JPS62156829A - 試料における位置確認および写像方法および装置 - Google Patents
試料における位置確認および写像方法および装置Info
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- JPS62156829A JPS62156829A JP61301099A JP30109986A JPS62156829A JP S62156829 A JPS62156829 A JP S62156829A JP 61301099 A JP61301099 A JP 61301099A JP 30109986 A JP30109986 A JP 30109986A JP S62156829 A JPS62156829 A JP S62156829A
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- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/302—Contactless testing
- G01R31/305—Contactless testing using electron beams
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- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、試料における特定の時間依存性信号を導く点
の位置確認および写像のための方法およびこの方法を実
施するための装置に関する。
の位置確認および写像のための方法およびこの方法を実
施するための装置に関する。
高度に集積された回路の機能の検査は一般に計算機で制
御される検査システムにより行われる。
御される検査システムにより行われる。
この検査システムでは、不良の存在はそれぞれ供給され
るビットパターンに関係して被検査回路の出力端で測定
される電圧レヘルの解析により確かに認識され得るが、
その位置確認には非常に困難を伴う。従って、特に開発
の段階で追加的な測定が高度に集積された回路の内部で
行われなければならない。この目的には、マイクロエレ
クトロニクス部品の開発および製造のすべての範囲で使
用される電子ビーム測定法が特に通していることが判明
している。この測定法により、たとえば集積回路内の動
的な電位分布が写像され（ここで特に当業者に“電圧コ
ーディングまたは“論理状態マツピングという名称で知
られている方法があげられる）、または個々の節点にお
ける時間的な電位分布が決定され得るじ波形測定”）。
るビットパターンに関係して被検査回路の出力端で測定
される電圧レヘルの解析により確かに認識され得るが、
その位置確認には非常に困難を伴う。従って、特に開発
の段階で追加的な測定が高度に集積された回路の内部で
行われなければならない。この目的には、マイクロエレ
クトロニクス部品の開発および製造のすべての範囲で使
用される電子ビーム測定法が特に通していることが判明
している。この測定法により、たとえば集積回路内の動
的な電位分布が写像され（ここで特に当業者に“電圧コ
ーディングまたは“論理状態マツピングという名称で知
られている方法があげられる）、または個々の節点にお
ける時間的な電位分布が決定され得るじ波形測定”）。
特定の周波数の信号を導く集積回路の導体帯の位置確認
および写像のための方法は、エイチ、ディー、ブＪ＊
ト（ｔｌ、Ｄ、Ｂｒｕｓｔ）の論文［周波数トレ−シン
グおよびマツピング：新規な電子ビーム検査法」 （マ
イクロ回路エンジニアリング講演会論文集、ベルリン、
１９８４年９月、第４１２〜４２５頁）から知られてい
る。しかしながら、この公知の方法によっては、周波数
は等しいが信号経過が異なる信号の間の識別は行われ得
ない。
および写像のための方法は、エイチ、ディー、ブＪ＊
ト（ｔｌ、Ｄ、Ｂｒｕｓｔ）の論文［周波数トレ−シン
グおよびマツピング：新規な電子ビーム検査法」 （マ
イクロ回路エンジニアリング講演会論文集、ベルリン、
１９８４年９月、第４１２〜４２５頁）から知られてい
る。しかしながら、この公知の方法によっては、周波数
は等しいが信号経過が異なる信号の間の識別は行われ得
ない。
従って、ドイツ連邦共和国特許出願公開第３４２８９６
５号公報では、特定の電気信号を導くＩＣの導体帯の位
置確認および写像を行い得る方法が提案された。しかし
ながら、このいわゆる論理伏態トレーシング（ＬＳＴ）
法では、探索される信号を導く導体帯だけでなく、場合
によっては材料コントラストまたはトポグラフィコント
ラストに基づいて特に高い、または低い二次電子流が生
ずる被検査試料の範囲もＣＲＴディスプレイ上に明るく
表示される。
５号公報では、特定の電気信号を導くＩＣの導体帯の位
置確認および写像を行い得る方法が提案された。しかし
ながら、このいわゆる論理伏態トレーシング（ＬＳＴ）
法では、探索される信号を導く導体帯だけでなく、場合
によっては材料コントラストまたはトポグラフィコント
ラストに基づいて特に高い、または低い二次電子流が生
ずる被検査試料の範囲もＣＲＴディスプレイ上に明るく
表示される。
本発明の目的は、冒頭に記載した種類の方法および装置
であって、被検査試料の１つの点に、試料内で進行する
周期的な経過により惹起される期待される信号が存在す
るか否かを検査することができ、また不良を有する試料
では特定の信号がなお生じているか否かを確認すること
ができる方法および装置を提供することである。さらに
、材料コントラストおよびトポグラフィコントラストの
有害な影響がほぼ抑制されていることが保証されていな
ければならない。
であって、被検査試料の１つの点に、試料内で進行する
周期的な経過により惹起される期待される信号が存在す
るか否かを検査することができ、また不良を有する試料
では特定の信号がなお生じているか否かを確認すること
ができる方法および装置を提供することである。さらに
、材料コントラストおよびトポグラフィコントラストの
有害な影響がほぼ抑制されていることが保証されていな
ければならない。
この目的は、本発明によれば、特許請求の範囲第１項に
記載の方法および特許請求の範囲第１４項に記載の装置
により達成される。本発明の実施態様および特許請求の
範囲第２項ないし第１３項および第１４項以下の各項に
示されている。
記載の方法および特許請求の範囲第１４項に記載の装置
により達成される。本発明の実施態様および特許請求の
範囲第２項ないし第１３項および第１４項以下の各項に
示されている。
本発明により得られる利点は特に、材料コントラストお
よびトポグラフィコントラストの有害な影響の抑制によ
り試料における探索される信号を導く範囲（たとえば集
