JP2020120043A - 処理装置及び処理方法 - Google Patents
処理装置及び処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2020120043A JP2020120043A JP2019011519A JP2019011519A JP2020120043A JP 2020120043 A JP2020120043 A JP 2020120043A JP 2019011519 A JP2019011519 A JP 2019011519A JP 2019011519 A JP2019011519 A JP 2019011519A JP 2020120043 A JP2020120043 A JP 2020120043A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing
- tank
- liquid
- product
- treatment
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Classifications
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A62—LIFE-SAVING; FIRE-FIGHTING
- A62D—CHEMICAL MEANS FOR EXTINGUISHING FIRES OR FOR COMBATING OR PROTECTING AGAINST HARMFUL CHEMICAL AGENTS; CHEMICAL MATERIALS FOR USE IN BREATHING APPARATUS
- A62D3/00—Processes for making harmful chemical substances harmless or less harmful, by effecting a chemical change in the substances
- A62D3/30—Processes for making harmful chemical substances harmless or less harmful, by effecting a chemical change in the substances by reacting with chemical agents
- A62D3/36—Detoxification by using acid or alkaline reagents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D53/00—Separation of gases or vapours; Recovering vapours of volatile solvents from gases; Chemical or biological purification of waste gases, e.g. engine exhaust gases, smoke, fumes, flue gases, aerosols
- B01D53/34—Chemical or biological purification of waste gases
- B01D53/46—Removing components of defined structure
- B01D53/68—Halogens or halogen compounds
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/14—Feed and outlet means for the gases; Modifying the flow of the reactive gases
-
- A—HUMAN NECESSITIES
- A62—LIFE-SAVING; FIRE-FIGHTING
- A62D—CHEMICAL MEANS FOR EXTINGUISHING FIRES OR FOR COMBATING OR PROTECTING AGAINST HARMFUL CHEMICAL AGENTS; CHEMICAL MATERIALS FOR USE IN BREATHING APPARATUS
- A62D2101/00—Harmful chemical substances made harmless, or less harmful, by effecting chemical change
- A62D2101/40—Inorganic substances
- A62D2101/49—Inorganic substances containing halogen
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/20—Halogens or halogen compounds
- B01D2257/204—Inorganic halogen compounds
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/55—Compounds of silicon, phosphorus, germanium or arsenic
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2257/00—Components to be removed
- B01D2257/55—Compounds of silicon, phosphorus, germanium or arsenic
- B01D2257/553—Compounds comprising hydrogen, e.g. silanes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D2258/00—Sources of waste gases
- B01D2258/02—Other waste gases
- B01D2258/0216—Other waste gases from CVD treatment or semi-conductor manufacturing
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02518—Deposited layers
- H01L21/02521—Materials
- H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
- H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02104—Forming layers
- H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
- H01L21/02612—Formation types
- H01L21/02617—Deposition types
- H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
- H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
- H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- General Health & Medical Sciences (AREA)
- Emergency Management (AREA)
- Business, Economics & Management (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Analytical Chemistry (AREA)
- Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
- Environmental & Geological Engineering (AREA)
- Biomedical Technology (AREA)
- Treating Waste Gases (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
Abstract
Description
