JP2020098835A - 巻線型インダクタ部品 - Google Patents

Abstract

【課題】周囲の磁場への影響を低減できる巻線型インダクタ部品を提供する。【解決手段】巻線型インダクタ部品１０は、柱状の軸部２１及び軸部２１の両端に設けられた一対の支持部２２を有するコア２０と、一対の支持部２２の各々に設けられた非磁性体の端子電極５０と、軸部２１に巻回され両端部がそれぞれ一対の支持部２２の端子電極５０に接続されたワイヤ７０とを備えている。【選択図】図４

Description

本開示は、コアに巻回されたワイヤを有する巻線型インダクタ部品に関する。

従来、電子機器には種々のインダクタ部品が搭載されている。巻線型インダクタ部品は、コアと、コアに巻回されたワイヤとを有している。ワイヤの端部は、コアに設けられた端子電極と接続されている。通常、ワイヤの端部は、製造コストの観点から、例えば特許文献１に記載されているように、ヒータチップを用いて端子電極と熱圧着される。この熱圧着時に端子電極が溶解することを防止するため、端子電極は、ニッケル（Ｎｉ）又はニッケルを含む合金からなるニッケル電極層を含むめっき層を備える。

特開平１０−３１２９２２号公報

しかしながら、ニッケルは磁性体であるため、ニッケルを含む端子電極を備えた巻線型インダクタ部品を強磁場の環境で使用した場合、ニッケルが磁場に反応して周囲の磁場が乱れるという問題があった。例えば、当該巻線型インダクタ部品をＭＲＩ（magnetic resonance imaging（核磁気共鳴画像法））で使用した場合、端子電極のニッケルが磁場に反応して周囲の磁場が乱れることにより、撮影画像が乱れる虞がある。このように、巻線型インダクタ部品の端子電極に含まれるニッケルが周囲の磁場に影響を与えることが問題となっていた。

本開示の目的は、周囲の磁場への影響を低減できる巻線型インダクタ部品を提供することにある。

本開示の一態様である巻線型インダクタ部品は、柱状の軸部及び前記軸部の両端に設けられた一対の支持部を有するコアと、一対の前記支持部の各々に設けられた非磁性体の端子電極と、前記軸部に巻回され両端部がそれぞれ一対の前記支持部の前記端子電極に接続されたワイヤと、を備えた。

上記態様によれば、端子電極は非磁性体であるため、端子電極が周囲の磁場に反応することが抑制される。従って、周囲の磁場への影響を低減できる。

（ａ）は一実施形態における巻線型インダクタ部品の正面図、（ｂ）は同巻線型インダクタ部品の端面図。 一実施形態における巻線型インダクタ部品の斜視図。 一実施形態におけるコアの正面図。 一実施形態における巻線型インダクタ部品の拡大断面図。 一実施形態における巻線型インダクタ部品の断面写真。 変更例の巻線型インダクタ部品を示す斜視図。 変更例の巻線型インダクタ部品を示す正面図。 変更例のコアを示す概略斜視図。

以下、巻線型インダクタ部品の一実施形態について説明する。なお、添付図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図中のものと異なる場合がある。また、断面図ではハッチングを付しているが、理解を容易にするために、一部の構成要素のハッチングを省略している場合がある。

図１（ａ）、図１（ｂ）及び図２に示す巻線型インダクタ部品１０（以下、インダクタ部品１０と記載する）は、例えば回路基板等に実装される表面実装型の巻線型インダクタ部品である。このインダクタ部品１０は、例えば、ＭＲＩ（magnetic resonance imaging（核磁気共鳴画像法））等の検査装置に備えられる回路（高周波回路等）に使用される他、様々なデバイスで使用され得る。

インダクタ部品１０は、柱状の軸部２１及び軸部２１の両端に設けられた一対の支持部２２を有するコア２０と、一対の支持部２２の各々に設けられた非磁性体の端子電極５０と、軸部２１に巻回され両端部がそれぞれ一対の支持部２２の端子電極５０に接続されたワイヤ７０とを有する。