積回路の導体帯）のみが写ｆ象されることである。
よびトポグラフィコントラストの有害な影響の抑制によ
り試料における探索される信号を導く範囲（たとえば集
積回路の導体帯）のみが写ｆ象されることである。
以下、図面に示されている実施例により本発明を一層詳
細に説明する。
細に説明する。
本発明による方法を実施するための第１図に示されてい
る装置では、細い束にされた一次電子ビームＰＥがたと
えば米国特許第４２２０８５３号および第４２２３２２
０号明ｍ害から公知の電子ビーム測定装置の電子光学筒
のなかで発生される。
る装置では、細い束にされた一次電子ビームＰＥがたと
えば米国特許第４２２０８５３号および第４２２３２２
０号明ｍ害から公知の電子ビーム測定装置の電子光学筒
のなかで発生される。
この電子光学筒は、図面を見やすくするため第１図およ
び第２図には示されていないビーム整形、ビーム偏向お
よびビーム集束のための多数の絞りおよび磁界レンズ系
とならんで、主として陰極、陽極およびヴエーネルト円
筒から成る電子銃ＥＣと、ビームブランキング発生器Ｂ
ＢＧを介して駆動されるビームブランキング系ＢＢＳと
を有する。
び第２図には示されていないビーム整形、ビーム偏向お
よびビーム集束のための多数の絞りおよび磁界レンズ系
とならんで、主として陰極、陽極およびヴエーネルト円
筒から成る電子銃ＥＣと、ビームブランキング発生器Ｂ
ＢＧを介して駆動されるビームブランキング系ＢＢＳと
を有する。
試料ＩＣ上へのそれぞれ選定された一次電子ビームＰＥ
の衝突点において放出された二次電子ＳＥを検出するた
め、たとえば吸引網およびシンチレータから構成された
検出器ＤＴが設けられている。
の衝突点において放出された二次電子ＳＥを検出するた
め、たとえば吸引網およびシンチレータから構成された
検出器ＤＴが設けられている。
検出器ＤＴ内で検出可能であり、個々の測定点における
強さが相異なる電位コントラスト、材料コントラストお
よびトポグラフィコントラストの結果として変動する二
次電子流はシンチレータ内に光パルスを発生し、これら
の光パルスは１つの光導波路を経て光電子増倍管ＰＭに
供給され、ここで二次電気信号に変換される。続いて、
こうして発生された二次電気信号が前置増幅器ＰＡ内で
さらに増幅され、ＳＮ比改善のための回路ｓＶに供給さ
れ（たとえば帯域通過フィルタによる信号の平滑化）、
また後段に接続されている積分器ＩＮＴ内で特定の時間
間隔にわたり積分される。検出器ＤＴの前に、試料電位
に関係する二次電子ＳＥのずれおよびエネルギー分布を
測定するためスペクトロメータＳＰ、好ましくはたとえ
ば米国特許第４２９２５１９号明細書がら知られている
ような逆電界スペクトロメータが接続されている。第１
図中には、このスペクトロメータは１つの平らな逆電界
電極により簡略に示されている。
強さが相異なる電位コントラスト、材料コントラストお
よびトポグラフィコントラストの結果として変動する二
次電子流はシンチレータ内に光パルスを発生し、これら
の光パルスは１つの光導波路を経て光電子増倍管ＰＭに
供給され、ここで二次電気信号に変換される。続いて、
こうして発生された二次電気信号が前置増幅器ＰＡ内で
さらに増幅され、ＳＮ比改善のための回路ｓＶに供給さ
れ（たとえば帯域通過フィルタによる信号の平滑化）、
また後段に接続されている積分器ＩＮＴ内で特定の時間
間隔にわたり積分される。検出器ＤＴの前に、試料電位
に関係する二次電子ＳＥのずれおよびエネルギー分布を
測定するためスペクトロメータＳＰ、好ましくはたとえ
ば米国特許第４２９２５１９号明細書がら知られている
ような逆電界スペクトロメータが接続されている。第１
図中には、このスペクトロメータは１つの平らな逆電界
電極により簡略に示されている。
試料ＩＣとして好ましくは低周波で作動する集積回路が
設けられており、それに駆動装置ＣＯＮを介して検査す
べき項目に合った検査プログラムが周期的に与えられる
。試料ＩＣの回路構造に相応して、検査サイクルの間に
節点および導体帯に作動状態を定義する特性的な信号が
生じ、これらの信号が機能の検査のために、たとえばシ
ミュレーソヲン計算から得られた信号経過と比較され得
る。
設けられており、それに駆動装置ＣＯＮを介して検査す
べき項目に合った検査プログラムが周期的に与えられる
。試料ＩＣの回路構造に相応して、検査サイクルの間に
節点および導体帯に作動状態を定義する特性的な信号が
生じ、これらの信号が機能の検査のために、たとえばシ
ミュレーソヲン計算から得られた信号経過と比較され得
る。
集積回路ＩＣはもちろん、一次電子ビームＰＥが衝突し
得る個所に電気信号を導く導体帯または接触点を有する
任意の試料により置換され得る。
得る個所に電気信号を導く導体帯または接触点を有する
任意の試料により置換され得る。
本発明による方法は、特定の探索される信号を導く集積
回路ＩＣの導体帯の位置確認および写像を可能にする。
回路ＩＣの導体帯の位置確認および写像を可能にする。
以下に説明される実施例は特に２値信号に関するもので
あるから、探索される信号は特定のビットパターンであ
る。
あるから、探索される信号は特定のビットパターンであ
る。
ドイツ連邦共和国特許出側公開第３４２８９６５号公報
で提案された方法と同じく、試料ＩＣのそれぞれ選定さ
れた測定点で測定された信号は相関法により、探索され
るビットパターンと比較される。以下に説明されるこの
相関は高い周波数の信号（クロック周波数＞５ＭＨｚ）
では、一次電子ビームＰＥの検出装置の帯域幅が狭いた
めに、電位コントラストのメカニズムにわたり行われな
ければならない。
で提案された方法と同じく、試料ＩＣのそれぞれ選定さ
れた測定点で測定された信号は相関法により、探索され
るビットパターンと比較される。以下に説明されるこの
相関は高い周波数の信号（クロック周波数＞５ＭＨｚ）
では、一次電子ビームＰＥの検出装置の帯域幅が狭いた
めに、電位コントラストのメカニズムにわたり行われな
ければならない。
試料ＩＣの１つの点における信号をｆ （ｔ）とし、
また探索されるビットパターンをｇ （ｔ）とすると、
式（１）により定義される相関が行われなければならな
い。
また探索されるビットパターンをｇ （ｔ）とすると、
式（１）により定義される相関が行われなければならな
い。
ｃ：＝Ｉｆ （ｔ） ・ｇ （ｔ） ・ｄｔ
（１）二次電子流ｉｓεは一次電子流ｉｐ、に比
例しており、さらに測定点における信号ｒ （ｔ）に関
係しているので、 ｉｓｇ＝ｈ （ｆ （ｔ）） ・ｔｐε
（２）が成り立つ。ここで、ｈ Ｃｆ （ｔ） ）は
二次電子流ｉｇεへの電位コントラスト特性曲線の影響
を示す。
（１）二次電子流ｉｓεは一次電子流ｉｐ、に比
例しており、さらに測定点における信号ｒ （ｔ）に関
係しているので、 ｉｓｇ＝ｈ （ｆ （ｔ）） ・ｔｐε
