JP2020145244A - 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム - Google Patents
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Abstract
Description
(a)第1温度下で、基板に対してシリコンと炭素とで構成される環状構造およびハロゲンを含む原料を供給する工程と、前記基板に対して窒化剤を供給する工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記環状構造および窒素を含む第1膜を形成する工程と、
(b)第2温度下で、前記基板に対して酸化剤を供給することで、前記第1膜を、前記環状構造および酸素を含む第2膜に変換させる工程と、
(c)第3温度下で、前記第2膜をアニールする工程と、
を有し、(c)における前記第3温度を制御することで、前記第2膜のストレスを制御する技術が提供される。
以下、本開示の一実施形態について、図1〜図5を用いて説明する。
図1に示すように、処理炉202は加熱機構(温度調整部)としてのヒータ207を有する。ヒータ207は円筒形状であり、保持板に支持されることにより垂直に据え付けられている。ヒータ207は、ガスを熱で活性化(励起)させる活性化機構(励起部)としても機能する。
上述の基板処理装置を用い、半導体装置の製造工程の一工程として、基板としてのウエハ200上に所望の膜を形成し、改質する基板処理シーケンス例について、主に、図4を用いて説明する。以下の説明において、基板処理装置を構成する各部の動作はコントローラ121により制御される。
(a)第1温度下で、ウエハ200に対してSiとCとで構成される環状構造およびハロゲンとしてのClを含む原料としてTCDSCBガスを供給する工程と、ウエハ200に対して窒化剤としてNH3ガスを供給する工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、ウエハ200上に、環状構造およびNを含む第1膜としてSiCN膜を形成する工程と、
(b)第2温度下で、ウエハ200に対して酸化剤としてH2Oガスを供給することで、SiCN膜を、環状構造およびOを含む第2膜としてSiOCN膜またはSiOC膜に変換させる工程と、
(c)第3温度下で、SiOCN膜またはSiOC膜をアニールする工程と、
を有し、(c)における第3温度を制御することで、SiOCN膜またはSiOC膜のストレスを制御する。
SiOC(N)
複数枚のウエハ200がボート217に装填(ウエハチャージ)される。その後、図1に示すように、複数枚のウエハ200を支持したボート217は、ボートエレベータ115によって持ち上げられて処理室201内へ搬入(ボートロード)される。この状態で、シールキャップ219は、Oリング220を介して反応管203の下端をシールした状態となる。
処理室201内、すなわち、ウエハ200が存在する空間が所望の圧力(真空度)となるように、真空ポンプ246によって真空排気(減圧排気)される。この際、処理室201内の圧力は圧力センサ245で測定され、この測定された圧力情報に基づきAPCバルブ244がフィードバック制御される。また、処理室201内のウエハ200が所望の処理温度となるように、ヒータ207によって加熱される。この際、処理室201内が所望の温度分布となるように、温度センサ263が検出した温度情報に基づきヒータ207への通電具合がフィードバック制御される。また、回転機構267によるウエハ200の回転を開始する。真空ポンプ246の稼働、ウエハ200の加熱および回転は、いずれも、少なくともウエハ200に対する処理が終了するまでの間は継続して行われる。
その後、以下のステップ1及びステップ2を順次実施する。
このステップでは、処理室201内に収容されたウエハ200に対して、原料としてTCDSCBガスを供給する。具体的には、バルブ243aを開き、ガス供給管232a内へTCDSCBガスを流す。TCDSCBガスは、MFC241aにより流量調整され、ノズル249aを介して処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してTCDSCBガスが供給される。このときバルブ243c,243dを開き、ガス供給管232c,232d内へN2ガスを流すようにしてもよい。
処理温度(第1温度):200〜400℃、好ましくは250〜350℃
処理圧力:133〜2666Pa
TCDSCBガス供給流量:1〜2000sccm
N2ガス供給流量(各ガス供給管):0〜10000sccm
各ガス供給時間:1〜120秒、好ましくは5〜60秒
が例示される。
ステップ1が終了した後、処理室201内のウエハ200、すなわち、ウエハ200上に形成された第1層に対して、反応体として窒化剤であるNH3ガスを供給する。具体的には、バルブ243b〜243dの開閉制御を、ステップ1におけるバルブ243a,243c,243dの開閉制御と同様の手順で行う。NH3ガスは、MFC241bにより流量調整され、ノズル249bを介して処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してNH3ガスが供給される。
処理温度(第1温度):200〜400℃、好ましくは250〜350℃
処理圧力:133〜3999Pa
NH3ガス供給流量:100〜10000sccm
ガス供給時間:1〜120秒
が例示される。他の処理条件は、ステップ1における処理条件と同様とする。
ステップ1およびステップ2を非同時に、すなわち、同期させることなく交互に行うサイクルを所定回数(n回、nは1以上の整数)行うことにより、ウエハ200上に、第1膜として、SiとCとで構成される環状構造およびNを含む膜であるSiCN膜が形成される。上述のサイクルは、複数回繰り返すのが好ましい。この第1膜(SiCN膜)は、Si、C、およびNを含みO非含有の膜となるが、Clと、弱い結合をもつNと、が残留しているため、水分の吸収、吸着が起こり易い膜となる。