軸部２１は長さ方向Ｌｄに平行に延びる四角柱状に形成されている。一対の支持部２２は、軸部２１の両端から長さ方向Ｌｄと直交して延びる長方形状の主面を有する鍔状に形成されている。支持部２２は軸部２１の延びる第１の方向が実装対象（例えば回路基板）と平行となるように支持する。一対の支持部２２は、軸部２１と一体に形成されている。なお、軸部２１及び一対の支持部２２は、バレル加工や面取り加工などによって、角部及び稜線部が曲面又は平面となっていることが好ましい。

図１（ａ）及び図１（ｂ）に示すように、各支持部２２は、長さ方向Ｌｄにおいて軸部２１側を向いた内面３１と、内面３１と反対側の外側を向いた端面３２と、幅方向Ｗｄの両側の一対の側面３３，３４と、高さ方向Ｔｄの両側の天面３５及び底面３６とを有している。一方の支持部２２の内面３１は、他方の支持部２２の内面３１と対向している。なお、底面３６は、インダクタ部品１０を回路基板に実装する際に回路基板と対向する面、より具体的には、両側の支持部ともに端子電極が形成されている側の面である。天面３５は、底面３６と反対側の面である。側面３３，３４は、内面３１、端面３２、天面３５及び底面３６ではない面である。

上記のように、本明細書においては、軸部２１の延びる方向を「長さ方向Ｌｄ」と定義する。また、「高さ方向Ｔｄ」は、「長さ方向Ｌｄ」に直交する方向のうち、底面３６に直交する方向と定義する。更に、「幅方向Ｗｄ」は、「長さ方向Ｌｄ」及び「高さ方向Ｔｄ」に直交する方向と定義する。なお、「高さ方向Ｔｄ」は、インダクタ部品１０が実装される回路基板からの高さを示し、「長さ方向Ｌｄ」及び「幅方向Ｗｄ」は、当該回路基板においてインダクタ部品１０が占める実装領域を示す。

本実施形態のインダクタ部品１０は、例えば、長さ方向Ｌｄの大きさ（長さ寸法Ｌ１）が１．６ｍｍ、高さ方向Ｔｄの大きさ（高さ寸法Ｔ１）及び幅方向Ｗｄの大きさ（幅寸法Ｗ１）が０．８ｍｍである。なお、インダクタ部品１０の長さ寸法Ｌ１、高さ寸法Ｔ１及び幅寸法Ｗ１はこれに限らない。例えば、インダクタ部品１０は、長さ寸法Ｌ１が０．２ｍｍ以上、２．５ｍｍ以下であってもよいし、高さ寸法Ｔ１及び幅寸法Ｗ１が０．１ｍｍ以上、２．０ｍｍ以下であってもよい。また例えば、インダクタ部品１０は、高さ寸法Ｔ１と幅寸法Ｗ１とが異なっていてもよい。

図３に示すように、支持部２２は、底面３６と内面３１との境界をなす稜線部４１と、底面３６と端面３２との境界をなす稜線部４２と、天面３５と内面３１との境界をなす稜線部４３と、天面３５と端面３２との境界をなす稜線部４４とを有している。稜線部４１〜４４の表面は、コア２０の外側に向かって凸となる曲面状であり、概略円柱面（凸円柱面）である。なお、図３では示されないが、支持部２２は、側面３３，３４と内面３１、端面３２、天面３５、底面３６とのそれぞれの境界をなす稜線部も有し、当該稜線部も凸円柱面である。各稜線部の曲率半径は、本実施形態では等しいが、異ならせてもよい。

コア２０の材料としては、磁性材料（例えば、ニッケル（Ｎｉ）−亜鉛（Ｚｎ）系フェライト、マンガン（Ｍｎ）−亜鉛系フェライト、鉄（Ｆｅ）系金属磁性粉含有樹脂）、非磁性材料（酸化アルミニウム、ガラス）などを用いることができる。コア２０は、セラミックス（焼結体）であってもよいし、成形体であってもよい。因みに、本実施形態のコア２０は、酸化アルミニウムを材料としたアルミナセラミックスよりなる。

