JP2020098283A - 光導波路とその製造方法 - Google Patents

光導波路とその製造方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2020098283A
JP2020098283A JP2018236671A JP2018236671A JP2020098283A JP 2020098283 A JP2020098283 A JP 2020098283A JP 2018236671 A JP2018236671 A JP 2018236671A JP 2018236671 A JP2018236671 A JP 2018236671A JP 2020098283 A JP2020098283 A JP 2020098283A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
optical waveguide
core layer
etch stop
core
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2018236671A
Other languages
English (en)
Inventor
藤原　裕士
Yuji Fujiwara
裕士 藤原
里美 片寄
Satomi Katayose
里美 片寄
笠原　亮一
Ryoichi Kasahara
亮一 笠原
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Original Assignee
Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Telegraph and Telephone Corp filed Critical Nippon Telegraph and Telephone Corp
Priority to JP2018236671A priority Critical patent/JP2020098283A/ja
Priority to US17/299,725 priority patent/US20220179151A1/en
Priority to PCT/JP2019/047564 priority patent/WO2020129664A1/ja
Publication of JP2020098283A publication Critical patent/JP2020098283A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/122—Basic optical elements, e.g. light-guiding paths
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/12004—Combinations of two or more optical elements
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
    • G02B6/132—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by deposition of thin films
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B6/13—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method
    • G02B6/136—Integrated optical circuits characterised by the manufacturing method by etching
    • G—PHYSICS
    • G02—OPTICS
    • G02B—OPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B6/00—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings
    • G02B6/10—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type
    • G02B6/12—Light guides; Structural details of arrangements comprising light guides and other optical elements, e.g. couplings of the optical waveguide type of the integrated circuit kind
    • G02B2006/12133—Functions
    • G02B2006/12138—Sensor

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Optical Integrated Circuits (AREA)

Abstract

【課題】製造プロセスの熱処理においてコア層が下部クラッド層中に沈み込むことを抑制して可視光用導波路の低損失化を可能にするとともに、光導波路形状の基板面内ばらつきを抑制する光導波路を提供する。【解決手段】基板１０１と、基板上に形成された下部クラッド層１０２と、下部クラッド層上に形成されたエッチストップ層１０３と、エッチストップ層上に形成されたコア層１０４と、コア層及びエッチストップ層上に形成された上部クラッド層１０５と、を備えた光導波路であって、エッチストップ層はコア層を構成する材料よりもエッチング速度が小さく、且つ前記コア層を構成する材料と比較して軟化点が高い材料で構成されていることを特徴とする光導波路とした。【選択図】図３