まず、実施形態において無害化される対象となる副生成物について説明する。副生成物は、オイリーシランとも呼ばれる粘性の高い液状物質及び固体物質を含み得る。また、副生成物は、オイリーシランが空気中又は水中で変質し、二次的に生成される物質を含み得る。このような副生成物は、ハロシラン類を含む。ハロシラン類は、17族に属するハロゲン元素のいずれか1種類以上を含み、ハロゲン元素には、フッ素(F)、塩素(Cl)、臭素(Br)及びヨウ素(I)等が挙げられる。ハロシラン類は、ハロゲン元素及びケイ素を含む化合物が反応することにより、生じ得る。ハロシラン類は、Si−α結合(αはCl,Br,F及びIからなる群より選ばれる1種類以上のハロゲン元素)と、Si−Si結合と、を有する。
図2は、前述の副生成物に対して処理を行う処理装置の一例とし、第1の実施形態に係る処理装置20を示す。図2に示すように、処理装置20は、制御部(コントローラ)21、洗浄水タンク22、処理液タンク23、処理槽25、供給機構(供給系統)26、排気機構(排気系統)27、センサ28、治具30、分散機構(分散機)31、撹拌機構(撹拌機)32、液循環機構(液循環器)33、液排出機構(液排出系統)35、及び、廃液タンク36を備える。なお、図2では、液体及びガス等の流体の流れを実線の矢印で示し、制御部21への入力信号及び制御部21からの出力信号等の電気信号を破線の矢印で示す。
なお、処理装置20には、前述したセンサ28は、必ずしも設けられる必要はない。また、処理装置20には、分散機構31、撹拌機構32、及び、液循環機構33の全てが設けられる必要はなく、ある変形例では、分散機構31、撹拌機構32、及び、液循環機構33のいずれか1つ又は2つのみが、処理装置20に設けられてもよい。また、別のある変形例では、分散機構31、撹拌機構32、及び、液循環機構33のいずれもが、処理装置20に設けられなくてもよい。
Claims (8)
- ケイ素及びハロゲン元素を含む原料物質の反応、又は、ケイ素を含む原料物質とハロゲン元素を含む原料物質との反応において生じた副生成物に対して処理を行う処理装置であって、
塩基性の水溶液を含む処理液が貯液される処理液タンクと、
前記副生成物を含む被処理部材が投入される処理槽と、
前記処理液タンクから前記処理槽に前記処理液を供給し、供給した前記処理液によって前記処理槽において前記副生成物を処理する供給機構と、
前記処理液と前記副生成物との反応によって発生したガスを、前記処理槽から排気する排気機構と、
を具備する、処理装置。 - 前記処理槽での前記処理液と前記副生成物との前記反応の進行状況に関するパラメータを検知するセンサをさらに具備する、請求項1の処理装置。
- 前記処理槽の前記処理液中において、前記副生成物の塊を分散させる分散機構、
前記処理槽において前記処理液を撹拌する撹拌機構、及び、
前記処理槽において前記処理液が循環する流れを形成する液循環機構、
の1つ以上をさらに具備する、請求項1又は2の処理装置。 - 前記処理槽において前記副生成物と反応した前記処理液を、前記処理槽から排出する液排出機構をさらに具備する、請求項1乃至3のいずれか1項の処理装置。
- ケイ素及びハロゲン元素を含む原料物質の反応、又は、ケイ素を含む原料物質とハロゲン元素を含む原料物質との反応において生じた副生成物に対して行われる処理方法であって、
前記副生成物を含む被処理部材を処理槽に投入することと、
塩基性の水溶液を含む処理液を前記処理槽に溜めることと、
溜められた前記処理液によって、前記処理槽において前記副生成物を処理することと、
前記処理液と前記副生成物との反応によって発生したガスを、前記処理槽から排気することと、
を具備する、処理方法。 - 前記処理槽での前記処理液と前記副生成物との前記反応の進行状況に関するパラメータを検知し、前記パラメータの検知結果に基づいて前記副生成物の処理の進行状況を判断することをさらに具備する、請求項5の処理方法。
- 前記処理液による前記副生成物の無害化と並行して、
前記処理槽の前記処理液中において、前記副生成物の塊を分散させること、
前記処理槽において前記処理液を撹拌すること、及び、
前記処理槽において前記処理液が循環する流れを形成すること、
の1つ以上を実行することをさらに具備する、請求項5又は6の処理方法。 - 前記処理槽において前記副生成物と反応した前記処理液を、前記処理槽から排出することをさらに具備する、請求項5乃至7のいずれか1項の処理方法。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019011519A JP7156605B2 (ja) | 2019-01-25 | 2019-01-25 | 処理装置及び処理方法 |
CN202080005934.8A CN112970095B (zh) | 2019-01-25 | 2020-01-22 | 处理装置及处理方法 |
TW109102441A TWI741485B (zh) | 2019-01-25 | 2020-01-22 | 處理裝置及處理方法 |
DE112020000523.2T DE112020000523B4 (de) | 2019-01-25 | 2020-01-22 | Verfahrensanlage und Verfahren |
KR1020217014806A KR102661193B1 (ko) | 2019-01-25 | 2020-01-22 | 처리 장치 및 처리 방법 |
PCT/JP2020/002022 WO2020153385A1 (ja) | 2019-01-25 | 2020-01-22 | 処理装置及び処理方法 |
US17/305,535 US20210331018A1 (en) | 2019-01-25 | 2021-07-09 | Process apparatus and process method |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2019011519A JP7156605B2 (ja) | 2019-01-25 | 2019-01-25 | 処理装置及び処理方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020120043A true JP2020120043A (ja) | 2020-08-06 |
JP7156605B2 JP7156605B2 (ja) | 2022-10-19 |
Family
ID=71736171
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019011519A Active JP7156605B2 (ja) | 2019-01-25 | 2019-01-25 | 処理装置及び処理方法 |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20210331018A1 (ja) |
JP (1) | JP7156605B2 (ja) |
KR (1) | KR102661193B1 (ja) |
CN (1) | CN112970095B (ja) |
DE (1) | DE112020000523B4 (ja) |
TW (1) | TWI741485B (ja) |
WO (1) | WO2020153385A1 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023140255A1 (ja) * | 2022-01-18 | 2023-07-27 | 株式会社 東芝 | 処理方法 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01257119A (ja) * | 1988-04-05 | 1989-10-13 | Denki Kagaku Kogyo Kk | ポリクロロシラン類の処理方法 |
JPH04124011A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-24 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | ポリクロロシラン類の処理方法 |
JP2005319370A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 部品洗浄装置 |
JP2016013965A (ja) * | 2014-06-11 | 2016-01-28 | 三菱マテリアル株式会社 | 固体クロロシランポリマーの無害化方法 |
Family Cites Families (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4772223B2 (ja) * | 2001-07-03 | 2011-09-14 | パナソニック環境エンジニアリング株式会社 | 排ガス除害装置及び方法 |