図１（ａ）、図１（ｂ）及び図２に示すように、端子電極５０は、各支持部２２の底面３６側に形成されている。端子電極５０は、支持部２２の底面３６に形成された底面部電極５１と、支持部２２の端面３２に形成された端面部電極５２と、支持部２２の内面３１に形成された内面部電極５３と、支持部２２の側面３３，３４に形成された側面部電極５４とを有する。

底面部電極５１は、支持部２２の底面３６の全体に亘って形成されており、底面３６を覆っている。端面部電極５２は、支持部２２の端面３２の下部を覆うように形成されている。内面部電極５３は、支持部２２の内面３１の下部を覆うように形成されている。また、側面部電極５４は、側面３３，３４の下部を覆うように形成されている。

底面部電極５１と端面部電極５２とは、底面３６と端面３２との間の稜線部４２上の部分を介して連続するように形成されている。底面部電極５１と内面部電極５３とは、底面３６と内面３１との間の稜線部４１上の部分を介して連続するように形成されている。底面部電極５１と側面部電極５４とは、底面３６と側面３３，３４との間の稜線部上の部分を介して連続するように形成されている。また、端面部電極５２と側面部電極５４とは、端面３２と側面３３，３４との間の稜線部上の部分を介して連続するように形成されている。内面部電極５３と側面部電極５４とは、内面３１と側面３３，３４との間の稜線部上の部分を介して連続するように形成されている。このように、各端子電極５０において隣接する電極同士は連続して形成されており、底面部電極５１、端面部電極５２、内面部電極５３及び側面部電極５４は一体に形成されている。なお、底面部電極５１、端面部電極５２、内面部電極５３及び側面部電極５４は、各上記稜線部上を覆う端子電極５０の部分は含まない。即ち、底面部電極５１は、底面３６の真上の部分である。

本実施形態では、端面部電極５２、内面部電極５３及び側面部電極５４の高さが等しく形成されている。なお、端面部電極５２、内面部電極５３及び側面部電極５４の各電極において、電極の高さとは、底面部電極５１の表面（下端）から高さ方向Ｔｄに沿って測定した電極の上端までの長さである。端面部電極５２、内面部電極５３及び側面部電極５４の上端の位置は、軸部２１の底面２３よりも支持部２２の底面３６側に位置する。

図４及び図５に示すように、端子電極５０は、支持部２２の表面に形成された下地層６１と、下地層６１を覆うめっき層６２とを備えている。下地層６１及びめっき層６２は、それぞれ非磁性体よりなる。即ち、端子電極５０は非磁性体である。

下地層６１は、銀（Ａｇ）を含むガラスの焼結体の層である。本実施形態では、下地層６１の導電性材料は銀であるが、銀に限らず、銀パラジウム合金（Ａｇ−Ｐｄ）などの非磁性の良導体である金属材料を用いることもできる。下地層６１は、例えば銀粉末及びガラス粉末を含む樹脂である導電性ペーストの塗布焼き付けにより形成される。

めっき層６２は、下地層６１を覆う第１めっき層６３と、第１めっき層６３を覆う第２めっき層６４とから構成されている。第１めっき層６３は、銅（Ｃｕ）よりなり下地層６１と隣り合う金属層である。第２めっき層６４は、錫（Ｓｎ）よりなり第１めっき層６３と隣り合う金属層である。第２めっき層６４の材料は、錫以外に、金（Ａｕ）、パラジウム、金パラジウム合金（Ａｕ−Ｐｄ）などの非磁性の親はんだ性を有する金属材料を用いることもできる。これら第１めっき層６３及び第２めっき層６４は、例えば電解めっき法により形成される。なお、本実施形態の第１めっき層６３は銅電極層に該当し、本実施形態の第２めっき層６４は錫電極層に該当する。

第１めっき層６３は、厚さ寸法Ｔｈ１が１０μｍ以上、３０μｍ以下であることが好ましい。更に、第１めっき層６３の厚さ寸法Ｔｈ１は、１５μｍ以上、２０μｍ以下であることがより好ましい。例えば、本実施形態では、第１めっき層６３の厚さ寸法Ｔｈ１は１７μｍである。なお、第１めっき層６３の厚さ寸法Ｔｈ１は、その形成面である下地層６１の表面を基準とした厚みである。但し、第１めっき層６３の端部は、下地層６１上を越える場合や、極端に薄くなる場合があるため、厚さ寸法Ｔｈ１の測定対象とはならない。

