JP2020100778A - 研磨用組成物 - Google Patents

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Abstract

【課題】研磨後の半導体ウェーハの微少欠陥及びヘイズをさらに低減することができる研磨用組成物の提供。【解決手段】砥粒、塩基性化合物、一般式(A)で表される1,2−ジオール構造単位を有するビニルアルコール系樹脂及び一般式(B)で表されるポリオキシエチレン構造単位を有するビニルアルコール系樹脂とを含む。(図中R1〜R6は夫々独立してH又は有機基;Xは単結合又は結合鎖;mは1〜1000の整数)【選択図】図6

Description

本発明は、研磨用組成物に関する。
CMPによる半導体ウェーハの研磨は、3段階又は4段階の多段階の研磨を行うことで、高精度の平滑化・平坦化を実現している。最終段階で行われる仕上げ研磨工程は、微小欠陥やヘイズ(表面曇り)の低減を主な目的としている。
半導体ウェーハの仕上げ研磨工程で使用される研磨用組成物は、一般に、ヒドロキシエチルセルロース(HEC)等の水溶性高分子を含有する。水溶性高分子は、半導体ウェーハ表面を親水化させる役割があり、表面への砥粒の付着、過度なケミカルエッチング、砥粒の凝集等による半導体ウェーハへのダメージを抑制する。これによって、微小欠陥やヘイズを低減できることが知られている。
HECは天然原料のセルロースを原料としているため、セルロース由来の水不溶性の不純物が含まれる場合がある。そのため、HECを含有する研磨用組成物では、この不純物の影響で微少欠陥が発生する場合がある。また、HECは分子量が数十万から百万程度の分子量のものがよく用いられるが、分子量が高くなるほどフィルターの目詰まりが起こりやすく、孔径が小さいフィルターでは通液が困難になる。そのため、分子量の大きい水溶性高分子を使用した場合、粗大粒子を除去することが困難になる。また、砥粒の凝集も起こりやすくなるため、研磨用組成物の長期安定性においても懸念がある。
特開2012−216723号公報には、1,2−ジオール構造単位を有するビニルアルコール系樹脂から選ばれた少なくとも1種類以上の水溶性高分子を含む研磨用組成物が開示されている。
特許第6245939号公報には、側鎖にポリアルキレンオキシ基を有する変性ポリビニルアルコール系重合体を含むシリコンウェーハ研磨液組成物が開示されている。
特開2016−56220号公報には、ポリアルキレンオキシド構造単位及びポリビニルアルコール構造単位が幹又は側鎖を形成する水溶性重合体を含有するスラリー組成物が開示されている。
特開2012−216723号公報 特許第6245939号公報 特開2016−56220号公報
近年、半導体デバイスのデザインルールの微細化が進んでいることにともなって、半導体ウェーハの表面の微小欠陥やヘイズについても、より厳しい管理が求められている。
本発明の目的は、研磨後の半導体ウェーハの微小欠陥及びヘイズをさらに低減することができる研磨用組成物を提供することである。
本発明の一実施形態による研磨用組成物は、砥粒と、塩基性化合物と、下記一般式(A)で表される1,2−ジオール構造単位を有するビニルアルコール系樹脂と、下記一般式(B)で表されるポリオキシエチレン構造単位を有するビニルアルコール系樹脂とを含む。
Figure 2020100778
但し、R、R、及びRはそれぞれ独立して水素原子又は有機基を示し、Xは単結合又は結合鎖を示し、R、R、及びRはそれぞれ独立して水素原子又は有機基を示す。mは1〜1000の整数である。
本発明によれば、研磨後の半導体ウェーハの微小欠陥及びヘイズをさらに低減することができる。