Description

本発明は、光導波路とその製造方法に関する。特に製造プロセスの熱処理によって光導波路のコア層が下部クラッド層へ沈み込むことを抑制して、可視光用導波路の低損失化を可能にする光導波路とその製造方法に関する。それとともに、マイクロローディング効果やエッチング量の基板面内における分布に起因する、可視光用導波路の形状の基板面内ばらつきを抑制して、導波路構造の基板面内における均質化を実現可能な光導波路及びその製造方法に関する。
従来、石英系ガラス材料によって構成された平面光波回路(Ｐｌａｎａｒ Ｌｉｇｈｔｗａｖｅ Ｃｉｒｃｕｉｔｓ：ＰＬＣ 以下、石英系ＰＬＣ)は、光通信・光信号処理システムを中心に用いられている。石英系ＰＬＣを構成する石英系導波路は、通信波長用に設計・作製されており、そのコア材料には、ＳｉＯ2にＧｅＯ2をドープしたＳｉＯ2−ＧｅＯ2が用いられている。（例えば特許文献１参照）。石英系導波路のコア材料としてＳｉＯ2−ＧｅＯ2を用いた場合、通信波長帯では、大きな吸収損失もなく、極めて低損失で、実績ある光導波路を作製することができる。
近年、石英系ＰＬＣデバイスは、光通信・光信号処理システムだけでなく、映像・センサデバイスとしても用いられており、可視光波長用に設計された石英系ＰＬＣデバイスも開発されている。
しかしながら、石英系導波路のコア材料として用いられるＳｉＯ2−ＧｅＯ2は、通信波長帯では吸収を有さないものの、可視光波長帯では吸収を有するため、可視光が石英系ＰＬＣデバイスに入力されて導波路を伝搬すると、電子励起に起因した光吸収により光学特性が劣化するという問題があった。
そこで、可視光用光導波路のコア材料としてドーパントを用いず、純粋石英ガラスを用いる方法がある。可視光用光導波路のコア材料として純粋石英ガラスを用いる場合、クラッド材料として、クラッド層の屈折率を純粋石英ガラスの屈折率より下げるために、ホウ素やフッ素をドープした石英ガラスが用いられる。
図１は、ホウ素やフッ素をドープした石英ガラスを用いたクラッド層を有する、従来の光導波路構造を示す。図１には、Ｓｉ基板１と、Ｓｉ基板１上に形成されたＳｉＯ2下部クラッド層２と、ＳｉＯ2下部クラッド層２上に形成された純粋石英ガラスコア層３と、純粋石英ガラスコア層３を埋め込むようにＳｉＯ2下部クラッド層２及び純粋石英ガラスコア層３上に形成されたＳｉＯ2上部クラッド層４と、を備えた光導波路構造が示されている。ＳｉＯ2下部クラッド層２及びＳｉＯ2上部クラッド層４は、ホウ素又はフッ素がドーピングされている。
しかしながら、ドーパントが多いほどＳｉＯ2は軟化点が低くなるため、このようなホウ素やフッ素をドープした石英ガラスをクラッド層として用いた場合、純粋石英ガラスコア層３よりも低い温度でクラッド層が軟化することとなる。このため、光導波路作製過程においてコア膜の膜質安定化およびクラッド層の平坦化のために火炎堆積法などによる熱処理を行うと、図１に示されるように、軟化点の高い純粋石英ガラスコア層３が、ドーパントリッチで軟化点の低いＳｉＯ2下部クラッド層２中に沈み込んでしまう。
その結果、例えば、光導波路の間隔を制御できないなどの問題が発生し、所望の光回路パターンを形成できず、高機能な光回路の形成が困難であるという問題があった。なお、ここで軟化点とは固体物質を加熱していくときに、物質が軟化し、変形し始める温度を意味し、例えば純粋石英ガラスであれば１６００℃程度の値であり、ドーパントリッチで軟化点の低いＳｉＯ2クラッド層であれば９００℃程度の値である。
そこでまた従来、断面矩形のコアの底面に極めて薄いコア膜を残すことで、表面張力によりコア層を浮かせ、製造プロセスの熱処理においてコア層が下部クラッド層中に沈み込むことを抑制する手法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
図２は、特許文献２に示す従来の光導波路構造を示す。図２には、Ｓｉ基板１１と、Ｓｉ基板１１上に形成されたＳｉＯ2下部クラッド層１２と、純粋石英ガラスコア層１３と、純粋石英ガラスコア層１３を埋め込むようにＳｉＯ2下部クラッド層１２及び純粋石英ガラスコア層１３上に形成されたＳｉＯ2上部クラッド層１４に加えて、ＳｉＯ2下部クラッド層１２上で純粋石英ガラスコア層１３下に設けられた薄いコア膜１５を備えた光導波路構造が示されている。ここでＳｉＯ2下部クラッド層１２及びＳｉＯ2上部クラッド層１４には、図１と同様にホウ素又はフッ素がドーピングされている。
図２に示す従来の光導波路構造では、エッチングにより純粋石英ガラスコア層１３の回路パターンを形成するときに、矩形の純粋石英ガラスコア層１３底面に極めて薄いコア膜１５を残すようにエッチングする。このコア膜１５を形成することで、コア膜１５の受ける表面張力によりクラッド層が軟化したときでも純粋石英ガラスコア層１３を浮かせ、製造プロセスの熱処理において純粋石英ガラスコア層１３がＳｉＯ2下部クラッド層１２中に沈み込むことを抑制している。