また、底面部電極５１においては、第１めっき層６３は第２めっき層６４よりも厚さが厚い。更に、底面部電極５１では、下地層６１は第１めっき層６３よりも厚さが薄い。
図１（ａ）に示すように、軸部２１に巻回されたワイヤ７０は、例えば円形状の断面を有する芯線と、芯線の表面を被覆する被覆材とを含む。芯線の材料としては、例えば銅や銀、その合金等の良導電性の金属材料を主成分としたものを用いることができる。被覆材の材料としては、例えばポリウレタンやポリエステル、ポリアミドイミド等の絶縁性の樹脂材料を用いることができる。ワイヤ７０の両端部は、一対の端子電極５０にそれぞれ接続されており、具体的には、ワイヤ７０の芯線が端子電極５０に接触又は一体化することによって、電気的に接続されている。

ワイヤ７０は、軸部２１に巻回された巻線部７１と、端子電極５０に接続された接続部７２と、接続部７２と巻線部７１との間に掛け渡された渡り部７３とを有している。接続部７２は、端子電極５０のうち、支持部２２の底面３６に形成された底面部電極５１に接続されている。巻線部７１の軸部２１への巻回態様は、１層巻き、多層巻き、密接巻き、ピッチ巻きなど公知の巻回態様の何れであってもよい。例えば、本実施形態では、巻線部７１は、軸部２１に１層分隣接ターンが密接して巻回されている。巻線部７１の巻回軸は長さ方向Ｌｄと平行である。

図１（ａ）、図４及び図５に示すように、ワイヤ７０の端部と端子電極５０とは、例えば、ヒータチップを用いた熱圧着により接続されている。底面部電極５１の上にワイヤ７０の端部（接続部７２となる部分）を載せた後に、ヒータチップで加熱及び加圧することにより、ワイヤ７０の端部と端子電極５０とを接続することができる。具体的には、３００〜５００℃の範囲の温度、好ましくは５００℃に加熱されたヒータチップで、ワイヤ７０の端部を底面部電極５１に対して加圧する。これにより、ワイヤ７０の端部（接続部７２）では、被覆材が剥離され、露出した芯線が、底面部電極５１において第２めっき層６４に接続された状態となる。本実施形態では、第２めっき層６４は錫よりなるためヒータチップの加熱により溶融し、ワイヤ７０の端部は、ヒータチップの加熱により第２めっき層６４内に押し込まれ、端子電極５０に接続された状態となる。なお、接続方法はこれに限られず、各種公知の方法を用いることができる。

なお、端面部電極５２、内面部電極５３及び側面部電極５４では、第２めっき層６４は、第１めっき層６３よりも厚さが厚いことが好ましい。この場合、端面部電極５２、内面部電極５３及び側面部電極５４のはんだ濡れ性が向上し、インダクタ部品１０の回路基板への実装時において、実装はんだがフィレットをより高く形成し、回路基板に対するインダクタ部品１０の固着力をより向上できる。

図２に示すように、インダクタ部品１０は、更にカバー部材８０を有している。なお、図１（ａ）及び図１（ｂ）では、コア２０及びワイヤ７０を判り易くするため、カバー部材８０を二点鎖線にて図示している。

カバー部材８０は、一対の支持部２２の間に配設されて天面３５側でワイヤ７０を覆っている。具体的には、カバー部材８０は、一方の支持部２２の天面３５から軸部２１の上方を介して他方の支持部２２の天面３５に至るまで形成されている。カバー部材８０の材料としては、例えば、エポキシ系などの樹脂材料を用いることができる。

カバー部材８０は、例えばインダクタ部品１０を回路基板に実装する際に、吸引ノズルによる吸着が確実に行えるようにする。また、カバー部材８０は、吸引ノズルによる吸着時にワイヤ７０に傷がつくことを防止する。なお、カバー部材８０に金属磁性粉含有樹脂などの磁性材料を用いることで、インダクタ部品１０のインダクタンス値（Ｌ値）を向上させることができる。一方、カバー部材８０に磁性粉を含有しない樹脂などの非磁性材料を用いることで、磁性損失を低減し、インダクタ部品１０のＱ値を向上させることができる。なお、この場合、カバー部材８０には酸化シリコン、硫酸バリウムなどのフィラーを含有させた樹脂を用いてもよい。