（２）が成り立つ。ここで、ｈ Ｃｆ （ｔ） ）は
二次電子流ｉｇεへの電位コントラスト特性曲線の影響
を示す。
いま、たとえば一次電子ビームＰＥを探索されるビット
パターンｇ （ｔ）の“高”および“低”値の時間的生
起に相応して断続することによって、一次電子流ｉｐｒ
、の振幅または強さを探索される信号により変調し、か
つ同時に検出器ＤＴ内で測定された二次電子流ｉｓｉを
積分すると、まさに式（１）で定義された相関が実行さ
れる。電位コントラスト特性曲線の非直線性はこの関係
を乱さない。なぜならば、２値信号ｇ （ｔ）およびｆ
（ｔ）Ｌか存在しないからである。
パターンｇ （ｔ）の“高”および“低”値の時間的生
起に相応して断続することによって、一次電子流ｉｐｒ
、の振幅または強さを探索される信号により変調し、か
つ同時に検出器ＤＴ内で測定された二次電子流ｉｓｉを
積分すると、まさに式（１）で定義された相関が実行さ
れる。電位コントラスト特性曲線の非直線性はこの関係
を乱さない。なぜならば、２値信号ｇ （ｔ）およびｆ
（ｔ）Ｌか存在しないからである。
探索されるビットパターンｇ （ｔ）と測定点における
信号ｆ （ｔ）とが、選定された積分時間間隔内でそ
の“高”および“低”値の順序および位相に関して一致
すると、積分の値は最大である。
信号ｆ （ｔ）とが、選定された積分時間間隔内でそ
の“高”および“低”値の順序および位相に関して一致
すると、積分の値は最大である。
ｇ （む）ａｆ（ｔ）の場合
ｃ、、ａｘ＝Ｔｆ （、ｔ） ・ｇ （Ｌ） ・
ｄｔ （３）それに対して、探索されるビットパタ
ーンｇ（ｔ）がまさに信号ｆ （ｔ）の否定であれば
、積分の値は最小である。
ｄｔ （３）それに対して、探索されるビットパタ
ーンｇ（ｔ）がまさに信号ｆ （ｔ）の否定であれば
、積分の値は最小である。
ｇ （ｔ）ミＮｅｇ （ｆ （ｔ））の場合Ｃｍ＋ｎ
＝Ｉｆ （ｔ） ・ｇ （ｔ） ・ｄｔ （
４）すべての他の信号ｆ （ｔ）に対して積分の値は
これらの限界値ｃ７とＣｌ１Ｉｎとの間を移動する。こ
れは、測定点が探索される信号を導く場合であるが、こ
のビットパターンは時間遅れ、すなわち位相ずれを生ず
る。
＝Ｉｆ （ｔ） ・ｇ （ｔ） ・ｄｔ （
４）すべての他の信号ｆ （ｔ）に対して積分の値は
これらの限界値ｃ７とＣｌ１Ｉｎとの間を移動する。こ
れは、測定点が探索される信号を導く場合であるが、こ
のビットパターンは時間遅れ、すなわち位相ずれを生ず
る。
測定に望ましくない仕方で影響する材料コントラストお
よびトポグラフィコントラストを抑制するため、本発明
によれば、一次電子ビームＰＥが交互に探索されるビッ
トパターンｇ （ｔ）およびその否定により変調される
。すなわち、そのつどのビット列のなかに生ずる“高”
および“低”値に関係してビームブランキング系により
断続される。
よびトポグラフィコントラストを抑制するため、本発明
によれば、一次電子ビームＰＥが交互に探索されるビッ
トパターンｇ （ｔ）およびその否定により変調される
。すなわち、そのつどのビット列のなかに生ずる“高”
および“低”値に関係してビームブランキング系により
断続される。
このため、探索されるビットパターンが測定の開始前に
シフトレジスタＳＲ内に読み込まれ、その内容が測定の
間に外部クロック信号ＣＬＫにより予め定められた周波
数ｆ２によりサイクリックにずらされる。クロック信号
ＣＬＫはたとえば駆動部ＣＯＮから発生されるクロック
周波数ｎｆ２から分周により得られる。一次電子ビーム
ＰＥを変調するため、探索されるビットパターンに相応
するシフトレジスタＳＲの出力信号がＥＸＯＲゲートを
介して、選択的に否定され、または否定されずに、ビー
ムブランキング系ＢＢＳを制御するビームブランキング
発生器ＢＢＧに供給される。
シフトレジスタＳＲ内に読み込まれ、その内容が測定の
間に外部クロック信号ＣＬＫにより予め定められた周波
数ｆ２によりサイクリックにずらされる。クロック信号
ＣＬＫはたとえば駆動部ＣＯＮから発生されるクロック
周波数ｎｆ２から分周により得られる。一次電子ビーム
ＰＥを変調するため、探索されるビットパターンに相応
するシフトレジスタＳＲの出力信号がＥＸＯＲゲートを
介して、選択的に否定され、または否定されずに、ビー
ムブランキング系ＢＢＳを制御するビームブランキング
発生器ＢＢＧに供給される。
ビームブランキング系ＢＢＳの駆動は、この場合、直接
にＥＸＯＲゲートの増幅された出力信号を介しても行わ
れ得る。
にＥＸＯＲゲートの増幅された出力信号を介しても行わ
れ得る。
否定されない作動の仕方から否定される作動の仕方へＥ
ＸＯＲゲートを切換えるためには、その入力端Ｂが信号
発生器Ｇの出力端と接続され、その際に、信号発生器Ｇ
により予め定められた切換周波数［１はそのつどの測定
点における探索されるビットパターン列の繰り返し周波
数と比較して小さく選定されなければならない。
ＸＯＲゲートを切換えるためには、その入力端Ｂが信号
発生器Ｇの出力端と接続され、その際に、信号発生器Ｇ
により予め定められた切換周波数［１はそのつどの測定
点における探索されるビットパターン列の繰り返し周波
数と比較して小さく選定されなければならない。
一次電子ビームＰＥがたとえば探索されるビットパター
ンを導く導体帯の上に置かれていれば、積分器ＴＮＴは
、式（３）および（４）で定義された極値Ｃ！ＩＩｎと
Ｃｌｌ１ａＸとの間を切換周波数［１で交互に切換ねる
振幅を有する出力信号を供給する。
ンを導く導体帯の上に置かれていれば、積分器ＴＮＴは
、式（３）および（４）で定義された極値Ｃ！ＩＩｎと
Ｃｌｌ１ａＸとの間を切換周波数［１で交互に切換ねる
振幅を有する出力信号を供給する。
すなわち、変動振幅
ΔＣ： ” Ｃｍａｘ Ｃ＋ｕｎ
（５）は、当該の導体帯が探索されるビットパターン
を導くときには常に最大である。
（５）は、当該の導体帯が探索されるビットパターン
を導くときには常に最大である。
それに対して、探索されるビットパターンが存在しなけ
れば、または時間遅れ、すなわち位相ずれをもって生ず
れば、積分器ＩＮＴから発生される出力信号の変動は式
（５）により定義される大きさＣよりも常に小さい。こ
のことは特に、特殊な材料（酸化物層）またはトポグラ
フィ（縁）に基づいて特に多い、または少ない二次電子
ＳＥが放出され、また検出器ＤＴ内で検出される試料Ｉ
Ｃの範囲にも当てはまる。これらの範囲内で主として材
料コントラストまたはトポグラフィコントラストにより
決定され、また積分器ＩＮＴ内で積分される二次電子信
号は一次電子ビームＰＥをそれぞれ変調する否定された
ビットパターンまたは否定されないビットパターンにほ
ぼ無関係にほぼ一定に留まるので、積分器出力信号の変
動はこの場合にもＣよりも小さい。すなわち、１つの点
