JP2020131259A - レーザ加工装置およびレーザ加工方法 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、図1を用いてGaN基板の製造におけるスライス工程について説明する。
ここで、従来のレーザ加工の問題点について、触れておく。従来、加工用レーザの照射パワーの最適化、加工用レーザの移動速度や照射ピッチの最適化、被加工物の結晶の屈折率によるレーザ光の集光位置の補正を行っても、被加工物内部に形成された改質層の幅の低減および位置変動の抑制は十分ではなかった。
次に従来のレーザ加工装置について説明する。図3は、従来のレーザ加工装置の構成の一例を示す図である。
以下、本発明のレーザ加工装置について説明する。図4は、本発明の実施形態に係るレーザ加工装置の構成の一例を示す図である。
図5は、本発明の実施形態に係るレーザ加工装置のレーザ光の走査方法を示す図である。
次に、本発明の実施形態に係る結晶方位測定処理について説明する。図6は、本発明の実施形態に係る結晶方位測定処理を示すフローチャートである。この結晶方位測定処理は、上述した結晶方位測定部120の結晶方位測定制御部122により実行される。
次に、本発明の実施形態に係るレーザ加工処理について説明する。図7は、本発明の実施形態に係るレーザ加工処理を示すフローチャートである。このレーザ加工処理は、上述したレーザ加工制御部111により実行される。
上述した実施形態におけるXYステージ110によるX軸方向および/又はY軸方向の移動に加え、回転ステージ108による回転軸方向の移動を加味してレーザ加工を行うようにすることが考えられる。
図9は本発明の他の実施形態に係るレーザ加工装置のレーザ光の走査方法を示す図である。この図に示すように、本実施形態では、XYステージ110と回転ステージ108を用いて円周上に並べられた複数のインゴット301a、301b、301c…の各々に対してレーザ光を直線的に走査する。このような場合、回転ステージ108により回転軸方向に回転させながらXYステージ110によりX軸方向および/又はY軸方向に直線的に移動させることにより固定治具107の中心方向に向けてレーザ光を走査させる。
よって、XYステージ110よるX軸方向および/又はY軸方向の移動と回転ステージ108の回転軸方向の移動に対して偏波面調整部102によりレーザ光の偏波面を連続的に調整させながらレーザ加工を行っていく。
101 レーザ発振器
102 偏波面調整部
103 位相変調部
104 ミラー
105 レンズ位置調整部
106 集光レンズ
107 固定治具
108 回転ステージ
109 Zステージ
110 XYステージ
111 レーザ加工制御部
120 結晶方位測定部
121 ディテクタ部
122 結晶方位測定制御部
123 データ格納部
301、301a〜301c 被加工物(インゴット)
302 結晶
303 改質層
304 GaNウエハ
305a、305b 変質層
306 粗研磨ホイール
307 スラリー
308 CMP定盤
309 洗浄液
310 ワイヤ
900 従来のレーザ加工装置
901 レーザ発振器
903 位相変調部
904 ミラー
905 レンズ位置調整部
906 集光レンズ
907 固定治具
908 回転ステージ
909 Zステージ
910 XYステージ
911 コントロールユニット
Claims (7)
- 集光したレーザ光を照射することにより被加工物の加工を行うレーザ加工装置であって、
前記レーザ光の偏波面を調整する偏波面調整手段と、
前記被加工物の結晶方位のA面に対する垂直方向を特定する垂直方向特定手段と、を少なくとも含み、
前記偏波面調整手段は、
特定された前記被加工物の前記結晶方位のA面に対する前記垂直方向に沿って、前記レーザ光が走査するように、前記レーザ光の偏光方向を調整する、
レーザ加工装置。 - さらに、前記被加工物の結晶方位を測定する結晶方位測定手段を含み、
前記垂直方向特定手段は、前記結晶方位測定手段によって測定された前記被加工物の結晶方位に基づき、前記被加工物の結晶方位のA面に対する垂直方向を特定する、
請求項1に記載のレーザ加工装置。 - 前記結晶方位測定手段は、
前記レーザ光を照射する前記被加工物の表面における結晶方位を測定する、
請求項2に記載のレーザ加工装置。 - 前記レーザ光は、波長が1100nm以下、パルス幅が1fsec以上1nsec以下、周波数が2MHz以下であり、
前記レーザ光を集光するレンズの開口数が0.4以上0.95以下である、
請求項1〜3のいずれかに記載のレーザ加工装置。 - 前記被加工物として窒化ガリウムの加工を行う、
請求項1〜4のいずれかに記載のレーザ加工装置。 - 集光したレーザ光を照射することにより被加工物の加工を行うレーザ加工方法であって、
前記レーザ光の偏波面を調整する偏波面調整工程と、
前記被加工物の結晶方位のA面に対する垂直方向を特定する垂直方向特定工程と、を少なくとも含み、
前記偏波面調整工程では、
特定された前記被加工物の前記結晶方位のA面に対する前記垂直方向に沿って、前記レーザ光が走査するように前記レーザ光の偏光方向を調整する、
レーザ加工方法。 - 前記被加工物の結晶方位を測定する結晶方位測定工程をさらに含み、
前記垂直方向特定工程において、前記結晶方位測定工程によって測定された前記被加工物の結晶方位に基づき、前記被加工物の結晶方位のA面に対する垂直方向を特定する、
請求項6に記載のレーザ加工方法。
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019030351A JP7217426B2 (ja) | 2019-02-22 | 2019-02-22 | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
US16/776,929 US20200269357A1 (en) | 2019-02-22 | 2020-01-30 | Laser processing device and laser processing method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019030351A JP7217426B2 (ja) | 2019-02-22 | 2019-02-22 | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020131259A true JP2020131259A (ja) | 2020-08-31 |
JP7217426B2 JP7217426B2 (ja) | 2023-02-03 |
Family
ID=72141200
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019030351A Active JP7217426B2 (ja) | 2019-02-22 | 2019-02-22 | レーザ加工装置およびレーザ加工方法 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20200269357A1 (ja) |
JP (1) | JP7217426B2 (ja) |
Cited By (1)
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Publication number | Publication date |
---|---|
JP7217426B2 (ja) | 2023-02-03 |
US20200269357A1 (en) | 2020-08-27 |
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