特開２０１３−１７１２６１号公報 特開２００６−０３０７３４号公報
図２に示す従来の導波路構造では、純粋石英ガラスコア層１３のエッチングの際に残すコア膜１５の膜厚を制御して薄膜化を実現している。
しかしながら、エッチングにより薄いコア膜１５をＳｉＯ2下部クラッド層１２上に残そうとすると、回路パターンの疎密によりエッチング速度が変化するマイクロローディング効果が起こる。このマイクロローディング効果のため、回路パターンが密集しているエリアではエッチング速度が低くなり、回路パターンが疎なエリアではエッチング速度が高くなることから、ウエハ面内においてコア膜１５を均質な残し厚に制御するのが困難であるという問題があった。
また、エッチング速度が基板面内で異なることにより、コア膜１５の残し厚が面内でばらつくため、歩留まりの低下を引き起こすという問題もあった。
本発明は、上記課題に鑑みてなされたものであり、熱処理においてコア層が下部クラッド層に沈み込むことを抑制して、可視光用導波路の低損失化を可能にするとともに、エッチング速度の基板面内でのばらつきに起因する歩留まりの低下を抑制可能な光導波路を提供することを目的とする。
上記課題を解決するために、本発明の光導波路の一態様では、コア層と異なる材料で形成された薄いエッチストップ層をコア層の下に設けることを特徴とする。
また具体的には、以下のような構成を備えることを特徴とする。
（構成１)
基板と、
前記基板の上に形成された下部クラッド層と、
前記下部クラッド層の上に形成されたエッチストップ層と、
前記エッチストップ層の上に形成されたコア層と、
前記コア層及び前記エッチストップ層の上に形成された上部クラッド層と、を備えた光導波路であって、
前記エッチストップ層は前記コア層を構成する材料よりもエッチング速度が小さく、且つ前記コア層を構成する材料と比較して軟化点が高い材料で構成されている
ことを特徴とする光導波路。
（構成２)
前記エッチストップ層の厚みが前記コア層の２%以下の厚みを有する
ことを特徴とする構成１に記載の光導波路。
（構成３)
前記エッチストップ層は、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）を含む材料で構成されている
ことを特徴とする構成１または２に記載の光導波路。
（構成４)
前記コア層は、純粋石英ガラスで構成されている
ことを特徴とする構成１〜３のいずれか１項に記載の光導波路。
（構成５)
前記下部クラッド層及び前記上部クラッド層は、ホウ素又はフッ素がドープされた石英系ガラスによって構成されている
ことを特徴とする構成１〜４のいずれか１項に記載の光導波路。
（構成６）
基板の上に下部クラッド層を形成するステップと、
前記下部クラッド層の上にエッチストップ層を形成するステップと、
前記エッチストップ層の上にコア層を形成するステップと、と、
前記コア層及び前記エッチストップ層の上に上部クラッド層を形成するステップと、を備えた光導波路の製造方法であって、
前記エッチストップ層は前記コア層を構成する材料よりもエッチング速度が小さく、且つ前記コア層を構成する材料と比較して軟化点が高い材料で形成される
ことを特徴とする光導波路の製造方法。
（構成７）
前記エッチストップ層の厚みが前記コア層の２%以下の厚みで形成される
ことを特徴とする構成６に記載の光導波路の製造方法。
（構成８）
前記エッチストップ層は、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）を含む材料で形成される
ことを特徴とする構成６または７に記載の光導波路の製造方法。
以上記載したように、本発明によれば、製造プロセスの熱処理においてコア層が下部クラッド層中に沈み込むことを抑制して可視光用導波路の低損失化を可能にするとともに、マイクロローディング効果やエッチング速度の面内分布に起因する導波路形状の面内ばらつきを抑制する光導波路を提供することが可能となる。
従来の光導波路構造の一例を示す基板断面図である。 従来の光導波路構造の別の一例を示す基板断面図である。 本発明の実施形態にかかる光導波路構造を示す基板断面図である。
以下、図面を参照しながら本発明の実施形態を詳細に説明する。
（光導波路構造）
図３は、本発明の実施形態にかかる光導波路構造を示す基板断面図である。図３には、例えばＳｉで構成された基板１０１と、基板１０１上に形成され、例えば石英系ガラスで構成された下部クラッド層１０２と、下部クラッド層１０２上に形成され、例えば酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）で構成されたエッチストップ層１０３と、エッチストップ層１０３上に形成された、例えば純粋石英ガラスで構成されたコア層１０４と、コア層１０４上に形成され、例えば石英系ガラスで構成された上部クラッド層１０５と、を備えた光導波路構造が示されている。