成膜ステップが終了した後、ガス供給管232c,232dのそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。これにより、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物等が処理室201内から除去される。
パージステップが終了した後、表面に第1膜が形成されたウエハ200を処理室201内に収容した状態で、処理室201内のウエハ200、すなわち、ウエハ200上に形成された第1膜としてのSiCN膜に対して、酸化剤であるH2Oガスを供給する。具体的には、バルブ243e,243c,243dの開閉制御を、ステップ1におけるバルブ243a,243c,243dの開閉制御と同様の手順で行う。H2Oガスは、MFC241eにより流量調整され、ノズル249bを介して処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してH2Oガスが供給される。
処理温度(第2温度):200〜600℃、好ましくは250〜500℃
処理圧力:1333〜101325Pa、好ましくは53329〜101325Pa
H2Oガス供給流量:50〜10000sccm
H2Oガス供給時間:10〜360分、好ましくは60〜360分
が例示される。他の処理条件は、ステップ1における処理条件と同様とする。
H2Oアニールステップが終了した後、ガス供給管232c,232dのそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。これにより、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物等が処理室201内から除去される。
パージステップが終了した後、引き続き、表面に第2膜が形成されたウエハ200を処理室201内に収容した状態で、処理室201内のウエハ200、すなわち、ウエハ200上に形成された第2膜に対して、熱アニール処理として、N2アニール処理を行う。これにより、第2膜中に含まれる水分を脱離させることができる。このとき、ガス供給管232c,232dのそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。N2ガスは、MFC241c,241dにより流量調整され、ノズル249a,249bを介してそれぞれ処理室201内へ供給され、排気管231から排気される。このとき、ウエハ200に対してN2ガスが供給される。
処理温度(第3温度):400〜1200℃
処理圧力:67〜101325Pa
N2ガス供給流量:1000〜5000sccm
N2ガス供給時間:10〜120分
が例示される。
N2アニールステップが終了した後、ガス供給管232c,232dのそれぞれからN2ガスを処理室201内へ供給し、排気管231から排気する。これにより、処理室201内がパージされ、処理室201内に残留するガスや反応副生成物等が処理室201内から除去される(アフターパージ)。その後、処理室201内の雰囲気が不活性ガスに置換され(不活性ガス置換)、処理室201内の圧力が常圧に復帰される(大気圧復帰)。
その後、ボートエレベータ115によりシールキャップ219が下降され、反応管203の下端が開口されるとともに、処理済のウエハ200が、ボート217に支持された状態で、反応管203の下端から反応管203の外部に搬出(ボートアンロード)される。処理済のウエハ200は、反応管203の外部に搬出された後、ボート217より取り出される(ウエハディスチャージ)。
本実施形態によれば、以下に示す1つ又は複数の効果が得られる。
以上、本開示の実施形態を具体的に説明した。但し、本開示は上述の実施形態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲で種々変更可能である。
⇒ SiOC(N)
以下、好ましい態様について付記する。
本開示の一態様によれば、
(a)第1温度下で、基板に対してシリコンと炭素とで構成される環状構造およびハロゲンを含む原料を供給する工程と、前記基板に対して窒化剤を供給する工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記環状構造および窒素を含む第1膜を形成する工程と、
(b)第2温度下で、前記基板に対して酸化剤を供給することで、前記第1膜を、前記環状構造および酸素を含む第2膜に変換させる工程と、
(c)第3温度下で、前記第2膜をアニールする工程と、
を有し、(c)における前記第3温度を制御することで、前記第2膜のストレスを制御する半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。
付記1に記載の方法であって、
(c)では、前記第2膜に含まれる前記環状構造の保持と破壊を制御する。具体的には、前記第2膜に含まれる前記環状構造の保持と破壊のそれぞれの割合(比率)を制御する。
付記1または2に記載の方法であって、
前記環状構造はSi−C結合を含み、(c)では、前記第2膜に含まれる前記Si−C結合の保持と切断を制御する。具体的には、前記第2膜に含まれる前記Si−C結合の保持と切断のそれぞれの割合(比率)を制御する。
付記1〜3のいずれか1項に記載の方法であって、
(c)では、前記第2膜のストレスがテンサイルストレスおよびコンプレッシブストレスのいずれかとなるように制御する。
付記1〜4のいずれか1項に記載の方法であって、
(c)における前記第3温度を、前記第2膜に含まれる前記環状構造が保持される温度とする。
付記1〜5のいずれか1項に記載の方法であって、
前記環状構造はSi−C結合を含み、(c)における前記第3温度を、前記第2膜に含まれる前記Si−C結合が保持される温度とする。
付記1〜6のいずれか1項に記載の方法であって、
(c)における前記第3温度を、400℃以上600℃以下とする。
付記5〜7のいずれか1項に記載の方法であって、
