。即ち、ホール係数Ｒｈおよび単位電荷に基づいてＤＵＴのキャリア濃度ｎが算出される。尚、キャリア極性は、ホール係数Ｒｈの符号が、＋であればホール、−であれば電子と特定できる。

さらに、ホール係数Ｒｈは、キャリア移動度μｈに対して式３の関係を有する。
ここで、ρｓは、ＤＵＴの抵抗率である。抵抗率ρｓは、ＤＵＴの大きさ、電流Ｉおよびホール起電圧Ｖｈから算出され得る。式３にホール係数Ｒｈを当てはめることによって、ＤＵＴ内のキャリア移動度μｈが分かる。即ち、ホール係数Ｒｈおよび抵抗率ρｓに基づいてＤＵＴのキャリア移動度μｈが算出される。これらのパラメータ（ρｓ、ｎ、μｈ）は、半導体材料の伝導メカニズムを理解する上で必要不可欠な情報であり、既存の半導体材料（例えば、シリコン）から新規材料の電気的特性まで幅広く利用することができる。

制御部４０、復元部５０および演算部６０は、個別のＣＰＵやコンピュータで実現してもよく、単一または複数のＣＰＵやコンピュータで実現してもよい。

次に、図４（Ａ）〜図５を参照して、電圧差Ｖｍからホール起電圧Ｖｈへの復元についてより詳細に説明する。図４（Ａ）は、矩形波電流Ｉを示すグラフである。横軸は時間を示し、縦軸は電流Ｉを示す。電流Ｉは周波数Ｔの矩形波を示す。周波数Ｔは、例えば、約５０Ｈｚである。例えば、図１の矢印Ａ１が正方向の電流を示し、矢印Ａ２が負方向の電流を示すとする。この場合、矩形波電流Ｉは、正方向（矢印Ａ１方向）へ流れる期間と負方向（矢印Ａ２方向）へ流れる期間とを周期的に交互に繰り返す。正方向へ流れる期間と負方向へ流れる期間とを合わせると、１周期（例えば、１周期＝１／５０ｓ）となる。

図４（Ｂ）は、電圧測定部３０で測定された電圧差Ｖｍを示すグラフである。横軸は、周波数Ｔを単位として、Ｔに対する倍数Ｎを示している。例えば、矩形波電流Ｉの周波数Ｔが５０Ｈｚの場合、Ｎ＝１は、５０Ｈｚを示し、Ｎ＝２は、１００Ｈｚを示す。縦軸は、電圧差Ｖｍを示す。周波数帯域Ｃ０における電圧差Ｖｍの成分は、１／ｆノイズの影響を大きく受けている。周波数帯域Ｃ２における電圧差Ｖｍの成分は、高調波成分を示している。周波数帯域Ｃ１における電圧差Ｖｍの成分は、周波数帯域Ｃ０とＣ２との間の帯域であり、１／ｆノイズの影響が比較的小さい。

図５は、１／ｆノイズＶｎの周波数特性を示すグラフである。縦軸は、１／ｆノイズＶｎの大きさ（パワースペクトル密度）を示す。図５のグラフは線形表示であるので、１／ｆノイズＶｎは、低周波になるほど極端に大きくなっていることがわかる。このような１／ｆノイズＶｎがホール起電圧に重畳すると、図４（Ｂ）の領域Ｃ０のように、１／ｆノイズの影響を大きく受ける領域が低周波数の帯域（Ｎ＜１）に現れる。

ここで、Ｎ＝１の前後に折り返し雑音により２つのピークＰ１、Ｐ２が現れている。ピークＰ１は、Ｎ＜１の帯域Ｃ０に含まれている。ピークＰ２は、Ｎ≧１の帯域Ｃ１に含まれている。図５を参照して分かるように、ピークＰ１を含む０≦Ｎ＜１の帯域Ｃ０は、１／ｆノイズの影響を大きく受けている。一方、ピークＰ２を含む１≦Ｎ＜２の帯域Ｃ１は、１／ｆノイズの影響をあまり受けていない。

図４（Ｃ）は、本実施形態による復元部５０において復調信号で復調された起電圧Ｖｈを示すグラフである。上述の通り、復調信号は、矩形波電流Ｉと同期した同一周波数である。このような復調信号で電圧差Ｖｍを復調することによって、復元部５０は、図４（Ｂ）のピークＰ１を含む周波数帯域Ｃ０を、Ｎ＜０の領域へシフトさせる。これにより、１／ｆノイズの影響を或る程度排除することができる。例えば、本実施形態では、帯域Ｃ０に対応する図５のＮ＜１における帯域の１／ｆノイズが除去されることになる。一方、１／ｆノイズの影響をあまり受けていないピークＰ２を含む帯域Ｃ１は、０≦Ｎ＜１の帯域へシフトする。

図４（Ｄ）は、復調された図４（Ｃ）の起電圧Ｖｈに対してローパスフィルタを適用した後の波形を示すグラフである。復元部５０は、図４（Ｃ）の起電圧Ｖｈにローパスフィルタを適用することによって、高調波信号を含む帯域Ｃ２の起電圧Ｖｈを除去する。これにより、帯域Ｃ１の起電圧Ｖｈが残る。帯域Ｃ１の起電圧Ｖｈは、電圧差Ｖｍのうち矩形波電流Ｉの周波数Ｔの１倍〜２倍（１≦Ｎ＜２）の低周波数成分を復元した電圧である。このような起電圧Ｖｈは、１／ｆノイズおよび高調波成分を除いた低周波成分（直流成分）であり、ホール起電圧に近い。即ち、図４（Ｄ）の帯域Ｃ１が、本実施形態による測定装置１によって復元されたホール起電圧Ｖｈである。ホール起電圧Ｖｈは、図１の演算部６０にてホール係数Ｒｈを求めるために用いられる。ホール係数Ｒｈは、ＤＵＴの材料膜Ｍのキャリア極性、キャリア濃度ｎ、キャリア移動度μｈの算出に用いられる。

以上のように、本実施形態によれば、復元部５０は、矩形波電流Ｉと同期した復調信号を用いて電圧差Ｖｍを復調することによって、電圧差Ｖｍを低周波側へシフトさせ、１／ｆノイズの影響を大きく受けている電圧差Ｖｍの周波数帯域Ｃ０を０Ｈｚ未満へシフトさせる。これにより、１／ｆノイズの影響を大きく受けている電圧差Ｖｍの周波数帯域が除去される。さらに、復元部５０は、復調後の電圧差Ｖｍにローパスフィルタを適用することによって高調波成分を除去する。これにより、１／ｆノイズおよび高調波成分の影響を排除したほぼ直流成分のホール起電圧Ｖｈを復元することができる。このような、ホール起電圧Ｖｈを用いてホール係数Ｒｈを算出することによって、ＤＵＴの正確なキャリア極性、キャリア濃度、キャリア移動度等のパラメータを算出することができる。

本実施形態による測定装置の復元部５０におけるデータ処理の少なくとも一部は、ハードウェアで構成してもよいし、ソフトウェアで構成してもよい。ソフトウェアで構成する場合には、データ処理の少なくとも一部の機能を実現するプログラムをフレキシブルディスクやＣＤ−ＲＯＭ等の記録媒体に収納し、コンピュータに読み込ませて実行させてもよい。記録媒体は、磁気ディスクや光ディスク等の着脱可能なものに限定されず、ハードディスク装置やメモリなどの固定型の記録媒体でもよい。また、データ処理の少なくとも一部の機能を実現するプログラムを、インターネット等の通信回線（無線通信も含む）を介して頒布してもよい。さらに、同プログラムを暗号化したり、変調をかけたり、圧縮した状態で、インターネット等の有線回線や無線回線を介して、あるいは記録媒体に収納して頒布してもよい。

本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれると同様に、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれるものである。

１ 測定装置、Ｔ１〜Ｔ４ 第１〜第４端子、１０ 磁場発生部、２０ 電流源、３０ 電圧測定部、４０ 制御部、５０ 復元部、６０ 演算部

Claims (9)

1. 測定対象に所定の磁場を印加する磁場発生部と、
   前記測定対象に対して矩形波の電流を前記磁場と交差する方向に供給する電流源と、
   前記測定対象に発生する電圧差を測定する電圧測定部と、
   前記矩形波と同一周波数を有し、該矩形波と同期した復調信号を用いて前記電圧差を復調し、復調された前記電圧差の高調波成分を除去して前記測定対象に生じる起電圧を復元する復元部と、
   前記起電圧の低周波成分を用いて前記測定対象の測定を行う演算部とを備えた測定装置。
2. 前記測定対象の２つの電極にそれぞれ接触し、前記電流源からの電流を前記測定対象へ供給する第１および第２端子と、
   前記測定対象の他の２つの電極にそれぞれ接触し、前記電圧差を前記電圧測定部へ伝達する第３および第４端子と、をさらに備えた請求項１に記載の測定装置。
3. 前記演算部は、前記磁場発生部からの磁場、前記電流源からの電流、および、前記起電圧の低周波成分を用いて、前記測定対象のキャリア極性、キャリア濃度またはキャリア移動度を算出する、請求項１または請求項２に記載の測定装置。
4. 前記演算部は、
   前記電流源の電流値および前記起電圧に基づいて前記測定対象の抵抗率を算出し、
   前記磁場発生部からの磁場、前記電流源からの電流、および、前記起電圧に基づいて前記測定対象のホール係数を算出し、
   前記ホール係数に基づいて前記測定対象のキャリア濃度を算出し、
   前記ホール係数および前記抵抗率に基づいて前記測定対象のキャリア移動度を算出する、請求項１から請求項３のいずれか一項に記載の測定装置。
5. 前記矩形波の周波数をＴとすると、前記起電圧は、前記電圧差のうちＴ〜２Ｔの低周波数成分を復元した電圧である、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の測定装置。
6. 前記起電圧は、前記電圧差のうち５０Ｈｚ〜１００Ｈｚの低周波数成分を復元した電圧である、請求項１から請求項４のいずれか一項に記載の測定装置。
7. 前記矩形波の周波数をＴとすると、前記復調信号を用いて前記電圧差を復調することによって、前記電圧差のうち０〜Ｔの帯域が０以下へシフトされる、請求項１から請求項５のいずれか一項に記載の測定装置。
8. 前記矩形波の周波数をＴとすると、前記起電圧は、復調後の前記電圧差のうち０〜Ｔの帯域に対応する電圧である、請求項７に記載の測定装置。
9. 前記起電圧は、復調後の前記電圧差のうち０Ｈｚ〜５０Ｈｚの帯域に対応する電圧である、請求項８に記載の測定装置。