JP2020115568A - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
図1は本発明の実施の形態1による半導体装置の断面模式図である。図2は図1に示した半導体装置の上面図であり、説明のためダイレクトポッティング封止樹脂(ダイレクトポッティングにより形成された封止樹脂、以下単に封止樹脂とも呼ぶ)の表示を省略している。
図1および図2を参照して、半導体装置は、絶縁基板1(以下、基板1とも呼ぶ)と、半導体素子としてのパワー半導体素子3と、ケース51と、ケース51内に充填されている樹脂としてのダイレクトポッティング封止樹脂6(以下、単に封止樹脂6とも呼ぶ)とを主に備える。半導体装置はさらに、半導体装置の外部に位置する外部部材の一例である冷却部材としての冷却器54にケース51を固定する固定部材としてのネジ52を備える。絶縁基板1の厚みをt1、ダイレクトポッティング封止樹脂6の厚みをt2、絶縁基板1の線膨張係数をα1、ダイレクトポッティング封止樹脂6の線膨張係数をα2とした場合に、半導体装置はt2≧t1、およびα2≧α1、という関係式を満足する。絶縁基板1は、パワー半導体素子3が配置された第1の面と反対側の第2の面が凸形状となるように反っている。
図3は、図1および図2に示した半導体装置の製造方法を示すフローチャートである。図4〜図6は、図3に示した製造方法を説明するための断面模式図である。以下、図3〜図6を参照して、半導体装置の製造方法を説明する。
図9は本発明の実施の形態2による半導体装置の断面模式図である。
半導体装置は、基本的には図1に示した半導体装置と同様の構成を備えるが、ネジ52によりケース51および絶縁基板1を固定する部分の構成が図1に示した半導体装置とは異なっている。すなわち、ケース51は、平面視において絶縁基板1の外縁と重なる部分としてのスリーブ部53を有している。スリーブ部53の下にまで絶縁基板1の外縁が伸びている。また異なる観点からいえば、図1の半導体装置では段差部511がスリーブ部53より内周側に形成されていたのに対して、図9に示した半導体装置では段差部511はスリーブ部53に形成されている。スリーブ部53と絶縁基板1の外縁とを貫通するように貫通穴が形成されている。スリーブ部53および絶縁基板1の外縁を冷却器54と固定するように、固定部材としてのネジ52が貫通穴を挿通した状態で固定されている。
図9に示した半導体装置の製造方法は、準備する絶縁基板1やケース51のサイズや形状などが図1に示した半導体装置とは異なっているが、基本的には図1に示した半導体装置の製造方法と同様である。
Claims (6)
- 絶縁基板と、
前記絶縁基板の第1の面上に配置された半導体素子と、
前記半導体素子を内側に収容するように前記絶縁基板と接続されたケースと、
前記ケースの内側に前記半導体素子を埋め込むように充填された樹脂とを備え、
前記絶縁基板の厚みをt1、前記樹脂の厚みをt2、前記絶縁基板の線膨張係数をα1、前記樹脂の線膨張係数をα2とした場合に、
t2≧t1、および
α2≧α1、という関係式を満足し、
前記絶縁基板は前記第1の面と反対側の第2の面が凸形状となるように反っており、
前記ケースは、平面視において前記絶縁基板の外縁と重なる部分を有し、
前記重なる部分と前記第1の面の前記外縁とが接着剤により接続され、
前記接着剤は、前記第1の面の前記外縁の端までが前記重なる部分と接続されるように設けられており、
前記ケースは、前記重なる部分から前記外縁より外側に延在する部分を有し、
前記延在する部分は、第1高さを有する第1部分と、前記第1部分より外側に位置し、前記第1高さより低い第2高さを有する第2部分とを含み、
前記延在する部分を半導体装置の外部に位置する外部部材と固定する固定部材をさらに備え、
前記外部部材と前記第2の面との間に放熱グリースが挟まれ、
前記放熱グリースは、平面視において前記絶縁基板の中心部から前記重なる部分にまで設けられ、かつ、前記第2の面の前記外縁の端から前記中心部の方向に後退して設けられ、
前記重なる部分には、前記外縁を収容する段差部が形成されており、
前記段差部の深さは、前記絶縁基板の厚みと、前記外縁を前記段差部により押圧していない状態における前記絶縁基板の反り量との合計値より小さく、前記絶縁基板の厚みより大きい、半導体装置。 - 前記ケースは、前記重なる部分と前記外部部材との間に前記外縁を挟んだ状態で前記固定部材を用いて前記外部部材に固定されることにより、弾性変形している、請求項1に記載の半導体装置。
- 前記重なる部分で、平面視において前記接着剤と前記放熱グリースとが重なりを有する、請求項1もしくは請求項2に記載の半導体装置。
- 絶縁基板の第1の面上に半導体素子を配置するとともに、前記半導体素子を内部に収容するように前記絶縁基板と接続されたケースを準備する工程と、
前記ケースの内部に前記半導体素子を埋め込むように樹脂を充填する工程とを備え、
前記絶縁基板の厚みをt1、前記樹脂の厚みをt2、前記絶縁基板の線膨張係数をα1、前記樹脂の線膨張係数をα2とした場合に、
t2≧t1、および
α2≧α1、という関係式を満足し、
前記樹脂を充填する工程の後、前記第1の面と反対側の第2の面が凸形状となるように反っており、
前記準備する工程において、前記ケースは、平面視において前記絶縁基板の外縁と重なる部分と、前記重なる部分から前記外縁より外側に延在する部分とを有し、
前記延在する部分は、第1高さを有する第1部分と、前記第1部分より外側に位置し、前記第1高さより低い第2高さを有する第2部分とを含み、
前記準備する工程において、前記重なる部分と前記外縁の端を含む前記第1の面の前記外縁とが接着剤により接続され、
前記樹脂を充填する工程の後、前記絶縁基板の前記第2の面を半導体装置の外部に位置する外部部材に接続する工程をさらに備え、
前記接続する工程では、放熱グリースを前記外部部材と前記第2の面との間に、平面視において前記絶縁基板の中心部から前記重なる部分にまで、かつ、前記第2の面の前記外縁の端から前記中心部の方向に後退させるように設け、固定部材を用いて前記延在する部分を前記外部部材に固定し、
前記重なる部分には、前記外縁を収容する段差部が形成され、
前記段差部の深さは、前記絶縁基板の厚みと、前記外縁を前記段差部により押圧していない状態における前記絶縁基板の反り量との合計値より小さく、前記絶縁基板の厚みより大きくなるようにする、半導体装置の製造方法。 - 前記接続する工程において、前記ケースは、前記重なる部分と前記外部部材との間に前記外縁を挟んだ状態で前記固定部材を用いて前記外部部材に固定されることにより、弾性変形する、請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記重なる部分で、平面視において前記接着剤と前記放熱グリースとが重なりを有するようにする、請求項4もしくは請求項5に記載の半導体装置の製造方法。
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