(c)において、前記第2膜に含まれる前記環状構造を保持することで、前記第2膜のストレスをテンサイルストレスとする。
付記1〜4のいずれか1項に記載の方法であって、
(c)における前記第3温度を、前記第2膜に含まれる前記環状構造が破壊される温度とする。
付記1〜4、9のいずれか1項に記載の方法であって、
前記環状構造はSi−C結合を含み、(c)における前記第3温度を、前記第2膜に含まれる前記Si−C結合が切断される温度とする。
付記1〜4、9、10のいずれか1項に記載の方法であって、
(c)における前記第3温度を、700℃以上1200℃以下とする。
付記9〜11のいずれか1項に記載の方法であって、
(c)において、前記第2膜に含まれる前記環状構造を破壊させることで、前記第2膜のストレスをコンプレッシブストレスとする。
付記1〜12のいずれか1項に記載の方法であって、
(a)、(b)、および(c)を、前記基板を同一の処理室内に収容した状態で(in−situにて)行う。
付記1〜13のいずれか1項に記載の方法であって、好ましくは、
(b)における前記第2膜は水分を含み、
(c)において、前記第2膜に含まれる水分を脱離させる。
本開示の他の態様によれば、
(a)第1温度下で、基板に対してシリコンと炭素とで構成される環状構造およびハロゲンを含む原料を供給する工程と、前記基板に対して窒化剤を供給する工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記環状構造および窒素を含む第1膜を形成する工程と、
(b)第2温度下で、前記基板に対して酸化剤を供給することで、前記第1膜を、前記環状構造および酸素を含む第2膜に変換させる工程と、
(c)前記第2膜に含まれる前記環状構造が破壊される第3温度下で、前記第2膜をアニールする(ことで、前記第2膜に含まれる前記環状構造破壊させ、前記第2膜のストレスをコンプレッシブストレスとする)工程と、
を有する半導体装置の製造方法、または、基板処理方法が提供される。
本開示のさらに他の態様によれば、
基板が処理される処理室と、
前記処理室内の基板に対してシリコンと炭素とで構成される環状構造およびハロゲンを含む原料を供給する原料供給系と、
前記処理室内の基板に対して窒化剤を供給する窒化剤供給系と、
前記処理室内の基板に対して酸化剤を供給する酸化剤供給系と、
前記処理室内の基板を加熱するヒータと、
前記処理室内において、付記1の各処理(各工程)を行わせるように、前記原料供給系、前記窒化剤供給系、前記酸化剤供給系、および前記ヒータを制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置が提供される。
本開示のさらに他の態様によれば、
基板処理装置の処理室内において、付記1の各手順(各工程)をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム、または、該プログラムを記録したコンピュータ読み取り可能な記録媒体が提供される。
Claims (5)
- (a)第1温度下で、基板に対してシリコンと炭素とで構成される環状構造およびハロゲンを含む原料を供給する工程と、前記基板に対して窒化剤を供給する工程と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記環状構造および窒素を含む第1膜を形成する工程と、
(b)第2温度下で、前記基板に対して酸化剤を供給することで、前記第1膜を、前記環状構造および酸素を含む第2膜に変換させる工程と、
(c)第3温度下で、前記第2膜をアニールする工程と、
を有し、(c)における前記第3温度を制御することで、前記第2膜のストレスを制御する半導体装置の製造方法。 - (c)では、前記第2膜に含まれる前記環状構造の保持と破壊を制御する請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- (c)では、前記第2膜のストレスをテンサイルストレスおよびコンプレッシブストレスのいずれかとなるように制御する請求項1または2に記載の半導体装置の製造方法。
- 基板が処理される処理室と、
前記処理室内の基板に対してシリコンと炭素とで構成される環状構造およびハロゲンを含む原料を供給する原料供給系と、
前記処理室内の基板に対して窒化剤を供給する窒化剤供給系と、
前記処理室内の基板に対して酸化剤を供給する酸化剤供給系と、
前記処理室内の基板を加熱するヒータと、
前記処理室内において、(a)第1温度下で、基板に対して前記原料を供給する処理と、前記基板に対して前記窒化剤を供給する処理と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記環状構造および窒素を含む第1膜を形成する処理と、(b)第2温度下で、前記基板に対して前記酸化剤を供給することで、前記第1膜を、前記環状構造および酸素を含む第2膜に変換させる処理と、(c)第3温度下で、前記第2膜をアニールする処理と、を行わせ、(c)における前記第3温度を制御することで、前記第2膜のストレスを制御することが可能なように、前記原料供給系、前記窒化剤供給系、前記酸化剤供給系、および前記ヒータを制御するよう構成される制御部と、
を有する基板処理装置。 - 基板処理装置の処理室内において、
(a)第1温度下で、基板に対してシリコンと炭素とで構成される環状構造およびハロゲンを含む原料を供給する手順と、前記基板に対して窒化剤を供給する手順と、を非同時に行うサイクルを所定回数行うことで、前記基板上に、前記環状構造および窒素を含む第1膜を形成する手順と、
(b)第2温度下で、前記基板に対して酸化剤を供給することで、前記第1膜を、前記環状構造および酸素を含む第2膜に変換させる手順と、
(c)第3温度下で、前記第2膜に対して熱アニール処理を行う手順と、
(c)における前記第3温度を制御することで、前記第2膜のストレスを制御する手順と、
をコンピュータによって前記基板処理装置に実行させるプログラム。
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