下部クラッド１０２及び上部クラッド層１０５は、コア層１０４を構成する材料と比較して比屈折率差Δが約２％になるように、例えばフッ素がドーピングされた石英系ガラスで構成されている。
エッチストップ層１０３は、表面張力によってコア層１０４を浮かせるのに充分な厚みで、かつ光導波路を伝搬する伝搬光の導波路断面内方向（例えば図の上下方向）についての電界強度の分布のピークが、コア層１０４からエッチストップ層１０３に移らないように薄いことが望ましく、例えばコア層１０４の厚みの２％以下の厚みを有することができる。エッチストップ層の下限は堆積時の膜厚制御性によって決定され、およそ０．０１μｍ程度である。
（光導波路の製造方法）
以下、本発明の実施例に係る光導波路の製造方法について説明する。まず、１ｍｍの厚さを有する例えばＳｉで構成された基板１０１上に、例えば火炎堆積法を用いて、フッ素がドーピングされたＳｉＯ2を２０μｍ堆積して、下部クラッド層１０２を形成する。
次に、前記下部クラッド層１０２上に、例えばＡＬＤ(Atomic Layer Deposition)法を用いて、酸化アルミニウムを０．０２μｍ堆積してエッチストップ層１０３を形成する。その後、前記エッチストップ層１０３上に、例えばスパッタリング法を用いて、純粋石英ガラス膜を１μｍ堆積する。この純粋石英ガラス膜を、基板断面を矩形状に所望の光回路パターンでエッチングし、コア層１０４を形成する。
その後、例えば火炎堆積法を用いて、下部クラッド層１０２と同等の屈折率となるようにフッ素がドーピングされたＳｉＯ2を２０μｍ堆積して、上部クラッド層１０５を形成した。
本実施例に係る光導波路によると、フッ素系ガスを用いたコア形成時のドライエッチングにおいて、エッチストップ層１０３である酸化アルミニウム層にてエッチングが止まることから、純粋石英ガラス膜のエッチング量を一定にすることが可能になり、マイクロローディング効果やエッチング速度の面内分布によるコア層１０４の形状の面内ばらつきを抑制できる。またエッチストップ層である酸化アルミニウムの軟化点が石英系ガラスの軟化点より高いため熱処理時に軟化せず、表面張力によりコア層１０４を浮かせることができ下部クラッド１０２への沈み込みを抑制することが可能となる。
なお、上記実施例では、下部クラッド層１０２及び上部クラッド層１０５は火炎堆積法、コア層１０４はスパッタリング法でそれぞれ堆積されているが、堆積法は火炎堆積法、化学気相成長法、スパッタリング法から自由に選択してよい。
上記実施例では、基板１０１はＳｉで構成されているが、望ましくは融点が１４００℃以上で且つ熱膨張係数が０．５×１０-6 ／℃以上であれば、いずれの材料で構成してもよい。
また、上記実施例では、下部クラッド層１０２及び上部クラッド層１０５はフッ素がドーピングされたＳｉＯ2で構成されているが、ドーパントにはホウ素やフッ素、またはその両方を用いてもよく、コアとの比屈折率差Δは２％でなくともよい。
また、上記実施例では、エッチストップ層１０３は酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）で構成されているが、例えば酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）を含む材料で構成してもよい。エッチストップ層１０３の材料及び厚さは、それぞれ導波路のコア層１０４を形成する際に用いるエッチングガスに対してコア層１０４よりエッチング速度が小さく、かつコア層１０４より軟化点または融点の高い材料、及び表面張力によりコア層１０４を浮かせることが可能な膜厚から選択される。
また、上記実施例では、上部クラッド層１０５をその屈折率が下部クラッド層１０２と同じ屈折率となるように構成したが、コア層１０４よりも低い屈折率であれば、下部クラッド層１０２と上部クラッド層１０５とが異なる屈折率となるように構成してもよい。また、下部クラッド層１０２及び上部クラッド層１０５は、同じものであっても異なるものであってもよい。
本発明によれば、製造プロセスの熱処理においてコア層が下部クラッド層中に沈み込むことを抑制して可視光用導波路の低損失化を可能にするとともに、光導波路形状の面内ばらつきを抑制した光導波路を提供することが可能となる。
１、１１ Ｓｉ基板
２、１２ ＳｉＯ2下部クラッド層
３、１３ 純粋石英ガラスコア層
４、１４ ＳｉＯ2上部クラッド層
１５ コア膜
１０１ 基板
１０２ 下部クラッド層
１０３ エッチストップ層
１０４ コア層
１０５ 上部クラッド層