本実施形態の作用について説明する。
本実施形態のインダクタ部品１０の端子電極５０は非磁性体であるため、端子電極５０が周囲の磁場に反応することが抑制される。従って、端子電極５０を備えたインダクタ部品１０を強磁場の環境で使用したとしても、端子電極５０によって周囲の磁場が乱されることが抑制される。よって、例えば、インダクタ部品１０をＭＲＩで使用した場合、端子電極５０に起因して撮影画像が乱れることが抑制される。

また、端子電極５０が非磁性体であるため、インダクタ部品１０が発生させる磁場が端子電極５０によって乱されることが抑制される。例えば、従来のように端子電極にニッケルが含まれる場合、ニッケルは磁性材料であることから、ワイヤの巻線部に通電されることで発生する磁束が遮断されて渦電流損失などが発生し、Ｑ値が低下するという問題がある。しかしながら、本実施形態のインダクタ部品１０では、端子電極５０は非磁性体であるため、同端子電極５０によってワイヤ７０にて形成されたコイルの磁界が遮断されることがなく、Ｑ値の低下を抑制できる。

なお、支持部２２がセラミックスよりなり、端子電極５０が、支持部２２の表面に形成された銀を含むガラスの焼結体である下地層６１と、下地層６１を覆うめっき層６２とを備え、めっき層６２が、銅よりなり下地層６１を覆う銅電極層である第１めっき層６３を含むことが好ましい。この場合、支持部２２及び下地層６１がともに焼結体であるため、支持部２２と端子電極５０との密着性を向上させることができる。更に、ワイヤ７０の端部と端子電極５０との接続時や、インダクタ部品１０の実装時、実装後に端子電極５０が加熱された場合、下地層６１を覆うめっき層６２の第１めっき層６３によって、下地層６１が溶解して流出することを抑制できる。従って、インダクタ部品１０の耐熱性を向上させることが可能である。

また、銅電極層である第１めっき層６３の厚さ寸法Ｔｈ１が１０μｍ以上であることが好ましい。これにより、ワイヤ７０の端部と端子電極５０とが熱圧着されたとしても、第１めっき層６３によって下地層６１が溶解して流出することをより確実に抑制できる。従って、インダクタ部品１０の耐熱性をより向上できる。更に、インダクタ部品１０をリフロー実装する場合には、リフロー実装を行う際の熱によって下地層６１が溶解して流出することを第１めっき層６３によって抑制できる。

また、銅電極層である第１めっき層６３の厚さ寸法Ｔｈ１が３０μｍ以下であることが好ましい。これにより、インダクタ部品１０が端子電極５０によって高背化し過ぎることや、一対の支持部２２間の端子電極５０の高さばらつきによるコプラナリティの低下を抑制できる。

また、端子電極５０は、支持部２２の底面３６に形成された底面部電極５１を有し、めっき層６２は、錫よりなり銅電極層（第１めっき層６３）を覆う錫電極層である第２めっき層６４を含み、底面部電極５１では、第１めっき層６３は第２めっき層６４よりも厚さが厚く、ワイヤ７０の端部は、底面部電極５１に接続されていることが好ましい。銅と錫とは合金を形成するため、錫よりなる第２めっき層６４の厚さが銅よりなる第１めっき層６３よりも厚いと、端子電極５０が加熱された時に、第１めっき層６３を構成する銅が錫よりなる第２めっき層６４中に拡散されて第１めっき層６３が極端に薄くなったり無くなったりする虞がある。すると、下地層６１が流出してしまい、端子電極５０がコア２０の支持部２２から剥離しやすくなってしまう。しかしながら、ワイヤ７０の端部が接続される底面部電極５１においては、第２めっき層６４よりも第１めっき層６３の厚さが厚い場合、ワイヤ７０の端部と端子電極５０とが熱圧着のために加熱された場合であっても、第１めっき層６３が極端に薄くなったり無くなったりすることが抑制される。従って、下地層６１が溶解して流出することを更に抑制できる。