図1は、PEG付加PVAの含有量を変えて研磨特性を比較したグラフである。 図2は、PEG付加PVAの含有量を変えて研磨特性を比較したグラフである。 図3は、PEG付加PVAの含有量を変えて研磨特性を比較したグラフである。 図4は、PEG付加PVAの含有量を変えて研磨特性を比較したグラフである。 図5は、PEG付加PVAの含有量を変えて研磨特性を比較したグラフである。 図6は、ジオール変性PVAの種類を変えて研磨特性を比較したグラフである。 図7は、研磨用組成物中の高分子の総量を一定にしてその内訳を変えて研磨特性を比較したグラフである。 図8は、ジオール変性PVAを用いた研磨用組成物の研磨特性と、ジオール変性PVAではない通常のPVAを用いた研磨用組成物の研磨特性とを比較したグラフである。 図9は、ジオール変性PVAとPEG付加PVA以外の高分子とを併用した研磨用組成物の研磨特性を比較したグラフである。 図10は、PEG付加PVAの含有量を変えて研磨特性を比較したグラフである。 図11は、PEG付加PVAの含有量を変えて研磨特性を比較したグラフである。
本発明者らは、上記の課題を解決するため、種々の検討を行った。その結果、1,2−ジオール構造単位を有するビニルアルコール系樹脂と、側鎖にポリオキシエチレン基を有するビニルアルコール系樹脂とを併用することで、微小欠陥及びヘイズをさらに低減できることを知見した。そのメカニズムは明らかではないが、これら2種類の樹脂はウェーハに対する吸着性が異なっていると考えられ、両者が相補的に作用することによって微小欠陥が低減され、さらにエッチング防止効果の増加や段差解消性が大きくなることでヘイズも低減されると考えられる。
本発明は、この知見に基づいて完成された。以下、本発明の一実施形態による研磨用組成物を詳述する。
本発明の一実施形態による研磨用組成物は、砥粒と、塩基性化合物と、1,2−ジオール構造単位を有するビニルアルコール系樹脂(以下「ジオール変性PVA」という。)と、側鎖にポリオキシエチレン基を有するビニルアルコール系樹脂(以下「PEG付加PVA」という。)とを含む。
砥粒は、この分野で常用されるものを使用することができ、例えば、コロイダルシリカ、ヒュームドシリカ、コロイダルアルミナ、ヒュームドアルミナ及びセリア等が挙げられ、コロイダルシリカ又はヒュームドシリカが特に好ましい。砥粒の粒径は、特に限定されないが、例えば二次平均粒子径で30〜100nmのものを用いることができる。
砥粒の含有量は、特に限定されないが、例えば研磨用組成物全体の0.10〜20質量%である。研磨用組成物は、研磨時に10〜40倍に希釈されて使用される。本実施形態による研磨用組成物は、砥粒の濃度が100〜5000ppm(質量ppm。以下同じ。)になるように希釈して用いることが好ましい。砥粒の濃度が高いほど、微小欠陥やヘイズが低減する傾向がある。希釈後の砥粒の濃度の下限は、好ましくは1000ppmであり、さらに好ましくは2000ppmである。希釈後の砥粒の濃度の上限は、好ましくは4000ppmであり、さらに好ましくは3000ppmである。
塩基性化合物は、ウェーハ表面と効率よく反応し、化学機械研磨(CMP)の研磨特性に貢献する。塩基性化合物は、例えば、アミン化合物、無機アルカリ化合物等である。
アミン化合物は、例えば、第一級アミン、第二級アミン、第三級アミン、第四級アンモニウム及びその水酸化物、複素環式アミン等である。具体的には、アンモニア、水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)、水酸化テトラエチルアンモニウム(TEAH)、水酸化テトラブチルアンモニウム(TBAH)、メチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、ヘキシルアミン、シクロヘキシルアミン、エチレンジアミン、ヘキサメチレンジアミン、ジエチレントリアミン(DETA)、トリエチレンテトラミン、テトラエチレンペンタミン、ペンタエチレンヘキサミン、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、N−(β−アミノエチル)エタノールアミン、無水ピペラジン、ピペラジン六水和物、1−(2−アミノエチル)ピペラジン、N−メチルピペラジン、ピペラジン塩酸塩、炭酸グアニジン等が挙げられる。