Claims (8)

  1. 基板と、
    前記基板の上に形成された下部クラッド層と、
    前記下部クラッド層の上に形成されたエッチストップ層と、
    前記エッチストップ層の上に形成されたコア層と、
    前記コア層及び前記エッチストップ層の上に形成された上部クラッド層と、を備えた光導波路であって、
    前記エッチストップ層は前記コア層を構成する材料よりもエッチング速度が小さく、且つ前記コア層を構成する材料と比較して軟化点が高い材料で構成されている
    ことを特徴とする光導波路。
  2. 前記エッチストップ層の厚みが前記コア層の２%以下の厚みを有する
    ことを特徴とする請求項１に記載の光導波路。
  3. 前記エッチストップ層は、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）を含む材料で構成されている
    ことを特徴とする請求項１または２に記載の光導波路。
  4. 前記コア層は、純粋石英ガラスで構成されている
    ことを特徴とする請求項１〜３のいずれか１項に記載の光導波路。
  5. 前記下部クラッド層及び前記上部クラッド層は、ホウ素又はフッ素がドープされた石英系ガラスによって構成されている
    ことを特徴とする請求項１〜４のいずれか１項に記載の光導波路。
  6. 基板の上に下部クラッド層を形成するステップと、
    前記下部クラッド層の上にエッチストップ層を形成するステップと、
    前記エッチストップ層の上にコア層を形成するステップと、と、
    前記コア層及び前記エッチストップ層の上に上部クラッド層を形成するステップと、を備えた光導波路の製造方法であって、
    前記エッチストップ層は前記コア層を構成する材料よりもエッチング速度が小さく、且つ前記コア層を構成する材料と比較して軟化点が高い材料で形成される
    ことを特徴とする光導波路の製造方法。
  7. 前記エッチストップ層の厚みが前記コア層の２%以下の厚みで形成される
    ことを特徴とする請求項６に記載の光導波路の製造方法。
  8. 前記エッチストップ層は、酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化イットリウム（Ｙ2Ｏ3）、イットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）を含む材料で形成される
    ことを特徴とする請求項６または７に記載の光導波路の製造方法。
JP2018236671A 2018-12-18 2018-12-18 光導波路とその製造方法 Pending JP2020098283A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018236671A JP2020098283A (ja) 2018-12-18 2018-12-18 光導波路とその製造方法
US17/299,725 US20220179151A1 (en) 2018-12-18 2019-12-05 Optical waveguide and manufacturing method thereof
PCT/JP2019/047564 WO2020129664A1 (ja) 2018-12-18 2019-12-05 光導波路とその製造方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2018236671A JP2020098283A (ja) 2018-12-18 2018-12-18 光導波路とその製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2020098283A true JP2020098283A (ja) 2020-06-25

Family

ID=71100850

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2018236671A Pending JP2020098283A (ja) 2018-12-18 2018-12-18 光導波路とその製造方法

Country Status (3)

Country Link
US (1) US20220179151A1 (ja)
JP (1) JP2020098283A (ja)
WO (1) WO2020129664A1 (ja)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61234545A (ja) * 1985-04-04 1986-10-18 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 半導体基板のセグメントを絶縁分離する方法
JPH05307200A (ja) * 1992-04-30 1993-11-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 導波路型光スイッチ及びその製造方法
JP2002335051A (ja) * 2001-05-11 2002-11-22 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法
CN103854669A (zh) * 2012-12-04 2014-06-11 希捷科技有限公司 偏振旋转器
JP2018032043A (ja) * 2017-11-06 2018-03-01 株式会社東芝 光デバイスおよびその製造方法
US20180323237A1 (en) * 2017-05-05 2018-11-08 Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas Phase-change memory