また、底面部電極５１では、下地層６１は第１めっき層６３よりも厚さが薄いことが好ましい。これにより、底面３６と直交する方向（即ち、高さ方向Ｔｄ）に端子電極５０が厚くなることを抑制でき、インダクタ部品１０が端子電極５０によって高背化し過ぎることや、一対の支持部２２間の端子電極５０の高さばらつきによるコプラナリティの低下を抑制できる。

本実施形態の効果について説明する。
（１）インダクタ部品１０は、柱状の軸部２１及び軸部２１の両端に設けられた一対の支持部２２を有するコア２０と、一対の支持部２２の各々に設けられた非磁性体の端子電極５０と、軸部２１に巻回され両端部がそれぞれ一対の支持部２２の端子電極５０に接続されたワイヤ７０とを備えている。

端子電極５０は非磁性体であるため、端子電極５０が周囲の磁場に反応することが抑制される。従って、周囲の磁場への影響を低減できる。また、端子電極５０は非磁性体であるため、インダクタ部品１０が発生させる磁場が端子電極５０によって乱されることが抑制される。その結果、Ｑ値の低下を抑制できる。

（２）支持部２２はセラミックスよりなり、端子電極５０は、支持部２２の表面に形成された銀を含むガラスの焼結体である下地層６１と、下地層６１を覆うめっき層６２とを備えることが好ましい。この場合、支持部２２及び下地層６１がともに焼結体であるため、支持部２２と端子電極５０との密着性を向上させることができる。

（３）めっき層６２は、銅よりなり下地層６１を覆う銅電極層である第１めっき層６３を含むことが好ましい。この場合、ワイヤ７０の端部と端子電極５０との接続時や、インダクタ部品１０の実装時、実装後に端子電極５０が加熱された場合、下地層６１を覆うめっき層６２の第１めっき層６３によって、下地層６１が溶解して流出することを抑制できる。その結果、端子電極５０がコア２０の支持部２２から剥離することを抑制できる。従って、インダクタ部品１０の耐熱性を向上させることができる。

（４）銅電極層である第１めっき層６３の厚さ寸法Ｔｈ１が１０μｍ以上、３０μｍ以下であることが好ましい。これにより、ワイヤ７０の端部と端子電極５０とが熱圧着されたとしても、第１めっき層６３によって下地層６１が溶解して流出することをより確実に抑制できる。その結果、端子電極５０がコア２０の支持部２２から剥離することをより抑制できる。従って、インダクタ部品１０の耐熱性をより向上できる。

また、銅電極層である第１めっき層６３の厚さ寸法Ｔｈ１が３０μｍ以下であると、インダクタ部品１０が端子電極５０によって高背化し過ぎることや、一対の支持部２２間の端子電極５０の高さばらつきによるコプラナリティの低下を抑制できる。

（５）端子電極５０は、支持部２２の底面３６に形成された底面部電極５１を有し、めっき層６２は、錫よりなり銅電極層（第１めっき層６３）を覆う錫電極層である第２めっき層６４を含み、底面部電極５１では、第１めっき層６３は第２めっき層６４よりも厚さが厚く、ワイヤ７０の端部は、底面部電極５１に接続されていることが好ましい。

銅と錫とは合金を形成するため、錫よりなる第２めっき層６４の厚さが銅よりなる第１めっき層６３よりも厚いと、端子電極５０が加熱された時に、第１めっき層６３を構成する銅が錫よりなる第２めっき層６４中に拡散されて第１めっき層６３が極端に薄くなったり無くなったりする虞がある。すると、下地層６１が流出してしまい、端子電極５０がコア２０の支持部２２から剥離しやすくなってしまう。しかしながら、ワイヤ７０の端部が接続される底面部電極５１においては、第２めっき層６４よりも第１めっき層６３の厚さが厚い場合、ワイヤ７０の端部と端子電極５０とが熱圧着のために加熱された場合であっても、第１めっき層６３が極端に薄くなったり無くなったりすることが抑制される。従って、下地層６１が溶解して流出することを更に抑制できる。その結果、端子電極５０がコア２０の支持部２２から剥離することを更に抑制できる。よって、インダクタ部品１０の耐熱性を更に向上できる。