が探索される信号を導くか否かを確認するためには、積
分器出力信号の変動をたとえば位相敏感検出器により決
定し、またこれをしきい値ＴＨ（ΔＣ≧ＴＨ）と比較す
れば十分である。第１図に示されている装置では、積分
器ＩＮＴＯ後にロックイン増幅器ＬＩＶが接続されてお
り、その参照入力端ＲＥは信号発生器Ｇの出力端と接続
されている。
れば、または時間遅れ、すなわち位相ずれをもって生ず
れば、積分器ＩＮＴから発生される出力信号の変動は式
（５）により定義される大きさＣよりも常に小さい。こ
のことは特に、特殊な材料（酸化物層）またはトポグラ
フィ（縁）に基づいて特に多い、または少ない二次電子
ＳＥが放出され、また検出器ＤＴ内で検出される試料Ｉ
Ｃの範囲にも当てはまる。これらの範囲内で主として材
料コントラストまたはトポグラフィコントラストにより
決定され、また積分器ＩＮＴ内で積分される二次電子信
号は一次電子ビームＰＥをそれぞれ変調する否定された
ビットパターンまたは否定されないビットパターンにほ
ぼ無関係にほぼ一定に留まるので、積分器出力信号の変
動はこの場合にもＣよりも小さい。すなわち、１つの点
が探索される信号を導くか否かを確認するためには、積
分器出力信号の変動をたとえば位相敏感検出器により決
定し、またこれをしきい値ＴＨ（ΔＣ≧ＴＨ）と比較す
れば十分である。第１図に示されている装置では、積分
器ＩＮＴＯ後にロックイン増幅器ＬＩＶが接続されてお
り、その参照入力端ＲＥは信号発生器Ｇの出力端と接続
されている。
この位相敏感検出器ＬＩＶの代わりに、切換周波数１１
に合わされており、また後段に接続されている振幅復調
器（この例としてはたとえば波高値整流器が考慮に値す
る）を有する帯域通過フィルタも使用され得る。変動振
幅と可変の応答しきいＴＨとの比較はコンパレータＣＭ
Ｐ内で行われ、そのプラス入力端はロックイン増幅器Ｌ
Ｉ■の出力信号を与えられている。コンパレータＣＭＰ
は、積分器出力信号の変動が応答しきいＴＨの上側にあ
るときには常に、すなわちそのつどの測定点が探索され
るビットパターンを正しい位相で導くときには常に、１
つの信号を発生する。
に合わされており、また後段に接続されている振幅復調
器（この例としてはたとえば波高値整流器が考慮に値す
る）を有する帯域通過フィルタも使用され得る。変動振
幅と可変の応答しきいＴＨとの比較はコンパレータＣＭ
Ｐ内で行われ、そのプラス入力端はロックイン増幅器Ｌ
Ｉ■の出力信号を与えられている。コンパレータＣＭＰ
は、積分器出力信号の変動が応答しきいＴＨの上側にあ
るときには常に、すなわちそのつどの測定点が探索され
るビットパターンを正しい位相で導くときには常に、１
つの信号を発生する。
場合によっては、独立の構成要素としての積分器は完全
に省略され得る。なぜならば、高い周波数に対しては検
出器ＤＴが、また低い周波数に対しては、走査速度の適
当な選定のちとに、走査電子顕微鏡のディスプレイ管Ｃ
ＲＴがそれ自体で積分作用をするからである。
に省略され得る。なぜならば、高い周波数に対しては検
出器ＤＴが、また低い周波数に対しては、走査速度の適
当な選定のちとに、走査電子顕微鏡のディスプレイ管Ｃ
ＲＴがそれ自体で積分作用をするからである。
特定のビットパターンを導く試料ＩＣの導体帯を表示す
るためには、その表面が行または点ごとに一次電子ビー
ムＰＥにより走査される。この場合、この走査は、上記
の相関法が表面の各点において期待される信号が生じ得
る時間間隔内に実際に実行されるように、ゆっくり行わ
れなければならない。すなわち、一次電子ビームは少な
くとも積分時間中は各測定点の上に留まらなければなら
ない。そうでない場合には、測定が周期的に行われ得る
。探索されるビットパターンを正しい位相で導く試料Ｉ
Ｃの表面構造を写像するため、コンパレータＣＭＰの出
力信号がそれぞれ一次電子ビームを当てられる測定点に
関係して記録される。
るためには、その表面が行または点ごとに一次電子ビー
ムＰＥにより走査される。この場合、この走査は、上記
の相関法が表面の各点において期待される信号が生じ得
る時間間隔内に実際に実行されるように、ゆっくり行わ
れなければならない。すなわち、一次電子ビームは少な
くとも積分時間中は各測定点の上に留まらなければなら
ない。そうでない場合には、測定が周期的に行われ得る
。探索されるビットパターンを正しい位相で導く試料Ｉ
Ｃの表面構造を写像するため、コンパレータＣＭＰの出
力信号がそれぞれ一次電子ビームを当てられる測定点に
関係して記録される。
簡単な記録方法は、探索される信号を導くすべての導体
帯が明るく表示されるように、一次電子ビームＰＥと同
期して偏向される電子線測定装置のディスプレイＣＲＴ
の書込みビームの強さを変調するためにコンパレータＣ
ＭＰの出力信号を利用する方法である。高度に複雑な回
路内のこれらの構造の位置確認を一層良好に行うために
は、コンパレータＣＭＰの出力信号にトポグラフィ信号
（たとえば試料ＩＣの通常の二次電子像）を重畳し、ま
たこれを同時に表示するのが有利である。第１図には、
このことが信号導線ＴＳにより簡略に示されている。
帯が明るく表示されるように、一次電子ビームＰＥと同
期して偏向される電子線測定装置のディスプレイＣＲＴ
の書込みビームの強さを変調するためにコンパレータＣ
ＭＰの出力信号を利用する方法である。高度に複雑な回
路内のこれらの構造の位置確認を一層良好に行うために
は、コンパレータＣＭＰの出力信号にトポグラフィ信号
（たとえば試料ＩＣの通常の二次電子像）を重畳し、ま
たこれを同時に表示するのが有利である。第１図には、
このことが信号導線ＴＳにより簡略に示されている。
これまでに説明した装置では、検査される測定点に特定
のビットパターンが正しい位相で生ずるか否かのみが検
査され得る。この場合、検査を行う位相は遅延回路ＤＬ
を介して設定され得る。位相差のみが関心の対象である
から、遅延回路ＤＬはもちろん駆動回路ＣＯＮと試料Ｉ
Ｃとの間に配置されてもよい。この検査を位相に無関係
に行い得る、すなわち期待されるビットパターンが測定
点にともかく存在するか否かを検査し得る本発明による
装置が第２図に示されている。第１図で説明した要素と
同一の要素には同一の符号が付されている。
のビットパターンが正しい位相で生ずるか否かのみが検
査され得る。この場合、検査を行う位相は遅延回路ＤＬ
を介して設定され得る。位相差のみが関心の対象である
から、遅延回路ＤＬはもちろん駆動回路ＣＯＮと試料Ｉ
Ｃとの間に配置されてもよい。この検査を位相に無関係
に行い得る、すなわち期待されるビットパターンが測定
点にともかく存在するか否かを検査し得る本発明による
装置が第２図に示されている。第１図で説明した要素と
同一の要素には同一の符号が付されている。
この場合、電気的に制御可能な遅延回路ＤＬは発生器Ｇ