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5243677A (en) * 1990-09-20 1993-09-07 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Quartz optical waveguide and method for producing the same
US5253319A (en) * 1992-02-24 1993-10-12 Corning Incorporated Planar optical waveguides with planar optical elements
WO1999031514A1 (en) * 1997-12-15 1999-06-24 Seiko Instruments Inc. Optical waveguide probe and its manufacturing method
US6396988B1 (en) * 1999-08-13 2002-05-28 Nec Corporation Optical waveguide device and method of forming the same
US6393185B1 (en) * 1999-11-03 2002-05-21 Sparkolor Corporation Differential waveguide pair
US6243517B1 (en) * 1999-11-04 2001-06-05 Sparkolor Corporation Channel-switched cross-connect
KR100326317B1 (ko) * 2000-07-06 2002-03-08 윤종용 실리카 미세 구조물의 제작 방법
US6850670B2 (en) * 2001-06-28 2005-02-01 Lightwave Microsytstems Corporation Method and apparatus for controlling waveguide birefringence by selection of a waveguide core width for a top clad
US6615615B2 (en) * 2001-06-29 2003-09-09 Lightwave Microsystems Corporation GePSG core for a planar lightwave circuit
US20030070451A1 (en) * 2001-10-11 2003-04-17 Luc Ouellet Method of reducing stress-induced mechanical problems in optical components
US7008872B2 (en) * 2002-05-03 2006-03-07 Intel Corporation Use of conductive electrolessly deposited etch stop layers, liner layers and via plugs in interconnect structures
US6826345B1 (en) * 2002-06-10 2004-11-30 Lightwave Microsystems Corporation Top cap process for reducing polarization dependent wavelength shift in planar lightwave circuits
JP2004029073A (ja) * 2002-06-21 2004-01-29 Nec Corp 光導波路回路およびその製造方法
JP3936665B2 (ja) * 2003-02-17 2007-06-27 Ｔｄｋ株式会社 光導波路
US7218812B2 (en) * 2003-10-27 2007-05-15 Rpo Pty Limited Planar waveguide with patterned cladding and method for producing the same
JP2006030734A (ja) * 2004-07-20 2006-02-02 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 光導波路及びその製造方法
JP4817673B2 (ja) * 2005-02-25 2011-11-16 三洋電機株式会社 窒化物系半導体素子の作製方法
US7361842B2 (en) * 2005-06-30 2008-04-22 Intel Corporation Apparatus and method for an embedded air dielectric for a package and a printed circuit board
US7609917B2 (en) * 2005-10-11 2009-10-27 Lightwave Microsystems Corporation Method and apparatus for controlling waveguide birefringence by selection of a waveguide core width for a top cladding
KR20140027917A (ko) * 2011-03-25 2014-03-07 이서영 광도파로 및 그 제조방법
JP5727401B2 (ja) * 2012-02-22 2015-06-03 日本電信電話株式会社 光導波路及びその作製方法
US8772938B2 (en) * 2012-12-04 2014-07-08 Intel Corporation Semiconductor interconnect structures

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS61234545A (ja) * 1985-04-04 1986-10-18 インタ−ナショナル　ビジネス　マシ−ンズ　コ−ポレ−ション 半導体基板のセグメントを絶縁分離する方法
JPH05307200A (ja) * 1992-04-30 1993-11-19 Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> 導波路型光スイッチ及びその製造方法
JP2002335051A (ja) * 2001-05-11 2002-11-22 Sanyo Electric Co Ltd 窒化物系半導体素子および窒化物系半導体の形成方法
CN103854669A (zh) * 2012-12-04 2014-06-11 希捷科技有限公司 偏振旋转器
US20180323237A1 (en) * 2017-05-05 2018-11-08 Stmicroelectronics (Crolles 2) Sas Phase-change memory
JP2018032043A (ja) * 2017-11-06 2018-03-01 株式会社東芝 光デバイスおよびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US20220179151A1 (en) 2022-06-09
WO2020129664A1 (ja) 2020-06-25

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20010007606A1 (en) Silica based optical waveguide and production method therefor
JP2019020624A (ja) 光導波路
JP3911271B2 (ja) 光導波路及びその製造方法
WO2020129664A1 (ja) 光導波路とその製造方法
JPH05215929A (ja) ガラス導波路の製造方法
JP2000147293A (ja) 基板型光導波路およびその製造方法
WO2020240675A1 (ja) 光導波路およびその製造方法
JP2006119379A (ja) 光導波路デバイスの製造方法、および光導波路デバイス
JP2005275300A (ja) 光導波路デバイスを作製する方法、および光導波路デバイス
JP4001416B2 (ja) 埋込プレーナ光波回路素子の製造方法
JPH05181031A (ja) 光導波路及びその製造方法
JP2006030734A (ja) 光導波路及びその製造方法
JP2013171261A (ja) 光導波路及びその作製方法
KR101079768B1 (ko) 평면형 광도파로 제조방법
KR20020040551A (ko) 광도파로 및 그 제조방법
JP2011043576A (ja) 石英系光導波路の作製方法
JPH05150129A (ja) ガラス導波路の製造方法
KR20020089871A (ko) 광도파로 소자 및 그의 제조방법
JP2016045440A (ja) 光導波路の作製方法
JPH09243846A (ja) 高比屈折率差光導波路の製造方法
KR100936800B1 (ko) 평면형 광도파로 구조체 및 그 제조방법
JP3840835B2 (ja) 石英系ガラス導波路素子の製造方法
JP2005345953A (ja) 光導波路とその製造方法
JPH095551A (ja) 石英系ガラス導波路素子の製造方法
JP5718215B2 (ja) 光導波路及びその作製方法

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210317

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220208

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20220802