（６）端子電極５０は、支持部２２の底面３６に形成された底面部電極５１を有し、底面部電極５１では、下地層６１は第１めっき層６３よりも厚さが薄いことが好ましい。これにより、底面３６と直交する方向に端子電極５０が厚くなることを抑制でき、インダクタ部品１０が端子電極５０によって高背化し過ぎることや、一対の支持部２２間の端子電極５０の高さばらつきによるコプラナリティの低下を抑制できる。

＜変更例＞
本実施形態は、以下のように変更して実施することができる。本実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。

・上記実施形態に対し、端子電極５０の形状を適宜変更してもよい。
例えば、図６及び図７に示す巻線型インダクタ部品１０ａに備えられる端子電極５０ａは、一対の支持部２２の互いに対向する内面３１側の端部から支持部２２における内面３１と反対側の端面３２側の端部に向かうほど高さが高い。なお、図６及び図７に示す例では、上記実施形態の構成と対応する構成に同一の符号を付している。端子電極５０ａは、上記実施形態の端子電極５０と同様に非磁性体である。端子電極５０ａは、幅方向Ｗｄから見て（即ち、図７に示す状態）、支持部２２の内面３１側の端部から側面部電極５４における端面３２側の端部まで徐々に高さが高くなり、端面部電極５２において最も高さが高い。

このようにすると、端子電極５０ａは、支持部２２の端面３２を覆う部分の高さが高くなることにより表面積が増加する。この表面積の増加は、巻線型インダクタ部品１０ａの回路基板への実装時に、実装はんだが端面部電極５２に沿って高くフィレットを形成することを可能にするため、回路基板に対する巻線型インダクタ部品１０ａの固着力がより向上する。特に、巻線型インダクタ部品１０ａが小型化されたとしても、固着力を確保しやすい。一方、端面部電極５２の高さに対して、内面部電極５３は高さを抑制することができるため、巻線型インダクタ部品１０ａの回路基板への実装時に、実装はんだが内面部電極５３に沿って濡れ上がったとしても、巻線部７１への実装はんだの付着を抑制することができる。また、支持部２２の端面３２を覆う部分の高さが高くなると、巻線部７１が通電されることで軸部２１に沿って発生する高密度の磁束を端子電極５０が塞ぐ形となるが、同端子電極５０ａは非磁性体であるため、磁束の遮断によるＱ値の低下を抑制できる。

なお、図６及び図７に示す端子電極５０ａにおいて、端面３２側の端部が最も高さが高くなるように形成されるのであれば、内面３１側の端部から端面３２側の端部に向かって一部低くなる部分があってもよい。

また、上記実施形態の端子電極５０において、端面部電極５２、内面部電極５３及び側面部電極５４の高さを異ならせてもよい。また、内面部電極５３及び側面部電極５４の少なくとも一方の電極を備えない端子電極としてもよい。また、上記実施形態では、一対の支持部２２に形成された端子電極５０の形状を同じ形状としたが、異なる形状としてもよい。

・上記実施形態では、底面部電極５１では、下地層６１は第１めっき層６３よりも厚さが薄い。しかしながら、底面部電極５１において、下地層６１の厚さを第１めっき層６３の厚さ以上の厚さとしてもよい。

・底面部電極５１における第１めっき層６３の厚さ及び第２めっき層６４の厚さは上記実施形態のものに限らず、適宜変更してもよい。
・上記実施形態では、めっき層６２は、第１めっき層６３と第２めっき層６４とから構成されている。しかしながら、めっき層６２は、非磁性の金属材料よりなる１つ以上の金属層から構成されればよい。

・上記実施形態では、端子電極５０は、下地層６１とめっき層６２とから構成されている。しかしながら、端子電極５０は、非磁性体よりなるのであれば、その構成は上記実施形態のものに限らず適宜変更してもよい。