無機アルカリ化合物は、例えば、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属の塩、アルカリ土類金属の水酸化物、アルカリ土類金属の塩等が挙げられる。無機アルカリ化合物は、具体的には、水酸化カリウム、水酸化ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸カリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸ナトリウム等である。
上述した塩基性化合物は、一種を単独で使用してもよいし、二種以上を混合して使用してもよい。上述した塩基性化合物の中でも、アルカリ金属の水酸化物、アルカリ金属の塩、アンモニア、アミン、アンモニウム塩、及び第四級アンモニウム水酸化物類が特に好ましい。
塩基性化合物の含有量(二種以上含有する場合は、その総量)は、特に限定されないが、例えば砥粒との質量比で、砥粒:塩基性化合物=1:0.001〜1:0.10である。本実施形態による研磨用組成物は、塩基性化合物の濃度が5〜200ppmになるように希釈して用いることが好ましい
ジオール変性PVAは、下記一般式(1)で表される1,2−ジオール構造単位を有するビニルアルコール系樹脂である。
Figure 2020100778
但し、R、R、及びRはそれぞれ独立して水素原子又は有機基を示し、Xは単結合又は結合鎖を示し、R、R、及びRはそれぞれ独立して水素原子又は有機基を示す。
「ビニルアルコール系樹脂」とは、下記式(2)及び(3)で表される構造単位を含む水溶性高分子をいう。
Figure 2020100778
ジオール変性PVAは、式(2)及び(3)で表される構造単位に加えて、式(1)で表される1,2−ジオール構造単位を有する。これによって、ポリビニルアルコールの結晶化が抑制され、研磨後の半導体ウェーハの微小欠陥やヘイズをより低減できる。高分子中の1,2−ジオール構造単位の変性量は、特に限定されないが、例えば1〜20モル%である。
ジオール変性PVAは、一般式(1)で表される1,2−ジオール構造単位中のR〜Rがすべて水素原子であり、Xが単結合であるものが特に好ましい。すなわち、下記の式(4)の構造単位を含むものが特に好ましい。
Figure 2020100778
ジオール変性PVAの平均重合度は、特に限定されないが、例えば200〜3000である。ジオール変性PVAの平均重合度は、JIS K 6726に準拠して測定することができる。
ジオール変性PVAは、けん化度が80〜95モル%のものが好ましい。研磨用組成物に用いられるポリビニルアルコール系樹脂は通常、完全けん化品(けん化度が98モル%以上のもの)が使用されるが、ジオール変性PVAでは、完全けん化品よりも部分けん化品を用いた方が、微小欠陥やヘイズをより低減できる。そのメカニズムは明らかではないが、一つ要因としては、部分けん化品を用いることで水酸基同士での水素結合が減り、分子同士の結合が弱まることによって高分子が水に溶けやすくなり、未溶解物やゲル状異物の生成が抑制されることが考えられる。他の要因としては、疎水基である酢酸ビニル基の含有量が多くなることで半導体ウェーハとの疎水性相互作用が強くなり、半導体ウェーハへの保護性が大きくなることが考えられる。
ジオール変性PVAのけん化度は、より好ましくは85〜90モル%である。なお、ジオール変性PVAのけん化度は、通常のポリビニルアルコールと同様に、JIS K 6726に準じて測定するものとする。
ジオール変性PVAの含有量(二種以上含有する場合は、その総量)は、特に限定されないが、例えば砥粒との質量比で、砥粒:ジオール変性PVA=1:0.001〜1:0.40である。砥粒に対するジオール変性PVAの質量比の下限は、好ましくは0.004であり、さらに好ましくは0.008である。
本実施形態による研磨用組成物は、ジオール変性PVAの濃度が10〜200ppmになるように希釈して用いることが好ましい。希釈後のジオール変性PVAの濃度が高いほど、微小欠陥やヘイズが低減する傾向がある。希釈後の変性PVAの濃度の下限は、好ましくは10ppmであり、さらに好ましくは20ppmである。