ＤＬにより周波数ｆ３で駆動されるので、遅延時間によ
り、探索されるビットパターンまたはその否定により変
調される一次電子ビームＰＥの、測定点に与えられてい
る信号に対して相対的な位相も周期的に周波数ｆ３で変
化する。それによって、測定点が探索される信号を導く
場合には、積分器ＩＮＴの出力信号は、ＥＸＯＲゲート
の切換により発生される周波数１１の信号成分とならん
で、一般により低い周波数ｆ３の信号成分をも有する。
ＤＬにより周波数ｆ３で駆動されるので、遅延時間によ
り、探索されるビットパターンまたはその否定により変
調される一次電子ビームＰＥの、測定点に与えられてい
る信号に対して相対的な位相も周期的に周波数ｆ３で変
化する。それによって、測定点が探索される信号を導く
場合には、積分器ＩＮＴの出力信号は、ＥＸＯＲゲート
の切換により発生される周波数１１の信号成分とならん
で、一般により低い周波数ｆ３の信号成分をも有する。
周波数ｒ１の信号成分は同様に位相敏感検出器により除
去され得るので、第２図中に示されているロックイン増
幅ａＬＩｖの出力端から周波数ｒ３の信号が取り出され
得る。この周波数ｆ３の信号は、この周波数に合わされ
ている帯域通過フィルタＢＰの入力端に供給される。こ
の周波数ｒ３の信号の振幅は続いて、後段に接続されて
いる振幅復調器ＡＭＤ内で決定され、またコンパレータ
出力信号で可変の応答しきいＴＨと比較される。その際
にコンパレータ出力信号が試料ＩＣ上の測定点の位置に
関係して記録され、またはディスプレイＣＲＴの書込み
ビームの強の制御のために利用され得る。
去され得るので、第２図中に示されているロックイン増
幅ａＬＩｖの出力端から周波数ｒ３の信号が取り出され
得る。この周波数ｆ３の信号は、この周波数に合わされ
ている帯域通過フィルタＢＰの入力端に供給される。こ
の周波数ｒ３の信号の振幅は続いて、後段に接続されて
いる振幅復調器ＡＭＤ内で決定され、またコンパレータ
出力信号で可変の応答しきいＴＨと比較される。その際
にコンパレータ出力信号が試料ＩＣ上の測定点の位置に
関係して記録され、またはディスプレイＣＲＴの書込み
ビームの強の制御のために利用され得る。
もちろん、周波数ｆ３は帯域通過フィルタＢＰだけでな
く、たとえば位相敏感なロックイン増幅器によっても除
去され得る。この場合には、もちろん振幅復調器ＡＭＤ
も不要である。
く、たとえば位相敏感なロックイン増幅器によっても除
去され得る。この場合には、もちろん振幅復調器ＡＭＤ
も不要である。
さらに、ＥＸＯＲゲートを切換える周波数ｒ１を、遅延
回路ＤＬを駆動する周波数ｆ３よりも低く選定すること
も可能である。しかしながら、この場合には、先ず周波
数ｒ３を二次電子信号から除去し、その後に初めて周波
数ｆｌを二次電子信号から除去しなければならない。な
ぜならば、いま周波数ｆ１は変調として、搬送周波数と
して作用する周波数ｒ３に現れるからである。第２図で
はロックイン増幅器ＬＩＶと後段に接続されている振幅
復調器ＡＭＤを有する帯域通過フィルタＢＰとが信号連
鎖回路内に逆の順序で現れている。
回路ＤＬを駆動する周波数ｆ３よりも低く選定すること
も可能である。しかしながら、この場合には、先ず周波
数ｒ３を二次電子信号から除去し、その後に初めて周波
数ｆｌを二次電子信号から除去しなければならない。な
ぜならば、いま周波数ｆ１は変調として、搬送周波数と
して作用する周波数ｒ３に現れるからである。第２図で
はロックイン増幅器ＬＩＶと後段に接続されている振幅
復調器ＡＭＤを有する帯域通過フィルタＢＰとが信号連
鎖回路内に逆の順序で現れている。
探索されるビットパターンまたはその否定により変調さ
れる一次電子ビームＰＥの、測定点に与えられている信
号に対して相対的な位相の変更は、シフトレジスタＳＲ
内のビット列をサイクリックにずらす周波数ｒ２と駆動
回路ＣＯＮにより発生されるクロック周波数とを互いに
少しずらすことによっても簡単に達成可能である。
れる一次電子ビームＰＥの、測定点に与えられている信
号に対して相対的な位相の変更は、シフトレジスタＳＲ
内のビット列をサイクリックにずらす周波数ｒ２と駆動
回路ＣＯＮにより発生されるクロック周波数とを互いに
少しずらすことによっても簡単に達成可能である。
ロックイン増幅器ＬＩＶの出力端から取り出し可能な所
与の差周波数を有する信号は、この周波数に合わされて
いる帯域通過フィルタに供給され得る。
与の差周波数を有する信号は、この周波数に合わされて
いる帯域通過フィルタに供給され得る。
第１図および第２図に示されている装置では上限周波数
は使用されるビームブランキング系ＢＢＳにより決定さ
れる。現在既にＧＨｚ範囲で作動するビームブランキン
グ系ＢＢＳが得られるので、本発明による装置は実作動
条件のもとての集積回路１ｃの検査に使用され得る。
は使用されるビームブランキング系ＢＢＳにより決定さ
れる。現在既にＧＨｚ範囲で作動するビームブランキン
グ系ＢＢＳが得られるので、本発明による装置は実作動
条件のもとての集積回路１ｃの検査に使用され得る。
本発明の他の実施態様によれば、先に説明した装置と異
なり、一次電子ビームＰＥではなく二次電子流ｉｓｉが
探索されるビットパターンまたはその否定により交互に
変調される。変調器として、たとえば米国特許第４２９
２４１９号明細書から公知のような二次電子スペクトロ
メータＳＰが使用され得る。このような二次電子スペク
トロメータＳＰでは、探索される信号またはピントパタ
ーンまたはその否定が、スペクトロメータＳＰ内に生ぜ
しめられた電位壁、従ってまた検出器ＤＴ内で検出可能
な二次電子流ｉｓεの強さを制御する。
なり、一次電子ビームＰＥではなく二次電子流ｉｓｉが
探索されるビットパターンまたはその否定により交互に
変調される。変調器として、たとえば米国特許第４２９
２４１９号明細書から公知のような二次電子スペクトロ
メータＳＰが使用され得る。このような二次電子スペク
トロメータＳＰでは、探索される信号またはピントパタ
ーンまたはその否定が、スペクトロメータＳＰ内に生ぜ
しめられた電位壁、従ってまた検出器ＤＴ内で検出可能
な二次電子流ｉｓεの強さを制御する。
この方法を実施するための装置では、ＥＸＯＲゲ□−ト
の出力信号は、第１図および第２図に示されている装置
と異なり、加算器の入力端に供給され、その出力端はス
ペクトロメータＳＰの逆電界電極と接続されている。加
算器を介しての逆電界電極の駆動は特に、スペクトロメ
ータの動作点が最適に設定され得る点で有利である。そ
の他の点では、第１図および第２図中に示されている信
号処理のための測定連鎖は不変に留まる。
の出力信号は、第１図および第２図に示されている装置
と異なり、加算器の入力端に供給され、その出力端はス
ペクトロメータＳＰの逆電界電極と接続されている。加