・上記実施形態に対し、カバー部材８０の形状を適宜変更してもよい。例えば、カバー部材８０は、支持部２２の天面３５を覆わず、一対の支持部２２の間にのみ配設されたものであってもよい。このカバー部材８０は、軸部２１に巻回されたワイヤ７０（巻線部７１）を覆うように形成されるとともに、同カバー部材８０の天面は、支持部２２の天面３５と面一な平面状をなす。

また、上記実施形態においては、カバー部材８０は、支持部２２の間においては、軸部２１の上部におけるワイヤ７０のみを覆うように形成されたが、これと異なる構成であってもよい。例えば、カバー部材８０は、軸部２１の上部に加えて軸部２１の両側面におけるワイヤ７０を覆う形状であってもよい。また例えば、カバー部材８０は、軸部２１の底面上のワイヤ７０も含む巻線部７１の全体を覆う形状であってもよい。また、インダクタ部品１０は必ずしもカバー部材８０を備えなくてもよい。

・上記実施形態に対し、コア２０の形状を適宜変更してもよい。
図８に示すコア２００は、直方体状の軸部２０１と、軸部２０１の両端部の支持部２０２とを有している。支持部２０２は、軸部２０１と同じ幅に形成されるとともに、軸部２０１に対して上方及び下方に張り出すように形成されている。つまり、このコア２００は、側面がＨ字状に形成されている。なお、図８に示すコア２００は一例の概略であり、軸部２０１と支持部２０２の形状は適宜変更が可能である。

具体的には、コアの軸部は、円柱状や四角以外の多角柱状であってもよい。なお、柱状には錐台形状も含む。また、コアの支持部は、主面が正方形状などの他の多角形状や円形状、楕円状の鍔状であってもよい。なお、鍔状には、厚みが主面の各辺と比較して厚い形状、薄い形状、同程度の形状、何れも含む。更に、軸部と支持部とは一体に形成されず、別部材として形成されたものを接着剤等で接合したものであってもよい。

１０，１０ａ…巻線型インダクタ部品、２０，２００…コア、２１，２０１…軸部、２２，２０２…支持部、３１…内面、３２…端面、３６…底面、５０，５０ａ…端子電極、５１…底面部電極、６１…下地層、６２…めっき層、６３…銅電極層としての第１めっき層、６４…錫電極層としての第２めっき層、７０…ワイヤ、Ｔｈ１…厚さ寸法。

Claims (7)

1. 柱状の軸部及び前記軸部の両端に設けられた一対の支持部を有するコアと、
   一対の前記支持部の各々に設けられた非磁性体の端子電極と、
   前記軸部に巻回され両端部がそれぞれ一対の前記支持部の前記端子電極に接続されたワイヤと、
   を備えた巻線型インダクタ部品。
2. 前記支持部はセラミックスよりなり、
   前記端子電極は、前記支持部の表面に形成された銀を含むガラスの焼結体である下地層と、前記下地層を覆うめっき層とを備える請求項１に記載の巻線型インダクタ部品。
3. 前記めっき層は、銅よりなり前記下地層を覆う銅電極層を含む請求項２に記載の巻線型インダクタ部品。
4. 前記銅電極層の厚さ寸法が１０μｍ以上、３０μｍ以下である請求項３に記載の巻線型インダクタ部品。
5. 前記端子電極は、前記支持部の底面に形成された底面部電極を有し、
   前記めっき層は、錫よりなり前記銅電極層を覆う錫電極層を含み、
   前記底面部電極では、前記銅電極層は前記錫電極層よりも厚さが厚く、
   前記ワイヤの端部は、前記底面部電極に接続されている請求項３又は請求項４に記載の巻線型インダクタ部品。
6. 前記端子電極は、前記支持部の底面に形成された底面部電極を有し、
   前記底面部電極では、前記下地層は前記銅電極層よりも厚さが薄い請求項３乃至請求項５の何れか１項に記載の巻線型インダクタ部品。
7. 前記端子電極は、一対の前記支持部の互いに対向する内面側の端部から前記支持部における前記内面と反対側の端面側の端部に向かうほど高さが高い請求項１乃至請求項６の何れか１項に記載の巻線型インダクタ部品。