US7832550B2 (en) * | 2001-07-17 | 2010-11-16 | American Air Liquide, Inc. | Reactive gases with concentrations of increased stability and processes for manufacturing same |
US6617175B1 (en) * | 2002-05-08 | 2003-09-09 | Advanced Technology Materials, Inc. | Infrared thermopile detector system for semiconductor process monitoring and control |
FR2898066B1 (fr) * | 2006-03-03 | 2008-08-15 | L'air Liquide | Procede de destruction d'effluents |
JP2012049342A (ja) | 2010-08-27 | 2012-03-08 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理装置および基板処理方法 |
JP5877702B2 (ja) * | 2011-12-14 | 2016-03-08 | 株式会社ニューフレアテクノロジー | 成膜装置および成膜方法 |
JP6035161B2 (ja) * | 2012-03-21 | 2016-11-30 | 株式会社日立国際電気 | 半導体装置の製造方法、基板処理方法、基板処理装置およびプログラム |
JP2013197474A (ja) | 2012-03-22 | 2013-09-30 | Hitachi Kokusai Electric Inc | 基板処理方法と半導体装置の製造方法、および基板処理装置 |
JP6342370B2 (ja) | 2015-09-07 | 2018-06-13 | 株式会社東芝 | 半導体製造装置及び半導体製造装置用除去装置 |
JP6561001B2 (ja) * | 2016-03-09 | 2019-08-14 | 株式会社Kokusai Electric | 半導体装置の製造方法、基板処理装置、ガス供給系およびプログラム |
CN108793169A (zh) * | 2017-03-27 | 2018-11-13 | 储晞 | 一种回收利用金刚线切割硅料副产硅泥的方法装置和系统 |
JP7175782B2 (ja) * | 2019-01-25 | 2022-11-21 | 株式会社東芝 | ケイ素含有物質形成装置 |
-
2019
- 2019-01-25 JP JP2019011519A patent/JP7156605B2/ja active Active
-
2020
- 2020-01-22 DE DE112020000523.2T patent/DE112020000523B4/de active Active
- 2020-01-22 TW TW109102441A patent/TWI741485B/zh active
- 2020-01-22 KR KR1020217014806A patent/KR102661193B1/ko active IP Right Grant
- 2020-01-22 WO PCT/JP2020/002022 patent/WO2020153385A1/ja active Application Filing
- 2020-01-22 CN CN202080005934.8A patent/CN112970095B/zh active Active
-
2021
- 2021-07-09 US US17/305,535 patent/US20210331018A1/en active Pending
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH01257119A (ja) * | 1988-04-05 | 1989-10-13 | Denki Kagaku Kogyo Kk | ポリクロロシラン類の処理方法 |
JPH04124011A (ja) * | 1990-09-12 | 1992-04-24 | Toagosei Chem Ind Co Ltd | ポリクロロシラン類の処理方法 |
JP2005319370A (ja) * | 2004-05-07 | 2005-11-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 部品洗浄装置 |
JP2016013965A (ja) * | 2014-06-11 | 2016-01-28 | 三菱マテリアル株式会社 | 固体クロロシランポリマーの無害化方法 |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2023140255A1 (ja) * | 2022-01-18 | 2023-07-27 | 株式会社 東芝 | 処理方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2020153385A1 (ja) | 2020-07-30 |
TWI741485B (zh) | 2021-10-01 |
US20210331018A1 (en) | 2021-10-28 |
CN112970095B (zh) | 2024-05-03 |
KR102661193B1 (ko) | 2024-04-29 |
DE112020000523T5 (de) | 2021-10-07 |
KR20210075180A (ko) | 2021-06-22 |
TW202044348A (zh) | 2020-12-01 |
JP7156605B2 (ja) | 2022-10-19 |
DE112020000523B4 (de) | 2024-08-29 |
CN112970095A (zh) | 2021-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI741480B (zh) | 含有矽之物質形成裝置 | |
WO2020153385A1 (ja) | 処理装置及び処理方法 | |
WO2023140255A1 (ja) | 処理方法 | |
JP2022164673A (ja) | 判定方法及び処理方法 | |
JP5716279B2 (ja) | ポリマー処理装置および処理方法 | |
JP2014140786A (ja) | クロロシラン類の廃ガス処理システムおよび廃ガス処理方法 | |
JP2001284264A (ja) | 気相成長方法 | |
JP2019145752A (ja) | オイリーシランの処理装置および方法 | |
CN111758148B (zh) | 处理液及处理方法 | |
JP4163332B2 (ja) | 排ガスの除害方法および除害装置 | |
US6086838A (en) | Removal of silane from gas streams |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7426 Effective date: 20190218 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20190218 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20210727 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20220614 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20220812 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220830 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220922 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7156605 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |