JPH0310180A - 集積化ホール素子 - Google Patents

集積化ホール素子

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JPH0310180A
JPH0310180A JP1144024A JP14402489A JPH0310180A JP H0310180 A JPH0310180 A JP H0310180A JP 1144024 A JP1144024 A JP 1144024A JP 14402489 A JP14402489 A JP 14402489A JP H0310180 A JPH0310180 A JP H0310180A
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JP
Japan
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hall element
hall
signal
voltage
output
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Pending
Application number
JP1144024A
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English (en)
Inventor
Tetsuo Nakamura
哲郎 中村
Satoshi Kikuchi
敏 菊地
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsubishi Petrochemical Co Ltd
Original Assignee
Mitsubishi Petrochemical Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Mitsubishi Petrochemical Co Ltd filed Critical Mitsubishi Petrochemical Co Ltd
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Publication of JPH0310180A publication Critical patent/JPH0310180A/ja
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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 [°産業上の利用分野] 本発明は1チツプ上にホール素子及び他の信号処理回路
を搭載した集積化ホール素子に関するものである。
[従来の技術] 磁界を検出する磁電変換素子として、ホール素”子が知
られている。このような素子は電圧出力型であるため、
扱い易いという特徴がある。いま、第2図のようなホー
ル素子21を考える。素子21の面に垂直な磁束密度を
B、このホール素子に通電される全電流をI、素子の厚
さをdとすると、電流に対して直角の方向の端子に発生
するホール電圧■8は、 VH=RH−I−B/ d     = (1)となる
。ここで、RHはホール係数である。
[発明が解決しようとしている課題] 従来は、このようなホール素子の入力端子22.23に
印加される電圧は、信号処理のし易さや周辺回路の容易
さなどにより直流が使用されている。このため、ホール
電極24.25より出力されるホール電圧VHにはDC
オフセット成分、即ち温度ドリフトが含まれており、ホ
ール出力電圧の安定性を保つことが困難であった。
本発明は上記従来例に鑑みてなされたもので、ホール素
子の駆動に交流信号を用いるとともに、ホール出力電圧
を処理する信号処理回路を搭載することにより、ホール
素子の温度ドリフトなどを軽減した磁気検出信号を出力
できる集積化ホール素子を提供することを目的とする。
[課題を解決するための手段] 上記目的を達成するために本発明の集積化ホール素子は
以下の様な構成からなる。即ち、ホール素子と、前記ホ
ール素子に通電して駆動する交流源と、前記ホール素子
より出力されるホール交流電圧のうち所定の帯域信号を
取出すための信号処理回路とを有する。
[作用] 以上の構成において、ホール素子に通電して駆動する交
流源と、ホール素子より出力されるホール交流電圧のう
ち所定の帯域信号を取出す信号処理回路を1チツプ上に
形成している。
[実施例] 以下、添付図面を参照して本発明の好適な実施例を詳細
に説明する。
[ホール素子の説明 (第1図)] 第1図は実施例の集積化ホール素子10の構成を示すブ
ロック図で、第1図(A)はそのブロック構成図、第1
図(B)は原理図である。なお、第2図のホール素子2
1と共通する部分は同一番号で示し、このホール素子2
1はラテラルホール素子でも、ヴアーテイカル(Ver
tical)ホール素子のいずれでもよい。
第1図(B)において、11は交流電流源で、この電流
源11より出力される交流電流が端子22.23に入力
されて、ホール素子21を交流駆動している。この電流
源11の出力周波数帯域はlHzからIMHzまでの間
の値を取り得るものとし、特にlO〜100KHzの間
の周波数が好ましい。この交流駆動により、ホール電極
24゜25から出力されるホール電圧は、印加される磁
界の強さ(B)に比例した交流電圧となる。
この交流電圧は、差動増幅器13により交流信号の差を
増幅した信号に変換される。14は帯域フィルタ(BP
F)で、ここでは最大0.3HzよりIMHzの間の周
波数帯域の信号を通過することができる。但し、ここで
50Hz及び60H2の商用周波数成分は除く。従って
、この帯域フィルタ14により直流成分がカットされる
ため、ホール素子21における温度ドリフトを取り除く
ことができる。これは、ここでホール素子21に発生す
る温度ドリフトは極めて長い周期を有しているためほぼ
直流成分とみなすことができ、帯域フィルタ14により
遮断されるためである。こうして温度ドリフトが取り除
かれた信号は、増幅器15により増幅されてホール電圧
eHとして出力される。
このように本実施例によれば、ホール素子を交流電流源
により駆動し、その出力である交流ホール電圧の信号処
理回路を1つのチップとして形成した集積化ホール素子
とすることにより、温度ドリフトや高周波ノイズ、さら
には1/fノイズなどを除去した信号を出力することが
できる。
[他の実施例 (第3図)] 第3図は他の実施例のインテリジェントセンサとした集
積化ホール素子30の構成を示すブロック図で、第1図
の構成と共通する部分は同一番号で示している。
ここでは、交流ホール電圧eHを出力する第1図の構成
に加えて、更に他の回路が搭載されている。
31は交流演算を実行する演算部(ALU)(例えばト
ランス・リニア回路等)、32は増幅器で、これにより
特定の信号処理が施された交流信号42 e aoを出
力することができる。また、34はV−F (電圧−周
波数)コンバータで、増幅器33で増幅された交流信号
の電圧に対応した周波数信号43 f HOを出力する
ことができる。またさらに、36はA/Dコンバータで
、増幅器35で増幅された交流信号をデジタル信号VH
に変換してパルス形式で出力することができる。また、
このデジタルパルス信号をCPU37に入力することに
より、デジタルデータ信号45の形で出力することがで
きる。38は制御信号で、この信号38を用いてCPU
37に対する信号処理の方法や出力形式などを外部より
指示することができるようにしてもよい。
このようにして、本実施例によれば微少磁界を高安定に
比例して出力することができるため、DC成分からAC
成分までの加速度を検出できる加速度センサにも応用で
きる。
また、この集積化ホール素子は、地磁気や流量、膜圧及
び方位などを検出する多種多様なセンサに応用できる。
以上説明したように本実施例によれば、温度ドリフトの
軽減および高周波ノイズや1/fノイズなどを除去でき
る高安定の集積化ホール素子が提供できる。また、検出
磁界は垂直磁界のほかに、水平磁界であってもよい。
[発明の効果] 以上説明したように本発明によれば、ホール素子の駆動
に交流信号を用いるとともに、ホール出力電圧を処理す
る信号処理回路を同一チップ上に搭載することにより、
ホール素子の温度ドリフトなどを軽減した磁気検知信号
が得られるという効果がある。
【図面の簡単な説明】
第1図(A)は実施例の集積化ホール素子の構成を示す
ブロック図、 第1図(B)は本実施例の原理を示す図、第2図はホー
ル素子の基本構造を示す図、そして 第3図は他の実施例の集積化ホール素子の構成を示すブ
ロック図である。 図中、10.30・・・集積化ホール素子、11・・・
交流源、13・・・差動増幅器、14・・・バンドパス
フィルタ(BPF)、15,32,33.35・・・増
幅器(AMP)、21・・・ホール素子、22.23・
・・入力電極、24.25・・・出力端子、31・・・
演算器(ALU)、34・・・V−F変換器、36・・
・A/Dコンバータ、37・・・CPU、38・・・制
御信号である。 (A) 第1 図 第2図

Claims (2)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)ホール素子と、 前記ホール素子に通電して駆動する交流源と、前記ホー
    ル素子より出力されるホール交流電圧のうち所定の帯域
    信号を取出すための信号処理回路と、 を有することを特徴とする集積化ホール素子。
  2. (2)前記信号処理手段の出力信号を増幅する増幅回路
    を更に含むことを特徴とする請求項第1項に記載の集積
    化ホール素子。
JP1144024A 1989-06-08 1989-06-08 集積化ホール素子 Pending JPH0310180A (ja)

Priority Applications (1)

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JP1144024A JPH0310180A (ja) 1989-06-08 1989-06-08 集積化ホール素子

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JP1144024A JPH0310180A (ja) 1989-06-08 1989-06-08 集積化ホール素子

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JPH0310180A true JPH0310180A (ja) 1991-01-17

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ID=15352555

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JP1144024A Pending JPH0310180A (ja) 1989-06-08 1989-06-08 集積化ホール素子

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JP (1) JPH0310180A (ja)

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20110042294A (ko) 2008-08-01 2011-04-26 교와 핫꼬 기린 가부시키가이샤 표적 유전자의 발현을 억제하는 조성물
US11112381B2 (en) 2019-03-15 2021-09-07 Toshiba Memory Corporation Measurement apparatus

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