算器を介しての逆電界電極の駆動は特に、スペクトロメ
ータの動作点が最適に設定され得る点で有利である。そ
の他の点では、第１図および第２図中に示されている信
号処理のための測定連鎖は不変に留まる。
この方法の利点は特に、ビームブランキング系ＢＢＳが
必要でないことである。しかしながら、このような装置
により達成可能な上限周波数は、スペクトロメータＳＰ
の比較的高いキャパシタンスのために、第１図および第
２図による装置により達成可能な上限周波数よりも低い
。二次電子流Ｉｓεの変調のために、探索される信号ま
たはビットパターンにより吸引電圧を制御される検出器
ＤＴも使用され得る。この方法を実施するだめの装置で
もＥＸＯＲゲートの出力信号は加算器の入力端に供給さ
れるのが有利であり、その出力端は同様に検出器ＤＴの
吸引電極と接続されている。
必要でないことである。しかしながら、このような装置
により達成可能な上限周波数は、スペクトロメータＳＰ
の比較的高いキャパシタンスのために、第１図および第
２図による装置により達成可能な上限周波数よりも低い
。二次電子流Ｉｓεの変調のために、探索される信号ま
たはビットパターンにより吸引電圧を制御される検出器
ＤＴも使用され得る。この方法を実施するだめの装置で
もＥＸＯＲゲートの出力信号は加算器の入力端に供給さ
れるのが有利であり、その出力端は同様に検出器ＤＴの
吸引電極と接続されている。
その他の点では、この場合にも、第１図および第２図中
に示されている信号処理のための測定連鎖は不変に留ま
る。
に示されている信号処理のための測定連鎖は不変に留ま
る。
本発明の他の実施態様によれば、一次電子ビームＰＥの
代わりに、信号処理装置（たとえば検出器−光電子増倍
管−増幅器装置）内で発生される二次電子信号が探索さ
れる信号により、たとえばゲート回路を用いて変調され
る。この方法を実施するための装置は、ビームブランキ
ング系ＢＢＳおよび付属の信号発生器ＢＢＧを例外とし
て、第１図および第２図中に示されているすべての回路
要素を有し、また追加的にたとえばＳＮ比の改善のため
の回路Ｓ■と積分器ＩＮＴとの間に配置されているミク
サを有する。この場合、このミクサの第２の入力端は再
びＥＸＯＲゲートの出力端と接続されている。ミクサと
しては、探索されるアナログ信号に対してはたとえば乗
算器を、また探索されるディジタル信号に対してはたと
えば簡単な電子スイッチを使用することが考えられる。
代わりに、信号処理装置（たとえば検出器−光電子増倍
管−増幅器装置）内で発生される二次電子信号が探索さ
れる信号により、たとえばゲート回路を用いて変調され
る。この方法を実施するための装置は、ビームブランキ
ング系ＢＢＳおよび付属の信号発生器ＢＢＧを例外とし
て、第１図および第２図中に示されているすべての回路
要素を有し、また追加的にたとえばＳＮ比の改善のため
の回路Ｓ■と積分器ＩＮＴとの間に配置されているミク
サを有する。この場合、このミクサの第２の入力端は再
びＥＸＯＲゲートの出力端と接続されている。ミクサと
しては、探索されるアナログ信号に対してはたとえば乗
算器を、また探索されるディジタル信号に対してはたと
えば簡単な電子スイッチを使用することが考えられる。
本発明の他の実施態様によれば、周波数ｆｌによる変調
が省略され、その代わりに一次または二次電子流または
二次電子信号を他の仕方で変調により特徴付ける。
が省略され、その代わりに一次または二次電子流または
二次電子信号を他の仕方で変調により特徴付ける。
この特徴付けは、付属の変動振幅を適当なフィルタまた
は１ｌｆｌｉ器により、処理された二次電子信号から除
去するのに利用され得る。その実現のための簡単な方法
は、たとえば、第１図に示されている装置内でＥＸＯＲ
ゲートの入力端Ｂをランダムビット列発生器（いわゆる
ｐｎまたはｚｓｅｕｄｏ ｎｏｉｓｅ発生器）を介し
て駆動し、また関心の対象である変動振幅をランダムビ
ット列に合わせられている相関器により除去する方法で
ある。
は１ｌｆｌｉ器により、処理された二次電子信号から除
去するのに利用され得る。その実現のための簡単な方法
は、たとえば、第１図に示されている装置内でＥＸＯＲ
ゲートの入力端Ｂをランダムビット列発生器（いわゆる
ｐｎまたはｚｓｅｕｄｏ ｎｏｉｓｅ発生器）を介し
て駆動し、また関心の対象である変動振幅をランダムビ
ット列に合わせられている相関器により除去する方法で
ある。
上記の方法および測定装置においても、出力信号に被検
査試料ＩＣの二次元写像のため二次電子トポグラフィ信
号または他のトポグラフィ信号を重畳することは有利で
あり得る。このことは、探索される信号またはビットパ
ターンを導く写像された試料表面の範囲の位置確認を容
易にする。
査試料ＩＣの二次元写像のため二次電子トポグラフィ信
号または他のトポグラフィ信号を重畳することは有利で
あり得る。このことは、探索される信号またはビットパ
ターンを導く写像された試料表面の範囲の位置確認を容
易にする。
もちろん、試料ＩＣの各点において測定される二次電子
信号は専ら電位コントラストにより生ずるものではない
。二次電子ＳＥが測定点に与えられている信号により影
響される他の各コントラストメカニズムもこのために通
している。二次電子ＳＥは、たとえば試料ＩＣとして磁
気バブルメモリを使用する際には、局部的な磁界により
偏向される（磁気的コントラスト）。
信号は専ら電位コントラストにより生ずるものではない
。二次電子ＳＥが測定点に与えられている信号により影
響される他の各コントラストメカニズムもこのために通
している。二次電子ＳＥは、たとえば試料ＩＣとして磁
気バブルメモリを使用する際には、局部的な磁界により
偏向される（磁気的コントラスト）。
本発明は、もちろん、一次または二次粒子として電子の
使用に服定されない。すなわち、電子とならんで、用途
に応じて、イオンまたは他の粒子を一次または二次粒子
として使用するごとも考えられる。一次ビームを発生さ
せるためにはもちろん、レーザーも使用され得る。
使用に服定されない。すなわち、電子とならんで、用途
に応じて、イオンまたは他の粒子を一次または二次粒子
として使用するごとも考えられる。一次ビームを発生さ
せるためにはもちろん、レーザーも使用され得る。
第１図は本発明による方法を実施するための装置のブロ
ック図、第２図は第１図による装置を変形した例のブロ
ック図である。 ＡＭＤ・・・振幅復調器、ＢＢＧ・・・ビームブランキ
ング発生器、ＢＢＳ・・・ビームブランキング系、ＢＰ
・・・帯ｅ通ｓフィルタ、ＣＭ Ｐ・・・コンパレータ
、ＣＯＮ・・・駆動回路、ＣＲＴ・・・ディスプレイ、
ＤＴ・・・検出器、ＤＬ・・・遅延回路、ＥＣ・・・電
子銃、Ｇ・・・信号発生器、ＩＣ・・・試料、ＴＮＴ・
・・積分器、Ｌ Ｉ Ｖ・・・ロックイン増幅器、ＰＡ