ジオール変性PVAは例えば、ビニルエステル系モノマーと下記一般式(5)で示される化合物との共重合体をけん化することで製造される。
Figure 2020100778
但し、R、R、及びRはそれぞれ独立して水素原子又は有機基を示し、Xは単結合又は結合鎖を示し、R、R、及びRはそれぞれ独立して水素原子又は有機基を示し、R、及びRはそれぞれ独立して水素原子又はR−CO−(Rは炭素数1〜4のアルキル基)を示す。
本実施形態による研磨用組成物は、上述したジオール変性PVAに加えて、PEG付加PVAをさらに含む。PEG付加PVAは、下記一般式(6)で表されるポリオキシエチレン構造単位を有するビニルアルコール系樹脂である。PEG付加PVAは、式(2)及び(3)で表される構造単位に加えて、式(6)で表されるポリオキシエチレン構造単位を有する。
Figure 2020100778
但し、mは1〜1000の整数である。
ジオール変性PVAとPEG付加PVAとを併用することで、微小欠陥及びヘイズをさらに低減することができる。そのメカニズムは明らかではないが、これら2種類の樹脂はウェーハに対する吸着性が異なっていると考えられ、両者が相補的に作用することによって微小欠陥が低減され、さらにエッチング防止効果の増加や段差解消性が大きくなることでヘイズも低減されると考えられる。
PEG付加PVAの平均重合度は、特に限定されないが、例えば200〜3000である。PEG付加PVAの平均重合度は、JIS K 6726に準拠して測定することができる。
PEG付加PVAにおけるポリオキシエチレン骨格とポリビニルアルコール骨格との存在比は、これに限定されないが、モル%で、例えば5:95〜40:60であり、好ましくは10:90〜30:70である。mは、好ましくは2〜300であり、さらに好ましくは3〜200である。
PEG付加PVAの含有量(二種以上含有する場合は、その総量)は、特に限定されないが、例えば砥粒との質量比で、砥粒:PEG付加PVA=1:0.001〜1:0.40である。砥粒に対するPEG付加PVAの質量比の下限は、好ましくは0.004であり、さらに好ましくは0.008である。
本実施形態による研磨用組成物は、PEG付加PVAの濃度が3〜200ppmになるように希釈して用いることが好ましい。希釈後のPEG付加PVAの濃度が高いほど、微小欠陥やヘイズが低減する傾向がある。希釈後のPEG付加PVAの濃度の下限は、好ましくは10ppmであり、さらに好ましくは20ppmである。
ジオール変性PVAの含有量に対するPEG付加PVAの含有量の比の下限は、好ましくはジオール変性PVA20質量部に対しPEG付加PVA3質量部であり、より好ましくはジオール変性PVA2質量部に対しPEG付加PVA1質量部であり、さらに好ましくはジオール変性PVA5質量部に対しPEG付加PVA3質量部である。また、ジオール変性PVAの含有量に対するPEG付加PVAの含有量の比の上限は、好ましくはジオール変性PVA1質量部に対しPEG付加PVA5質量部であり、より好ましくはジオール変性PVA1質量部に対しPEG付加PVA2質量部であり、さらに好ましくはジオール変性PVA2質量部に対しPEG付加PVA3質量部である。
本実施形態による研磨用組成物は、非イオン性界面活性剤をさらに含んでいてもよい。非イオン性界面活性剤を含むことで、微小欠陥やヘイズをさらに低減することができる。
本実施形態による研磨用組成物に好適な非イオン性界面活性剤は例えば、エチレンジアミンテトラポリオキシエチレンポリオキシプロピレン(ポロキサミン)、ポロキサマー、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレン脂肪酸エステル、ポリオキシアルキレンアルキルアミン、ポリオキシアルキレンメチルグルコシド等である。
ポリオキシアルキレンアルキルエーテルとしては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル等が挙げられる。ポリオキシアルキレン脂肪酸エステルとしては、例えば、ポリオキシエチレンモノラウレート、ポリオキシエチレンモノステアレート等が挙げられる。ポリオキシアルキレンアルキルアミンとしては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルアミン、ポリオキシエチレンオレイルアミン等が挙げられる。ポリオキシアルキレンメチルグルコシドとしては、例えば、ポリオキシエチレンメチルグルコシド、ポリオキシプロピレンメチルグルコシド等が挙げられる。
非イオン性界面活性剤の含有量(二種以上含有する場合は、その総量)は、特に限定されないが、例えば砥粒との質量比で、砥粒:非イオン性界面活性剤=1:0.0001〜1:0.015である。本実施形態による研磨用組成物は、非イオン性界面活性剤の濃度が0.5〜30ppmになるように希釈して用いることが好ましい。
本実施形態による研磨用組成物は、pH調整剤をさらに含んでいてもよい。本実施形態による研磨用組成物のpHは、好ましくは8.0〜12.0である。
本実施形態による研磨用組成物は、上記の他、研磨用組成物の分野で一般に知られた配合剤を任意に配合することができる。
本実施形態による研磨用組成物は、砥粒、塩基性化合物、ジオール変性PVA、PEG付加PVAその他の配合材料を適宜混合して水を加えることによって作製される。本実施形態による研磨用組成物は、あるいは、砥粒、塩基性化合物、ジオール変性PVA、PEG付加PVAその他の配合材料を、順次、水に混合することによって作製される。これらの成分を混合する手段としては、ホモジナイザー、超音波等、研磨用組成物の技術分野において常用される手段が用いられる。
以上で説明した研磨用組成物は、適当な濃度となるように水で希釈した後、半導体ウェーハの研磨に用いられる。
本実施形態による研磨用組成物は、シリコンウェーハの仕上げ研磨に特に好適に用いることができる。
以下、実施例によって本発明をより具体的に説明する。本発明はこれらの実施例に限定されない。
[研磨例1]
表1に示す実施例1〜11、及び比較例1〜15の研磨用組成物を作製した。
Figure 2020100778
表1の含有量は、すべて希釈後の含有量である。砥粒は、平均二次粒子径が65nmのコロイダルシリカを使用した。「NHOH」はアンモニア水溶液を表す。
ジオール変性PVAは、3種類を使用した。「種類」の欄の「A」は、重合度:450、けん化度:99.0モル%以上のブテンジオールビニルアルコールポリマーを表す。「B」は、重合度:450、けん化度:86.0モル%のブテンジオールビニルアルコールポリマーを表す。「C」は、重合度:300、けん化度:89.0モル%のブテンジオールビニルアルコールポリマーを表す。
PEG付加PVAとして、重合度:500、けん化度:98.5モル%以上のポリエチレングリコール導入ポリビニルアルコール(日本酢ビ・ポバール社製EF−05)を使用した。
「他の高分子」の欄の「PVA」は、重合度:500、けん化度:98.5モル%のポリビニルアルコールを表す。「HEC」は、重量平均分子量が80万のヒドロキシエチルセルロースを表す。「PVP」は、重量平均分子量が2500のポリビニルピロリドンを表す。
これら実施例及び比較例の研磨用組成物を使用して、12インチのシリコンウェーハの研磨を行った。シリコンウェーハの導電型はP型で、抵抗率が0.1Ωcm以上100Ωcm未満のものを使用した。研磨面は<100>面とした。研磨装置は、株式会社岡本工作機械製作所製のSPP800S片面研磨装置を使用した。研磨パッドは、スエードパッドを使用した。研磨用組成物を31倍に希釈して、1L/分の供給速度で供給した。定盤の回転速度は40rpm、キャリアの回転速度は39rpm、研磨荷重は100gf/cmとして、2分間の研磨を行った。なお、実施例及び比較例の研磨用組成物で研磨する前に、研磨スラリーNanopure(登録商標)NP7050S(ニッタハース株式会社製)を用いて3分間の予備研磨を実施した。
研磨後のシリコンウェーハの微少欠陥及びヘイズを測定した。微少欠陥は、ウェーハ表面検査装置MAGICS M5640(Lasertec社製)を用いて測定した。ヘイズは、ウェーハ表面検査装置LS6600(日立エンジニアリング株式会社製)を用いて測定した。結果を前掲の表1の「Defect」、「Haze」の欄に示す。
図1〜図5は、PEG付加PVAの含有量を変えて研磨特性を比較したグラフである。
具体的には、図1は、砥粒の含有量を2300ppm、NHOHの含有量を20ppm、ジオール変性PVAの種類を「A」、ジオール変性PVAの含有量を20ppmに固定し、PEG付加PVAの含有量を無添加(比較例1)、3ppm(実施例1)、10ppm(実施例2)、20ppm(実施例3)に変えて研磨特性を比較したグラフである。
図2は、砥粒の含有量を1100ppm、NHOHの含有量を20ppm、ジオール変性PVAの種類を「A」、ジオール変性PVAの含有量を20ppmに固定し、PEG付加PVAの含有量を無添加(比較例2)、3ppm(実施例4)、20ppm(実施例5)に変えて研磨特性を比較したグラフである。
図3は、砥粒の含有量を2300ppm、NHOHの含有量を20ppm、ジオール変性PVAの種類を「B」、ジオール変性PVAの含有量を20ppmに固定し、PEG付加PVAの含有量を無添加(比較例3)、3ppm(実施例6)、10ppm(実施例7)、20ppm(実施例8)に変えて研磨特性を比較したグラフである。
図4は、砥粒の含有量を1100ppm、NHOHの含有量を20ppm、ジオール変性PVAの種類を「B」、ジオール変性PVAの含有量を20ppmに固定し、PEG付加PVAの含有量を無添加(比較例4)、3ppm(実施例9)、20ppm(実施例10)に変えて研磨特性を比較したグラフである。
図5は、砥粒の含有量を1100ppm、NHOHの含有量を20ppm、ジオール変性PVAの種類を「C」、ジオール変性PVAの含有量を20ppmに固定し、PEG付加PVAの含有量を無添加(比較例5)、10ppm(実施例11)に変えて研磨特性を比較したグラフである。
図1〜図5から、今回用いたジオール変性PVAのいずれにおいても、PEG付加PVAと併用することで、微小欠陥及びヘイズをさらに低減できることが分かる。また、図1〜図4から、PEG付加PVAの含有量が多いほど、微小欠陥及びヘイズが低減する傾向があることがわかる。
図6は、ジオール変性PVAの種類を変えて研磨特性を比較したグラフである。具体的には、ジオール変性PVAなし(比較例6)、「A」を20ppm(実施例5)、「B」を20ppm(実施例10)、「C」を20ppm(実施例11)に変えて研磨特性を比較したグラフである。なお、ジオール変性PVAが「C」のもの(実施例11)のみPEG付加PVAの含有量を10ppmとし、他はPEG付加PVAの含有量を20ppmとした。
図6からも、ジオール変性PVAとPEG付加PVAとを併用することで、微小欠陥及びヘイズをさらに低減できることが分かる。また、今回使用したジオール変性PVAの中では、けん化度の低い「B」及び「C」の研磨特性が「A」と比較して優れていた。
図7は、研磨用組成物中の高分子の総量を一定にしてその内訳を変えて研磨特性を比較したグラフである。具体的にはジオール変性PVAだけを40ppm含有させた研磨用組成物(比較例7及び比較例8)の研磨特性と、ジオール変性PVAとPEG付加PVAとを20ppmずつ含有させた研磨用組成物(実施例3及び実施例5)の研磨特性とを比較したグラフである。図7からも、ジオール変性PVAとPEG付加PVAとを併用することで、微小欠陥及びヘイズをさらに低減できることが分かる。
図8は、ジオール変性PVAを用いた研磨用組成物(実施例3及び実施例8)の研磨特性と、ジオール変性PVAではない通常のPVAを用いた研磨用組成物(比較例10)の研磨特性とを比較したグラフである。図8から、PEG付加PVAと併用することで研磨特性が向上するのは、ジオール変性PVAに特有の効果であり、通常のPVAでは同様の効果が得られないことが分かる。