・・・前置増幅器、ＰＥ・・・一次電子ビーム、ＰＭ・
・・光電子増倍管、ＳＥ・・・二次電子、ＳＰ・・・ス
ペクトロメータ、ＳＲ・・・シフトレジスタ、Ｓ■・・
・ＳＮ比改善のための回路。
ック図、第２図は第１図による装置を変形した例のブロ
ック図である。 ＡＭＤ・・・振幅復調器、ＢＢＧ・・・ビームブランキ
ング発生器、ＢＢＳ・・・ビームブランキング系、ＢＰ
・・・帯ｅ通ｓフィルタ、ＣＭ Ｐ・・・コンパレータ
、ＣＯＮ・・・駆動回路、ＣＲＴ・・・ディスプレイ、
ＤＴ・・・検出器、ＤＬ・・・遅延回路、ＥＣ・・・電
子銃、Ｇ・・・信号発生器、ＩＣ・・・試料、ＴＮＴ・
・・積分器、Ｌ Ｉ Ｖ・・・ロックイン増幅器、ＰＡ
・・・前置増幅器、ＰＥ・・・一次電子ビーム、ＰＭ・
・・光電子増倍管、ＳＥ・・・二次電子、ＳＰ・・・ス
ペクトロメータ、ＳＲ・・・シフトレジスタ、Ｓ■・・
・ＳＮ比改善のための回路。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １）走査電子顕微鏡内の試料における特定の時間依存性
信号を導く点の位置確認および（または）写像のための
方法であって、一次ビームが試料における第１の時間依
存性信号を導く少なくとも１つの点に集束され、この点
で放出された二次粒子が検出装置内で検出され、後段に
接続されている信号処理装置内で、検出装置内で測定さ
れた二次粒子流から二次電気信号が発生され、一次粒子
ビームの発生のための装置と信号処理装置との間で生ず
る信号または信号処理装置のなかで生ずる信号が特定の
信号により変調され、また二次信号が積分され、また第
１の信号と特定の信号との一致の度合いが積分により発
生された測定信号から導き出される方法において、変調
のために特定の信号とこの特定の信号から否定により発
生された信号とが使用され、またこれらの信号が交互に
変調のために利用されることを特徴とする試料における
位置確認および写像方法。 ２）信号の交互切換が周期的に第１の周波数（ｆ１）で
行われ、また積分により発生された測定信号からこの第
１の周波数（ｆ１）を有する第１の信号成分がフィルタ
により除去されることを特徴とする特許請求の範囲第１
項記載の方法。 ３）否定された信号および特定の信号が第１の信号に対
して自由に選定可能な固定の位相だけずらされているこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項または第２項記載
の方法。 ４）特定の信号および否定された信号が第１の信号に対
してずらされている位相が周期的に第２の周波数（ｆ３
）により変更され、また積分により発生された測定信号
から第１の周波数（ｆ１）を有する第１の信号成分が、
また第１の信号成分から第２の周波数（ｆ３）を有する
第２の信号成分がフィルタにより除去されることを特徴
とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれか１
項に記載の方法。 ５）信号の交互切換がビット列により制御され、またこ
のビットパターンに相応する信号成分が積分により発生
される測定信号からフィルタにより除去されることを特
徴とする特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれか
１項に記載の方法。 ６）一次ビームの強さ（ｉ＿ｐ＿Ｅ）が特定の信号およ
びその否定信号により変調されることを特徴とする特許
請求の範囲第１項ないし第５項のいずれか１項に記載の
方法。 ７）二次粒子の流れ（ｉ＿ｓ＿Ｅ）が特定の信号および
その否定信号により変調されることを特徴とする特許請
求の範囲第１項ないし第５項のいずれか１項に記載の方
法。 ８）信号処理装置のなかで発生された二次信号が特定の
信号およびその否定信号により変調されることを特徴と
する特許請求の範囲第１項ないし第５項のいずれか１項
に記載の方法。 ９）評価回路（ＣＭＰ）のなかで第１または第２の信号
成分の振幅が設定可能なしきい値と比較されることを特
徴とする特許請求の範囲第１項ないし第８項のいずれか
１項に記載の方法。 １０）試料表面または少なくとも試料表面の部分範囲が
少なくとも１回一次ビーム（ＰＥ）により走査されるこ
とを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第９項のい
ずれか１項に記載の方法。 １１）第１または第２の信号成分および（または）評価
回路（ＣＭＰ）の出力信号が記録されることを特徴とす
る特許請求の範囲第１項ないし第１０項のいずれか１項
に記載の方法。 １２）試料（ＩＣ）の一次ビーム（ＰＥ）により走査さ
れる点の各々においてトポグラフィ信号も取り出される
ことを特徴とする特許請求の範囲第１項ないし第１１項
のいずれか１項に記載の方法。 １３）評価回路（ＣＭＰ）の出力信号にトポグラフィ信
号が重畳され、またそれにより発生された信号が記録媒
体（ＣＲＴ）により記録されることを特徴とする特許請
求の範囲第１項ないし第１２項のいずれか１項に記載の
方法。 １４）走査電子顕微鏡内の試料における特定の時間依存
性信号を導く点の位置確認および（または）写像のため
の装置であって、一次ビーム発生器と、一次ビーム（Ｐ
Ｅ）の偏向および集束のための装置と、試料に供給電圧
および（または）信号を供給するための駆動部と、二次
粒子の検出のための検出装置と、検出装置の後に接続さ
れている信号処理のための装置と、一次ビーム発生器と
信号処理装置との間に生ずる信号の変調のための装置と
、変調のための装置の駆動のための回路装置とを含んで
いる装置において、変調のための装置（ＢＢＳ、ＳＰ）
とその駆動のための回路装置（ＳＲ）との間に配置され
ており、かつ特定の信号または否定された信号を否定す
るための装置（ＥＸＯＲ）と、この装置と接続されてお
り、かつ否定される作動の仕方から否定されない作動の
仕方へ切換えるための第１の信号発生器とを含んでいる
ことを特徴とする試料における位置確認および写像装置
。 １５）信号処理のための装置（ＳＶ）の後に接続されて
いる積分器（ＩＮＴ）と、積分器（ＩＮＴ）の後に接続
されている復調のための第１の装置（ＬＩＶ）とを含ん
でいることを特徴とする特許請求の範囲第１４項記載の
装置。 １６）第２の信号発生器（ＧＤＬ）と、この第２の信号
発生器（ＧＤＬ）により制御される遅延回路（ＤＬ）と
を含んでおり、この遅延回路の出力信号が回路装置（Ｓ
Ｒ）に供給され、従って特定の信号および否定により発
生された信号が第１の信号に対して位相をずらされて変
調のための装置（ＢＢＳ、ＳＰ）に供給され、その際に
位相ずれが周期的に、第２の信号発生器（ＧＤＬ）によ
り予め与えられた第２の周波数（ｆ３）により変更され
、また復調のための第２の装置（ＬＩＶ）の前または後