また、図示していないが、PEG付加PVAとHECとを併用した研磨用組成物(比較例11及び比較例12)では、微小欠陥が検出限界を超えて多くなった。このことからも、PEG付加PVAと併用することで研磨性能が向上するのは、ジオール変性PVAに特有の効果であることが分かる。
図9は、ジオール変性PVAとPEG付加PVA以外の高分子とを併用した研磨用組成物の研磨特性を比較したグラフである。具体的には、ジオール変性PVAだけを用いた研磨用組成物(比較例1)、ジオール変性PVAにHECを3ppm加えた研磨用組成物(比較例13)、ジオール変性PVAにHECを20ppm加えた研磨用組成物(比較例14)、及びジオール変性PVAにPVPを3ppm加えた研磨用組成物(比較例15)の研磨特性を比較したグラフである。ジオール変性PVAにPEG付加PVA以外の高分子を添加した場合、研磨特性は却って悪化していることが分かる。
[研磨例2]
表2に示す実施例12及び13、並びに比較例16及び17の研磨用組成物を作製した。表2の含有量も、すべて希釈後の含有量である。研磨例2では、表2に示す成分に加えて、非イオン性界面活性剤として、重量平均分子量7240のエチレンジアミンテトラポリオキシエチレンポリオキシプロピレン、及び重量平均分子量775のポリオキシプロピレンメチルグルコシドを、希釈後の含有量でそれぞれ2.9ppm及び2.4ppm含有させた。砥粒、NHOH、ジオール変性PVA、及びPEG付加PVAは、研磨例1と同様である。
Figure 2020100778
実施例12及び13、並びに比較例16及び17の研磨用組成物を用いて、研磨例1と同様にシリコンウェーハの研磨を行い、微小欠陥及びヘイズを測定した。結果を表2に示す。
研磨例1との比較から、非イオン性界面活性剤を含有させることで、微小欠陥及びヘイズを顕著に低減できることが分かる。
図10は、砥粒の含有量を1100ppm、NHOHの含有量を20ppm、ジオール変性PVAの種類を「A」、ジオール変性PVAの含有量を20ppmに固定し、PEG付加PVAの含有量を無添加(比較例16)、20ppm(実施例12)に変えて研磨特性を比較したグラフである。
図11は、砥粒の含有量を1100ppm、NHOHの含有量を20ppm、ジオール変性PVAの種類を「C」、ジオール変性PVAの含有量を20ppmに固定し、PEG付加PVAの含有量を無添加(比較例17)、10ppm(実施例13)に変えて研磨特性を比較したグラフである。
図10及び図11から、非イオン界面活性剤を含有させた研磨用組成物においても、ジオール変性PVAとPEG付加PVAとを併用することで、研磨特性を向上できることが分かる。具体的には、ヘイズを良好な水準に保ったまま、微小欠陥をさらに低減することができている。
以上、本発明の実施の形態を説明した。上述した実施の形態は本発明を実施するための例示に過ぎない。よって、本発明は上述した実施の形態に限定されることなく、その趣旨を逸脱しない範囲内で上述した実施の形態を適宜変形して実施することが可能である。

Claims (3)

  1. 砥粒と、
    塩基性化合物と、
    下記一般式(A)で表される1,2−ジオール構造単位を有するビニルアルコール系樹脂と、
    下記一般式(B)で表されるポリオキシエチレン構造単位を有するビニルアルコール系樹脂とを含む、研磨用組成物。
    Figure 2020100778
    但し、R、R、及びRはそれぞれ独立して水素原子又は有機基を示し、Xは単結合又は結合鎖を示し、R、R、及びRはそれぞれ独立して水素原子又は有機基を示す。mは1〜1000の整数である。
  2. 請求項1に記載の研磨用組成物であって、
    非イオン性界面活性剤をさらに含む、研磨用組成物。
  3. 請求項1又は2に記載の研磨用組成物であって、
    前記塩基性化合物は、アルカリ金属酸化物、アルカリ金属塩、アンモニア、アミン、アンモニウム塩、及び第四級アンモニウム水酸化物類からなる群から選択される1種以上である、研磨用組成物。
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