に接続されている復調のための第２の装置（ＢＰ、ＡＭ
Ｄ）を含んでいることを特徴とする特許請求の範囲第１
４項または第１５項記載の装置。 １７）位相敏感な検出器（ＬＩＶ）が復調のための装置
として設けられていることを特徴とする特許請求の範囲
第１４項ないし第１６項のいずれか１項に記載の装置。 １８）第１または第２の周波数（ｆ１、ｆ３）に合わせ
られており、また後段に接続されている振幅復調器（Ａ
ＭＤ）を有する帯域通過フィルタ（ＢＰ）が復調のため
の装置として設けられていることを特徴とする特許請求
の範囲第１４項ないし第１６項のいずれか１項に記載の
装置。 １９）ビット列発生器を含んでおり、その出力信号が特
定の信号または否定された信号の否定のための装置（Ｅ
ＸＯＲ）に供給され、また信号処理のための装置（ＳＶ
）の後に接続されている積分器（ＩＮＴ）と、積分器（
ＩＮＴ）の後に接続されている復調のための装置とを含
んでいることを特徴とする特許請求の範囲第１４項記載
の装置。 ２０）復調のための装置が相関器を含んでいることを特
徴とする特許請求の範囲第１４項または第１９項記載の
装置。 ２１）変調のための装置として一次ビーム（ＰＥ）の変
調のためのビーム変調系（ＢＢＳ）を含んでいることを
特徴とする特許請求の範囲第１４項ないし第２０項のい
ずれか１項に記載の装置。 ２２）二次粒子（ＳＥ）の流れの変調のための装置とし
てスペクトロメータ（ＳＰ）を含んでいることを特徴と
する特許請求の範囲第１４項ないし第２０項のいずれか
１項に記載の装置。 ２３）吸引網に与えられる電圧を変更し得る検出器（Ｄ
Ｔ）を含んでいることを特徴とする特許請求の範囲第１
４項ないし第２０項のいずれか１項に記載の装置。 ２４）信号処理のための装置（ＳＶ）と積分器（ＩＮＴ
）との間にミクサが接続されており、その第２の入力端
が特定の信号および否定された信号の否定のための装置
（ＥＸＯＲ）の出力端と接続されていることを特徴とす
る特許請求の範囲第１４項ないし第２０項のいずれか１
項に記載の装置。 ２５）出力信号および場合によってはトポグラフィ信号
の記録のための装置（ＣＲＴ）を含んでいることを特徴
とする特許請求の範囲第１４項ないし第２４項のいずれ
か１項に記載の装置。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE3544600 | 1985-12-17 | ||
| DE3544600.5 | 1985-12-17 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62156829A true JPS62156829A (ja) | 1987-07-11 |
Family
ID=6288654
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP61301099A Pending JPS62156829A (ja) | 1985-12-17 | 1986-12-16 | 試料における位置確認および写像方法および装置 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US4820977A (ja) |
| EP (1) | EP0226913A3 (ja) |
| JP (1) | JPS62156829A (ja) |
| CA (1) | CA1254670A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2015025811A (ja) * | 2009-05-01 | 2015-02-05 | ディーシージー システムズ インコーポレーテッド | レーザ電圧画像化状態マッピングのためのシステム |
Families Citing this family (9)
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|---|---|---|---|---|
| JPS6435838A (en) * | 1987-07-31 | 1989-02-06 | Jeol Ltd | Charged particle beam device |
| NL8802335A (nl) * | 1988-09-21 | 1990-04-17 | Philips Nv | Werkwijze en inrichting voor het op sub-mikron schaal bewerken van een materiaal-oppervlak. |
| DE3917411A1 (de) * | 1989-05-29 | 1990-12-06 | Brust Hans Detlef | Verfahren und anordnung zur schnellen spektralanalyse eines signals an einem oder mehreren messpunkten |
| EP0504944B1 (en) * | 1991-03-22 | 1998-09-23 | Nec Corporation | Method of analyzing fault using electron beam |
| JP2685425B2 (ja) * | 1994-09-30 | 1997-12-03 | 株式会社東芝 | 液晶素子評価方法 |
| US5638005A (en) * | 1995-06-08 | 1997-06-10 | Schlumberger Technologies Inc. | Predictive waveform acquisition |
| US6466040B1 (en) * | 1997-08-01 | 2002-10-15 | Carl Zeiss Jena Gmbh | Three dimensional optical beam induced current (3-D-OBIC) |
| FR2841418A1 (fr) * | 2002-06-20 | 2003-12-26 | Thomson Licensing Sa | Dispositif numerique de correction de l'image formee sur l'ecran d'un tube a rayons cathodiques |
| JP6014688B2 (ja) | 2013-01-31 | 2016-10-25 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 複合荷電粒子線装置 |
Family Cites Families (16)
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